JPH10256308A - 半導体チップ実装構造及びその実装方法 - Google Patents

半導体チップ実装構造及びその実装方法

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JPH10256308A
JPH10256308A JP9051644A JP5164497A JPH10256308A JP H10256308 A JPH10256308 A JP H10256308A JP 9051644 A JP9051644 A JP 9051644A JP 5164497 A JP5164497 A JP 5164497A JP H10256308 A JPH10256308 A JP H10256308A
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JP
Japan
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solder
semiconductor chip
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bumps
substrate
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Withdrawn
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JP9051644A
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Hideo Sasagawa
英雄 笹川
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体チップの基板への搭載不良を無くすこ
とを課題とする。 【解決手段】 半導体チップ1の高融点ハンダにて形成
されるハンダバンプ3搭載面の隅に、低融点ハンダにて
形成され、ハンダバンプ3より大きい複数の位置決めバ
ンプ4を備える。基板7に、ハンダバンプ3に対応して
設けたパッド5と、中央部に穴6aを有し、パッド5よ
り大きく複数の位置決めバンプ4に対応して設けた複数
の位置決めパッド6を備える。そして、ハンダを溶融す
ることにより半導体チップ1を基板7に実装する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、端子がハンダバン
プである半導体チップの実装構造及びその実装方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】端子がハンダバンプである半導体チップ
の基板への搭載精度は±10μm以内が必要とされる。
このため、半導体チップの基板への搭載は、従来カメラ
により半導体チップのハンダバンプと基板のパッドを認
識して行っていた。すなわち、半導体チップのハンダバ
ンプと基板のパッドの両方をカメラで画像処理して基板
に半導体チップを搭載していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた方法では半導体チップのハンダバンプの大きさや基
板のパッドの寸法が大きすぎたり小さすぎたりするとカ
メラでは認識できない状態となる場合があった。このよ
うにカメラにて画像処理するにもかかわらず、基板のパ
ッドに半導体チップのハンダバンプを搭載できなくなる
ことがあった。従って、本発明はカメラにてハンダバン
プやパッドを認識できない場合でも半導体チップのハン
ダバンプを基板のパッドへ搭載できるようにすることを
目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】半導体チップの高融点ハ
ンダにて形成されるハンダバンプ搭載面の隅に、低融点
ハンダにて形成され、ハンダバンプより大きい複数の位
置決めバンプを備える。基板に、ハンダバンプに対応し
て設けたパッドと、中央部に穴を有し、パッドより大き
く複数の位置決めバンプに対応して設けた複数の位置決
めパッドを備える。そして、ハンダを溶融することによ
り半導体チップを基板に実装する。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1(a)〜図1(d)は本発明の一実施の形態を示す
図である。図1(a)は半導体チップの裏面図、図1
(b)は図1(a)のA−A断面図、図1(c)は基板
の表面図、図1(d)は図1(c)のB−B断面図であ
る。
【0006】1は図示しない集積回路を有する半導体チ
ップ、2は端子部に設けた電極、3は電極2上に設け、
高融点ハンダにて形成されるハンダバンプである。4は
半導体チップ1のハンダバンプ3を搭載する面の4隅
に、ハンダバンプ3より大きさを大きくし、低融点ハン
ダにて形成される位置決めバンプである。5はハンダバ
ンプ3に対応して設けたパッド、6は位置決めバンプ4
に対応して設け、パッド5よりも大きい位置決めパッド
である。6aは位置決めパッド6の中央部にエッチング
等の処理にて設けた傾斜を持つ穴、7は半導体チップ1
を搭載する基板、8はパッド5に塗布される低融点ハン
ダ又は導電性ペ−ストである。
【0007】図2(a)〜図2(d)は半導体チップ1
の基板7への実装方法を示す断面図である。図3
(a)、図3(b)は半導体チップ1を基板7に搭載し
た時の拡大した断面図である。
【0008】以下、半導体チップ1の基板7への実装方
法について図2、図3を用いて説明する。最初に、図2
(a)に示すように、位置決めバンプ4を位置決めパッ
ド6に合わせる。2番目に、図2(b)に示すように、
