JPS58208039A - 導電性積層体 - Google Patents
導電性積層体Info
- Publication number
- JPS58208039A JPS58208039A JP57089722A JP8972282A JPS58208039A JP S58208039 A JPS58208039 A JP S58208039A JP 57089722 A JP57089722 A JP 57089722A JP 8972282 A JP8972282 A JP 8972282A JP S58208039 A JPS58208039 A JP S58208039A
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- JP
- Japan
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- film
- transparent conductive
- transparent
- polymer
- conductive laminate
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、透明導電性積層体に関し更に詳しくは透明な
有機高分子フィルムの表面に透明導電性を有する被膜を
設けてなる導電性積層体において、その基板となる有機
高分子フィルムに、サルホン基によって芳香族環が連結
された構造をくり返し単位に有する高分子からなるフィ
ルムを用いることによって、著しく光学異方性、耐熱性
等の特性が改善された透明導電性積層体に関するー。
有機高分子フィルムの表面に透明導電性を有する被膜を
設けてなる導電性積層体において、その基板となる有機
高分子フィルムに、サルホン基によって芳香族環が連結
された構造をくり返し単位に有する高分子からなるフィ
ルムを用いることによって、著しく光学異方性、耐熱性
等の特性が改善された透明導電性積層体に関するー。
従来ポリエステルフィルムに、透明導電性を有する被膜
を設けてなる導電性積層体が、計器類の帯電防止カバー
や、面状スイッチの電極として応用されている。さらに
、近年低消費電力型の表示素子として、液晶表示素子に
対する研死が活発化しており、この液晶表示素子用透明
電極に、生産工程の作業性の良さや、薄型化ができる点
において、従来のガラスを基板とする透明導電膜に代え
て上記ポリエステルフィルム基板の透明導電膜が検討さ
れている。しかし、ポリエステルフィルム彎 は、その高分子埒性を引き出す為に必ず延伸配向さ、れ
ており、この為に光学異方性を有している。
を設けてなる導電性積層体が、計器類の帯電防止カバー
や、面状スイッチの電極として応用されている。さらに
、近年低消費電力型の表示素子として、液晶表示素子に
対する研死が活発化しており、この液晶表示素子用透明
電極に、生産工程の作業性の良さや、薄型化ができる点
において、従来のガラスを基板とする透明導電膜に代え
て上記ポリエステルフィルム基板の透明導電膜が検討さ
れている。しかし、ポリエステルフィルム彎 は、その高分子埒性を引き出す為に必ず延伸配向さ、れ
ており、この為に光学異方性を有している。
この光学異方性は、光の偏光を利用しているＴＮ型液晶
表示素子には致命的欠陥となる。また、光学異方性を持
たない透明な高分子フィルムとして、セルロース系高分
子フィルムが基板として検討されているが、セルロース
系高分子フィルムは耐熱性が低く、高品質の透明導電性
被膜を形成させる為のスパッタリングや真空蒸着条件に
耐えられない。そこで、本発明者は、光学異方性がなく
、がっ、耐熱性に優れた高分子フィルムを基板に用いる
ことによって、耐型液晶表示素子の透明電極として用い
ることができる透明導電性高分子フィルムを提供すべく
鋭意検討の結果本発明に到達した。
表示素子には致命的欠陥となる。また、光学異方性を持
たない透明な高分子フィルムとして、セルロース系高分
子フィルムが基板として検討されているが、セルロース
系高分子フィルムは耐熱性が低く、高品質の透明導電性
被膜を形成させる為のスパッタリングや真空蒸着条件に
耐えられない。そこで、本発明者は、光学異方性がなく
、がっ、耐熱性に優れた高分子フィルムを基板に用いる
ことによって、耐型液晶表示素子の透明電極として用い
ることができる透明導電性高分子フィルムを提供すべく
鋭意検討の結果本発明に到達した。
すなわち、サルホン基によって芳香族環が連結された構
造をくり返し単位に有する高分子からなるフィル、ムが
、光学的に等方性であり、かつ、耐熱性も高くしかも、
その他′耐型液晶表示素子用透明電極として必要な、透
明性、Ｆｓ械的強度、耐エツチング液性、耐溶剤性を兼
ね備えていることを見１ハ吊したものである。なおかっ
、サルホン基を有するフィルムを基板として用いた場合
、サルポン基を有しないフィルムに比べて、透明導電性
被膜の密着性が高いことがわかった。この理由は明らか
ではないが、透明導電性物質を構成している金属や金属
イオンと、サルホン基の間に電子的相互作用が存在する
と考えられる。
造をくり返し単位に有する高分子からなるフィル、ムが
、光学的に等方性であり、かつ、耐熱性も高くしかも、
その他′耐型液晶表示素子用透明電極として必要な、透
明性、Ｆｓ械的強度、耐エツチング液性、耐溶剤性を兼
ね備えていることを見１ハ吊したものである。なおかっ
、サルホン基を有するフィルムを基板として用いた場合
、サルポン基を有しないフィルムに比べて、透明導電性
