JPS58208701A - ビ−ムスプリツタ− - Google Patents

ビ−ムスプリツタ−

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Publication number
JPS58208701A
JPS58208701A JP57091935A JP9193582A JPS58208701A JP S58208701 A JPS58208701 A JP S58208701A JP 57091935 A JP57091935 A JP 57091935A JP 9193582 A JP9193582 A JP 9193582A JP S58208701 A JPS58208701 A JP S58208701A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
refractive index
layer
light
beam splitter
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57091935A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kobayashi
健志 小林
Kazuho Endo
遠藤 和穂
Yoshiji Kawamura
川村 宣司
Nobumasa Nanbu
信政 南部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinmaywa Industries Ltd
Original Assignee
Shin Meiva Industry Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Meiva Industry Ltd filed Critical Shin Meiva Industry Ltd
Priority to JP57091935A priority Critical patent/JPS58208701A/ja
Publication of JPS58208701A publication Critical patent/JPS58208701A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/10Beam splitting or combining systems
    • G02B27/14Beam splitting or combining systems operating by reflection only
    • G02B27/142Coating structures, e.g. thin films multilayers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Optical Head (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はビームスプリッタ−1特に多層干渉薄膜を利用
し反射光および透過光における偏光成分を入射光のそれ
と等しいものとすることはもとよυ、その成分比を自在
に設定することも可能なビームスプリッタ−に関するも
のである。
一般に偏光のない光が異なる媒質境界に斜入射するとそ
の界面における反射光及び透過光それぞれに含まれるP
偏光とS偏光との成分比はそれぞれ異なってくる。
この成分比は入射角、両媒質の屈折率に依存するが所謂
ブリュースター角において反射光はS偏光成分、透過光
はP偏光成分としてほぼ分離されることは周知の事実で
ある。このような現象を積極的に活用した偏光プリズム
は特公昭55−9683号公報などで公知で、この種の
偏光プリズムはフィリップス社のMCA方式光ディスク
再生光学系中で実用化されている。しかし、本発明によ
るビームスプリッタ−は信号再生のための基本要素とし
て不可欠なものではなく、再生用光源としてのレーザー
発振器の出力安定化を目的とするものである。すなわち
、光デイスク再生のために用いられている従来のレーザ
ー発振器はバックトークと称される信号光の逆入射があ
るとその位相関係によっては発振出力光に出力変動が生
じ信号再生に悪影vを及ぼす問題がある。そこで従来の
光デイスク再生光学系中には上述した偏光プリズムの他
、1/4波長板を併用することによってバックトークを
防いでいたものである。(なお、この場合の偏光プリズ
ム、1/4波長板の作用あるいは再生光学の詳紐な既に
公知であるので説明は省略する。) しかし近来においてはレーザー発振器も種、 々改良さ
れてきておシ、上述したバックトークを問題としないも
の、さらにはある種の半導体レーザーのように自己結合
効果をオリ用することによって逆入射そのものを利用し
て信号検出を行なうものも提案されてきている。