位置決めバンプ4を位置決めパッド6に搭載する。位置
決めバンプ4はハンダバンプ3より大きいので、基板7
に搭載された半導体チップ1のハンダバンプ3は、位置
決めバンプ4を位置決めパッド6の穴6aに入れた時、
基板7のパッド5には接触しない状態となる。この状態
を図3に示す。図3(a)は半導体チップ1を基板7に
搭載したときに、図示しない機械の誤差により左へずれ
て搭載した時の断面図で、図3(b)は位置決めパッド
6と位置決めバンプ4により搭載位置が正しい箇所へ実
装された断面図である。
【0009】3番目に、図2(c)に示すように、半導
体チップ1と基板7に最初のリフロ−を行う。リフロ−
の温度は、低融点ハンダで形成される位置決めバンプ4
のみが溶融する温度とする。ここで、図3(a)の状態
でリフロ−を行っても溶融したハンダの性質により位置
決めバンプ4は位置決めパッド6の中央部へ搭載された
状態となる。半導体チップ1は基板7側へ近ずきハンダ
バンプ3はパッド5と軽く接触する。最後に、図2
(d)に示すように、2度目のリフロ−を行う。リフロ
−の温度は、高融点ハンダが溶融する温度とする。この
結果、ハンダバンプ3は溶融し、パッド5と電気的に接
続される。
【0010】以上説明したように、本発明の一実施の形
態によれば、半導体チップに位置決めバンプを設け基板
にも位置決めパッドを設けたことにより搭載不良を無く
すことができるという効果を有する。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、半導体チップに位
置決めバンプを設け基板にも位置決めパッドを設けたこ
とにより、基板と半導体チップをカメラにて画像処理す
る必要が無くなるとともに、搭載不良を無くすことがで
きるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体チップと基板を示す図である。
【図2】本発明の半導体チップの基板への実装方法を示
す断面図である。
【図3】本発明の半導体チップを基板に搭載した時の拡
大した断面図である。
【符号の説明】
1…半導体チップ 2…電極 3…ハンダバンプ 4…位置決めバンプ 5…パッド 6…位置決めパッド 6a…穴 7…基板 8…低融点ハンダ又は導電性ぺ−スト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 端子部が高融点ハンダにて形成されるハ
    ンダバンプを有する半導体チップの基板への実装構造に
    おいて、 前記半導体チップの前記ハンダバンプ搭載面の隅に、低
    融点ハンダにて形成され、 前記ハンダバンプより大きい複数の位置決めバンプを備
    え、 前記基板に、前記ハンダバンプに対応して設けたパッド
    と、 中央部に穴を有し、前記パッドより大きく前記複数の位
    置決めバンプに対応して設けた複数の位置決めパッドを
    備え、 ハンダを溶融することにより前記半導体チップを前記基
    板に実装することを特徴とする半導体チップ実装構造。
  2. 【請求項2】 端子部が高融点ハンダにて形成されるハ
    ンダバンプを有する半導体チップの基板への実装方法に
    おいて、 前記半導体チップの前記ハンダバンプ搭載面の隅に、低
    融点ハンダにて形成され、 前記ハンダバンプより大きい複数の位置決めバンプを形
    成するステップと、 前記基板に、パッドを形成し、前記パッドより大きく中
    央部に穴を有する複数の位置決めパッドを形成するステ
    ップと、 前記複数の位置決めパッドの前記穴に前記複数の位置決
    めバンプを搭載することにより前記ハンダバンプと前記
    基板に設けた前記パッドとを位置合わせするステップ
    と、 前記位置決めバンプを溶融するステップと、 前記ハンダバンプを溶融することにより前記ハンダバン
    プと前記パッドを電気的に接続するステップと、 を備えたことを特徴とする半導体チップの実装方法。
JP9051644A 1997-03-06 1997-03-06 半導体チップ実装構造及びその実装方法 Withdrawn JPH10256308A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6824041B2 (en) * 2002-10-21 2004-11-30 Agilent Technologies, Inc. High temperature eutectic solder ball attach
JP2008041980A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Shinko Seiki Co Ltd はんだ付け方法およびはんだ付け装置
JP2008147317A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品の実装方法
US7518230B2 (en) 2005-12-14 2009-04-14 Rohm Co., Ltd Semiconductor chip and semiconductor device
JP2009260068A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Fujitsu Ltd 電子部品実装装置及びその製造方法
JP2015038927A (ja) * 2013-08-19 2015-02-26 富士通株式会社 電子装置及び電子装置の製造方法

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20040511