JPH07281024A - 偏光ビームスプリッタ - Google Patents
偏光ビームスプリッタInfo
- Publication number
- JPH07281024A JPH07281024A JP6070623A JP7062394A JPH07281024A JP H07281024 A JPH07281024 A JP H07281024A JP 6070623 A JP6070623 A JP 6070623A JP 7062394 A JP7062394 A JP 7062394A JP H07281024 A JPH07281024 A JP H07281024A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric multilayer
- multilayer film
- refractive index
- beam splitter
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 偏光分離多層膜面に入射する光束の入射角依
存性が少なくかつ偏光分離比が高い、使用帯域幅が広い
偏光ビームスプリッタを提供しようとするものである。 【構成】 本発明の偏光ビームスプリッタは、透光性基
体１上に形成された誘電体多層膜を有し、前記誘電体多
層膜は２つの異なる設計基準波長λ1、λ2を有する第１
の誘電体多層膜３と第２の誘電体多層膜４とからなり、
第１及び第２の誘電体多層膜は、それぞれの基準波長λ
1、λ2において光学的膜厚λ1／４、λ2／４の高屈折率
物質１１、２１と低屈折率物質１２、２２とで構成され
た２層を基本周期としてｎ周期（ｎは任意の整数）積層
した交互層１３、２３と、前記交互層の両側に形成され
た光学的膜厚λ1／８、λ2／８の前記高屈折率物質また
は低屈折率物質のいずれか一方からなる薄膜調整層１
Ｃ，２Ｃとを備え、前記第１の誘電体多層膜の交互層１
３と第２の誘電体多層膜の交互層２３が、互いに異なる
種類の物質の組み合わせにより構成されている。
存性が少なくかつ偏光分離比が高い、使用帯域幅が広い
偏光ビームスプリッタを提供しようとするものである。 【構成】 本発明の偏光ビームスプリッタは、透光性基
体１上に形成された誘電体多層膜を有し、前記誘電体多
層膜は２つの異なる設計基準波長λ1、λ2を有する第１
の誘電体多層膜３と第２の誘電体多層膜４とからなり、
第１及び第２の誘電体多層膜は、それぞれの基準波長λ
1、λ2において光学的膜厚λ1／４、λ2／４の高屈折率
物質１１、２１と低屈折率物質１２、２２とで構成され
た２層を基本周期としてｎ周期（ｎは任意の整数）積層
した交互層１３、２３と、前記交互層の両側に形成され
た光学的膜厚λ1／８、λ2／８の前記高屈折率物質また
は低屈折率物質のいずれか一方からなる薄膜調整層１
Ｃ，２Ｃとを備え、前記第１の誘電体多層膜の交互層１
３と第２の誘電体多層膜の交互層２３が、互いに異なる
種類の物質の組み合わせにより構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓ及びＰ両偏光成分の
分離合成に使用される偏光ビームスプリッタに関する。
分離合成に使用される偏光ビームスプリッタに関する。
【０００２】
【比較の技術】一般に偏光ビームスプリッタは、２個の
４５゜プリズムの間に高屈折率物質と低屈折率物質との
誘電体薄膜を交互に積層した誘電体多層膜を介在させた
ものが使われている。誘電体多層膜の物質選択は、４５
゜プリズムの光軸上から入射する入射光のＰ偏光成分の
反射率がもっとも小さく、かつＳ偏光成分の反射率が最
も高くなるような波長範囲内に入るよう行われる。
４５゜プリズムの間に高屈折率物質と低屈折率物質との
誘電体薄膜を交互に積層した誘電体多層膜を介在させた
ものが使われている。誘電体多層膜の物質選択は、４５
゜プリズムの光軸上から入射する入射光のＰ偏光成分の
反射率がもっとも小さく、かつＳ偏光成分の反射率が最
も高くなるような波長範囲内に入るよう行われる。
【０００３】偏光ビームスプリッタは、入射光をＰとＳ
の両偏光成分を高効率に分離するために光ディスク装置
や投射表示装置等に利用されている。比較から偏光ビー
ムスプリッタの使用波長帯域幅を広げるために、誘電体
多層膜構成について様々な提案がなされている。例え
ば、特開昭６１−１４１４０２号公報では、高屈折率物
質と低屈折率物質との２層を基本周期とした誘電体多層
膜に中間層を設け、この層の膜厚を調整することにより
帯域幅を広げている。また、特開平３−２８４７０５号
公報で示されている従来の偏光ビームスプリッタの構成
例では、設計基準波長が異なる２つの誘電体多層膜でそ
れぞれ高屈折率物質と低屈折率物質の組み合わせが同一
な組み合わせである。この構成により、使用波長の帯域
幅を広げ、かつ偏光分離比向上がなされている。
の両偏光成分を高効率に分離するために光ディスク装置
や投射表示装置等に利用されている。比較から偏光ビー
ムスプリッタの使用波長帯域幅を広げるために、誘電体
多層膜構成について様々な提案がなされている。例え
ば、特開昭６１−１４１４０２号公報では、高屈折率物
質と低屈折率物質との２層を基本周期とした誘電体多層
膜に中間層を設け、この層の膜厚を調整することにより
帯域幅を広げている。また、特開平３−２８４７０５号
公報で示されている従来の偏光ビームスプリッタの構成
例では、設計基準波長が異なる２つの誘電体多層膜でそ
れぞれ高屈折率物質と低屈折率物質の組み合わせが同一
な組み合わせである。この構成により、使用波長の帯域
幅を広げ、かつ偏光分離比向上がなされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
誘電体多層膜構成を有する偏光ビームスプリッタでは、
設計入射角に対しては帯域幅は広がるものの、光束の入
射角が少しでもずれるとＰ／Ｓ偏光分離比が悪くなり、
帯域幅が非常に狭くなるという問題がある。本発明の目
的は、偏光分離多層膜面に入射する光束の入射角依存性
が少なくかつ偏光分離比が高い、使用帯域幅が広い偏光
ビームスプリッタを提供しようとするものである。
誘電体多層膜構成を有する偏光ビームスプリッタでは、
設計入射角に対しては帯域幅は広がるものの、光束の入
射角が少しでもずれるとＰ／Ｓ偏光分離比が悪くなり、
帯域幅が非常に狭くなるという問題がある。本発明の目
的は、偏光分離多層膜面に入射する光束の入射角依存性
が少なくかつ偏光分離比が高い、使用帯域幅が広い偏光
