JPS58208701A - ビ−ムスプリツタ− - Google Patents
ビ−ムスプリツタ−Info
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- JPS58208701A JPS58208701A JP57091935A JP9193582A JPS58208701A JP S58208701 A JPS58208701 A JP S58208701A JP 57091935 A JP57091935 A JP 57091935A JP 9193582 A JP9193582 A JP 9193582A JP S58208701 A JPS58208701 A JP S58208701A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/142—Coating structures, e.g. thin films multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はビームスプリッタ−1特に多層干渉薄膜を利用
し反射光および透過光における偏光成分を入射光のそれ
と等しいものとすることはもとよυ、その成分比を自在
に設定することも可能なビームスプリッタ−に関するも
のである。
し反射光および透過光における偏光成分を入射光のそれ
と等しいものとすることはもとよυ、その成分比を自在
に設定することも可能なビームスプリッタ−に関するも
のである。
一般に偏光のない光が異なる媒質境界に斜入射するとそ
の界面における反射光及び透過光それぞれに含まれるP
偏光とS偏光との成分比はそれぞれ異なってくる。
の界面における反射光及び透過光それぞれに含まれるP
偏光とS偏光との成分比はそれぞれ異なってくる。
この成分比は入射角、両媒質の屈折率に依存するが所謂
ブリュースター角において反射光はS偏光成分、透過光
はP偏光成分としてほぼ分離されることは周知の事実で
ある。このような現象を積極的に活用した偏光プリズム
は特公昭55−9683号公報などで公知で、この種の
偏光プリズムはフィリップス社のMCA方式光ディスク
再生光学系中で実用化されている。しかし、本発明によ
るビームスプリッタ−は信号再生のための基本要素とし
て不可欠なものではなく、再生用光源としてのレーザー
発振器の出力安定化を目的とするものである。すなわち
、光デイスク再生のために用いられている従来のレーザ
ー発振器はバックトークと称される信号光の逆入射があ
るとその位相関係によっては発振出力光に出力変動が生
じ信号再生に悪影vを及ぼす問題がある。そこで従来の
光デイスク再生光学系中には上述した偏光プリズムの他
、1/4波長板を併用することによってバックトークを
防いでいたものである。(なお、この場合の偏光プリズ
ム、1/4波長板の作用あるいは再生光学の詳紐な既に
公知であるので説明は省略する。) しかし近来においてはレーザー発振器も種、 々改良さ
れてきておシ、上述したバックトークを問題としないも
の、さらにはある種の半導体レーザーのように自己結合
効果をオリ用することによって逆入射そのものを利用し
て信号検出を行なうものも提案されてきている。
ブリュースター角において反射光はS偏光成分、透過光
はP偏光成分としてほぼ分離されることは周知の事実で
ある。このような現象を積極的に活用した偏光プリズム
は特公昭55−9683号公報などで公知で、この種の
偏光プリズムはフィリップス社のMCA方式光ディスク
再生光学系中で実用化されている。しかし、本発明によ
るビームスプリッタ−は信号再生のための基本要素とし
て不可欠なものではなく、再生用光源としてのレーザー
発振器の出力安定化を目的とするものである。すなわち
、光デイスク再生のために用いられている従来のレーザ