被膜の密着性が高いことがわかった。この理由は明らか
ではないが、透明導電性物質を構成している金属や金属
イオンと、サルホン基の間に電子的相互作用が存在する
と考えられる。
本発明に用いられる、サルホン基によっテ芳香族環が連
結された構造をくり返し単位に肩する高分子には、例え
ば下記のようなくり返し単位を有するポリサル丁ン （ユニオンカーバイト社、「ニーデル」）や、下記のよ
うなくり返し単位を有するポリエーテルサルホン（ＩＣ
Ｉ社、「ピクトレッ クス」）が相当する。
結された構造をくり返し単位に肩する高分子には、例え
ば下記のようなくり返し単位を有するポリサル丁ン （ユニオンカーバイト社、「ニーデル」）や、下記のよ
うなくり返し単位を有するポリエーテルサルホン（ＩＣ
Ｉ社、「ピクトレッ クス」）が相当する。
これらの、サルホン基を有する高分子は通常の成形法に
よってフィルムに加工できる。
よってフィルムに加工できる。
フィルムは、サルホン基を有する高分子のみからなる構
成であってもよいし、少量の他成分を含んでいてもよい ０１・１川 少量の他成分としては、熱安定剤、滑剤、紫外線吸収剤
、顔料、加工助剤、補強剤等があげられる。フィルムに
透明導電性被膜を積層するには、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＤ法
など一般的な薄膜形成技術が利用できる。特に、スパッ
タリング法が適している。また、透明導電性物質′とし
ては、金、パラジウムなどの貴金属や、酸化すず、酸化
インジウム、酸化チタンなどの金属酸化物が選はれるが
、特に酸化丁すを少童含む酸化インジウムの被膜が、優
れた透明導電性を示すので望ましい。
成であってもよいし、少量の他成分を含んでいてもよい ０１・１川 少量の他成分としては、熱安定剤、滑剤、紫外線吸収剤
、顔料、加工助剤、補強剤等があげられる。フィルムに
透明導電性被膜を積層するには、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＤ法
など一般的な薄膜形成技術が利用できる。特に、スパッ
タリング法が適している。また、透明導電性物質′とし
ては、金、パラジウムなどの貴金属や、酸化すず、酸化
インジウム、酸化チタンなどの金属酸化物が選はれるが
、特に酸化丁すを少童含む酸化インジウムの被膜が、優
れた透明導電性を示すので望ましい。
以下に実施例を示す。
実施例１
日量化学（株）社の「ニーデル」ポリサルホン樹Ｄｉ、
Ｔ−ダイ押出機により５０μの厚さのフィルムに成膜し
た。このフィルムを、高周波マグネトロンスパッタリン
グ装置の基板ホルダーに固定し、酸化すずを７５車ｔ％
含む酸化インジウムから成るタープ、・トを用いて、５
ＸＩ（Ｎ３Ｔｏｒｒのアルゴンプラズマ中で、スパッ
タリングによってポリサルホンフィルム上に；￥Ｊ３ｏ
ｏ Ａの厚さに透明導電性被膜を形成した。得られた透
明導電膜付きポリサルホンフィルムの特性は次のとおり
であった。
Ｔ−ダイ押出機により５０μの厚さのフィルムに成膜し
た。このフィルムを、高周波マグネトロンスパッタリン
グ装置の基板ホルダーに固定し、酸化すずを７５車ｔ％
含む酸化インジウムから成るタープ、・トを用いて、５
ＸＩ（Ｎ３Ｔｏｒｒのアルゴンプラズマ中で、スパッ
タリングによってポリサルホンフィルム上に；￥Ｊ３ｏ
ｏ Ａの厚さに透明導電性被膜を形成した。得られた透
明導電膜付きポリサルホンフィルムの特性は次のとおり
であった。
表面抵抗値 ７００Ｑ／Ｄ
光線透過率 ８４％（６００ｎｍの光において）膜の
密着力 クロスカットテストｏ／１ｏ。
密着力 クロスカットテストｏ／１ｏ。
光学異方性 なし
引張強度 ７．２−ｊ （ＡＳＴＭ Ｄ−６３８ン引張
伸び ８０％ （） 熱変形温度 １８１℃ （ＡＳＴＭ Ｄ−６４８）耐
薬品性 濃 塩 酸 変化なし 濃 硫 酸 変化なし 斎 ５０チカ性ソーダ 変化なし く注１）フロスカットテストとは、透明導電膜を付けた
側からカミソリで、１辺１０ｍ＋の正方形の部分に、１
川巾で格子状に切り込みを入れ、ぜロハンテープを貼り
、そのセロハンテープを急激にはがすことによって１０
０の部分にしきられて作られた１ｍ角の小片がいくつセ
ロハンテープととも忙はがれたかを、そのはがれた個数
で示したもので、０／１００とは、１００の部分のうち
はがれた部分が１つもなかったことを示す。
伸び ８０％ （） 熱変形温度 １８１℃ （ＡＳＴＭ Ｄ−６４８）耐
薬品性 濃 塩 酸 変化なし 濃 硫 酸 変化なし 斎 ５０チカ性ソーダ 変化なし く注１）フロスカットテストとは、透明導電膜を付けた
側からカミソリで、１辺１０ｍ＋の正方形の部分に、１
川巾で格子状に切り込みを入れ、ぜロハンテープを貼り
、そのセロハンテープを急激にはがすことによって１０
０の部分にしきられて作られた１ｍ角の小片がいくつセ
ロハンテープととも忙はがれたかを、そのはがれた個数
で示したもので、０／１００とは、１００の部分のうち
はがれた部分が１つもなかったことを示す。
（注２）光学異方性は、偏光板を通して透明導電膜付き
ポリスル小／フィルムを見た場合に、フィルム全体が均
一な濃淡を示すとす、「光学異方性なし」と、判定した
。
ポリスル小／フィルムを見た場合に、フィルム全体が均
一な濃淡を示すとす、「光学異方性なし」と、判定した
。
（注３）耐薬品性は、対＃薬品中に常温で１２日間浸漬
後の１彊強度変化が１％以内である場合、変化なしと判
定した。
後の１彊強度変化が１％以内である場合、変化なしと判
定した。
実施例２
アイシーアイ゛社の「ピクトレックス」ポリエーテルサ
ルホン樹脂を、射出成形機によってレンズ状のフィルム
に成形した。このフィルムの表面に実施例１と同様にし
て透明導電性被膜を付けた。
ルホン樹脂を、射出成形機によってレンズ状のフィルム
に成形した。このフィルムの表面に実施例１と同様にし
て透明導電性被膜を付けた。
得られた透明導電膜付きポリエーテルサルホンフィルム
の特性は次のとおりであった。
の特性は次のとおりであった。
表面抵抗値 ５００叶
光線透過率 ８２％（６００ｎｍの光において）膜の
密着力 クロス力ットテス） ０／１００光学異方性
なし 熱変形温度 ２１０℃ 耐薬品性 濃 塩 酸 変化々し 比較例■ ＪＩＪｔｏｏμのトリアセチルセルロースフィルムに、
実施例１と同じ方法によって透明導電性被膜を付けたと
ころ、フィルムが熱によって変形シテしまった。
密着力 クロス力ットテス） ０／１００光学異方性
なし 熱変形温度 ２１０℃ 耐薬品性 濃 塩 酸 変化々し 比較例■ ＪＩＪｔｏｏμのトリアセチルセルロースフィルムに、
実施例１と同じ方法によって透明導電性被膜を付けたと
ころ、フィルムが熱によって変形シテしまった。
比較例２
厚さ７５μのポリエチレンテレフタレートフィルムに、
実施例１と同じ方法によって透明導電性被膜を付けた。
実施例１と同じ方法によって透明導電性被膜を付けた。
得られた透明導電膜付きポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの特性は次のとおりであった。
ィルムの特性は次のとおりであった。
表面抵抗値 ２０００〜５０００隻６光線透過率
８１ ％ （６００ｎｍの光において）膜の密着力
り：Ｈ：スカットテス） ２６／１００光学異方性
あり
８１ ％ （６００ｎｍの光において）膜の密着力
り：Ｈ：スカットテス） ２６／１００光学異方性
あり
Claims (1)
- 透明な有機高分子フィルムの表面に、透明導電性を有す
る被膜を設けてなる導電性積層体において、有機高分子
フィルムが、サルホン基によって芳香族環が連結された
構造をくり返し単位に有する高分子からなるフィルムで
あることを特徴とする導電性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089722A JPS58208039A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 導電性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57089722A JPS58208039A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 導電性積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58208039A true JPS58208039A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=13978652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57089722A Pending JPS58208039A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 導電性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58208039A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217147A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137957A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS558351A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-21 | Hitachi Ltd | Press machine |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57089722A patent/JPS58208039A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5137957A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS558351A (en) * | 1978-07-05 | 1980-01-21 | Hitachi Ltd | Press machine |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60217147A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-30 | 住友ベークライト株式会社 | 透明導電性フイルムの製造方法 |
| JPH0112667B2 (ja) * | 1984-04-12 | 1989-03-01 | Sumitomo Bakelite Co |
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