ビームスプリッタを提供しようとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明では、透光性基体上に積層された誘電体多層膜
を有する偏光ビームスプリッタにおいて、前記誘電体多
層膜は２つの異なる設計基準波長λ1、λ2を有する第１
の誘電体多層膜と第２の誘電体多層膜とからなり、第１
及び第２の誘電体多層膜は、それぞれの基準波長λ1、
λ2において光学的膜厚λ1／４、λ2／４の高屈折率物
質と低屈折率物質とで構成された２層を基本周期として
ｎ周期（ｎは任意の整数）積層した交互層と、前記交互
層の両側に光学的膜厚λ1／８、λ2／８の前記高屈折率
物質または低屈折率物質のいずれか一方からなる薄膜調
整層とを備え、前記第１の誘電体多層膜の交互層と第２
の誘電体多層膜の交互層が、互いに異なる種類の物質の
組み合わせにより構成されていることを特徴とする。
に本発明では、透光性基体上に積層された誘電体多層膜
を有する偏光ビームスプリッタにおいて、前記誘電体多
層膜は２つの異なる設計基準波長λ1、λ2を有する第１
の誘電体多層膜と第２の誘電体多層膜とからなり、第１
及び第２の誘電体多層膜は、それぞれの基準波長λ1、
λ2において光学的膜厚λ1／４、λ2／４の高屈折率物
質と低屈折率物質とで構成された２層を基本周期として
ｎ周期（ｎは任意の整数）積層した交互層と、前記交互
層の両側に光学的膜厚λ1／８、λ2／８の前記高屈折率
物質または低屈折率物質のいずれか一方からなる薄膜調
整層とを備え、前記第１の誘電体多層膜の交互層と第２
の誘電体多層膜の交互層が、互いに異なる種類の物質の
組み合わせにより構成されていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明の偏光ビームスプリッタは、誘電体多層
膜への光束の入射角が多少変化しても使用波長領域の帯
域幅を狭めることのないような構成及び誘電体多層膜の
交互層の高屈折率層、低屈折率層に用いる物質を選択す
るようにしたものである。 広帯域にわたって偏光分離
するためには、偏光分離膜に入射する光束の波長に対し
て、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とを分離している波長帯域
を大きくする必要がある。そのためには、スネルの法則
に従い、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との偏光分離が最も大
きい角度であるブリュースター角近傍を設計入射角とし
て、偏光分離膜に入射させるようにする。
膜への光束の入射角が多少変化しても使用波長領域の帯
域幅を狭めることのないような構成及び誘電体多層膜の
交互層の高屈折率層、低屈折率層に用いる物質を選択す
るようにしたものである。 広帯域にわたって偏光分離
するためには、偏光分離膜に入射する光束の波長に対し
て、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とを分離している波長帯域
を大きくする必要がある。そのためには、スネルの法則
に従い、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との偏光分離が最も大
きい角度であるブリュースター角近傍を設計入射角とし
て、偏光分離膜に入射させるようにする。
【０００７】本発明の誘電体多層膜構成では、設計基準
波長が異なる第１及び第２の誘電体多層膜を有してい
る。第１及び第２の誘電体多層膜のそれぞれに入射する
光束の入射角が異なるように設定する。また第１及び第
２の誘電体多層膜の高屈折率と低屈折率の物質は、下記
ブリュースター条件（１）と（２）が異なるように選択
した。例えば、一方の誘電体多層膜の交互層には高屈折
率物質としてＴｉＯ2、低屈折率物質ＳｉＯ2とした組み
合わせとし、他方の誘電体多層膜の交互層には高屈折率
物質としてＴｉＯ2、低屈折率物質としてＡｌ2Ｏ3とし
た組み合わせを用いれば良い。
波長が異なる第１及び第２の誘電体多層膜を有してい
る。第１及び第２の誘電体多層膜のそれぞれに入射する
光束の入射角が異なるように設定する。また第１及び第
２の誘電体多層膜の高屈折率と低屈折率の物質は、下記
ブリュースター条件（１）と（２）が異なるように選択
した。例えば、一方の誘電体多層膜の交互層には高屈折
率物質としてＴｉＯ2、低屈折率物質ＳｉＯ2とした組み
合わせとし、他方の誘電体多層膜の交互層には高屈折率
物質としてＴｉＯ2、低屈折率物質としてＡｌ2Ｏ3とし
た組み合わせを用いれば良い。
【０００８】各設計基準波長λ1、λ2（λ1≠λ2）、設
計基準入射角θに対しそれぞれの入射角θ1、θ2とす
る。それぞれにおけるブリュースタ条件は、次式（１）
（２）で表される。 λ1＞λ2 λ1、θ1；ｎH1ＣＯＳθH1＝ｎL1ＣＯＳθL1 （１） λ2、θ2；ｎH2ＣＯＳθH2＝ｎL2ＣＯＳθL2 （２） θ1 ；透光性基体１から第１の誘電体多層膜と透光性基
体１との境界面に入射する角度 θ2 ；透光性基体２から第２の誘電体多層膜と透光性基
体２との境界面に入射する角度 ｎH1、ｎL1 ；設計基準波長λ1での第１の誘電体多層
膜の交互層における高屈折率層及び低屈折率層の屈折率 ｎH2、ｎL2 ；設計基準波長λ2での第２の誘電体多層
膜の交互層における高屈折率層及び低屈折率層の屈折率 θH1、θL1 ；設計基準波長λ1での第１の誘電体多層
膜の交互層において、高屈折率層及び低屈折率層の各層
から境界面に入射する角度 θH2、θL2 ；設計基準波長λ2での第２の誘電体多層
膜の交互層において、高屈折率層及び低屈折率層の各層
から境界面に入射する角度 図３は、上記誘電体多層膜に入射する光束が、高屈折率
層及び低屈折率層から境界面に入射する状態説明図であ
る。図中θi、θHi、θLiは、第１及び第２の誘電体多
層膜i=1、2に対応している。
計基準入射角θに対しそれぞれの入射角θ1、θ2とす
る。それぞれにおけるブリュースタ条件は、次式（１）
（２）で表される。 λ1＞λ2 λ1、θ1；ｎH1ＣＯＳθH1＝ｎL1ＣＯＳθL1 （１） λ2、θ2；ｎH2ＣＯＳθH2＝ｎL2ＣＯＳθL2 （２） θ1 ；透光性基体１から第１の誘電体多層膜と透光性基
体１との境界面に入射する角度 θ2 ；透光性基体２から第２の誘電体多層膜と透光性基
体２との境界面に入射する角度 ｎH1、ｎL1 ；設計基準波長λ1での第１の誘電体多層
膜の交互層における高屈折率層及び低屈折率層の屈折率 ｎH2、ｎL2 ；設計基準波長λ2での第２の誘電体多層
