JPS58209030A - 半導体ヒユ−ズ - Google Patents
半導体ヒユ−ズInfo
- Publication number
- JPS58209030A JPS58209030A JP9104582A JP9104582A JPS58209030A JP S58209030 A JPS58209030 A JP S58209030A JP 9104582 A JP9104582 A JP 9104582A JP 9104582 A JP9104582 A JP 9104582A JP S58209030 A JPS58209030 A JP S58209030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- film layer
- semiconductor
- protective film
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路において、半導体素子を利用
したヒユーズに関する。
したヒユーズに関する。
まず、ヒユーズの溶断過程は、次のように考え１−
られる。
【１）ヒユーズ素子は温度を溶解温度以上に上昇させる
と溶解を始める。
と溶解を始める。
（２）次に、ヒユーズ素子の膨張あるいは熱が加わるこ
とにより、ヒユーズ素子周辺の膜層が破壊され、溶解さ
れたヒユーズ材料の多くは大気中に拡散する。
とにより、ヒユーズ素子周辺の膜層が破壊され、溶解さ
れたヒユーズ材料の多くは大気中に拡散する。
すなわち、ヒユーズ素子が溶解しただけでは、ヒユーズ
が溶断したとするには不十分で、例え溶断したとしても
溶断される面積は小さく、溶解したヒユーズ材料が拡散
消滅することにより、ヒユーズ素子の確実な溶断がなさ
れることＫなる。ところが、従来のヒユーズの構成は、
第１図に示す如く、ヒユーズ部を他の素子部分と同じ厚
さの絶縁膜及び保護膜等で覆っている。
が溶断したとするには不十分で、例え溶断したとしても
溶断される面積は小さく、溶解したヒユーズ材料が拡散
消滅することにより、ヒユーズ素子の確実な溶断がなさ
れることＫなる。ところが、従来のヒユーズの構成は、
第１図に示す如く、ヒユーズ部を他の素子部分と同じ厚
さの絶縁膜及び保護膜等で覆っている。
このため、ヒユーズ上層部の膜膜層が破壊され、にくく
、ヒユーズ材料は溶解しても拡散せず残ってしまい溶断
しにくい。また、上層部が破壊されにくいため、下層部
に破壊等の態形４１を与える可能性も高い。
、ヒユーズ材料は溶解しても拡散せず残ってしまい溶断
しにくい。また、上層部が破壊されにくいため、下層部
に破壊等の態形４１を与える可能性も高い。
２−
本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、
ヒユーズ素子を溶断しやすくするとともにエージング特
性（経年後、再び電気的に導通してしまわない）を改善
し、さらに、下層部へ□の影響を少なくすることにある
。
ヒユーズ素子を溶断しやすくするとともにエージング特
性（経年後、再び電気的に導通してしまわない）を改善
し、さらに、下層部へ□の影響を少なくすることにある
。
以下実施例に基づいて、本発明の詳細な説明する。第２
図は、本発明によるヒユーズの構成の１例を示す。本ヒ
ユーズは、ヒユーズ素子（２０１）配線部（２０２）、
コンタクト部（２０３）、及び絶縁膜層（２０４）、保
護膜層（２０５）からなっており、ヒユーズ上層部は、
絶縁膜のみで保護膜は存在しない。このように、ヒユー
ズ部上層部の膜厚を薄くすることによシ、前述のヒユー
ズ溶断過程において、上層部の膜層破壊が容易となり、
ヒユーズの溶断面積が大きく得られ、とともに、さらに
下層部への影Ｖを少なくすることが可能となる。１だ、
上層部の膜厚を薄くすることによυ、膜層を破壊するた
めに必要なエネルギーが少ない分だけヒユーズを溶断す
るために必要なエネルギーも少なくて済む。ここで、溶
断面積を３− 大きくとることが出来るということは、経年後、なんら
力の理由で再び導通ずる可能性が小さいと考えられ、ヒ
ユーズの場合、溶断面積をできるだけ大きくする必要が
ある。
図は、本発明によるヒユーズの構成の１例を示す。本ヒ
ユーズは、ヒユーズ素子（２０１）配線部（２０２）、
コンタクト部（２０３）、及び絶縁膜層（２０４）、保
護膜層（２０５）からなっており、ヒユーズ上層部は、
絶縁膜のみで保護膜は存在しない。このように、ヒユー
ズ部上層部の膜厚を薄くすることによシ、前述のヒユー
ズ溶断過程において、上層部の膜層破壊が容易となり、
ヒユーズの溶断面積が大きく得られ、とともに、さらに
下層部への影Ｖを少なくすることが可能となる。１だ、
上層部の膜厚を薄くすることによυ、膜層を破壊するた
めに必要なエネルギーが少ない分だけヒユーズを溶断す
るために必要なエネルギーも少なくて済む。ここで、溶
断面積を３− 大きくとることが出来るということは、経年後、なんら
力の理由で再び導通ずる可能性が小さいと考えられ、ヒ
ユーズの場合、溶断面積をできるだけ大きくする必要が
ある。
次に、第３図は、従来のヒユーズと本発明のヒユーズの
溶断に必要な電圧を比較したもので、ヒユーズ上層部の
膜厚が他の素子部と同一の場合（３０１・・実線）と、
保護膜を除去し膜厚を薄くした場合（３０２・・破線）
及び、膜を全て除去した場合（３０３・・一点鎖線）と
を比較したものであシ、膜厚は薄い方が溶断エネルギー
は少なくて済む。第４図は、溶断後のヒユーズ素子付近
の状態を示した平面図である。保護膜が無いだけでも溶
断の状態（溶断面積）が大きく違っている。
溶断に必要な電圧を比較したもので、ヒユーズ上層部の
膜厚が他の素子部と同一の場合（３０１・・実線）と、
保護膜を除去し膜厚を薄くした場合（３０２・・破線）
及び、膜を全て除去した場合（３０３・・一点鎖線）と
を比較したものであシ、膜厚は薄い方が溶断エネルギー
は少なくて済む。第４図は、溶断後のヒユーズ素子付近
の状態を示した平面図である。保護膜が無いだけでも溶
断の状態（溶断面積）が大きく違っている。
このように、本発明は、ヒユーズの溶断に要するエネル
ギーを少なくすると共に、経年後の信頼性を高くするな
どすぐれた効果を有するものである。
ギーを少なくすると共に、経年後の信頼性を高くするな
どすぐれた効果を有するものである。
−４、
第１図は、従来のヒユーズの断面図。第２図は本発明に
よるヒユーズの一実施例の断面図。第３図は従来のヒユ
ーズと本発明によるヒユーズの溶断電圧を同条件で比較
したものである。第４図は溶断後のヒユーズ素子の状態
を比較したもので、（ｌ！−α）は従来のヒユーズ、（
４−ｂ）は本発明によるヒユーズである。 １０１．２０１旬・・ヒユーズ素子 １０２．２０２・Φ・配線部 １０３．２０３・・・ヒユーズ素子と配線部とのコンタ
クト部 １０４．２０４・・Φ絶縁膜層 １０５．２０５・・・保護膜層 ３０１・・・従来のヒユーズ ３０２．３０３・・Φ本発明ヒユーズ ４０１・・・ヒユーズ素子 ４０２ｅ・・配線部 ４０３・・・コンタクト部 ５− ４０４・・・本発明ヒユーズにおいて膜層が薄い部分。 ４０５・・・溶断されたヒユーズ部分 板 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ６−
よるヒユーズの一実施例の断面図。第３図は従来のヒユ
ーズと本発明によるヒユーズの溶断電圧を同条件で比較
したものである。第４図は溶断後のヒユーズ素子の状態
を比較したもので、（ｌ！−α）は従来のヒユーズ、（
４−ｂ）は本発明によるヒユーズである。 １０１．２０１旬・・ヒユーズ素子 １０２．２０２・Φ・配線部 １０３．２０３・・・ヒユーズ素子と配線部とのコンタ
クト部 １０４．２０４・・Φ絶縁膜層 １０５．２０５・・・保護膜層 ３０１・・・従来のヒユーズ ３０２．３０３・・Φ本発明ヒユーズ ４０１・・・ヒユーズ素子 ４０２ｅ・・配線部 ４０３・・・コンタクト部 ５− ４０４・・・本発明ヒユーズにおいて膜層が薄い部分。 ４０５・・・溶断されたヒユーズ部分 板 上 出願人 株式会社睡訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ６−
Claims (1)
- （１）半導体集積回路において、ヒユーズとして用いる
半導体素子と配線部と絶縁膜層及び保饅膜層からなり、
ヒユーズ素子の上層部あるいは周辺上層部の、絶縁膜層
もしくは保護膜層の厚さが他の部分と異なることを特徴
とする半導体ヒユーズ。 「２１絶縁膜層もしくは保護膜層を他の素子部分と比較
し薄くする特許請求の範囲第１項記載の半導体ヒユーズ
。 （３１絶縁膜あるいは保護膜が全く存在しない特許請求
の範囲第１項記載の半導体ヒユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104582A JPS58209030A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体ヒユ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9104582A JPS58209030A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体ヒユ−ズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58209030A true JPS58209030A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14015526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9104582A Pending JPS58209030A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体ヒユ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58209030A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146268A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor memory unit |
| JPS5762544A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP9104582A patent/JPS58209030A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146268A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor memory unit |
| JPS5762544A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-15 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
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