ー発振器はバックトークと称される信号光の逆入射があ
るとその位相関係によっては発振出力光に出力変動が生
じ信号再生に悪影vを及ぼす問題がある。そこで従来の
光デイスク再生光学系中には上述した偏光プリズムの他
、1/4波長板を併用することによってバックトークを
防いでいたものである。(なお、この場合の偏光プリズ
ム、1/4波長板の作用あるいは再生光学の詳紐な既に
公知であるので説明は省略する。) しかし近来においてはレーザー発振器も種、 々改良さ
れてきておシ、上述したバックトークを問題としないも
の、さらにはある種の半導体レーザーのように自己結合
効果をオリ用することによって逆入射そのものを利用し
て信号検出を行なうものも提案されてきている。
このような事情にあっては従来の光デイスク再生光学系
中に用いられている偏光プリズムはもとよシ、1/4波
長板も不必要となシ再生光学系を格段に簡略化・軽量化
できることになる。第1図はこうして簡略・軽量化され
た光デイスク再生光学系の一例を示すものでおる。レー
ザー発振器1はバックトークを問題としないものが用い
られているものとする。
中に用いられている偏光プリズムはもとよシ、1/4波
長板も不必要となシ再生光学系を格段に簡略化・軽量化
できることになる。第1図はこうして簡略・軽量化され
た光デイスク再生光学系の一例を示すものでおる。レー
ザー発振器1はバックトークを問題としないものが用い
られているものとする。
レーザー発振器1からの光はコリメーターレンズ2によ
って平行光束としてヒ−ムスf IJフッタ3に入射す
る。ビームスプリッタ−3にはノ・−フミラー3′が形
成され、例えばこれを50%透過、50%反射のものと
する。
って平行光束としてヒ−ムスf IJフッタ3に入射す
る。ビームスプリッタ−3にはノ・−フミラー3′が形
成され、例えばこれを50%透過、50%反射のものと
する。
ハーフミラ−3′で反射された光束は対物レンズ4によ
り光ディスク5の信号部上に収斂され、信号部として設
けられたピットと称される凹凸信号部をスポット照射す
る。この信号部からの反射光はピット形状、寸法に応じ
て位相変調され、光干渉による強度変化を伴っている。
り光ディスク5の信号部上に収斂され、信号部として設
けられたピットと称される凹凸信号部をスポット照射す
る。この信号部からの反射光はピット形状、寸法に応じ
て位相変調され、光干渉による強度変化を伴っている。
これが信号光として再度対物レンズ4に入射する。対物
レンズによシ平行光束とさnだ信号光はハーフミラ−3
′に達し、これを透過した光束はフォトセンサ6で検出
される。
レンズによシ平行光束とさnだ信号光はハーフミラ−3
′に達し、これを透過した光束はフォトセンサ6で検出
される。
以上の構成によればレーザー発振器1からの元はハーフ
ミラ−3′で反射されそして透過されるため、このハー
フミラ−3′の透過率(あるいは反射率)が50チであ
るとフォトセンサ6に達する光の量としては25%とな
りこの場合における光の利用率が最も高い。
ミラ−3′で反射されそして透過されるため、このハー
フミラ−3′の透過率(あるいは反射率)が50チであ
るとフォトセンサ6に達する光の量としては25%とな
りこの場合における光の利用率が最も高い。
ところで上述した光学系においては、ハーフミラ−3′
が反射面としてさらに透過面として用いられている。従
って一般的に用いられているハーフミラ−をこの光学系
中に設けると光の利用率はさらに低減する。というのは
(既に述べたように)通常のハーフミラ−ではP偏光、
S偏光それぞれに対する反射特性が異なるため最初反射
面として作用する時点てP偏光の多くは透過される。(
但し、反射光全体の光量として50%あるとする)そし
て光ディスク5から反射されて来たS偏光を主とする信
号光が再度−・−フミラー3′に入射してくると、一般
