JPS58209186A - ヘリウム・ネオン・ガスレ−ザ装置 - Google Patents
ヘリウム・ネオン・ガスレ−ザ装置Info
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- JPS58209186A JPS58209186A JP9116782A JP9116782A JPS58209186A JP S58209186 A JPS58209186 A JP S58209186A JP 9116782 A JP9116782 A JP 9116782A JP 9116782 A JP9116782 A JP 9116782A JP S58209186 A JPS58209186 A JP S58209186A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、ヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置に係り、
とくに6328ズの波長のレーザ光線出力を増大しうる
共振器のミラーの波長に関する。
とくに6328ズの波長のレーザ光線出力を増大しうる
共振器のミラーの波長に関する。
背景技術およびその問題点
ヘリウム・ネオン・ガスレーザを波長6328スで発振
させる場合、波長6328^に対応する遷移はネオンの
38.から2P、準位であるが、他方同一の上の準位3
8.を共有して3P、に遷移するレーザ発振が3.39
μmに存在している。波長3.39μmの発撮は、63
28^の発振よりもVまるかに増幅利得が大きいため、
両者は同一レーザ内でしばしば同時に発撮し、いわゆる
競合現象を示し、6328^線は単独で発振する場合に
比較して出方が低下する。この現象は1mW級程度の出
力が小さい場合には目立たないが5mW級以上の高出力
のヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置の場合には特に顕
著になる。そζで従来波長3.39μmにおける誘導放
射を選択的に阻止するため次のような手段がとられた。
させる場合、波長6328^に対応する遷移はネオンの
38.から2P、準位であるが、他方同一の上の準位3
8.を共有して3P、に遷移するレーザ発振が3.39
μmに存在している。波長3.39μmの発撮は、63
28^の発振よりもVまるかに増幅利得が大きいため、
両者は同一レーザ内でしばしば同時に発撮し、いわゆる
競合現象を示し、6328^線は単独で発振する場合に
比較して出方が低下する。この現象は1mW級程度の出
力が小さい場合には目立たないが5mW級以上の高出力
のヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置の場合には特に顕
著になる。そζで従来波長3.39μmにおける誘導放
射を選択的に阻止するため次のような手段がとられた。
(イ)共振器内に3,39μmに対して強い吸光度を示
し、6328^に対しては透明度の高い気体、たとえば
メタンあるいはメタノール蒸気などを導入するっ (ロ) 共振器内に損失の少ないプリズム等の分散素子
を導入し、その分散を利用して6328λに対しては共
振状態であり、3.39μmに対しては非共振状態を保
つ。
し、6328^に対しては透明度の高い気体、たとえば
メタンあるいはメタノール蒸気などを導入するっ (ロ) 共振器内に損失の少ないプリズム等の分散素子
を導入し、その分散を利用して6328λに対しては共
振状態であり、3.39μmに対しては非共振状態を保
つ。
(ハ)放電管に沿ってフェライト磁石などをならべ不均
一磁界を生ぜしめ、これにより相対的に3.39μm線
の増幅利得を低下させる。
一磁界を生ぜしめ、これにより相対的に3.39μm線
の増幅利得を低下させる。
以上のように従来のものは特別の付加装置を設けること
が必要であり、高価となる。それ故6328Aの波長で
の反射率を大きく、3.39μmでの波長の反射率を小
ざくとるようにレーザ・ミラーの分光反射率特性を設計
することが考えられるが、この方法としては、従来特公
昭50−37519号公報で知られるものがある1、即
ちその発明の要旨は次の通りである。
が必要であり、高価となる。それ故6328Aの波長で
の反射率を大きく、3.39μmでの波長の反射率を小
ざくとるようにレーザ・ミラーの分光反射率特性を設計
することが考えられるが、この方法としては、従来特公
昭50−37519号公報で知られるものがある1、即
