JPH0336297B2 - - Google Patents

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JPH0336297B2
JPH0336297B2 JP57093879A JP9387982A JPH0336297B2 JP H0336297 B2 JPH0336297 B2 JP H0336297B2 JP 57093879 A JP57093879 A JP 57093879A JP 9387982 A JP9387982 A JP 9387982A JP H0336297 B2 JPH0336297 B2 JP H0336297B2
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JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
coordinate system
stage
wafer
relationship
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP57093879A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS58210622A (ja
Inventor
Takayuki Myazaki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS58210622A publication Critical patent/JPS58210622A/ja
Publication of JPH0336297B2 publication Critical patent/JPH0336297B2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H01J37/3045Object or beam position registration

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は電子ビーム露光方法に係り、特に、電
子ビーム露光装置に配設された試料台(ステー
ジ)と該ステージに載置されたウエハーとの回転
量のズレの検出方法に関する。
(2) 技術の背景 LSI(大規模集積回路)の高密度化による、高
速低電力化、高信頼化、経済化をねらいとした設
計、製作、評価と一貫した研究開発が進められて
いるが、その中でも1〔μm〕程度の微細パターン
加工技術では、電子ビーム露光技術が不可欠なも
のと考えられている。
第1図は高精度電子ビーム露光装置のブロツク
構成図である。電子線減1から発生する電子ビー
ム2は、ビームを細く絞るための集束コイル3、
電子ビーム照射位置を制御するビーム偏向器4、
電子ビームのオン(ON)、オフ(OFF)を行う
ビームブランキング電極5により制御され、X,
Y軸方向へ移動するステージ6に載置されたウエ
ハー7に照射される。そしてこの集束コイル3、
偏向器4及びビームブランキング電極5は、焦点
制御回路8、露光パタン発生回路9、偏向信号発
生回路10、自動補正回路11、偏向増幅回路1
2及びビームブランキング回路13によつてそれ
ぞれ制御されている。
また、ウエハー7を載置するステージ6の位置
は、レーザ光を用いたX,Y座標測定装置によつ
て高精度な分解能で測定され、常にその位置はス
テージ台制御回路14、レーザ測長器15及びパ
ルスモータ16により制御される。
一方、電子ビームは制御が容易な反面、電子光
学系内の汚染物質の帯電により発生する電界によ
り、照射位置がわずかに変化する。この問題を解
決する為に、基準マークを一定の時間間隔で走査
(スキヤン)し(これをマーク検出という)、マー
ク座標の経時変化から逆に電子ビームの照射位置
の経時変化を測定し、偏向系にフイードバツクす
る方法がとられており、これがマーク検出回路1
7で行なわれている。
更に、電子ビーム露光装置では、ウエハーに直
接パタンを形成しながらLSIを製造する所謂直接
露光の技術もあり、この場合問題となるのは、各
段階ごとに加熱処理等の工程が入る為、ウエハー
が変形する場合があることである。この為、この
装置では、チツプの周囲り合わせマークをあらか
じめ付加しておき、このマークを検出することに
より変形量を測定し、電子ビーム偏向系にフイー
ドバツクして、パタンの露光装置を修正し正確な
重ね合せ露光を行つている。そしてこの変形量を
試料変形測定器18で測定している。
尚、制御用回路、測定器等8〜18はインター
フエイス19を介してコンピユータ20により制
御される。
(3) 従来技術と問題点 被処理ウエハーを上記電子ビーム露光装置を用
いて露光を行なう際、第1図に示したステージ6
上にウエハー7が配置されるが、このときウエハ
ー7はステージ6の所定の位置に載置されず、ス
