JPS63307736A - イオンビ−ム加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、イオンビームを照射して行う高精度の加工技
術、特に多層構造を有する、たとえばＬＳＩ等の内部層
を高精度に加工する技術に関する。

〔従来の技術〕

ＬＳＩ（大規模集積回路）等の半導体装置の高集積化、
開発期間の短縮化に伴い、ＬＳＩの不良個所のデパック
、修正あるいは不良解析を目的として、集束イオンビー
ムを所定の被加工部に照射することにより、該ＬＳＩの
配線を切断する技術が、例えば、特開昭５８−１０６７
５０号公報に詳細に開示されている。その概要は、被加
工物にフォーカスイオンビームを照射して該被加工物を
選択エツチングする際に、前記被加工物の所望エツチン
グ深さを予め位置の開数として設定しておき、この設定
情報に基づいてイオンビームの照射量、照射時間、加速
電圧等を変えて照射する事により、深さの異なったエツ
チング加工を行おうとするものである。前記公報では、
深さ方向におけるエツチング制御について詳細に述べら
れているが、平面方向における被加工部の位置合わせに
ついては単に被加工物上に形成されている位置合わせマ
ークを参照して加工予定部分にイオンビームを照射する
事が述べられているにすぎない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、最近のＬＳＩは、一般に多層配線を採用して
おり、また同一層における隣接する配線の間隔が狭いた
め、内部層の配線を切断するには、たとえば加工面積５
μｍ四方、加工深さ１０μｍである高アスペクト比を有
する穴を開けるというような極めて精度の高いエツチン
グ加工をしなくてはならない。一方、ＬＳＩの多層配線
は、シリコン（Ｓｉ）単結晶等の半導体の上に二酸化ケ
イ素（Ｓ１０２）等からなる絶縁膜やアルミニウム（Ａ
β）等からなる配線を蒸着法等で順次積層し、また形成
された層には適宜所望のエツチングを行う等の加工プロ
セスを経て形成される。そのため、前記多層配線におい
ては被加工部が位置する下層の配線層と、それよりも上
方に位置する上層との間にはＬＳＩの加工プロセスで発
生した位置ずれが生じることが考えられる。したがって
、上層に形成されている位置合わせマークを基準として
下層にある被加工部の位置決めをする場合には、前記の
ような上層と下層間の位置ずれによって、被加工部の正
確な位置合わせができないことになり、目的部位の加工
が困難になる場合のあることが本発明者により明らかに
された。

本発明の目的は、イオンビームを照射して被加工物の希
望する位置に正確に高精度の加工を施すことができる技
術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から胡るかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、試料の所定深さの内部層に位置する被加工線
にイオンビームを照射して該被加工部の加工を行う際に
、前記被加工部と同法または略同法に形成した加工用基
準マークを参照してイオンビームの照射位置を決定し、
当該部の加工を行うものである。

〔作用〕

前記した手段によれば、被加工部の位置決めの基準とす
ることを目的に形成された加工用基準マークを参照して
イオンビームの照射位置を決めることができるため、正
確な位置でのイオンビーム加工が可能になるものである
。

〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例であるイオンビーム加工方法
を説明するためのウェハの拡大部分断面図、第２図はそ
のイオンビーム加工方法に使用する加工装置を示す概略
構成図、第３図は前記加工装置の試料台を拡大して示す
概略斜視図である。

また、第４図（ａ）は加工用基準マークの表面における
イオンビームの走査状態を示す概略説明図、第４図ら）
はその際の二次電子の検出強度を示す説明図である。さ
らに、第５図（ａ）〜（ｄ）には加工用基準マークの平
面パターンの変形例を示し、第６（ａ）〜（ｂ）には加
工用基準マークの断面形状の変形例を示しである。加え
て、第７図（ａ）は加工用基準マークの他の例を示す拡
大部分断面図であり、第７図ら）はその概略平面図であ
る。