このような事情にあっては従来の光デイスク再生光学系
中に用いられている偏光プリズムはもとよシ、1/4波
長板も不必要となシ再生光学系を格段に簡略化・軽量化
できることになる。第1図はこうして簡略・軽量化され
た光デイスク再生光学系の一例を示すものでおる。レー
ザー発振器1はバックトークを問題としないものが用い
られているものとする。
レーザー発振器1からの光はコリメーターレンズ2によ
って平行光束としてヒ−ムスf IJフッタ3に入射す
る。ビームスプリッタ−3にはノ・−フミラー3′が形
成され、例えばこれを50%透過、50%反射のものと
する。
ハーフミラ−3′で反射された光束は対物レンズ4によ
り光ディスク5の信号部上に収斂され、信号部として設
けられたピットと称される凹凸信号部をスポット照射す
る。この信号部からの反射光はピット形状、寸法に応じ
て位相変調され、光干渉による強度変化を伴っている。
これが信号光として再度対物レンズ4に入射する。対物
レンズによシ平行光束とさnだ信号光はハーフミラ−3
′に達し、これを透過した光束はフォトセンサ6で検出
される。
以上の構成によればレーザー発振器1からの元はハーフ
ミラ−3′で反射されそして透過されるため、このハー
フミラ−3′の透過率(あるいは反射率)が50チであ
るとフォトセンサ6に達する光の量としては25%とな
りこの場合における光の利用率が最も高い。
ところで上述した光学系においては、ハーフミラ−3′
が反射面としてさらに透過面として用いられている。従
って一般的に用いられているハーフミラ−をこの光学系
中に設けると光の利用率はさらに低減する。というのは
(既に述べたように)通常のハーフミラ−ではP偏光、
S偏光それぞれに対する反射特性が異なるため最初反射
面として作用する時点てP偏光の多くは透過される。(
但し、反射光全体の光量として50%あるとする)そし
て光ディスク5から反射されて来たS偏光を主とする信
号光が再度−・−フミラー3′に入射してくると、一般
的ノ・−フミラーの特性からこの信号光のほとんどはノ
・−フミラー3′で再度反射され、フォトセンサ6に遅
する光は微弱なものとなシフオドセンサ6の負担が増大
する結果となる。これを解決するにはノ1−フミラーと
してP偏光、S偏光いずれもほぼ等しく反射(透過)す
る特性のものが必要されることになる。
この他、例えばカメラの測光用光学系などにおいて、ハ
ーフミラ−を介して輝度検出を行なうものがある。この
ような光学系では例えばハーフミラ−で分割される一方
をファインダー観察に、他方を測光に利用するが、ノ・
−フミラーに入射してくる光の多くは被写範囲からの反
射光である。従ってこの入射光はS偏光成分の光を多く
含みやすい。特に画面内に水面、ガラス窓などの反射体
があると、その角度によってはS偏光成分がかなシ多い
場合がある。すると通常の7・−7ミラーではS偏光を
多く反射することを考慮するとハーフミラ−の透過率を
50%にしたとしても分割された後の光の光量はアンバ
ランスなものとなシ正しい測光を行なうことが困難にな
ってくる。このような弊害にやはシハーフミラーのもつ
一般的な特性に起因しておシこれを解決するうえでも先
のように偏光成分に左右されない反射、透過特性が望ま
れるものである。
本発明は以上のような技術的背景のもとになされたもの
であり、従来のビームスプリッタ−では全く考慮されな
かったあるいは従来のP偏光とS偏光の分6%性のみに
しか考慮が及んでいないのに対し、本発明ではP偏光、
S偏光いずれに対しても等しい反射率、透過率を与え得
ることはもとよりこれを自在に設定できるビームスプリ
ッタ−を得ることが可能となる。
第2図は(プレート)壓ビームスプリッタ−に本発明を
適用した一例を示す概念図であシ10はプレート状の基
板である。プレート状基板には干渉多層薄膜層りが蒸着
によシ被着形成きれているものとする。いまこのビーム
スプリッタ−の特性をP偏光、S偏光に対してもその反
射率、透過率かそれぞれ50%となるように設定すると
、図中左方からの入射光rh透過光Tと反射光Rに分割
される。
この時入射光重がP偏光成分IF’XS偏光成分■Sを
それぞれ50%づつ含み、全体の光量が100であった
とすると透過光Tの光量は50 (Tp : T5 =
25:25 )反射光Rの光量も50 (RP : R
5=25 :25)となシ透過光T及び反射光Rにそれ
ぞれ含まれる偏光の成分比は入射光のそれと一致する。
これは入射光重における偏光成分比I P/I 5がい
かなる場合であってもこの成分比が透過光と反射光とで
変わることがない。これは本発明ビームスシリツタ−で
得られる特性の一例に過ぎないが以下本発明ビームスプ
リッタ−の具体的膜構成について述べる。
第3図は第2図における多層干渉薄膜層りを3層膜で構
成した場合の概念図である。第3図においてSは下地基
板で、例えばBK7などの硝材(屈折率NS)、Llは
第1層で屈折率NLの低屈折率膜層、L2は第2層で屈
折率NHO高屈折率膜層、L3は第3層で第1層L+ 
と同じ低屈折率膜層である。これらの周囲媒質を空気と
し屈折率はNo=1である。なおL1〜L3の各層の膜
厚は光学的膜厚でλo/4(λ0は基準波長)としであ
る。
第4図は本発明をN層膜で構成した場合の概念図で第1
層は低屈折率膜層(屈折率NL、膜厚λo/4)、第2
層を高屈折率膜層(屈折率NH、膜厚λo/4)としこ
れを順次N層まで積層さぞ最上層の第N層を低屈折率膜
層としたものである。(従って層数としては奇数となる
少。
用途として例えば近赤外レーザー発振器を用いた光デイ
スク再生光学系を想定する。本発明ビームスプリッタ−
をこの光学系に用いる場合、光の利用率の面から50チ
透過のビームスプリッタ−でしかもP、s両偏光成分が
一致している無偏光タイプのものが好ましい。この要求
を満たすための屈折率条件を例えば3〜9層の膜構成の
ものそれぞれについて求めると第1表のとおυである。
条件として入射側屈折率がNo = 1.0、透過側屈
折率はN5=1.52、で入射角は45°である。また
、λ=800nmで所期の特性となるようにしである。
そして、この第1表に基づいた各層数構成のp、s両偏
光成分の分光特性TF、TSを第5図に示す。
第1表(第5図) 従って第5図の分光特性によれば膜構成の層数に応じて
高低屈折率膜層の屈折率NHXNLを決めてやることに
よって伺層構成のものでも50チ透過(p、s両偏光成
分に対して)のビームスプリッタ−を得ることができる
但し’I P、、s両偏光成分に対する透過率のほぼ一
致するとみなせる範囲からみると、層数が増すにつれS
偏光成分の透過率TSの極大形状が急峻となる傾向があ
るので、製造時における条件変化や入射角度の依存性を
考慮すると、層数の少ない方が有利である。
第6図はλ=800±20 nmの近傍でP1S両偏光
成分に対し等しい透過率を得る場合において膜構成層数
LNに対し、高屈折率膜層に要求される高屈折率NHと
低屈折率膜層に要求される屈折率NLとの両屈折率条件
を示すものである。なおその他の条件である透過側屈折
率NS及び入射角についてはこれまでと同じとしである
。また、第6図中釜破線で示したのはP、s両偏光成分
に対する等透過率T (T/’=T5)を4える条件を
結んだもの第6図かられかるように、NHXNLの屈折
率条件の設定によシいずれの膜構成数においてもPl 
s両偏光成分の透過率TF、T5を等しく、シかも任意
の透過率にすることができる。
以上の実施例では入射側屈折率を1、透過側屈折率を1
.52とした場合について述べて来たが本発明は必ずし
もこれに限定されるものではない。例えば光デイスク再
生光学系で使用されるレーザ発振器が近赤外レーザーで
あれば基板としてシリコン、ダルマニウムなどの基板で
も良い事になる。第7図はこのような場合について透過
側屈折率を4.0とした時にλ−800nm−近傍でP
l s両偏光成分に対する透過率Tp、Tsが等しくな
シ得るような5層膜構成のもののいくつかを分光透過特
性として示したものである。なお、入射角はいずれも4
5°とし、各膜厚の屈折率NH,NLは第2表の通りで
ある。
第2表(第7図−5層構成) さらに本発明1(よれば、Pl s両偏光成分の透過率
を逆転させることもできる。すなわちこれまでのビーム
スf 11ツタ−ではP偏光成分の光は多く透過されS
偏光成分の光は多く反射されることから透過光Tについ
ては一般にTP>TS  である。しかし例えば第8図
に示すようにある屈折惠条件によっては所定波長域にお
いてTP<TSとすることが可能である。
第8図のTP+<T5+i また、’fp:’fsの比
及び(TP+T5 ) : (RP+R5)  の比を
自在に設定できる事も明らかでちる。第8図はN0=L
O1NS= 1.52、入射角45°、λo=860n
mとして低屈折率膜層の屈折率Nrを1.60に固定し
高屈折膜膜層の屈折率NHを変えた場合のPl s両偏
光成分に対するTFXT5を示したものである。なお、
膜構成は5層膜(各層の光学的膜厚はλo/4)で各透
過特性TP、TSと屈折率NHとの対応は第3表による
第3表(第8図−5層構成) このような特性は従来のビームスプリッタ−では到底得
ること1は不可能であるが、本発明によればこのような
特性も容易に得ら汎ることから各種光学系に新たな機能
を求めることもできる。
なお、今までの説明においては光学的膜厚を全てλo/
4としているが膜厚を変化さ冶る事によっても所望の分
光特性を得る事は可能である。つまシ、各膜層の位相を
決定する上での光学的膜厚が屈折率と膜厚の関数である
ためそれは明らかである。
ヤ一 以上、いくつかの実施例に基き、本発明ビ−ムスプリン
ターの膜構成について述べその屈折率条件を明らかにし
てきた。本発明を実施する上でこれまでに挙けた屈折率
を与える蒸着物質の一例として、高屈折率物質として&
、低屈折率物質としては7402、ZnO2、Sno!
、ZnS 、、C6203、ル203、CeF3 、N
dzOs 、In2O3などが適する。特に&について
は蒸着条件(基板温度、蒸着速度など)を制御すること
でその屈折率を3〜5の範囲で変化させ得るので有利で
ある。なお、通常の基板温度としては300℃〜400
℃程度の範囲が用いられる。
また、所望の屈折率を得る手段として各膜層について等
価膜を利用しても良い。この等価膜の利用によれば等制
約に所望の範囲にわたる屈折率(原理的にどのような値
の屈折率でも得られる)を実現できるので本発明を実施
するうえでかなシ有力な手段である。
こうして本発明によれか、入射光を透過光及び反射光に
分離する所謂ビームスプリッタ−の透過及び反射特性を
、特にP偏光成分、S偏光成分についていずれも等しく
でき、あるいは透過光・反射光に含まれる両側光の成分
比も自在に設定できるという極めて汎用的実用的作用を
達成し得ることになるものである。しかも、その蒸着作
業についても特に新たな機械が要求されたシ、まだ特殊
な蒸着物質を必要としたりすることもなく、従来装置、
蒸着物質がそのまま流用できるので製造時の制約もなく
量産性も充分である。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明ビームスプリッタ−を用いる場合の、光
デイスク再生光学系の一例を示す原理構成図でおる。 第2図は不発明ビームスプリッタ−の特性を説明するた
めの概念図である。 第3図は本発明の3層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第4図は本発明のN層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第5図は本発明において、透過率TJ’、T5がそれぞ
れ50%1で一致する場合の例の分光特性図である。 第6図は不発明をそれぞれ3〜9層膜構成としてTp=
’fsとなる屈折率条件NLとNIIの関係を示す図で
ある。 第7図は透明基板の屈折率が高い場合に利用できる5層
構成になる本発明一実施例の分光特性図である。 第8図はT7)<75及び任意のT P : T S 
% (TF+T5): (RP+R5)の比となる本発
明一実施例の示す分光特性図である。 1・・・レーザー発振器 2・・・コリメータレンズ3
・・・ビームスプリッタ−4・・・対物v y 、e5
・・・光ディスク  6・・・フォトセンサ10・・・
プレート状基板 L・・・多層干渉薄膜層 ■・・・入射光 T・・・透過光 R・・反射光’fP
・・・P偏光成分に対する透過光TS・・・S偏光成分
に対する透過光 N5・・・基板屈折率 NO・・・空気の屈折率(=1) NL・・・低屈折率膜層屈折率 NH・・・高屈折率膜層屈折率 出願人  佐野機工株式会社 第2図 空気N、・1) 第3図 晃4図 第GUfjJ 手    続    補    正    書1.事 
件 の 表 示     昭和57年特許願第9793
!;号2・発 明 の 名 称     ビームスプリ
ッタ−3・補正をする者 事件との関係      特 許 出 歴 人件   
 所      栃木県佐野市小中町700番地4、補
正明令の日付  昭和57年8月13日(発送日昭和5
7年8月31日) 5、補正の対象   明細書及び図面 6、補 正 の 内 容     添付のとおり明細書
及び図面の浄書を提出します。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)屈折率NSを有する平板状の透明基板が空気中(
    屈折率はNo=1)に存在し、NSよシ高い屈折率NL
    をもつ低屈折率膜層とこれよシさらに高い屈折率NEを
    有する高屈折率膜層とを交互に、かつ最下層および最上
    層が低屈折率膜層となるように積層したビームスプリッ
    タ−0
  2. (2)  1.3 < N 5 < 4の場合において
    1.8(Nf(5 1,4(Nl(3 とした特許請求の範囲第(1)項に記載のビームスプリ
    ッタ−0
  3. (3)各層の光学的膜厚をλo/4  とした特許請求
    の範囲第(1)項もしくは第(2)項に記載のビームス
    プリンター。
JP57091935A 1982-05-28 1982-05-28 ビ−ムスプリツタ− Pending JPS58208701A (ja)

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