ちその発明の要旨は次の通りである。
(1)高反射側ミラーの多層膜構成をSub・1(HL
)2−H・6LIAirの26層とするっここでH,L
はそれぞれ光学的膜厚が)J4の高屈折率物質及び低屈
折率物質の層であり、λ0は中心波長でλ。=6328
λである。−力出力側ミラーの多層膜構成は5ub1(
H−L〕’−H−L’1Airの14層である。ここで
出力側ミラーのH,Lは、光学的膜厚がλ≦/4であり
、礼は中心波長でλ’、=67oOAである。
)2−H・6LIAirの26層とするっここでH,L
はそれぞれ光学的膜厚が)J4の高屈折率物質及び低屈
折率物質の層であり、λ0は中心波長でλ。=6328
λである。−力出力側ミラーの多層膜構成は5ub1(
H−L〕’−H−L’1Airの14層である。ここで
出力側ミラーのH,Lは、光学的膜厚がλ≦/4であり
、礼は中心波長でλ’、=67oOAである。
゛ また最終層L′は光学的膜厚が8475^である。
即ちL’%SLである。前記高反射側ミラーと出力側ミ
ラーとを有するヘリウム・ネオン・カスレーザ装置であ
る。
ラーとを有するヘリウム・ネオン・カスレーザ装置であ
る。
+21 高反射側ミラーの多層膜構成をSub・1〔
H−L〕12H−!Ji A Irの26層とすると、
ここでH,Lは、光学的膜厚がλ′o/4であり、λt
は中心波長で、λ′、=6700At′ある、また最終
層L′は光学的膜厚が8475Aである。lljちL′
ご5Lである。前記高反射側ミラーと山に記載の出力側
ミラーとを有するヘリウム・ネオン・カスレーザ装置で
らる。
H−L〕12H−!Ji A Irの26層とすると、
ここでH,Lは、光学的膜厚がλ′o/4であり、λt
は中心波長で、λ′、=6700At′ある、また最終
層L′は光学的膜厚が8475Aである。lljちL′
ご5Lである。前記高反射側ミラーと山に記載の出力側
ミラーとを有するヘリウム・ネオン・カスレーザ装置で
らる。
以上の、l)またハ2)の多層■成〕レーザ・ミラーを
明いて、6328Aの波長に於ける反射率を高く、また
339μmの波長に於て反射率を低く抑えているっ しかし、上述の多層膜構成によるレーザ・ミラーには次
に述べるような欠点がある。
明いて、6328Aの波長に於ける反射率を高く、また
339μmの波長に於て反射率を低く抑えているっ しかし、上述の多層膜構成によるレーザ・ミラーには次
に述べるような欠点がある。
(a) 出力側ミラーの層数が14層でありこれでは
出力側ミラーにしては層数が多く、シかも最終tfji
L’が約5Lであるので、実質は19層でおる。
出力側ミラーにしては層数が多く、シかも最終tfji
L’が約5Lであるので、実質は19層でおる。
これは、出力側ミラーとしては層数が多過ぎ、しかも膜
厚が厚過ぎるため6328λの線での適切な透過率、例
えば約1.3%の装置を大幅に下まわってしまい、63
28^の光出力が不足してしまう。
厚が厚過ぎるため6328λの線での適切な透過率、例
えば約1.3%の装置を大幅に下まわってしまい、63
28^の光出力が不足してしまう。
(b) 出力側ミラーの最終層L′の中心波長λ′0
が、高反射側ミラーのλ。=6328スと異なって約6
700大に設矩石nており1、両ミラーの製造にあたり
蒸着中にや心改良の切り換えを行なわなければならない
。こnvi、蒸着中の作業ミス発生にっなが抄やすいし
、また切り換え作業も操作が多くかかる不都合がある。
が、高反射側ミラーのλ。=6328スと異なって約6
700大に設矩石nており1、両ミラーの製造にあたり
蒸着中にや心改良の切り換えを行なわなければならない
。こnvi、蒸着中の作業ミス発生にっなが抄やすいし
、また切り換え作業も操作が多くかかる不都合がある。
(c) 波長3.39μ印での反射率が、高出力側ミ
ラーで0.2%あるいは0.1優であるが、出力側ミラ
ーでは1.4 %でりり必ずしも充分小さく抑えられて
いない。このため3.39μmの波長のレー・ザ元線の
出力がわずかではあるが混入する。
ラーで0.2%あるいは0.1優であるが、出力側ミラ
ーでは1.4 %でりり必ずしも充分小さく抑えられて
いない。このため3.39μmの波長のレー・ザ元線の
出力がわずかではあるが混入する。
発明り目的
本発明は以上の如き従来技術の不都合を解消し、339
μmの波長における反射率をほとんど零に抑え、また6
328穴の波長にお・いては高反射側ミラーでの反射率
を999%以上はソ100φに近くシ、出力側ミラーで