膜の交互層における高屈折率層及び低屈折率層の屈折率 θH1、θL1 ；設計基準波長λ1での第１の誘電体多層
膜の交互層において、高屈折率層及び低屈折率層の各層
から境界面に入射する角度 θH2、θL2 ；設計基準波長λ2での第２の誘電体多層
膜の交互層において、高屈折率層及び低屈折率層の各層
から境界面に入射する角度 図３は、上記誘電体多層膜に入射する光束が、高屈折率
層及び低屈折率層から境界面に入射する状態説明図であ
る。図中θi、θHi、θLiは、第１及び第２の誘電体多
層膜i=1、2に対応している。
【０００９】本発明の誘電体多層膜の交互層に用いられ
る高屈折率層、低屈折率層及び調整層の膜厚は、それぞ
れλ／４、λ／４、λ／８である。ただし、実際に形成
される膜厚は、実験的に試行錯誤して決められ設計値か
ら多少ずれることもある。また、本発明の調整層はＰ偏
光成分の透過率に発生するリップルを低減するために設
けられている。大きなリップルがあると、偏光ビームス
プリッタとして使用できる波長範囲は制限されるので好
ましくない。
る高屈折率層、低屈折率層及び調整層の膜厚は、それぞ
れλ／４、λ／４、λ／８である。ただし、実際に形成
される膜厚は、実験的に試行錯誤して決められ設計値か
ら多少ずれることもある。また、本発明の調整層はＰ偏
光成分の透過率に発生するリップルを低減するために設
けられている。大きなリップルがあると、偏光ビームス
プリッタとして使用できる波長範囲は制限されるので好
ましくない。
【００１０】本発明の実施例と比較するために、偏光ビ
ームスプリッタの構成は基本的に図１と同じで、第１及
び第２の誘電体多層膜の交互層に用いる高屈折率層Ｔｉ
Ｏ2と低屈折率層ＳｉＯ2との物質の組み合わせを同一と
した透過率特性をみる。図１０は、その透過率特性の入
射角依存性である。設計基準入射角４５゜で、Ｐ／Ｓ偏
光分離比が高い帯域は１６０ｎｍであるが、入射角が±
２．５゜ずれると、その帯域幅は９０ｎｍとなる。１種
類のみの組み合わせで構成された誘電体多層膜を用いた
偏光ビームスプリッタは、Ｓ及びＰ偏光成分の分離可能
な使用波長域を広く得ることができる。しかしながら、
誘電体多層膜面への入射角がわずかにずれるだけで、所
望の波長帯域幅が非常に狭くなってしまう。
ームスプリッタの構成は基本的に図１と同じで、第１及
び第２の誘電体多層膜の交互層に用いる高屈折率層Ｔｉ
Ｏ2と低屈折率層ＳｉＯ2との物質の組み合わせを同一と
した透過率特性をみる。図１０は、その透過率特性の入
射角依存性である。設計基準入射角４５゜で、Ｐ／Ｓ偏
光分離比が高い帯域は１６０ｎｍであるが、入射角が±
２．５゜ずれると、その帯域幅は９０ｎｍとなる。１種
類のみの組み合わせで構成された誘電体多層膜を用いた
偏光ビームスプリッタは、Ｓ及びＰ偏光成分の分離可能
な使用波長域を広く得ることができる。しかしながら、
誘電体多層膜面への入射角がわずかにずれるだけで、所
望の波長帯域幅が非常に狭くなってしまう。
【００１１】それに反し、本発明の実施例の使用帯域幅
は、光束が誘電体多層膜面に入射する角度が多少ずれて
もＰ偏光成分とＳ偏光成分との分離比を維持しつつ非常
に広くなる。また、偏光ビームスプリッタを組み込まれ
た光学系の配置の自由度も高くなる。次に、本発明の偏
光ビームスプリッタの誘電体多層膜の構成法について説
明する。
は、光束が誘電体多層膜面に入射する角度が多少ずれて
もＰ偏光成分とＳ偏光成分との分離比を維持しつつ非常
に広くなる。また、偏光ビームスプリッタを組み込まれ
た光学系の配置の自由度も高くなる。次に、本発明の偏
光ビームスプリッタの誘電体多層膜の構成法について説
明する。
【００１２】図１は、本発明の第１及び第２の誘電体多
層膜３、４のそれぞれが、各透光性基体であるプリズム
１上に形成され、その各々を接着層５を介して接合され
ている構成である。図８は、透光性基体１に第１の誘電
体多層膜と第２の誘電体多層膜とを連続して形成する。
さらに、その上に透光性基体１２を接着する構成であ
る。
層膜３、４のそれぞれが、各透光性基体であるプリズム
１上に形成され、その各々を接着層５を介して接合され
ている構成である。図８は、透光性基体１に第１の誘電
体多層膜と第２の誘電体多層膜とを連続して形成する。
さらに、その上に透光性基体１２を接着する構成であ
る。
【００１３】図９は、透光性基体が平板ガラス１の両面
上に誘電体多層膜を施し、ガラスと同程度の屈折率を持
つ液体媒質６中に浸した構成にしても同様な性能が得ら
れる。
上に誘電体多層膜を施し、ガラスと同程度の屈折率を持
つ液体媒質６中に浸した構成にしても同様な性能が得ら
れる。
【００１４】
【実施例】本発明の偏光ビームスプリッタの第１の実施
例について説明する。図１は、調整層１Ｃと第１の誘電
体多層膜３の交互層１３とが積層されたプリズム１と調
整層２Ｃと第２の誘電体多層膜４の交互層２３とが積層
されているプリズム２とが光学接着剤５で接合されてい
る偏光ビームスプリッタの構成である。プリズム１及び
プリズム２は、屈折率ｎSが１．８４である。また、光
学接着剤の屈折率ｎb＝１．５２である。図には、光束
が４５°で入射させた時の反射光Ｒと透過光Ｔとを記載
してある。透過光Ｔには、Ｓ偏光成分ＴSとＰ偏光成分
ＴPとがある。
例について説明する。図１は、調整層１Ｃと第１の誘電
体多層膜３の交互層１３とが積層されたプリズム１と調
整層２Ｃと第２の誘電体多層膜４の交互層２３とが積層
されているプリズム２とが光学接着剤５で接合されてい
る偏光ビームスプリッタの構成である。プリズム１及び
プリズム２は、屈折率ｎSが１．８４である。また、光
学接着剤の屈折率ｎb＝１．５２である。図には、光束
が４５°で入射させた時の反射光Ｒと透過光Ｔとを記載
してある。透過光Ｔには、Ｓ偏光成分ＴSとＰ偏光成分
ＴPとがある。
【００１５】第１の誘電体多層膜の交互層１３は、設計
基準波長λ1＝６８０ｎｍで、高屈折率物質ｎH1=２．３
８のＴｉＯ2１１と低屈折率物質ｎL1=１．６５のＡｌ2
Ｏ3１２とが光学的膜厚λ1／４で構成されている。第２
の誘電体多層膜の交互層２３は、設計基準波長λ2＝４
２０ｎｍで高屈折率物質ｎH2＝２．３８のＴｉＯ2２１
と低屈折率物質ｎL2＝１．４７のＳｉＯ2２２とがそれ
ぞれ光学的膜厚λ2／４で構成されている。また第１及
び第２の誘電体多層膜の各交互層とプリズム１及びプリ
ズム２との間には、それぞれ膜厚λ1／８、λ2／８の調
整層が設けられている。
基準波長λ1＝６８０ｎｍで、高屈折率物質ｎH1=２．３
８のＴｉＯ2１１と低屈折率物質ｎL1=１．６５のＡｌ2