的ノ・−フミラーの特性からこの信号光のほとんどはノ
・−フミラー3′で再度反射され、フォトセンサ6に遅
する光は微弱なものとなシフオドセンサ6の負担が増大
する結果となる。これを解決するにはノ1−フミラーと
してP偏光、S偏光いずれもほぼ等しく反射(透過)す
る特性のものが必要されることになる。
が反射面としてさらに透過面として用いられている。従
って一般的に用いられているハーフミラ−をこの光学系
中に設けると光の利用率はさらに低減する。というのは
(既に述べたように)通常のハーフミラ−ではP偏光、
S偏光それぞれに対する反射特性が異なるため最初反射
面として作用する時点てP偏光の多くは透過される。(
但し、反射光全体の光量として50%あるとする)そし
て光ディスク5から反射されて来たS偏光を主とする信
号光が再度−・−フミラー3′に入射してくると、一般
的ノ・−フミラーの特性からこの信号光のほとんどはノ
・−フミラー3′で再度反射され、フォトセンサ6に遅
する光は微弱なものとなシフオドセンサ6の負担が増大
する結果となる。これを解決するにはノ1−フミラーと
してP偏光、S偏光いずれもほぼ等しく反射(透過)す
る特性のものが必要されることになる。
この他、例えばカメラの測光用光学系などにおいて、ハ
ーフミラ−を介して輝度検出を行なうものがある。この
ような光学系では例えばハーフミラ−で分割される一方
をファインダー観察に、他方を測光に利用するが、ノ・
−フミラーに入射してくる光の多くは被写範囲からの反
射光である。従ってこの入射光はS偏光成分の光を多く
含みやすい。特に画面内に水面、ガラス窓などの反射体
があると、その角度によってはS偏光成分がかなシ多い
場合がある。すると通常の7・−7ミラーではS偏光を
多く反射することを考慮するとハーフミラ−の透過率を
50%にしたとしても分割された後の光の光量はアンバ
ランスなものとなシ正しい測光を行なうことが困難にな
ってくる。このような弊害にやはシハーフミラーのもつ
一般的な特性に起因しておシこれを解決するうえでも先
のように偏光成分に左右されない反射、透過特性が望ま
れるものである。
ーフミラ−を介して輝度検出を行なうものがある。この
ような光学系では例えばハーフミラ−で分割される一方
をファインダー観察に、他方を測光に利用するが、ノ・
−フミラーに入射してくる光の多くは被写範囲からの反
射光である。従ってこの入射光はS偏光成分の光を多く
含みやすい。特に画面内に水面、ガラス窓などの反射体
があると、その角度によってはS偏光成分がかなシ多い
場合がある。すると通常の7・−7ミラーではS偏光を
多く反射することを考慮するとハーフミラ−の透過率を
50%にしたとしても分割された後の光の光量はアンバ
ランスなものとなシ正しい測光を行なうことが困難にな
ってくる。このような弊害にやはシハーフミラーのもつ
一般的な特性に起因しておシこれを解決するうえでも先
のように偏光成分に左右されない反射、透過特性が望ま
れるものである。
本発明は以上のような技術的背景のもとになされたもの
であり、従来のビームスプリッタ−では全く考慮されな
かったあるいは従来のP偏光とS偏光の分6%性のみに
しか考慮が及んでいないのに対し、本発明ではP偏光、
S偏光いずれに対しても等しい反射率、透過率を与え得
ることはもとよりこれを自在に設定できるビームスプリ
ッタ−を得ることが可能となる。
であり、従来のビームスプリッタ−では全く考慮されな
かったあるいは従来のP偏光とS偏光の分6%性のみに
しか考慮が及んでいないのに対し、本発明ではP偏光、
S偏光いずれに対しても等しい反射率、透過率を与え得
ることはもとよりこれを自在に設定できるビームスプリ
ッタ−を得ることが可能となる。
第2図は(プレート)壓ビームスプリッタ−に本発明を
適用した一例を示す概念図であシ10はプレート状の基
板である。プレート状基板には干渉多層薄膜層りが蒸着