の透過率を所要の適切な値にして6328λの線を効率
よくとり出しうる一\リウム・ネオン・ガスレーザ装置
を提供するものである。
μmの波長における反射率をほとんど零に抑え、また6
328穴の波長にお・いては高反射側ミラーでの反射率
を999%以上はソ100φに近くシ、出力側ミラーで
の透過率を所要の適切な値にして6328λの線を効率
よくとり出しうる一\リウム・ネオン・ガスレーザ装置
を提供するものである。
発明の?要
この発明は共振器を構成する一対のミラーのうち、高反
射fQII ミラーの多層膜は、高屈折率物質(6)と
低屈折率物質(L)の交互層より成り、基板側から数え
て最終層の物質が低屈折率物質の)であり、反射帯の中
心波長λrか約632s、、Nであって、前記最・池の
層は全てλr/4であって、また出力側ミラーの多層膜
は、高屈折率物質(6)と低屈折率物質I1..)の交
互層を主体としてかり、基板側から数えて最終、層の物
質が低屈折率物質(’L)であり、反射帯の中心波長λ
tが約6328Aでちって、前記最終層の光学的このよ
うな2種類のレーザ・ミラーを有してなるっ発明の実施
例 ヘリウム・ネオン・レーザ用ミラーは、第1図に示すよ
うな透明基板(1)羊に形成された高屈折率物質(転)
(2)と低屈折率物質(ト))(3)の交互層を主体と
した誘電体多層膜で構成されており、各層の光学的膜厚
は礼/4を標準とする。ここでλ。は出力とじて得るヘ
リウム・ネオン・ガスレーザの発振波長で、λ。= 6
328λである。そして各ミラーの反射帯の中心波長を
λ。またはλ。付近に 5ぶ。誘電体多層膜としては、
酸化セリウム(Ce02 )と弗化マグネシウム(Mg
F2)の系、硫化亜鉛(zns)と弗化マグネシウムの
系、硫化亜鉛と氷晶石(Na3υpa)の系゛あるいは
、二酸化チタン(T r O2)と二酸化シリコン(S
in2)の系等が用いられるが、ここではハード・コー
トされた二酸化チタンと二酸化シリコンの系を例にとっ
て述べる、 実施例そのl・・・・曲馬反射側ミラー高反射側ミラー
は、6328λでの反射率を衡カ大きくすることが望ま
れるが、通常99.9 ’In以上の反射率であれば実
用的に問題なく使用される。透明ガラス基板(1)上に
形成された二酸化チタンσ)と二酸化シリコン(S)の
系から成り反射帯の中心波長λrを出方線と同じ波長λ
。= 63281またはその付近にらぶ、そして、上述
の反射率の値は、層数が合計22層以上24層の間であ
れば満足される。今層数を24層とし、最終層の光学的
膜厚がλr/2の整数倍の構成、即ち、 Sub、 1cT−81’ ・T−n2SIAir 、
凹曲CI)に於て、n(n=1.2・・・)を変えた場
合の3.39μmでの反射率とnの関係を第2図の折線
(a K示す。尚、二酸化チタン及び二酸化シリコンは
基板加熱をしながら電子ビームによって蒸着されたもの
である。。
射fQII ミラーの多層膜は、高屈折率物質(6)と
低屈折率物質(L)の交互層より成り、基板側から数え
て最終層の物質が低屈折率物質の)であり、反射帯の中
心波長λrか約632s、、Nであって、前記最・池の
層は全てλr/4であって、また出力側ミラーの多層膜
は、高屈折率物質(6)と低屈折率物質I1..)の交
互層を主体としてかり、基板側から数えて最終、層の物
質が低屈折率物質(’L)であり、反射帯の中心波長λ
tが約6328Aでちって、前記最終層の光学的このよ
うな2種類のレーザ・ミラーを有してなるっ発明の実施
例 ヘリウム・ネオン・レーザ用ミラーは、第1図に示すよ
うな透明基板(1)羊に形成された高屈折率物質(転)
(2)と低屈折率物質(ト))(3)の交互層を主体と
した誘電体多層膜で構成されており、各層の光学的膜厚
は礼/4を標準とする。ここでλ。は出力とじて得るヘ
リウム・ネオン・ガスレーザの発振波長で、λ。= 6
328λである。そして各ミラーの反射帯の中心波長を
λ。またはλ。付近に 5ぶ。誘電体多層膜としては、
酸化セリウム(Ce02 )と弗化マグネシウム(Mg
F2)の系、硫化亜鉛(zns)と弗化マグネシウムの
系、硫化亜鉛と氷晶石(Na3υpa)の系゛あるいは
、二酸化チタン(T r O2)と二酸化シリコン(S
in2)の系等が用いられるが、ここではハード・コー
トされた二酸化チタンと二酸化シリコンの系を例にとっ
て述べる、 実施例そのl・・・・曲馬反射側ミラー高反射側ミラー
は、6328λでの反射率を衡カ大きくすることが望ま
れるが、通常99.9 ’In以上の反射率であれば実
用的に問題なく使用される。透明ガラス基板(1)上に