Ｏ3１２とが光学的膜厚λ1／４で構成されている。第２
の誘電体多層膜の交互層２３は、設計基準波長λ2＝４
２０ｎｍで高屈折率物質ｎH2＝２．３８のＴｉＯ2２１
と低屈折率物質ｎL2＝１．４７のＳｉＯ2２２とがそれ
ぞれ光学的膜厚λ2／４で構成されている。また第１及
び第２の誘電体多層膜の各交互層とプリズム１及びプリ
ズム２との間には、それぞれ膜厚λ1／８、λ2／８の調
整層が設けられている。
【００１６】光束が設計基準入射角４５゜から入射角が
±２．５゜ずれた場合を考える。高角度側に対応する
（使用波長域では短波長側に相当する）第１の誘電体多
層膜の交互層１３に用いている高屈折率物質１１及び低
屈折率物質１２は、光束が透光性基体１から透光性基体
１と第１の誘電体多層膜との境界面に入射する角度θ1=
４７．５゜でブリュースター条件（１）を満足するよう
に選択する。本実施例では、第１の誘電体多層膜の交互
層の物質組み合わせとして、高屈折率層１１にＴｉ
Ｏ2、低屈折率層１２にＡｌ2Ｏ3を選択した。
±２．５゜ずれた場合を考える。高角度側に対応する
（使用波長域では短波長側に相当する）第１の誘電体多
層膜の交互層１３に用いている高屈折率物質１１及び低
屈折率物質１２は、光束が透光性基体１から透光性基体
１と第１の誘電体多層膜との境界面に入射する角度θ1=
４７．５゜でブリュースター条件（１）を満足するよう
に選択する。本実施例では、第１の誘電体多層膜の交互
層の物質組み合わせとして、高屈折率層１１にＴｉ
Ｏ2、低屈折率層１２にＡｌ2Ｏ3を選択した。
【００１７】また低角度側に対応する（使用波長域で長
波長側に相当する）第２の誘電体多層膜の交互層２３に
用いている高屈折率物質２１及び低屈折率物質２２は、
光束が透光性基体２から透光性基体２と第２の誘電体多
層膜との境界面に入射する角度θ2=４２．５゜でブリュ
ースター条件（２）を満足するように選択する。本実施
例では、第２の誘電体多層膜の交互層の物質組み合わせ
として、高屈折率層２１にＴｉＯ2、低屈折率層２２に
ＳｉＯ2を選択した。
波長側に相当する）第２の誘電体多層膜の交互層２３に
用いている高屈折率物質２１及び低屈折率物質２２は、
光束が透光性基体２から透光性基体２と第２の誘電体多
層膜との境界面に入射する角度θ2=４２．５゜でブリュ
ースター条件（２）を満足するように選択する。本実施
例では、第２の誘電体多層膜の交互層の物質組み合わせ
として、高屈折率層２１にＴｉＯ2、低屈折率層２２に
ＳｉＯ2を選択した。
【００１８】図４は、第１実施例の誘電体多層膜構成の
Ｐ及びＳ偏光成分の透過率特性Ｔp、ＴS及び入射角４
２．５゜、４５゜、４７．５゜のそれぞれの透過率特性
である。本発明の第１実施例の誘電体多層膜構成を有す
る偏光ビームスプリッタのＰ及びＳ偏光成分の透過率の
入射角依存性について図１０の比較例と比較する。
Ｐ及びＳ偏光成分の透過率特性Ｔp、ＴS及び入射角４
２．５゜、４５゜、４７．５゜のそれぞれの透過率特性
である。本発明の第１実施例の誘電体多層膜構成を有す
る偏光ビームスプリッタのＰ及びＳ偏光成分の透過率の
入射角依存性について図１０の比較例と比較する。
【００１９】比較例の多層膜構成は、波長範囲が４８０
ｎｍから５５０ｎｍにおいて、入射角を設計基準角度か
ら数度ずれると帯域幅Ｘが７０ｎｍとなり、使用帯域は
非常に狭くなってしまう。それに対し、本発明の第１実
施例は、波長範囲４６０ｎｍから６２０ｎｍにわたり、
高い偏光分離（ＴS／ＴP）０．１％以下を示している。
設計基準入射角から±２．５゜ずれても帯域幅Ｘは、１
６０ｎｍと広い帯域を維持している。
ｎｍから５５０ｎｍにおいて、入射角を設計基準角度か
ら数度ずれると帯域幅Ｘが７０ｎｍとなり、使用帯域は
非常に狭くなってしまう。それに対し、本発明の第１実
施例は、波長範囲４６０ｎｍから６２０ｎｍにわたり、
高い偏光分離（ＴS／ＴP）０．１％以下を示している。
設計基準入射角から±２．５゜ずれても帯域幅Ｘは、１
６０ｎｍと広い帯域を維持している。
【００２０】図５は、本発明の実施例１の、長波長側λ
＝６２０ｎｍにおけるＰ偏光成分の透過率の入射角依存
性について示したものである。本実施例は、第１の誘電
体多層膜の交互層、第２の誘電体多層膜の交互層それぞ
れの組み合わせが同一な種類の物質ＴｉＯ2とＳｉＯ2を
用いた図１０の比較例に比べ、入射角依存性を考慮に入
れても、透過率特性の帯域幅を大幅に広げることができ
た。
＝６２０ｎｍにおけるＰ偏光成分の透過率の入射角依存
性について示したものである。本実施例は、第１の誘電
体多層膜の交互層、第２の誘電体多層膜の交互層それぞ
れの組み合わせが同一な種類の物質ＴｉＯ2とＳｉＯ2を
用いた図１０の比較例に比べ、入射角依存性を考慮に入
れても、透過率特性の帯域幅を大幅に広げることができ
た。
【００２１】これは長波長側のＰ偏光透過率の落ち込み
の原因となっている第１の誘電体多層膜の交互層が４
７．５゜でブリュースター条件（１）を満足し、短波長
側の落ち込みの原因となっている第２の誘電体多層膜の
交互層が４２．５゜でブリュースター条件（２）を満足
するようにそれぞれの誘電体多層膜の膜物質を選択して
いるからである。
の原因となっている第１の誘電体多層膜の交互層が４
７．５゜でブリュースター条件（１）を満足し、短波長
側の落ち込みの原因となっている第２の誘電体多層膜の
交互層が４２．５゜でブリュースター条件（２）を満足
するようにそれぞれの誘電体多層膜の膜物質を選択して
いるからである。
【００２２】このように、本発明の構成の偏光ビームス
プリッタを用いることにより、従来例より大幅に使用波
長帯域が広げることができ、光の入射角に対し自由度の
高い偏光ビームスプリッタが得ることができた。次に本
発明の第２の実施例について述べる。第２の実施例の誘
電体多層膜構成は、第１の実施例と基本的には同じであ
り、誘電体多層膜に用いる物質の組み合わせが異なる。
その構成は、調整層１Ｃと第１の誘電体多層膜３の交互
層１３とが積層された透光性基体１と調整層２Ｃと第２
の誘電体多層膜４の交互層２３とが積層されている透光
性基体２とが光学的接着剤５で接合されている偏光ビー
ムスプリッタの構成である。透光性基体１及び透光性基
体２は、屈折率ｎSが１．５２である。
プリッタを用いることにより、従来例より大幅に使用波
長帯域が広げることができ、光の入射角に対し自由度の
高い偏光ビームスプリッタが得ることができた。次に本
発明の第２の実施例について述べる。第２の実施例の誘
電体多層膜構成は、第１の実施例と基本的には同じであ
り、誘電体多層膜に用いる物質の組み合わせが異なる。