によシ被着形成きれているものとする。いまこのビーム
スプリッタ−の特性をP偏光、S偏光に対してもその反
射率、透過率かそれぞれ50%となるように設定すると
、図中左方からの入射光rh透過光Tと反射光Rに分割
される。
適用した一例を示す概念図であシ10はプレート状の基
板である。プレート状基板には干渉多層薄膜層りが蒸着
によシ被着形成きれているものとする。いまこのビーム
スプリッタ−の特性をP偏光、S偏光に対してもその反
射率、透過率かそれぞれ50%となるように設定すると
、図中左方からの入射光rh透過光Tと反射光Rに分割
される。
この時入射光重がP偏光成分IF’XS偏光成分■Sを
それぞれ50%づつ含み、全体の光量が100であった
とすると透過光Tの光量は50 (Tp : T5 =
25:25 )反射光Rの光量も50 (RP : R
5=25 :25)となシ透過光T及び反射光Rにそれ
ぞれ含まれる偏光の成分比は入射光のそれと一致する。
それぞれ50%づつ含み、全体の光量が100であった
とすると透過光Tの光量は50 (Tp : T5 =
25:25 )反射光Rの光量も50 (RP : R
5=25 :25)となシ透過光T及び反射光Rにそれ
ぞれ含まれる偏光の成分比は入射光のそれと一致する。
これは入射光重における偏光成分比I P/I 5がい
かなる場合であってもこの成分比が透過光と反射光とで
変わることがない。これは本発明ビームスシリツタ−で
得られる特性の一例に過ぎないが以下本発明ビームスプ
リッタ−の具体的膜構成について述べる。
かなる場合であってもこの成分比が透過光と反射光とで
変わることがない。これは本発明ビームスシリツタ−で
得られる特性の一例に過ぎないが以下本発明ビームスプ
リッタ−の具体的膜構成について述べる。
第3図は第2図における多層干渉薄膜層りを3層膜で構
成した場合の概念図である。第3図においてSは下地基
板で、例えばBK7などの硝材(屈折率NS)、Llは
第1層で屈折率NLの低屈折率膜層、L2は第2層で屈
折率NHO高屈折率膜層、L3は第3層で第1層L+
と同じ低屈折率膜層である。これらの周囲媒質を空気と
し屈折率はNo=1である。なおL1〜L3の各層の膜
厚は光学的膜厚でλo/4(λ0は基準波長)としであ
る。
成した場合の概念図である。第3図においてSは下地基
板で、例えばBK7などの硝材(屈折率NS)、Llは
第1層で屈折率NLの低屈折率膜層、L2は第2層で屈
折率NHO高屈折率膜層、L3は第3層で第1層L+
と同じ低屈折率膜層である。これらの周囲媒質を空気と
し屈折率はNo=1である。なおL1〜L3の各層の膜
厚は光学的膜厚でλo/4(λ0は基準波長)としであ
る。
第4図は本発明をN層膜で構成した場合の概念図で第1
層は低屈折率膜層(屈折率NL、膜厚λo/4)、第2
層を高屈折率膜層(屈折率NH、膜厚λo/4)としこ
れを順次N層まで積層さぞ最上層の第N層を低屈折率膜
層としたものである。(従って層数としては奇数となる
少。
層は低屈折率膜層(屈折率NL、膜厚λo/4)、第2
層を高屈折率膜層(屈折率NH、膜厚λo/4)としこ
れを順次N層まで積層さぞ最上層の第N層を低屈折率膜
層としたものである。(従って層数としては奇数となる
少。
用途として例えば近赤外レーザー発振器を用いた光デイ
スク再生光学系を想定する。本発明ビームスプリッタ−
をこの光学系に用いる場合、光の利用率の面から50チ
透過のビームスプリッタ−でしかもP、s両偏光成分が
一致している無偏光タイプのものが好ましい。この要求
を満たすための屈折率条件を例えば3〜9層の膜構成の
ものそれぞれについて求めると第1表のとおυである。
スク再生光学系を想定する。本発明ビームスプリッタ−
をこの光学系に用いる場合、光の利用率の面から50チ
透過のビームスプリッタ−でしかもP、s両偏光成分が