テージ6のX,Y軸方向に対してある回転量のズ
レを持つて配置される。
この回転量のズレを検出する為に、従来は、ウ
エハーの両端に2つのマークを1対とする回転量
のズレを検出する為のマークを1枚のウエハーに
少なくとも1対以上形成していた。第2図は従来
のステージとウエハーとの回転量のズレを検出す
る方法を説明する為の模式図である。同図に於い
て、7はウエハー、A及びBは検出用のマークを
示す。マークA,Bはウエハー7の中心を通り、
ウエハー7に対称に設けてあり、今マークA,B
間の距離をaとする。尚、ウエハー7にはマーク
を1対だけ設けているが、これは説明を簡単化す
るためである。また、第1図で説明した部分と同
部分は同記号で指示する。更に、ウエハー7が配
置されるステージ6は互いに直交するX,Y軸方
向のみに移動でき、その方向が第2図の矢印によ
つて示される。
従来の検出方法は、一般に、ステージ6に対し
てある回転量のズレを持つて配置されざる得ない
ウエハー7に電子ビーム2を照射し、マークAを
検出した後、ステージ6をX軸方向へaだけ移動
し、電子ビーム2をスキヤンさせてマークBを検
出して回転量のズレθを求めていた。
しかしながら、電子ビーム2のスキヤンフイー
ド寸法は約〔2mm〕×2〔mm〕と狭く、回転量のズ
レが1/100〜2/100〔rad〕を超えるとマーク
Bを検出することができないという問題があり、
また検出用マークを1枚のウエハーに2つ以上形
成しなければならない為、チツプの収量が悪くな
るという欠点があつた。
(4) 発明の目的 本発明はかかる問題点を解決し、ステージと該
ステージに載置されたウエハーとの回転量のズレ
を容易に検出でき、且つ1枚のウエハーでのチツ
プの収量を向上させる電子ビーム露光方法を提供
するものである。
(5) 発明の構成 本発明の目的は、回転量のズレを検出するマー
クが形成されたウエハー電子ビーム露光装置のス
テージに載置し、前記マーク上に電子ビームを走
査して電子ビーム座標系とウエハー座標系との関
係を求め、前記ステージを移動し、前記電子ビー
ムで走査した前記マーク上に電子ビームを走査し
て該電子ビーム座標系とステージ座標系との関係
を求め、該電子ビーム座標系とウエハー座標系と
の関係と、電子ビーム座標系とステージ座標系と
の関係とから、ウエハー座標系とステージ座標系
との関係を導く工程を有することにより達成され
る。
(6) 発明の実施例 以下、本発明の一実施例を説明する。第3図乃
至第5図は本実施例に使用されるウエハー及びウ
エハーに形成された検出用マークを示している。
第1図及び第2図で説明した部分と同部分は同記
号で指示する。
(a) 例えばウエハーのほぼ中心に1つの検出用の
マークA′が設けられたウエハー7をステージ
6に載置する。検出用マークA′は第4図に示
す如く、ウエハーのほぼ中心に位置する一辺の
長さが10〔μm〕の矩形状凹部C、該凹部Cを中
心として一辺の長さ1.1〔mm〕の正方形を形作る
ように各頂点に配置された一辺の長さが60
〔μm〕の矩形状凹部D1,D2,D3,D4,及び各
頂点を対角線に結ぶ幅10〔μm〕の溝E1,E2
ら構成される。尚、このときウエハ7はプリ・
アライメント系によつて、機械的に位置合わせ
がなされるが、このときウエハ7はステージ6
のX,Y軸方向に対して0〜3/100程度の傾
き(回転量のズレ)を以て配置されてしまうの
が一般である。
(b) ウエハー7が配置されているステージ6をX
或いはY軸方向に移動してウエハー7に形成さ
れた検出用のマークA′が電子ビームのスキヤ
ンフイードのほぼ中心に来るようにする。
(c) 第5図に示す如くビーーム偏向器4によつて
制御される電子ビーム2を電子ビーム座標系の
X′軸方向へスキヤンし、溝E1及びE2を検出し
この位置座標をM1(m1,0)、及びM2(m2
0)とする。尚、このとき電子ビームのスキヤ
ンフイードの位置0を(0,0)とする。これ
より、位置座標M1,M2間の距離lはl=|
m2−m1|,M1,M2間の中心位置座標Nは
((m1+m2)/2,0)で示すことができる。
次に、電子ビーム2を電子ビーム座標系に於
けるY′=l及びY′=−lに沿つてスキヤンす
ることにより、溝E1及びE2を検出する。今、
Y′=lに沿つてスキヤンしたときに溝E1及び
E2を検出できたとし、この位置座標を
M1′(m1′,l)及びM2′(m2′,l)とする。
今、位置座標M1′,M2′間の距離l′=|m1′−
m2′|がlにほぼ一致するならば、ステージ6
をX軸方向に−(m1+m2)/2、Y軸方向に
−l/2移動すると、また、Y′=−lに沿つ
てスキヤンしたときに溝E1及びE2を検出でき
た場合には、ステージ6をX軸方向に−(m1
m2)/2、Y軸方向にl/2移動すると、前
述した様に、プリ・アライメント系によつて0
〜3/100程度の傾き(精度).で位置合わせさ
れているため、電子ビームのスキヤンフイール
ドの中心直下に検出用マークA′の中心、即ち
ウエハー6の中心を持つて来ることができる。
(d) 今、電子ビーム座標系の中心をスキヤンフイ
ールドの中心とし、ウエハー座標系の中心をウ
エハーの中心とし、またウエハー座標系からみ
た凹部D1,D2,D3及びD4の位置座標をそれぞ
れ(W1x,W1y),(W2x,W2y),(W3x,
W3y)及び(W4x,W4y)と仮定し、更に電子
ビーム座標系からみた該D1,D2,D3及びD4
位置座標をそれぞれ(B1x,B1Y),(B2x,
B2Y),(B3x,B3Y),(B4x,B4y)と仮定す
る。
次いで、凹部D1,D2,D3,D4をステージを
移動せずに、電子ビーム2のみを偏向して順次
スキヤンし、実際に電子ビーム座標系からみた
位置座標を測定することにより以下に示す関係
が見い出される。
△W1x=△Ox+B1x△gx+B1y△rx+B1xB1y△h
x △W2x=△Ox+B2x△gx+B2y△rx+B2xB2y△hx △W3x=△Ox+B3x△gx+B3y△rx+B3xB3y△hx △W4x=△Ox+B4x△gx+B4y△rx+B4xB4y△hx …(1) △W1y=△Ox+B1y△gy+B1x△ry+B1xB1y△h
y △W2x=△Oy+B2y△gx+B2x△ry+B2xB2y△hy △W3y=△Oy+B3y△gy+B3x△ry+B3xB3y△hy △W4y=△Oy+B4y△gy+B4x△ry+B4xB4y△hy …(2) (1)及び(2)式に於いて、△W1x〜△W4x及び△
W1y〜△W4yは前記B1X,B1Y〜B4X,B4Yと、前
記実際に測定したD1,D2,D3,及びD4の位置と
のズレの量、Ox及びOyはシフト変化量、△gx及
び△gyは偏向利得変化量、△rx及び△ryは回転
変化量、△hx及び△hyは台形歪変化量をそれぞ
れ示す。
スキヤンフイールドは2〔mm〕×2〔mm〕と大変
小さい為△hx≒0、△hy≒0となり、(1)及び(2)
式の連立方程式を解くと、(3)式の如く△gx,△
gy,△rx,△ryが求まる。
△gx=(−△W1x−△W2x+△W3x+△W4x)/
2L △gy=(△W1y−△W2y−△W3y+△W4y)/2L △rx=(△W1x−△W2x+△W3x+△W4x)/2L △ry=(−△W1y−△W2y+△W3y+△W4y)/2L …(3) (3)式に於いて、Lは凹部D1,D2,D3,D4を頂
点とする正方形の一辺の長さ、本実施例ではL=
1.1〔mm〕である。
従つて、ウエハー固有の座標系(Wx,Wy)
と電子ビーム有の座標系(Bx,By)との関係は
次の式で示すことができる。
Wx=(1+Δgx)Bx+ΔrxBy Wy=ΔryBx+(1+Δgy)By …(4) 1+△gx≡Gx,1+△gy≡Gy,Δgx≡RxΔry
≡Ryとして(4)式を行列で示すと Wx Wy=Gx Rx Ry GyBx By …(5) となる。
(e) 次いで、前記(c)にてスキヤンフイールド中心
直下のステージの位置座標がステージ座標系の
中心に設定されたとし、ステージ座標系からみ
た凹部D1,D2,D3及びD4の位置座標をそれぞ
れ(S1x,S1y)、(S2x,S2y)、(S3x,S3y)、
及び(S4x,S4y)と仮定する。
次に、凹部Cをステージ6を移動して前記設
定された(S1x,S1y)、(S2x,S2y)、(S3x,
S3y)及び(S4x,S4y)の位置に順次固定し、
各位置毎に電子ビーム2を偏向して凹部Cを検
出することにより以下に示される関係が見い出
される。
△S1x=△Ox´+B1x△gx´+B1y△rx´+B1x
B1y△hx´ △S2x=△Ox´+B2x△gx´+B2y△rx´+B2xB2y△hx´ △S3x=△Ox´+B3x△gx´+B3y△rx´+B3xB3y△hx´ △S3x=△Ox´+B3x△gx´+B3y△rx´+B3xB3y△hx´ △S4x=△Ox´+B4x△gx´+B4y△rx´+B4xB4y△hx´
…(6) △S1y=△Oy´+B1y△gy´+B1x△ry´+B1x
B1y△hy´ △S2y=△Oy´+B2y△gy´+B2x△ry´+B2xB2y△hy´ △S3y=△Oy´+B3y△gy´+B3x△ry´+B3xB3y△hy´ △S3y=△Oy´+B3y△gy´+B3x△ry´+B3xB3y△hy´ △S4y=△Oy´+B4y△gy´+B4x△ry´+B4xB4y△hy´
…(7) (6)及び(7)式に於いて、△S1x〜△S4x及び△S1y
〜△S4yは前記S1X〜,S1Y〜S4X,S4Yと、前記実際
に測定したD1,D2,D3、及びD4の位置とのズレ
の量、Ox´及びOy´はシフト変化量、△gx´及び△gy´
は偏向利得変化量、△rx´及び△ry´は回転変化量、
△hx´及び△hy´は台形歪変化量を示す。
スキヤンフイールドは2〔mm〕×2〔mm〕と大変
小さい為、△hx´≒0、△hy´≒0となり、(6)及び
(7)式の連立方程式を解くと、(8)式の如く△gx´,
△gy´、△rx´、△ry´が求まる。
△gx´=(−△S1x−△S2x+△S3x+△S4x)
/2L´ △gy´=(△S1y−△S2y−△S3y+△S4y)/2L´ △rx´=(△S1x−△S2x−△S3x+△S4x)/2L´ △rx´=(△S1x−△S2x−△S3x+△S4x)/2L´ △ry´=(−△S1y−△S2y+△S3y+△S4y)/2L´…(8
) (8)式に於いて、L´は凹部Cが描いた正方形の一
辺の長さ、本実施例ではL´=1.1〔mm〕である。
従つて、ステージ固有の座標系(Sx,Sy)と
電子ビーム固有の座標系(Bx,By)との関係は
次の式で示すことができる。
Sx=(1+Δgx´)Bx+Δr´xBy Sy=Δry´Bx+(1+Δgy´)By …(9) 1+△gx´≡Gx´,1+△gy´≡Gy´,Δrx´≡Rx´、
Δry´
≡Ry´として(9)式を行列で示すと Sx Sy=Gx´ Rx´ Ry´ Gy´Bx By …(10) となる。
尚、本実施例では、ステージ系とビーム系との
関係を導出したが、電子ビーム露光装置によつて
は、Gx´,Gy´,Rx´,Ry´の値が決つており、導き
出す必要がない場合もある。
(f) 前記(5)及び(10)式からウエハー座標系(Wx,
Wy)とステージ座標系(Sx,Sy)との関係を
導き出すことができる。
Wx Wy=Gx Rx Ry´ GyBx By=Gx Rx Ry GyGx´ Rx´ Ry´ Gy´〓-1 | 〓Sx Sy =1/Gx´Gy´−Rx´Ry´GxGy´−RxRy´−
GxRx´+RxGx´ RyGy´−GyRy´−GyRx´+GyGx´Sx Sy …(11) (11)式の関係からステージと該ステージに載置さ
れたウエハーとの回転量のズレの量を検出でき、
高精度なつなぎ合わせ及び重ね合わせ露光を行な
うことができる。
(7) 発明の効果 本発明によれば、検出用マークを1つウエハー
に形成すればよい為、ステージと該ステージに載
置されたウエハーとの回転量のズレを容易に検出
でき、且つ1枚のウエハーでのチツプの収量を向
上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は高精度電子ビーム露光装置のブロツク
構成図、第2図は従来の方法を説明する模式図、
第3図乃至第5図は本発明の一実施例を説明する
為のウエハー及び検出用マークを示した図であ
る。 2……電子ビーム、4……偏向器、6……ステ
ージ、7……ウエハー、A,A´,B……検出用マ
ーク。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ウエハ内の略中心に位置する1矩形領域の四
    隅および、該四隅の対角線の交点とにマークを形
    成し、 電子ビームのスキヤンフイールドの中心と該対
    角線の交点に位置するマークとを位置合わせした
    後、ステージを移動させることなく該四隅のマー
    クを各々電子ビームで走査することにより電子ビ
    ーム座標系とウエハ座標系との関係を求め、 次いで、該対角線の交点に位置するマークを、
    該ステージからみて該四隅に形成されたマークが
    存在する位置に順次移動し、各位置毎に該対角線
    の交点に位置するマークを電子ビームで走査する
    ことにより電子ビーム座標系とステージ座標系と
    の関係を求め、 該電子ビーム座標系とステージ座標系との関係
    と、該電子ビーム座標系とステージ座標系との関
    係から、ウエハ座標系とステージ座標系との関係
    を導く工程を有することを特徴とする電子ビーム
    露光方法。
JP9387982A 1982-06-01 1982-06-01 電子ビ−ム露光方法 Granted JPS58210622A (ja)

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JPS58210622A JPS58210622A (ja) 1983-12-07
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5627928A (en) * 1979-08-14 1981-03-18 Toshiba Corp Electron beam projector
JPS5742128A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Fujitsu Ltd Exposing method by electron beam
JPS5760838A (en) * 1980-09-30 1982-04-13 Fujitsu Ltd Exposure for electron beam

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