その構成は、調整層１Ｃと第１の誘電体多層膜３の交互
層１３とが積層された透光性基体１と調整層２Ｃと第２
の誘電体多層膜４の交互層２３とが積層されている透光
性基体２とが光学的接着剤５で接合されている偏光ビー
ムスプリッタの構成である。透光性基体１及び透光性基
体２は、屈折率ｎSが１．５２である。
【００２３】第１の誘電体多層膜の交互層は、設計基準
波長λ1＝７００ｎｍで、高屈折率物質ｎH1=２．３８の
ＴｉＯ2 と低屈折率物質ｎ1=１．４７のＳｉＯ2 とが光
学的膜厚λ1／４で構成されている。第２の誘電体多層
膜の交互層は、設計基準波長λ2＝４３０ｎｍで高屈折
率物質ｎH2＝２．０２のＺｒＯ2と低屈折率物質ｎL2＝
１．３７のＭｇＦ2とがそれぞれ光学的膜厚λ2／４で構
成されている。また第１及び第２の誘電体多層膜の各交
互層とプリズム１及び２との間には、それぞれ膜厚λ1
／８、λ2／８の調整層が設けられている。
波長λ1＝７００ｎｍで、高屈折率物質ｎH1=２．３８の
ＴｉＯ2 と低屈折率物質ｎ1=１．４７のＳｉＯ2 とが光
学的膜厚λ1／４で構成されている。第２の誘電体多層
膜の交互層は、設計基準波長λ2＝４３０ｎｍで高屈折
率物質ｎH2＝２．０２のＺｒＯ2と低屈折率物質ｎL2＝
１．３７のＭｇＦ2とがそれぞれ光学的膜厚λ2／４で構
成されている。また第１及び第２の誘電体多層膜の各交
互層とプリズム１及び２との間には、それぞれ膜厚λ1
／８、λ2／８の調整層が設けられている。
【００２４】光束が設計基準入射角５２゜近傍で入射角
±４゜ずれた場合、高角度側に対応する（使用波長域で
は短波長側に相当する）第１の誘電体多層膜の交互層に
用いている高屈折率物質及び低屈折率物質は、光束の膜
面法線に対する入射角５６゜でブリュースター条件
（１）を満足するように選択する。本実施例の第１の誘
電体多層膜の物質組み合わせは、高屈折率層１１にＴｉ
Ｏ2、低屈折率層１２にＳｉＯ2を選択した。
±４゜ずれた場合、高角度側に対応する（使用波長域で
は短波長側に相当する）第１の誘電体多層膜の交互層に
用いている高屈折率物質及び低屈折率物質は、光束の膜
面法線に対する入射角５６゜でブリュースター条件
（１）を満足するように選択する。本実施例の第１の誘
電体多層膜の物質組み合わせは、高屈折率層１１にＴｉ
Ｏ2、低屈折率層１２にＳｉＯ2を選択した。
【００２５】また低角度側に対応する（使用波長域で長
波長側に相当する）第２の誘電体多層膜の交互層に用い
ている高屈折率物質及び低屈折率物質は、光束が入射角
４８゜でブリュースター条件（２）を満足するように選
択する。本実施例の第２の誘電体多層膜の物質組み合わ
せは、高屈折率層２１にＺｒＯ2、低屈折率層２２にＭ
ｇＦ2を選択した。
波長側に相当する）第２の誘電体多層膜の交互層に用い
ている高屈折率物質及び低屈折率物質は、光束が入射角
４８゜でブリュースター条件（２）を満足するように選
択する。本実施例の第２の誘電体多層膜の物質組み合わ
せは、高屈折率層２１にＺｒＯ2、低屈折率層２２にＭ
ｇＦ2を選択した。
【００２６】図６は、誘電体多層膜構成の第１実施例の
Ｐ及びＳ偏光成分の透過率特性及び入射角４８゜、５２
゜、５６゜のそれぞれの透過率特性である。本発明の第
２実施例の誘電体多層膜構成を有する偏光ビームスプリ
ッタのＰ及びＳ偏光成分の透過率の入射角依存性につい
て図１０の比較例と比較する。比較例の多層膜構成は、
波長範囲が４８０ｎｍから５５０ｎｍにおいて、入射角
を設計基準角度から数度ずれると帯域幅が７０ｎｍとな
り、使用帯域は非常に狭くなってしまう。
Ｐ及びＳ偏光成分の透過率特性及び入射角４８゜、５２
゜、５６゜のそれぞれの透過率特性である。本発明の第
２実施例の誘電体多層膜構成を有する偏光ビームスプリ
ッタのＰ及びＳ偏光成分の透過率の入射角依存性につい
て図１０の比較例と比較する。比較例の多層膜構成は、
波長範囲が４８０ｎｍから５５０ｎｍにおいて、入射角
を設計基準角度から数度ずれると帯域幅が７０ｎｍとな
り、使用帯域は非常に狭くなってしまう。
【００２７】それに対し、本発明の第２実施例は、波長
範囲４６０ｎｍから６２０ｎｍにわたり、Ｓ偏光成分と
Ｐ偏光成分との高い偏光分離を示している。設計基準入
射角から±４゜ずれても帯域幅Ｘは、１７０ｎｍと広い
帯域を維持している。このように、本発明の実施例は、
第１の誘電体多層膜の交互層と第２の誘電体多層膜の交
互層とが同一な種類の物質組み合わせであるＴｉＯ2と
ＳｉＯ2とを用いた比較例に比べ、入射角依存性を考慮
に入れても、透過率特性の帯域幅を大幅に広げることが
できた。
範囲４６０ｎｍから６２０ｎｍにわたり、Ｓ偏光成分と
Ｐ偏光成分との高い偏光分離を示している。設計基準入
射角から±４゜ずれても帯域幅Ｘは、１７０ｎｍと広い
帯域を維持している。このように、本発明の実施例は、
第１の誘電体多層膜の交互層と第２の誘電体多層膜の交
互層とが同一な種類の物質組み合わせであるＴｉＯ2と
ＳｉＯ2とを用いた比較例に比べ、入射角依存性を考慮
に入れても、透過率特性の帯域幅を大幅に広げることが
できた。
【００２８】これは長波長側のＰ偏光透過率の落ち込み
の原因となっている第１の誘電体多層膜の交互層では５
６゜でブリュースター条件（１）を満足し、短波長側の
落ち込みの原因となっている第２の誘電体多層膜の交互
層では４８゜でブリュースター条件（２）を満足するよ
う誘電体多層膜の膜物質を選択しているからである。こ
のように、第１の誘電体多層膜と第２の誘電体多層膜そ
れぞれの設計基準波長や低屈折率物質と高屈折率物質と
の組み合わせを異ならせることにより、入射角に対し自
由度が高く、かつ偏光分離比Ｓ／Ｐが高い、高帯域な偏
光ビームスプリッタを得ることが可能である。
の原因となっている第１の誘電体多層膜の交互層では５
６゜でブリュースター条件（１）を満足し、短波長側の
落ち込みの原因となっている第２の誘電体多層膜の交互
層では４８゜でブリュースター条件（２）を満足するよ
う誘電体多層膜の膜物質を選択しているからである。こ
のように、第１の誘電体多層膜と第２の誘電体多層膜そ
れぞれの設計基準波長や低屈折率物質と高屈折率物質と
の組み合わせを異ならせることにより、入射角に対し自
由度が高く、かつ偏光分離比Ｓ／Ｐが高い、高帯域な偏
光ビームスプリッタを得ることが可能である。
【００２９】図７及び図８は、第３の実施例である。本
実施例は、本発明の偏光ビームスプリッタの配置に関す
る変形例である。透光性基体１上に第１の誘電体多層膜
３と第２の誘電体多層膜４とが連続して積層し、透光性
基体２を接着層５を介して構成されている。この構成に