一致している無偏光タイプのものが好ましい。この要求
を満たすための屈折率条件を例えば3〜9層の膜構成の
ものそれぞれについて求めると第1表のとおυである。
条件として入射側屈折率がNo = 1.0、透過側屈
折率はN5=1.52、で入射角は45°である。また
、λ=800nmで所期の特性となるようにしである。
折率はN5=1.52、で入射角は45°である。また
、λ=800nmで所期の特性となるようにしである。
そして、この第1表に基づいた各層数構成のp、s両偏
光成分の分光特性TF、TSを第5図に示す。
光成分の分光特性TF、TSを第5図に示す。
第1表(第5図)
従って第5図の分光特性によれば膜構成の層数に応じて
高低屈折率膜層の屈折率NHXNLを決めてやることに
よって伺層構成のものでも50チ透過(p、s両偏光成
分に対して)のビームスプリッタ−を得ることができる
。
高低屈折率膜層の屈折率NHXNLを決めてやることに
よって伺層構成のものでも50チ透過(p、s両偏光成
分に対して)のビームスプリッタ−を得ることができる
。
但し’I P、、s両偏光成分に対する透過率のほぼ一
致するとみなせる範囲からみると、層数が増すにつれS
偏光成分の透過率TSの極大形状が急峻となる傾向があ
るので、製造時における条件変化や入射角度の依存性を
考慮すると、層数の少ない方が有利である。
致するとみなせる範囲からみると、層数が増すにつれS
偏光成分の透過率TSの極大形状が急峻となる傾向があ
るので、製造時における条件変化や入射角度の依存性を
考慮すると、層数の少ない方が有利である。
第6図はλ=800±20 nmの近傍でP1S両偏光
成分に対し等しい透過率を得る場合において膜構成層数
LNに対し、高屈折率膜層に要求される高屈折率NHと
低屈折率膜層に要求される屈折率NLとの両屈折率条件
を示すものである。なおその他の条件である透過側屈折
率NS及び入射角についてはこれまでと同じとしである
。また、第6図中釜破線で示したのはP、s両偏光成分
に対する等透過率T (T/’=T5)を4える条件を
結んだもの第6図かられかるように、NHXNLの屈折
率条件の設定によシいずれの膜構成数においてもPl
s両偏光成分の透過率TF、T5を等しく、シかも任意
の透過率にすることができる。
成分に対し等しい透過率を得る場合において膜構成層数
LNに対し、高屈折率膜層に要求される高屈折率NHと
低屈折率膜層に要求される屈折率NLとの両屈折率条件
を示すものである。なおその他の条件である透過側屈折
率NS及び入射角についてはこれまでと同じとしである
。また、第6図中釜破線で示したのはP、s両偏光成分
に対する等透過率T (T/’=T5)を4える条件を
結んだもの第6図かられかるように、NHXNLの屈折
率条件の設定によシいずれの膜構成数においてもPl
s両偏光成分の透過率TF、T5を等しく、シかも任意
の透過率にすることができる。
以上の実施例では入射側屈折率を1、透過側屈折率を1
.52とした場合について述べて来たが本発明は必ずし
もこれに限定されるものではない。例えば光デイスク再
生光学系で使用されるレーザ発振器が近赤外レーザーで
あれば基板としてシリコン、ダルマニウムなどの基板で
も良い事になる。第7図はこのような場合について透過
側屈折率を4.0とした時にλ−800nm−近傍でP
l s両偏光成分に対する透過率Tp、Tsが等しくな
シ得るような5層膜構成のもののいくつかを分光透過特
性として示したものである。なお、入射角はいずれも4
5°とし、各膜厚の屈折率NH,NLは第2表の通りで
ある。
.52とした場合について述べて来たが本発明は必ずし
もこれに限定されるものではない。例えば光デイスク再
生光学系で使用されるレーザ発振器が近赤外レーザーで
あれば基板としてシリコン、ダルマニウムなどの基板で
も良い事になる。第7図はこのような場合について透過