形成された二酸化チタンσ)と二酸化シリコン(S)の
系から成り反射帯の中心波長λrを出方線と同じ波長λ
。= 63281またはその付近にらぶ、そして、上述
の反射率の値は、層数が合計22層以上24層の間であ
れば満足される。今層数を24層とし、最終層の光学的
膜厚がλr/2の整数倍の構成、即ち、 Sub、 1cT−81’ ・T−n2SIAir 、
凹曲CI)に於て、n(n=1.2・・・)を変えた場
合の3.39μmでの反射率とnの関係を第2図の折線
(a K示す。尚、二酸化チタン及び二酸化シリコンは
基板加熱をしながら電子ビームによって蒸着されたもの
である。。
第2図より、高反射側ミラーの3.39μmでの反射率
は、最終層が68または88.卵ち光学的膜厚λr が−xa、”x4の時、殆ど零の値をとることが2 わかる。またこの時、63281ニーでの反射率は、最
終層の光学的膜厚がλr/2の整数倍であれば(らず、
約99.98%である。$3図に、Sub:1(’r−
sゴ’ −T−681Airの構成の高反射側ミラーの
分光透過率の一例を示す。これは分光器により400n
mから800nmの範囲の透過率を測定したものである
。第3図に於て、曲線(6a)は縦軸のフルスケールが
100チで、曲線(6b)は縦軸のフルスケールが10
チでの表示である。これから6328Aでの透過率は殆
ど零、即ち反射率が殆んど100%であることがわかる
。また第4図に同じ高反射側ミラーの2.5μmから2
5μmの範囲の分光反射率の一例を示す。これは赤外分
光器により反射率を測定したものである、これより、3
.39μmの反射率の値は0.1−以下で殆ど零である
こと力【わかる。
は、最終層が68または88.卵ち光学的膜厚λr が−xa、”x4の時、殆ど零の値をとることが2 わかる。またこの時、63281ニーでの反射率は、最
終層の光学的膜厚がλr/2の整数倍であれば(らず、
約99.98%である。$3図に、Sub:1(’r−
sゴ’ −T−681Airの構成の高反射側ミラーの
分光透過率の一例を示す。これは分光器により400n
mから800nmの範囲の透過率を測定したものである
。第3図に於て、曲線(6a)は縦軸のフルスケールが
100チで、曲線(6b)は縦軸のフルスケールが10
チでの表示である。これから6328Aでの透過率は殆
ど零、即ち反射率が殆んど100%であることがわかる
。また第4図に同じ高反射側ミラーの2.5μmから2
5μmの範囲の分光反射率の一例を示す。これは赤外分
光器により反射率を測定したものである、これより、3
.39μmの反射率の値は0.1−以下で殆ど零である
こと力【わかる。
実施例その2・・・・・・・・・出力側ミラー出力側ミ
ラーは、ヘリウム・ネオン・レーザ装置内で発振した波
長(λ。)63281:、の光を一部取り出すだめ63
28iでの透過率は通常1.1%から1.9チ程度の範
囲のもの即ち反射率が98.1 %から98,9チ程度
の範囲のものが要求される。− 上述の透過率、あるいは反射率を満足するKは、二酸化
チタンσ)と二酸化シリコン(S)よりなる交互I曽の
系の場合には、合計12層程度であれば良い。
ラーは、ヘリウム・ネオン・レーザ装置内で発振した波
長(λ。)63281:、の光を一部取り出すだめ63
28iでの透過率は通常1.1%から1.9チ程度の範
囲のもの即ち反射率が98.1 %から98,9チ程度
の範囲のものが要求される。− 上述の透過率、あるいは反射率を満足するKは、二酸化
チタンσ)と二酸化シリコン(S)よりなる交互I曽の
系の場合には、合計12層程度であれば良い。
反射帯の一中心波長(λt)は出力線の波長λ。と同一
またはその付近次 らぶ。今、12層の場合、最終層の
光学的膜厚がλt72の整数倍の構成、即ち、Sub、
1(T−8)’ ・T’n2J人l「・・・・・・べ
■)に於て、n (、n= 1.2.・・・)を変えた
場合の、3.39μmでの反射率とnとの関係を第2図
の折線15) K示すっ第2図より、出力側ミラーの3
,39μmでの反射率は、最終層が68、即ち光学的膜
厚が3/2λtの時最小であるっまた、その時の反射率
は0.1s以下であり、殆ど零の値をとることがわかる
、また、この時6328λでの透過率は約1.3チfあ
る。第5図に、Sub、 l[T−8]’ 4・6SI
Airの構成の400nmから800nmの範囲の分光
透過率の測定結果の一例を第5図に示すっ第5図で曲線
(7a)は縦軸のフルスケールが100チで、曲線(7