よれば、低屈折率層及び高屈折率層の成膜が、１バッチ
ですむ利点がある。
実施例は、本発明の偏光ビームスプリッタの配置に関す
る変形例である。透光性基体１上に第１の誘電体多層膜
３と第２の誘電体多層膜４とが連続して積層し、透光性
基体２を接着層５を介して構成されている。この構成に
よれば、低屈折率層及び高屈折率層の成膜が、１バッチ
ですむ利点がある。
【００３０】図９は、本発明の偏光ビームスプリッタの
第４の実施例である。本実施例の偏光ビームスプリッタ
は、透光性基体に透明平板基体１を用い、平板基体とほ
ぼ同一な屈折率を有する液体媒質６で満たされた第１及
び第２の誘電体多層膜とから構成されている。その第１
の誘電体多層膜３と第２の誘電体多層膜４は、透明平板
基体の両側に配置されている。液体媒質としては、例え
ばエチレングリコール（屈折率１．４３）、ベンゼン
（屈折率１．５１）などがある。
第４の実施例である。本実施例の偏光ビームスプリッタ
は、透光性基体に透明平板基体１を用い、平板基体とほ
ぼ同一な屈折率を有する液体媒質６で満たされた第１及
び第２の誘電体多層膜とから構成されている。その第１
の誘電体多層膜３と第２の誘電体多層膜４は、透明平板
基体の両側に配置されている。液体媒質としては、例え
ばエチレングリコール（屈折率１．４３）、ベンゼン
（屈折率１．５１）などがある。
【００３１】一般に、透光性基体にプリズムを用いた場
合、プリズム内の材料不均一により複屈折を生ずる。基
体中を光束が通過する際、偏光状態が変化し直線偏光特
性が悪くなることが知られている。この様な場合、液体
媒質を用いた構成により、透光性基体の複屈折の問題を
避けることができる。第３実施例のような構成配置を有
する偏光ビームスプリッタにより、誘電体多層膜層の成
膜が１バッチで済み、生産性の向上が期待できる。
合、プリズム内の材料不均一により複屈折を生ずる。基
体中を光束が通過する際、偏光状態が変化し直線偏光特
性が悪くなることが知られている。この様な場合、液体
媒質を用いた構成により、透光性基体の複屈折の問題を
避けることができる。第３実施例のような構成配置を有
する偏光ビームスプリッタにより、誘電体多層膜層の成
膜が１バッチで済み、生産性の向上が期待できる。
【００３２】第４実施例の構成配置を有する偏光ビーム
スプリッタは、高価なプリズムを使用しなくて済むため
コスト低減などが期待できる。
スプリッタは、高価なプリズムを使用しなくて済むため
コスト低減などが期待できる。
【００３３】
【発明の効果】以上のように本発明の偏光ビームスプリ
ッタによれば、低屈折率物質と高屈折率物質との組み合
わせや設計基準波長が異なる第１及び第２の誘電体多層
膜とを設けた構成を用いることにより、入射角に対し自
由度が高く、かつ、広い波長域でＳ偏光成分とＰ偏光成
分との高い分離または合成が可能となる。
ッタによれば、低屈折率物質と高屈折率物質との組み合
わせや設計基準波長が異なる第１及び第２の誘電体多層
膜とを設けた構成を用いることにより、入射角に対し自
由度が高く、かつ、広い波長域でＳ偏光成分とＰ偏光成
分との高い分離または合成が可能となる。
【図１】 本発明の偏光ビームスプリッタの構成を示す
概略断面図。
概略断面図。
【図２】 本発明の第１及び第２の誘電体多層膜の構成
断面図。
断面図。
【図３】 本発明の誘電体多層膜構成に入射する光束の
状態説明図。
状態説明図。
【図４】 本発明第１実施例の誘電体多層膜構成の透過
率特性図。
率特性図。
【図５】 本発明第１実施例の誘電体多層膜構成の透過
率特性の入射角依存性。
率特性の入射角依存性。
【図６】 本発明第２実施例の誘電体多層膜構成のＰ偏
光成分の透過率特性図。
光成分の透過率特性図。
【図７】 本発明第３実施例の偏光ビームスプリッタの
構成断面図。
構成断面図。
【図８】 本発明第３実施例の第１及び第２の誘電体多
層膜の構成断面図。
層膜の構成断面図。
【図９】 本発明第４実施例の偏光ビームスプリッタの
構成断面図。
構成断面図。
【図１０】 従来の偏光ビームスプリッタの構成に基づ
く透過率特性比較図。
く透過率特性比較図。
１ 第１の透光性基体(プリズム） ２ 第２の透光性基体（プリズム） ３ 第１の誘電体多層膜 ４ 第２の誘電体多層膜 ５ 接着層 ６ 液体媒質 １１ 光学的膜厚がλ1／４の高屈折率物質 １２ 光学的膜厚がλ1／４の低屈折率物質 １３ 光学的膜厚がそれぞれλ1／４の高屈折率物質と
低屈折率物質とからなる交互層 １Ｃ 光学的膜厚がλ1／８の調整層 ２１ 光学的膜厚がλ2／４の高屈折率物質 ２２ 光学的膜厚がλ2／４の低屈折率物質 ２３ 光学的膜厚がそれぞれλ2／４の高屈折率物質と
低屈折率物質とからなる交互層 ２Ｃ 光学的膜厚がλ2／８の調整層
低屈折率物質とからなる交互層 １Ｃ 光学的膜厚がλ1／８の調整層 ２１ 光学的膜厚がλ2／４の高屈折率物質 ２２ 光学的膜厚がλ2／４の低屈折率物質 ２３ 光学的膜厚がそれぞれλ2／４の高屈折率物質と
低屈折率物質とからなる交互層 ２Ｃ 光学的膜厚がλ2／８の調整層
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性基体上に形成された誘電体多層膜
を有する偏光ビームスプリッタにおいて、 前記誘電体多層膜は２つの異なる設計基準波長λ1、λ2
を有する第１の誘電体多層膜と第２の誘電体多層膜とか
らなり、 第１及び第２の誘電体多層膜は、それぞれの基準波長λ
1、λ2において光学的膜厚λ1／４、λ2／４の高屈折率
物質と低屈折率物質とで構成された２層を基本周期とし
てｎ周期（ｎは任意の整数）積層した交互層と、前記交
互層の両側に形成された光学的膜厚λ1／８、λ2／８の
前記高屈折率物質または低屈折率物質のいずれか一方か
らなる薄膜調整層とを備え、 前記第１の誘電体多層膜の交互層と第２の誘電体多層膜
の交互層が、互いに異なる種類の物質の組み合わせによ
り構成されていることを特徴とする偏光ビームスプリッ
タ。 - 【請求項２】 前記第１の誘電体多層膜の交互層に高屈
折率物質ＴｉＯ2と低屈折率物質ＳｉＯ2、前記第２の誘
電体多層膜の交互層に高屈折率物質ＴｉＯ2と低屈折率
物質Ａｌ2Ｏ3とを用いた組み合わせとしたことを特徴と
する請求項１記載の偏光ビームスプリッタ。 - 【請求項３】 前記第１の誘電体多層膜の交互層に高屈
折率物質ＴｉＯ2と低屈折率物質ＳｉＯ2、前記第２の誘
電体多層膜の交互層に高屈折率物質ＺｒＯ2と低屈折率
物質ＭｇＦ2とを用いた組み合わせとしたことを特徴と