側屈折率を4.0とした時にλ−800nm−近傍でP
l s両偏光成分に対する透過率Tp、Tsが等しくな
シ得るような5層膜構成のもののいくつかを分光透過特
性として示したものである。なお、入射角はいずれも4
5°とし、各膜厚の屈折率NH,NLは第2表の通りで
ある。
第2表(第7図−5層構成)
さらに本発明1(よれば、Pl s両偏光成分の透過率
を逆転させることもできる。すなわちこれまでのビーム
スf 11ツタ−ではP偏光成分の光は多く透過されS
偏光成分の光は多く反射されることから透過光Tについ
ては一般にTP>TS である。しかし例えば第8図
に示すようにある屈折惠条件によっては所定波長域にお
いてTP<TSとすることが可能である。
を逆転させることもできる。すなわちこれまでのビーム
スf 11ツタ−ではP偏光成分の光は多く透過されS
偏光成分の光は多く反射されることから透過光Tについ
ては一般にTP>TS である。しかし例えば第8図
に示すようにある屈折惠条件によっては所定波長域にお
いてTP<TSとすることが可能である。
第8図のTP+<T5+i また、’fp:’fsの比
及び(TP+T5 ) : (RP+R5) の比を
自在に設定できる事も明らかでちる。第8図はN0=L
O1NS= 1.52、入射角45°、λo=860n
mとして低屈折率膜層の屈折率Nrを1.60に固定し
高屈折膜膜層の屈折率NHを変えた場合のPl s両偏
光成分に対するTFXT5を示したものである。なお、
膜構成は5層膜(各層の光学的膜厚はλo/4)で各透
過特性TP、TSと屈折率NHとの対応は第3表による
。
及び(TP+T5 ) : (RP+R5) の比を
自在に設定できる事も明らかでちる。第8図はN0=L
O1NS= 1.52、入射角45°、λo=860n
mとして低屈折率膜層の屈折率Nrを1.60に固定し
高屈折膜膜層の屈折率NHを変えた場合のPl s両偏
光成分に対するTFXT5を示したものである。なお、
膜構成は5層膜(各層の光学的膜厚はλo/4)で各透
過特性TP、TSと屈折率NHとの対応は第3表による
。
第3表(第8図−5層構成)
このような特性は従来のビームスプリッタ−では到底得
ること1は不可能であるが、本発明によればこのような
特性も容易に得ら汎ることから各種光学系に新たな機能
を求めることもできる。
ること1は不可能であるが、本発明によればこのような
特性も容易に得ら汎ることから各種光学系に新たな機能
を求めることもできる。
なお、今までの説明においては光学的膜厚を全てλo/
4としているが膜厚を変化さ冶る事によっても所望の分
光特性を得る事は可能である。つまシ、各膜層の位相を
決定する上での光学的膜厚が屈折率と膜厚の関数である
ためそれは明らかである。
4としているが膜厚を変化さ冶る事によっても所望の分
光特性を得る事は可能である。つまシ、各膜層の位相を
決定する上での光学的膜厚が屈折率と膜厚の関数である
ためそれは明らかである。
ヤ一
以上、いくつかの実施例に基き、本発明ビ−ムスプリン
ターの膜構成について述べその屈折率条件を明らかにし
てきた。本発明を実施する上でこれまでに挙けた屈折率
を与える蒸着物質の一例として、高屈折率物質として&
、低屈折率物質としては7402、ZnO2、Sno!
、ZnS 、、C6203、ル203、CeF3 、N
dzOs 、In2O3などが適する。特に&について
は蒸着条件(基板温度、蒸着速度など)を制御すること
でその屈折率を3〜5の範囲で変化させ得るので有利で
ある。なお、通常の基板温度としては300℃〜400
℃程度の範囲が用いられる。
ターの膜構成について述べその屈折率条件を明らかにし
てきた。本発明を実施する上でこれまでに挙けた屈折率
を与える蒸着物質の一例として、高屈折率物質として&
、低屈折率物質としては7402、ZnO2、Sno!
、ZnS 、、C6203、ル203、CeF3 、N
dzOs 、In2O3などが適する。特に&について
は蒸着条件(基板温度、蒸着速度など)を制御すること
でその屈折率を3〜5の範囲で変化させ得るので有利で
ある。なお、通常の基板温度としては300℃〜400
℃程度の範囲が用いられる。
また、所望の屈折率を得る手段として各膜層について等
価膜を利用しても良い。この等価膜の利用によれば等制
約に所望の範囲にわたる屈折率(原理的にどのような値
の屈折率でも得られる)を実現できるので本発明を実施
するうえでかなシ有力な手段である。
価膜を利用しても良い。この等価膜の利用によれば等制
約に所望の範囲にわたる屈折率(原理的にどのような値
の屈折率でも得られる)を実現できるので本発明を実施
するうえでかなシ有力な手段である。
こうして本発明によれか、入射光を透過光及び反射光に
分離する所謂ビームスプリッタ−の透過及び反射特性を
、特にP偏光成分、S偏光成分についていずれも等しく
でき、あるいは透過光・反射光に含まれる両側光の成分
比も自在に設定できるという極めて汎用的実用的作用を
達成し得ることになるものである。しかも、その蒸着作
業についても特に新たな機械が要求されたシ、まだ特殊
な蒸着物質を必要としたりすることもなく、従来装置、
蒸着物質がそのまま流用できるので製造時の制約もなく
量産性も充分である。
分離する所謂ビームスプリッタ−の透過及び反射特性を
、特にP偏光成分、S偏光成分についていずれも等しく
でき、あるいは透過光・反射光に含まれる両側光の成分
比も自在に設定できるという極めて汎用的実用的作用を
達成し得ることになるものである。しかも、その蒸着作
業についても特に新たな機械が要求されたシ、まだ特殊
な蒸着物質を必要としたりすることもなく、従来装置、
蒸着物質がそのまま流用できるので製造時の制約もなく
量産性も充分である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明ビームスプリッタ−を用いる場合の、光
デイスク再生光学系の一例を示す原理構成図でおる。 第2図は不発明ビームスプリッタ−の特性を説明するた
めの概念図である。 第3図は本発明の3層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第4図は本発明のN層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第5図は本発明において、透過率TJ’、T5がそれぞ
れ50%1で一致する場合の例の分光特性図である。 第6図は不発明をそれぞれ3〜9層膜構成としてTp=
’fsとなる屈折率条件NLとNIIの関係を示す図で
ある。 第7図は透明基板の屈折率が高い場合に利用できる5層
構成になる本発明一実施例の分光特性図である。 第8図はT7)<75及び任意のT P : T S
% (TF+T5): (RP+R5)の比となる本発
明一実施例の示す分光特性図である。 1・・・レーザー発振器 2・・・コリメータレンズ3
・・・ビームスプリッタ−4・・・対物v y 、e5
・・・光ディスク 6・・・フォトセンサ10・・・
プレート状基板 L・・・多層干渉薄膜層 ■・・・入射光 T・・・透過光 R・・反射光’fP
・・・P偏光成分に対する透過光TS・・・S偏光成分
に対する透過光 N5・・・基板屈折率 NO・・・空気の屈折率(=1) NL・・・低屈折率膜層屈折率 NH・・・高屈折率膜層屈折率 出願人 佐野機工株式会社 第2図 空気N、・1) 第3図 晃4図 第GUfjJ 手 続 補 正 書1.事
件 の 表 示 昭和57年特許願第9793
!;号2・発 明 の 名 称 ビームスプリ
ッタ−3・補正をする者 事件との関係 特 許 出 歴 人件
所 栃木県佐野市小中町700番地4、補
正明令の日付 昭和57年8月13日(発送日昭和5
7年8月31日) 5、補正の対象 明細書及び図面 6、補 正 の 内 容 添付のとおり明細書
及び図面の浄書を提出します。
デイスク再生光学系の一例を示す原理構成図でおる。 第2図は不発明ビームスプリッタ−の特性を説明するた
めの概念図である。 第3図は本発明の3層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第4図は本発明のN層膜構成の一実施例を示す概念図で
ある。 第5図は本発明において、透過率TJ’、T5がそれぞ
れ50%1で一致する場合の例の分光特性図である。 第6図は不発明をそれぞれ3〜9層膜構成としてTp=
’fsとなる屈折率条件NLとNIIの関係を示す図で
ある。 第7図は透明基板の屈折率が高い場合に利用できる5層
構成になる本発明一実施例の分光特性図である。 第8図はT7)<75及び任意のT P : T S
% (TF+T5): (RP+R5)の比となる本発
明一実施例の示す分光特性図である。 1・・・レーザー発振器 2・・・コリメータレンズ3
・・・ビームスプリッタ−4・・・対物v y 、e5
・・・光ディスク 6・・・フォトセンサ10・・・
プレート状基板 L・・・多層干渉薄膜層 ■・・・入射光 T・・・透過光 R・・反射光’fP
・・・P偏光成分に対する透過光TS・・・S偏光成分
に対する透過光 N5・・・基板屈折率 NO・・・空気の屈折率(=1) NL・・・低屈折率膜層屈折率 NH・・・高屈折率膜層屈折率 出願人 佐野機工株式会社 第2図 空気N、・1) 第3図 晃4図 第GUfjJ 手 続 補 正 書1.事
件 の 表 示 昭和57年特許願第9793
!;号2・発 明 の 名 称 ビームスプリ
ッタ−3・補正をする者 事件との関係 特 許 出 歴 人件
所 栃木県佐野市小中町700番地4、補
正明令の日付 昭和57年8月13日(発送日昭和5
7年8月31日) 5、補正の対象 明細書及び図面 6、補 正 の 内 容 添付のとおり明細書
及び図面の浄書を提出します。
Claims (3)
- (1)屈折率NSを有する平板状の透明基板が空気中(
屈折率はNo=1)に存在し、NSよシ高い屈折率NL
をもつ低屈折率膜層とこれよシさらに高い屈折率NEを
有する高屈折率膜層とを交互に、かつ最下層および最上
層が低屈折率膜層となるように積層したビームスプリッ
タ−0 - (2) 1.3 < N 5 < 4の場合において
1.8(Nf(5 1,4(Nl(3 とした特許請求の範囲第(1)項に記載のビームスプリ
ッタ−0 - (3)各層の光学的膜厚をλo/4 とした特許請求
の範囲第(1)項もしくは第(2)項に記載のビームス
プリンター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091935A JPS58208701A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ビ−ムスプリツタ− |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091935A JPS58208701A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ビ−ムスプリツタ− |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208701A true JPS58208701A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14040444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57091935A Pending JPS58208701A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | ビ−ムスプリツタ− |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208701A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187427A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ |
JPH02281202A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Sekinosu Kk | プラスチック基材による無偏光ハーフミラー |
CN112327390A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于复合材料的平板型激光分束膜及其设计方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53110541A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Canon Inc | Half mirror |
JPS5773873A (en) * | 1980-08-25 | 1982-05-08 | Helix Tech Corp | Refrigerating machine with clearance sealed compressor |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57091935A patent/JPS58208701A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53110541A (en) * | 1977-03-08 | 1978-09-27 | Canon Inc | Half mirror |
JPS5773873A (en) * | 1980-08-25 | 1982-05-08 | Helix Tech Corp | Refrigerating machine with clearance sealed compressor |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187427A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 光ピツクアツプ |
JPH02281202A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-11-16 | Sekinosu Kk | プラスチック基材による無偏光ハーフミラー |
CN112327390A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于复合材料的平板型激光分束膜及其设计方法 |
CN112327390B (zh) * | 2020-11-13 | 2022-04-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于复合材料的平板型激光分束膜及其设计方法 |
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