本実施例１のイオンビーム加工方法に使用される加工装
置は、第２図に示すように１〜３２によって構成されて
いる。

すなわち、第２図において、装置本体の上部に設けられ
た１はイオン源エミッタであり、このイオン源エミッタ
１の内部には図示されないが溶融液体金属等のイオン源
が収容されている。前記イオン源エミッタ１の下方には
引き出し電極２が設けられており、真空中にイオンを放
出させる構造となっている。当該引き出し電極２のさら
に下方には静電レンズとして機能する第２レンズ電極４
およびアパーチャマスクとして機能する第１アパーチヤ
電極３が位置されている。前記第１アパーチヤ電極３の
下方には、第２レンズ電極４、第２アパーチヤ電極９、
ビーム照射のＯＮ、ＯＦＦを制御するブランキング電極
５、さらに第２アパーチヤ電極６および偏向電極７が設
けられている。

このような各電極の構成によって、イオン源エミッタ１
から放出されたイオンビームＢは、集束ビームとして形
成され、前記ブランキング電極５および偏向電極７によ
って制御されて被加工物であるウェハ１２上に照射され
る構造となっている。

前記ウェハ１２は試料ステージ１５上の資料保持器１３
上に載置され、当該試料ステージ１５は、傍邪に設けら
れたレーザーミラー１４を介してレーザ干渉測長器１６
によって位置認識を行いつつステージ駆動モータ１７に
よってその位置合わせを行うようになっている。

なお、前記ウェハ１２の上方には二次イオン・二次電子
検出器１１が配置されており、被加工物１２からの二次
イオンおよび二次電子の発生を検出する構造となってい
る。

また、前記二次イオン・二次電子検出器１１の上方に位
置される１０は電子シャワーであり、ウェハ１２上にお
ける電荷の帯電を防止する構造となっている。

以上に説明した処理系内部は、図中の１８で示される真
空ポンプによって真空状態を維持される構造となってい
る。また、前記各処理系は、外部に設けられた各制御部
１９〜２３によって作動を制御されており、各制御部１
９〜２３はさらに各インターフェイス部２４〜２８を介
して制御コンピュータ２９によって制御される構造とな
っている。なお制御コンピュータ２９はターミナル３０
、磁気ディスク３１およびＭＴデンキ３２等により人出
力およびデータの記録が行われるようになっている。

前記加工装置においては、たとえば磁気ディスク３１に
記憶されている位置データに基づいて、試料ステージ１
５が制御部２２によって制御される駆動モータ１７によ
りｘＹ方向に所定の距離だけ移動できるように構成され
ている。その際の実際の移動距離と位置データとの微小
ずれは、第３図に示すようにレーザー干渉測長器１６か
ら発射されたレーザー光Ａが、各レーザーミラー１４を
経て前記試料台１５のＸ方向の壁面およびＹ方向の壁面
とで反射され、再びレーザー干渉測長器１６に入射され
て互いに干渉することを利用して求められ、その位置ず
れの情報は適宜前記偏向電極７を制御するための偏向制
御部２０に人力され、イオンビームＢの照射位置の微小
補正ができるように構成されている。

第１図には、試料であるウェハ１２の一部が拡大して示
しである。前記ウェハ１２は、その本体がンリコン（Ｓ
ｌ）単結晶等からなる半導体基板１２ａからなり、該半
導体基板１２ａには３層からなる多層配線が形成されて
いる。すなわち、最下層には第１配線３３とその上に被
着形成された第１絶縁層３４とからなる第１配線層３５
、その上層には第２配線３３ａとこの上に被着形成され
た第２絶縁層３４ａとからなる第２配線層３５ａ１さら
に最上層には第３配線３３ｂとその上に被着形成された
第３絶縁層３４ｂとからなる第３配線Ｗ３５ｂがそれぞ
れ積層されている。