b)は同フルスグールが10%での表示である。分光透
過率の測定結果からも6328^での透過率の値が約1
.3チ(反射率が98.7%)であることがわかる。ま
た同じ出力…11 ミラーの2.5μmから25μm迄
の分光反射率の赤外外光輝による測定結果の一例を第6
図に示す。 “3.39μmで反射率の値が0.1%
以下で殆ど零の値とすることができる。
またはその付近次 らぶ。今、12層の場合、最終層の
光学的膜厚がλt72の整数倍の構成、即ち、Sub、
1(T−8)’ ・T’n2J人l「・・・・・・べ
■)に於て、n (、n= 1.2.・・・)を変えた
場合の、3.39μmでの反射率とnとの関係を第2図
の折線15) K示すっ第2図より、出力側ミラーの3
,39μmでの反射率は、最終層が68、即ち光学的膜
厚が3/2λtの時最小であるっまた、その時の反射率
は0.1s以下であり、殆ど零の値をとることがわかる
、また、この時6328λでの透過率は約1.3チfあ
る。第5図に、Sub、 l[T−8]’ 4・6SI
Airの構成の400nmから800nmの範囲の分光
透過率の測定結果の一例を第5図に示すっ第5図で曲線
(7a)は縦軸のフルスケールが100チで、曲線(7
b)は同フルスグールが10%での表示である。分光透
過率の測定結果からも6328^での透過率の値が約1
.3チ(反射率が98.7%)であることがわかる。ま
た同じ出力…11 ミラーの2.5μmから25μm迄
の分光反射率の赤外外光輝による測定結果の一例を第6
図に示す。 “3.39μmで反射率の値が0.1%
以下で殆ど零の値とすることができる。
発明の効果
以上の実施例に述べた高反射側ミラー及び出力側ミラー
を用いて第7図に示すような5mW級の高出力ヘリウム
・ネオン・ガスレーザ装置を作製する。第7図に於て、
高反射側ミラーは、透明基板仕り上に前配実弛例その1
の(1)の構成(n=12)の多層膜@を形成したもの
であり、出力側ミラーは透明基板+13上に同じり(■
)の構成(n=5)の多層膜I及び反射防止膜(1ツを
形成したものである。以上の高出力ヘリウム・ネオン・
レーザ装置f l’i 3.39μmの波長の影響が無
視出来るものであり、6328λでの発振出力を効率よ
く得ることができるヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置
である。また高反射側ミラーも出力側ミラーも・その反
射帯の中心波長を同じに らんでいるので、製作が容易
で管理もしやすいという利点もある。
を用いて第7図に示すような5mW級の高出力ヘリウム
・ネオン・ガスレーザ装置を作製する。第7図に於て、
高反射側ミラーは、透明基板仕り上に前配実弛例その1
の(1)の構成(n=12)の多層膜@を形成したもの
であり、出力側ミラーは透明基板+13上に同じり(■
)の構成(n=5)の多層膜I及び反射防止膜(1ツを
形成したものである。以上の高出力ヘリウム・ネオン・
レーザ装置f l’i 3.39μmの波長の影響が無
視出来るものであり、6328λでの発振出力を効率よ
く得ることができるヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置
である。また高反射側ミラーも出力側ミラーも・その反
射帯の中心波長を同じに らんでいるので、製作が容易
で管理もしやすいという利点もある。
以上、本発明の実施例として、二酸化チタンと二酸化シ
リコンのみを用いたレーザ・ミラーを有するヘリウム・
ネオン・レーザ装置にろき詳述し念が、6328iの出
力光を大きくす、るため、出力側jiラーの透過率をや
や増加しても艮いっそのために、出力画ミラーに於て、
二酸化チタンの・−の代りに、゛屈折星が1.60かり
2.10の間の物質を少なくとも一層挿入しても良いっ
例えば、一層を酸化ジルコニウム(屈折率約1.87
)を用いると、6328Aでの透過率はめ1.6チにな
り、酸化アルミニウム(屈折率約1.lj 2 )を用
いると、6328人での透過率は約1.85チとなる。
リコンのみを用いたレーザ・ミラーを有するヘリウム・
ネオン・レーザ装置にろき詳述し念が、6328iの出
力光を大きくす、るため、出力側jiラーの透過率をや
や増加しても艮いっそのために、出力画ミラーに於て、
二酸化チタンの・−の代りに、゛屈折星が1.60かり
2.10の間の物質を少なくとも一層挿入しても良いっ
例えば、一層を酸化ジルコニウム(屈折率約1.87
)を用いると、6328Aでの透過率はめ1.6チにな
り、酸化アルミニウム(屈折率約1.lj 2 )を用
いると、6328人での透過率は約1.85チとなる。
以上本発明の実施例は、二酸化チタンと二酸化シリコン
を主体とする誘電体多層膜の場合を例に取り詳述したが
、他の酸化セリウムとフン化マグイ7ウムの系、硫化亜
鉛と弗化マグネシウムの系に於てもそれぞれの物質の屈
折率が二酸化チタンとニジ化シリコンのそnに近いだめ
、本発明が適用されることはいうまでもない。
を主体とする誘電体多層膜の場合を例に取り詳述したが
、他の酸化セリウムとフン化マグイ7ウムの系、硫化亜
鉛と弗化マグネシウムの系に於てもそれぞれの物質の屈
折率が二酸化チタンとニジ化シリコンのそnに近いだめ
、本発明が適用されることはいうまでもない。
また本発明では、高反射側ミラー及び出力側ミラーの両
方が、3.39μmでの反射率を抑えた多層膜構成であ
る場合につき詳述したが、−万のミラーだけに本発明の
ものを用いても半分ではあるが効果があり、実際の5m
W級高出力ヘリウム・ネオン・レーザに使用出来ること
を確認している。
方が、3.39μmでの反射率を抑えた多層膜構成であ
る場合につき詳述したが、−万のミラーだけに本発明の
ものを用いても半分ではあるが効果があり、実際の5m
W級高出力ヘリウム・ネオン・レーザに使用出来ること
を確認している。
また本発明は、高出力ヘリウム・ネオン・レーザ装置の
みならず2、lnW級等の他の一すウム・ネオン・レー
ザ装置にも使用されることは言うまでもない、
みならず2、lnW級等の他の一すウム・ネオン・レー
ザ装置にも使用されることは言うまでもない、
第1図は一般のミラーの多層模嘴成の概念図、第2図は
高反射側ミラー及び出力画ミラーの3.39μmに於け
る反射率と、最終層の光学的膜厚との関係−名、第3図
は本発明り高反射側ミラーの400nmから800nr
nの範囲の分光透過率[ll]@、第4図は本発明の高
反射側ミラーの25μm以遠の分光反射率曲線、第5図
(ri本発明の出力側ミラーの400nmから800n
mの範囲の分光透過率曲線、第6図は本発明の出力側ミ
ラーの25μm以歯の分光反射率曲線、第7図はヘリウ
ム・ネオン・レーザit、1、11.13・・・透明基
板、2・・・高屈折物質、3・・・低屈折率物質、4,
5・・・3.39μmでの反射率特注曲線、 12・・高反射側誘電体多層膜、 14・・出力1j!li訪′醒俸多’fa I N15
・・・反射防止膜、 (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか
1名)第 1 図 第2図 への&→
高反射側ミラー及び出力画ミラーの3.39μmに於け
る反射率と、最終層の光学的膜厚との関係−名、第3図
は本発明り高反射側ミラーの400nmから800nr
nの範囲の分光透過率[ll]@、第4図は本発明の高
反射側ミラーの25μm以遠の分光反射率曲線、第5図
(ri本発明の出力側ミラーの400nmから800n
mの範囲の分光透過率曲線、第6図は本発明の出力側ミ
ラーの25μm以歯の分光反射率曲線、第7図はヘリウ
ム・ネオン・レーザit、1、11.13・・・透明基
板、2・・・高屈折物質、3・・・低屈折率物質、4,
5・・・3.39μmでの反射率特注曲線、 12・・高反射側誘電体多層膜、 14・・出力1j!li訪′醒俸多’fa I N15
・・・反射防止膜、 (7317)代理人 弁理士 則 近 憲 佑 (ほか
1名)第 1 図 第2図 への&→
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 11) 共損器を構成する高反射側ミラーおよび出力
側ミラーを有するヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置に
おいて、上記高反射側ミラーは基板上に形成された高屈
折率物質と低屈折率物質との交互層からなる多層膜を有
し該多層膜の基板側から数えて最終層が低屈折率物質で
あり且つ該最終層のλ、 λ。 光学的膜厚が丁×3または2 X4 (λrは反射帯中
心波長で、約6a2sA)であるとともに他の層がすべ
てλr/4であり、上記出力側ミラーは基板上に形成さ
れた高屈折率物質と低屈折率物質との交互層からなる多
層膜を有し該多層膜の基板側から数えて敢終ノーが低屈
折率物質であり且つ該最終層の光、λを 学的膜かτ×3(λtは反射帯中心波長で、約6328
A′)であるとともに他の層がすべてλt/4であるこ
とを特徴とするヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置。 (2)高屈折率物質が酸化チタンであり、低屈折率物質
が酸化シリコンである特許請求の範囲第1項記載のヘリ
ウム・ネオン・ガスレーザ装置。 (3)高反射側ミラーの多層膜が22層乃至24層であ
り、出力側ミラーの多層膜が12層である特許請求の範
囲第1項または第2項記載のヘリウム・ネオン・ガスレ
ーザ装置。 (4)出力側ミラーの多層膜が酸化チタンおよび酸化シ
リコンの交互層を主体とし、上記酸化チタンの層の代り
に屈折率が1.60から2.10のあいだにある第3の
物質の層を少なくとも1層含んでなる特許請求の範囲第
1項、第2項または第3項記載のヘリウム・ネオン・ガ
スレーザ装置(5)第3の物質が酸化アルミニウムまた
は酸化ジルコニウムである特許請求の範囲$4項記載の
ヘリウム・ネオン・ガスレーザ装置っ
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9116782A JPS58209186A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ヘリウム・ネオン・ガスレ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9116782A JPS58209186A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ヘリウム・ネオン・ガスレ−ザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58209186A true JPS58209186A (ja) | 1983-12-06 |
JPS64831B2 JPS64831B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=14018915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9116782A Granted JPS58209186A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | ヘリウム・ネオン・ガスレ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58209186A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120880A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | ヘリウム・ネオンレーザ装置 |
WO1999065122A1 (fr) * | 1998-06-11 | 1999-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resonateur optique de laser |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5037519A (ja) * | 1973-08-09 | 1975-04-08 |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP9116782A patent/JPS58209186A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5037519A (ja) * | 1973-08-09 | 1975-04-08 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03120880A (ja) * | 1989-10-04 | 1991-05-23 | Nec Corp | ヘリウム・ネオンレーザ装置 |
WO1999065122A1 (fr) * | 1998-06-11 | 1999-12-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resonateur optique de laser |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS64831B2 (ja) | 1989-01-09 |
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