する請求項１記載の偏光ビームスプリッタ。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の誘電体多層膜は、透
光性基体とほぼ同一な屈折率を有する液体媒質に満たさ
れていることを特徴とする請求項１記載の偏光ビームス
プリッタ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07062394A JP3584257B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 偏光ビームスプリッタ |
| DE19580247T DE19580247T1 (de) | 1994-02-07 | 1995-02-07 | Optisches Glas für ein optisches Polarisationssystem, Herstellungsverfahren dafür und Polarisationsstrahlteiler |
| PCT/JP1995/000164 WO1995021137A1 (fr) | 1994-02-07 | 1995-02-07 | Verre optique pour systemes optiques polarisants, procede de fabrication correspondant et dispositif de fractionnement du faisceau polarisant |
| US08/691,923 US5969861A (en) | 1994-02-07 | 1996-08-01 | Polarizing optical system |
| US09/368,892 US6432854B1 (en) | 1994-02-07 | 1999-08-05 | Optical glass for polarizing optical system, production process therefor and polarizing beam splitter |
| US10/016,667 US7057815B2 (en) | 1994-02-07 | 2001-10-26 | Optical glass for polarizing optical system, production process therefor and polarizing beam splitter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07062394A JP3584257B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 偏光ビームスプリッタ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001105342A Division JP2001350024A (ja) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | 偏光ビームスプリッタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07281024A true JPH07281024A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3584257B2 JP3584257B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=13436938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07062394A Expired - Lifetime JP3584257B2 (ja) | 1994-02-07 | 1994-04-08 | 偏光ビームスプリッタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3584257B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054874A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Sony Corporation | Dispositif de lecture optique et dispositif d'enregistrement et/ou de reproduction de disques optiques |
| US6756334B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Ohara | Optical glass |
| US6791750B2 (en) | 2002-09-26 | 2004-09-14 | Minolta Co., Ltd. | Polarization beam splitter |
| US6859315B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Polarization beam splitter and method of producing the same |
| JP2007504516A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-03-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 偏光ビームスプリッターおよび偏光ビームスプリッターを用いる投影システム |
| JP2008293029A (ja) * | 2003-06-11 | 2008-12-04 | Asml Holding Nv | 最小のアポダイゼーションをもつ紫外線偏光ビームスプリッタ |
| JP2011086867A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 発光素子、およびプロジェクター |
| WO2011074388A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 日本電気硝子株式会社 | 光学部品及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP07062394A patent/JP3584257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999054874A1 (fr) * | 1998-04-15 | 1999-10-28 | Sony Corporation | Dispositif de lecture optique et dispositif d'enregistrement et/ou de reproduction de disques optiques |