前記多層配線層においては、第１、第２および第３の各
配線層３５．３５ａ、３５ｂ＋、：は、それぞれの層を
加工するために使用する加工用基準マーク３６．３７お
よび３８が設けられている。加工用基準マーク３６はこ
れらに限るものではないが、その平面形状を、たとえば
第５図（ａ）〜（ｄ）に示す形状にすることができ、ま
たその断面形状も、第１図に示すものと同構造の突出形
状（第６図（ａ））とすることも、あるいは第６図ら）
に示すような溝形状とすることも可能である。またこの
ときの加工用基準マーク３６の形成材料もアルミニウム
（Ａｊり等の種々のものを使用できるが、均一な層厚で
形成できるものが望ましい。また該加工用基準マーク３
６等は、各層の配線を形成する際に同時に形成されるも
のである。

第１図において、前記加工用基準マーク３６の上方には
、さらに第１絶縁層３４、第２配線３３ａ１第２絶縁層
３４ａ１第３配線３３ｂが順次積層形成されており、最
上層の第３配線３３ｂは、外部に露出された状態となっ
ている。前記各層は均一かつ高精度の層厚を有しており
、したがってこのような加工用基準マーク３６の直上に
位置する第３配線３３ｂの表面には、下層の加工用基準
マーク３６の形状がそのまま正確に反映されており、該
加工用基準マーク３６の上端左右のエツジが最上面に位
置する第３配線３３ｂにおいてエツジ部Ｅ１　およびＥ
２　として反映されている。このエツジ部Ｅ１　および
Ｅ２　　は、加工用基準マーク３６のエツジと比較して
平面方向に一定の広がりを有しているが、当該広がりは
積層数に比例しており、加工用基準マーク３６０両エツ
ジ間の中心は、たとえ中間の各層において多少の平面的
位置ずれがあったとしても、前記エツジ部Ｅ１　　とＥ
２　との中心に正確に一致している。したがって、前記
エツジ部Ｅ、　およびＥ２の位置を特定できれば、必然
的に最下層に位置する加工用基準マーク３６の中心をも
正確に特定できることになる。

二のような位置の特定技術をさらに詳しく説明すると以
下の通りである。

すなわち、以下においては、前記加工用基準マーク３６
を基準に位置決めをして、第１配線層３５の第１配線３
３にイオンビームを照射してその切断加工を行う場合に
ついて説明する。

先ず、ウェハ１２を加工装置の試料ステージ１５０所定
位冒に載置した後、真空ポンプ１８を作動させて装置内
部を所定の真空状態にする。次いで、磁気ディスク３１
に記憶されている位置データに基づいてステージ駆動モ
ータ１７を作動させて試料ステージ１５を、イオンビー
ムが第１配線層の加工用基準マーク３６の上方にくる位
置まで移動させる。そして、第４図（ａ）で略示するよ
うに加工用基準マーク３６の反映された最上層の第３配
線３３ｂの表面において、エツジ部Ｅ、およびＥ２　を
越える範囲にわたってイオンビームＢを走査し、その時
に発生する二次電子Ｃを検出し、その二次電子Ｃの検出
量の変化から前記下層に位置する加工用基準マーク３６
の位置を把握する。このときの二次電子Ｃの検出状態を
示したのが第４図（Ｃ）であり、二次電子量は第３配線
３３ｂのエツジ部分Ｅ、およびＥ２　の部位で増加しピ
ーク値となる。こ°の二次電子の検出強度のピーク位置
から、加工用基準マーク３６のエツジ部の位置座標、強
いては該加工用基準マーク３６の中心の位置座標を算出
することができる。

このとき、本実施例によれば加工用基準マーク３６は、
直接はウェハ１２の表面に露出されていないものの、そ
の形状は層数に比例して正確に最上層の第３配線３３ｂ
の段差、すなわちエツジ部に反映されているため、本来
最下層に位置する加工用基準マーク３６の中心部位を精
度良く算出することが可能となる。

このようにして、最下層の加工用基準マーク３６の中心
位置を特定できることによって、当該最下層に形成され
ている配線状態の位置関係を正確に算出することが可能
となる。

次に、前記のようにして得られた位置情報に基づいて、
予め磁気ディスク３１等に記憶されている加工位置の位
置座標を制御部２２に入力し、ステージ駆動モータ１７
を作動させて、当該最下層の第１配線３３の切断加工を
行うことができる。

第１図においては、加工用基準マーク３６から距離ｌだ
け離れた部位の切断加工を行う場合について図示してい
る。すなわち、このように最下層に位置する配線３３の
切断加工を行う際に、同じく最下層に位置する加工用基
準マーク３６が正確に反映された最上層の第３配線３３
ｂのエツジ部Ｅ１　およびＥ２　を基準に位置合わせを
行うことができるため、極めて精度の高い位置認識が可
能となり、配線３３の誤切断等を有効に防止できる。

なお、このときのイオンビームＢの加工技術について簡
単に説明すると、予め磁気ディスク等に記憶されている
情報に基づいて、イオンビームＢの照射量、照射時間、
加速電圧または偏向電極７に印加する電圧等を調整しな
がら、一定時間、所定の走査幅でイオンビームＢを照射
することにより、所望の深さおよび幅で前記配線層のエ
ツチング加工を行うものである。

なお、以上の説明では最下層に位置される加工用基準マ
ーク３６の形状が反映された最上層の配線３３ｂのエツ
ジ部Ｅ１　およびＥ２　を認識することで位置決めを行
う場合について説明したが、これに限らず前記加工用基
準マーク３６の上層を所定範囲内でエツチング除去して
、当該加工用基準マーク３６を直接外部に露出させた状
態とし、これを基準に最下層の配線３３の切断加工を行
うようにしてもよい。

なお、加工用基準マーク３６としては第１図に示すよう
な単一のものでなく、第７図に示すような構造のもので
あってもよい。すなわち、第１配線３３と同深部位に二
つの加工用基準マーク３６および３９が併設されてなる
第１パターンが形成され、該第１パターンの上には、第
１絶縁層３４を介在させることなく第２パターン４０が
、さらに該第２パターン４０の上には第３パターン４１
が直接被着形成されている。前記第１パターン、第２パ
ターン４０および第３パターン４１は、それぞれの層と
同深部位の各配線（図示せず）と同工程で形成すること
ができ、その際加工用基準マーク３６．３９の上方に位
置する第１、第２および第３の各絶縁層３４．３４ａ、
３４ｂはエツチング除去されるため、第３バクーン４１
は露出された状態となっている。このように各層間に絶
縁層を介在させない構造とすることにより、さらに高精
度に最下、９の加工用層重マーク３６および３９を最上
層の形状に反映させることができる。

前記並列の加工用基準マーク３６．３９を使用する場合
には、第７図中左に位置する加工用基準マーク３６の右
側のエツジが第３パターン４１のエツジ部Ｅ１　に、ま
た右に位置する加工用基準マーク３９の左側のエツジが
第３パターン４１のエツジＩＥａ　にそれぞれ正確に反
映してし）る。したがって、前記エツジ部Ｅ１　　およ
びＥ２　の中心位置は、正確に加工用基準マーク３６お
よび３９の中心位置に対応している。そこで、第３パタ
ーン４１の表面にイオンビームを走査すると、第１図で
説明した場合と同様にエツジ部Ｅ、　　およびＥ２　で
二次電子の検出強度が大きく変化する二とかみ、該エツ
ジ部Ｅ１　　およびＥ２　の位置座標が正確に求めるこ
とがでる。その結果、前記エツジ部Ｅ、およびＥ２　の
位置座標から加工用層重マーク３６と３９との゛中心位
置を正確に特定することができ、該中心位置を基準に被
加工部の位置決めを行うことができるため、咳ネ皮着加
工邪の（立百の特定を極めて正確に達成することが回走
となり、（ｉｉｌ記第１図の場合と同様に被加工部の加
工を高精度で行うことができる。

このように、本実施例によれば以下の効果を得ることが
できる。

（１）、イオンビーム加工において、被加工部である第
１配線と同一層に該被加工部の位置決めを目的とする加
工用基準マーク３６を設け、この加工用基準マーク３６
の形状が正確に反映された最上層の配線３３ｂの形状を
基準に位置決めを行うことにより、各層間に水平方向の
位置ずれを生じている場合であっても前記被加工部の位
置決めを極めて高精度で行うことができるので、正確な
位置に、かつ高精度でビーム加工を施すことが可能とな
る。

（２）、前記（１）で示した加工用基準マーク３６のエ
ツジが反映したエツジ部Ｅ、およびＥ２　が形成されて
いる第３配線３３ｂの表面にイオンビームを走査し、そ
の際に発生する二次電子の検出強度の変化から前記エツ
ジ部Ｅ１　およびＥ２　の位置座標を特定することによ
り、前記加工用基準マーク３６の中心位置の座標を高精
度で特定できるので、イオンビームを用いた切断加工の
精度を更に向上することができる。

（３）、二つの加工用基準マーク３６．３９を併設し、
該マーク３６．３７の上層に層間絶縁層を形成すること
なく第２パターンおよび第３パターンを積層形成するこ
とにより、前記二つのマークの対向する位置のエツジが
最上層の第３パターンのエツジ部Ｅ１　およびＥ、とし
てさらに正確に反映させることができるため、当該エツ
ジ部Ｅ１　およびＥ２の位置座標より前記加工用基準マ
ーク３６と３９との中心位置を正確に特定することが可
能となり、被加工部の加工精度をさらに高めることがで
きる。

〔実施例２〕 第８図は本発明の実施例２であるイオンビーム加工方法
を説明するためのウェハの拡大部分断面図であり、第９
図は加工用基準マークとずれ検出用マークの関係を説明
するための両マークの拡大平面図である。

本実施例２は、前記実施例１で使用したものと基本的に
同一の機能を備えた加工装置を用いてＬＳＩの下層配線
層にある配線の切断加工を行うものであるが、第１層の
加工を目的として設けられている加工用基準マーク３６
の位置の特定の仕方が相違するものである。

すなわち、第８図には本実施例２に適用するＬＳＩの一
部が示されているが、このＬＳＩは前記実施例１の場合
と同様に第１配線層３５、第２配線層３５ａおよび第３
配線層３５ｂの３層からなる予習配線層を有するもので
あり、第１配線層３５には第１配線３３を加工する場合
の位置決め基準に使用する加工用基準マーク３６が形成
されている。本実施例２では、さらに前記加工用基準マ
ーク３６の上方の第３配線層３５ｂの領域には層間の加
工ずれを検出するためのずれ検出用マーク４２が形成さ
れており、さらに同じ第３配線層３５ｂには加工用補助
マーク４３が形成されている。

なお、第８図においては、第３層配線層３５ｂの一部が
エツチング除去され、前記ずれ検出用マーク４２と加工
用補助マーク４３が外部に露出された状態となっている
。

本実施例２では、まず光学顕微鏡４４によって前記加工
用基準マーク３６とずれ検出用マーク４２とのずれ量を
測定する。このずれ量が第１配線層３５と第３配線層３
５ｂとの間の各層間に生じている層間ずれ量の総量とし
て現れる。ところで、前記ずれ検出用マーク４２は、た
とえば第９図に示すように並列方向に複数個設けられて
おり、各検出マーク間の中心間距離は、第９図において
最左端よりｍ、＝３．６μｍ、ｍ、＝３．８μｍ、ｍ３
＝４．２　Ａ１ｍ５　ｍ４　　＝４．４　μｍというよ
うに次第に間隔が広くなるような位置関係で形成されて
いる。

一方、前記基準パターン４５においては、各基準パター
ン４５の間隔は、たとえばｎ　＝　４．０μｍとして等
間隔で形成されている。

これらのずれ検出用マーク４２と基準パターン４５とσ
位置関係は、第９図に示すような５個のパターン組を設
定した場合、本来的には中央に位置されるずれ検出用マ
ーク４２ｍと基準パターン４５ｍの組が互いの中心線に
おいて一致する関係となるように設計されている。した
がって、最下層とから最上層までのいずれかの層間にお
いて平面的な位置ずれを生じている場合には、前記中央
のずれ検出用マーク４２ｍと基準パターン４５ｍとの軸
中心は一致しないことになる。本実施例２の第９図に右
いては中央に位置するずれ検出用マーク４２ｍと基準パ
ターン４５ｍとの軸中心は一致しておらず、左から２個
目のずれ検出用マーク４２と基準パターン４５の中心軸
が一致した状態となっている。したがって、第９図は最
上層の形成が最下層に比較して左方向に０．２μｍずれ
ていることが容易に認識できる。

なお、各基準パターンの中心軸位置は、ずれ検出用マー
ク４２と基準パターン４５のエツジ部Ｅ、およびＥ２　
からの距離ｍを測定することで容易に認識することがで
きるようになっている。

このように、ずれ検出用マーク４２と加工用基準マーク
３６との間に０．２μｍのずれが存在する場合には、加
工用補助マーク４３を基準に被加工部の位置決めを行う
際に、該加工用補助マーク４３に対して右方向に０．２
μｍだけ座標の数値を補正をする。その結果、第３配線
層にある加工用補助マーク４３を基準にして被加工部の
位置を特定する場合でも、極めて精度良く特定でき、正
確な位置に高精度で第１配線３３を切断する加工を行う
ことができる。

以上の説明では図中左右方向の関係についてのみ触れた
が、図中上下方向の位置ずれに対しても同様に取り扱う
ことができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、イオンビームを走査して位置認識を行うため
の手段としては二次電子の検出強度変化を利用する場合
について説明したが、二次イオンの検出強度やイオン種
の変化を利用してもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハに適用した場
合について説明したが、これに限定されるものではなく
、たとえば、多層構造を有するものには全て適用できる
。

〔発明の効果〕

水頭において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、試料の所定深さの内部層に位置する被加工部
にイオンビームを照射して該被加工部の加工を行う際に
、前記被加工部と同法または略同法に形成した加工用基
準マークを参照してイオンビームの照射位置を決定し、
当該部の加工を行うことにより、被加工部の位置決めの
基準とすることを目的に形成された加工用基準マークを
参照してイオンビームの照射位置を決めることができる
ため、正確な位置でのイオンビーム加工が達成されるも
のである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるイオンビーム加工方法
を説明するためのウェハの拡大断面図、第２図はそのイ
オンビーム加工方法に使用する加工装置を示す概略構成
図、 第３図は前記加工装置の試料台を拡大して示す概略斜視
図、 第４図（ａ）は加工用基準マークの表面におけるイオン
ビームの走査状態を示す概略説明図、第４図（ｂ）は二
次電子の検出強度を示す説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）
は加工用基準マークの平面パターンの変形例を示す説明
図、 第６（ａ）〜ら）は同じく加工用基準マークの断面形状
の変形例を示す説明図、 第７図（ａ）は加工用基準マークの他の例を示す拡大部
分断面図、 第７図ら）は前記加工用基準マークの概略平面図、第８
図は本発明の実施例２であるイオンビーム加工方法を説
明するためのウェハの拡大部分断面図、 第９図は加工用基準マークとずれ検出用マークの関係を
説明するための拡大平面図である。 １・・・イオン源エミッタ、２・・・引き出し電極、３
・・・第１アパーチヤ電極、４・・・第２レンズ電極、
５・・・ブランキング電極、６・・・第２アパーチヤ電
極、７・・・偏向電極、８・・・第２レンズ電極、９・
・・第２アパーチヤ電極、１０・・・電子シャワー、１
１・・・二次イオン・二次電子検出器、１２・・・ウェ
ハ、１２ａ・・・半導体基板、１３・・・試料保持器、
１４・・・レーザーミラー、１５・・・試料ステージ、
１６・・・レーザ干渉測長器、１７・・・ステージ駆動
モータ、１８・・・真空ポンプ、１９〜２３・・・制御
部、２４〜２８・・・インターフェイスｉ！’１５．２
９・・・制御コンピュータ、３０・・・ターミナル、３
１・・・磁気ディスク、３２・・・ＭＴデツキ、３３・
・・第１配線、３３ａ・・・第２配線、３３ｂ・・・第
３配線、３４・・・第１絶縁層、３４ａ・・・第２絶縁
層、３４ｂ・・・第３絶縁層、３５・・・第１配線層、
３５ａ・・・第２配線層、３５ｂ・・・第３配線層、３
６〜３９・・・加工用基準マーク、４０・・　・第２パ
ターン、４１・　・・第３パターン、４２．４２ｍ・・
・ずれ検出用マーク、４３・・・加工用補助マーク、４
４・・・光学顕微鏡、４５゜４５ｍ・・・基準パターン
、４６・・・検出用パターン、Ａ・・・レーザ、Ｂ・・
・イオンビーム、Ｃ・・・二次電子、Ｅ＋　、　Ｅ２　
　・・・エツジ部。 ７口〉、 代理人　弁理士　　小　川　勝　男〆　＼□・１、−、
ノ 第１図 第３図 第２図 イ　　　　ロ　　　　　　１２ 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、イオンビーム発生手段と、このイオンビーム発生手
   段により発生されるイオンビームの集束手段と、試料表
   面にイオンビームを走査するための偏向手段と、イオン
   ビームの照射を断続するためのブランキング手段とを備
   えた加工装置を用い、２層以上に積層されてなる試料に
   ついて所定深さの内部層に位置する被加工部にイオンビ
   ームを照射して該被加工部の加工を行う際に、前記被加
   工部と同深または略同深に形成された所定形状の加工用
   基準マークを参照してイオンビームの照射位置を決定し
   、当該被加工部の加工を行うことを特徴とするイオンビ
   ーム加工方法。 ２、前記加工用基準マークの上に積層され、該加工用基
   準マークの形状が正確に反映されている露出層の表面形
   状から前記加工用基準マークの位置を特定することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム加工
   方法。 ３、前記加工用基準マークの形状が正確に反映している
   露出層の表面にイオンビームを走査し、その際に発生す
   る二次電子または二次イオンの変化から前記加工用基準
   マークの位置を特定することを特徴とする特許請求の範
   囲第２項記載のイオンビーム加工方法。 ４、前記加工用基準マークの表面に直接イオンビームを
   走査し、その際に発生する二次電子または二次イオンの
   変化から前記加工用基準マークの位置の特定を行うこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンビーム
   加工方法。 ５、前記加工用基準マークの上に位置する層形成材料に
   イオンビームを照射することにより該層形成材料を除去
   して前記加工用基準マークを露出させた後、該加工用基
   準マークの表面にイオンビームを走査することを特徴と
   する特許請求の範囲第４項記載のイオンビーム加工方法
   。 ６、前記加工用基準マークが形成されている内部層とは
   異なる層にずれ検出用マークを形成するとともに、該ず
   れ検出用マークと同じ層に加工用補助マークを形成し、
   該ずれ検出用マークと前記加工用基準マークとの位置ず
   れ量を測定し、この位置ずれ量で前記加工用補助マーク
   に層間ずれの補正を行い、補正後の該加工用補助マーク
   を基準に被加工部の位置決めを行うことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載のイオンビーム加工方法。 ７、前記ずれ検出用マークおよび加工用補助マークが試
   料の最上部に位置されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第６項記載のイオンビーム加工方法。 ８、前記加工用補助マークの表面にイオンビームを走査
   し、その際に発生する二次電子または二次イオンの変化
   から該加工用補助マークの位置を特定することを特徴と
   する特許請求の範囲第６項記載のイオンビーム加工方法
   。