| US6756334B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Ohara | Optical glass |
| US6859315B2 (en) | 2001-06-29 | 2005-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Polarization beam splitter and method of producing the same |
| US6791750B2 (en) | 2002-09-26 | 2004-09-14 | Minolta Co., Ltd. | Polarization beam splitter |
| JP2007504516A (ja) * | 2003-05-16 | 2007-03-01 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 偏光ビームスプリッターおよび偏光ビームスプリッターを用いる投影システム |
| JP2008293029A (ja) * | 2003-06-11 | 2008-12-04 | Asml Holding Nv | 最小のアポダイゼーションをもつ紫外線偏光ビームスプリッタ |
| JP2011086867A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Seiko Epson Corp | 発光素子、およびプロジェクター |
| WO2011074388A1 (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-23 | 日本電気硝子株式会社 | 光学部品及びその製造方法 |
| JP2011128176A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光学部品及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3584257B2 (ja) | 2004-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5061050A (en) | Polarizer | |
| US7236655B2 (en) | Polarization element and optical device using polarization element | |
| US20030156325A1 (en) | Optical element, optical functional device, polarization conversion device, image display apparatus, and image display system | |
| US7012747B2 (en) | Polarizing beam splitter and polarizer using the same | |
| JP2007183525A (ja) | 誘電体多層膜フィルタ | |
| JP4510547B2 (ja) | 偏光分離素子及びそれを有する投影装置 | |
| US7961392B2 (en) | Polarization beam splitter and polarization conversion element | |
| US6317264B1 (en) | Thin film polarizing device having metal-dielectric films | |
| US6791750B2 (en) | Polarization beam splitter | |
| JP3584257B2 (ja) | 偏光ビームスプリッタ | |
| JP5209932B2 (ja) | 偏光ビームスプリッタおよび偏光変換素子 | |
| JPH11211916A (ja) | 偏光ビームスプリッター | |
| JPH11101913A (ja) | 光学素子 | |
| JP2001350024A (ja) | 偏光ビームスプリッタ | |
| KR20030089439A (ko) | 편광 필터 및 이 필터를 이용한 편광광 조사장치 | |
| JP2009031406A (ja) | 非偏光ビームスプリッター及びそれを利用した光学計測機器 | |
| JP2003014932A (ja) | 偏光ビームスプリッタ、および偏光ビームスプリッタの作成方法 | |
| JP2003114326A (ja) | 偏光ビームスプリッタ及び該偏光ビームスプリッタを用いた光学機器 | |
| WO2011048875A1 (ja) | プレート型の広帯域無偏光ビームスプリッター | |
| JPH08110406A (ja) | 光学多層膜 | |
| JP2004045853A (ja) | 光学多層膜及び光学素子 | |
| WO2020161950A1 (ja) | 偏光ビームスプリッターおよび光学装置 | |
| JPS62187802A (ja) | ビ−ムスプリツタ− | |
| JP2001013308A (ja) | プリズム式ビームスプリッタ | |
| JP2004045452A (ja) | 光学多層膜及び光学素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040325 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040615 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040628 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070813 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130813 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |