JPS5820773A - 酸化亜鉛バリスタの製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛バリスタの製造方法Info
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- JPS5820773A JPS5820773A JP56117950A JP11795081A JPS5820773A JP S5820773 A JPS5820773 A JP S5820773A JP 56117950 A JP56117950 A JP 56117950A JP 11795081 A JP11795081 A JP 11795081A JP S5820773 A JPS5820773 A JP S5820773A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｔ′ｉ特に低電圧回路を対象とし九酸化亜鉛バリ
スタの製造方法に関する。
スタの製造方法に関する。
酸化亜鉛ハリスｆｉ ／ｄ ＺｎＯ粉末ｆ Ｐｒｍ Ｏ
ｎ 、 Ｌａ’ｙ Ｏｓ 。
ｎ 、 Ｌａ’ｙ Ｏｓ 。
Ｂｉ２’ｓ等の添加物と混合後焼結して作られる抵抗の
電圧非直線特性を示すセラミックスで、その非・直線性
は焼結によりＰｒ 、 Ｉａ 、 Ｂｉ等が結晶粒界に
析出することによって生ずると考えられている。′実用
的なバリスタの粒界層ｌ＃当たりのバリスタ電圧はほぼ
一定であシ、従って素子のバリスタ電圧は対向する電極
間に何層の粒界が存在するかによって決定される。高電
圧回路を対象としたバリスタはバリスタ電圧を大きくす
るために素子の厚さを大きくするか、あるいは粒径を小
さくすればよい。逆に低電圧回路を対象とした素子の場
合には厚さを薄くするか、あるいは粒径を十分に大きく
する必要がわる。バリスタ電圧は通常ｍ１ｌｌム通電時
の端子電圧ｖ１−で定義されるが、例え［ＤＣ１２Ｖ回
路用のバリスタではｖＩ・ｍＡ、−＝ ２２Ｖが一般的
である。
電圧非直線特性を示すセラミックスで、その非・直線性
は焼結によりＰｒ 、 Ｉａ 、 Ｂｉ等が結晶粒界に
析出することによって生ずると考えられている。′実用
的なバリスタの粒界層ｌ＃当たりのバリスタ電圧はほぼ
一定であシ、従って素子のバリスタ電圧は対向する電極
間に何層の粒界が存在するかによって決定される。高電
圧回路を対象としたバリスタはバリスタ電圧を大きくす
るために素子の厚さを大きくするか、あるいは粒径を小
さくすればよい。逆に低電圧回路を対象とした素子の場
合には厚さを薄くするか、あるいは粒径を十分に大きく
する必要がわる。バリスタ電圧は通常ｍ１ｌｌム通電時
の端子電圧ｖ１−で定義されるが、例え［ＤＣ１２Ｖ回
路用のバリスタではｖＩ・ｍＡ、−＝ ２２Ｖが一般的
である。
一方、粒界１場当たりのＪｔ＠ムは約２ｖであるので、
このようなバリスタの端子電極間に存在し得る粒界は高
々１１層である。ＺｎＯバリスタを通常の方法で作ると
、その粒径は１０〜２０ Ｉｔｍである。このために素
子の厚さを０．１〜０．２−にしなければならない。
このようなバリスタの端子電極間に存在し得る粒界は高
々１１層である。ＺｎＯバリスタを通常の方法で作ると
、その粒径は１０〜２０ Ｉｔｍである。このために素
子の厚さを０．１〜０．２−にしなければならない。
Ｌ カＬ ＺｎＯバリスタのような焼結体は０，１，０
，２ 。
，２ 。
の厚さでは機械的強度が弱く、割れを生じて実用できな
い。これに対しＺｎＯを主成分とし、＆あるいは計を含
む焼結体を加水分解して得られるＺｎＯ粒子を核粒子と
してこれにＺｎＯバリスタ粉末を混合し、成形、焼成し
て低電圧用バリスタに適する磁器を製造することは公知
である。この方法においては、ＺｎＯにｌ化合物あるい
はＳｒ化合物を混合して焼結すると、水に９溶のＢａＯ
あるいは８ｒＯが粒界に析出するので、加水分解により
これを溶解してＺｎＯ粒子を分離させる。
い。これに対しＺｎＯを主成分とし、＆あるいは計を含
む焼結体を加水分解して得られるＺｎＯ粒子を核粒子と
してこれにＺｎＯバリスタ粉末を混合し、成形、焼成し
て低電圧用バリスタに適する磁器を製造することは公知
である。この方法においては、ＺｎＯにｌ化合物あるい
はＳｒ化合物を混合して焼結すると、水に９溶のＢａＯ
あるいは８ｒＯが粒界に析出するので、加水分解により
これを溶解してＺｎＯ粒子を分離させる。
本発明はこのような公知の方法において、核粒子の大き
さが得られるバリスタ特性を左右することに着目し、最
適な大きさの核粒子を用いた方法を提供することを目的
とする。
さが得られるバリスタ特性を左右することに着目し、最
適な大きさの核粒子を用いた方法を提供することを目的
とする。
この目的は上記の方法において２５〜５３μｍの粒径の
核粒子を用いることによって達成される。このような粒
径の核粒子はＺｎＯに４化合物あるいはＳｒ化合物の少
くとも一種と元！あるいは化合物の形の５〜２０Ｏｆｆ
子ｐｐＭの紅を加えた粉末を焼結した後加水分解して得
ることが望ましい。
核粒子を用いることによって達成される。このような粒
径の核粒子はＺｎＯに４化合物あるいはＳｒ化合物の少
くとも一種と元！あるいは化合物の形の５〜２０Ｏｆｆ
子ｐｐＭの紅を加えた粉末を焼結した後加水分解して得
ることが望ましい。
以下実験例とその結果を引用して本発明について説明す
る。
る。
実験例１：
烏をＢ＆ＣＯｓの形で、ＺｎＯに抛がｏ、ｏ’ｙ原子Ｘ
になるように添加し、十分混合した後焼結し、得られた
焼結体を砕いた後純水中で煮沸してＺｎＯ結晶粒を得た
。この粒子を１７０メツシユ、２３０メツシユ。
になるように添加し、十分混合した後焼結し、得られた
焼結体を砕いた後純水中で煮沸してＺｎＯ結晶粒を得た
。この粒子を１７０メツシユ、２３０メツシユ。
２８０メツシユ、３２５メツシユ、４００メツシユ。
５００メツシユ、６２５メツシユのふるいを用いて５〜
２０μ、 、 ２０〜２５μ７ 、２５〜３７μ、 、
３フ −＋４４μつ 、４４゜５３μ１，５３〜６３
μｍ、６３〜８８μ鯛の７種類の粒径に分級した。Ｚｎ
Ｏバリスタ粉末か←１はＺｎＯに０．５原子％のＰｒ
、 ２．０原子ＸのＧｏ 、 ０．２原子ＸのＫ 、
０．１５原子ＸのＣｒ 、 ０．ｌ原子ＸのＭＢ 、
０．１原子ｊ％ｆ）Ｃａを添加したもので、この組成の
粉末に分級した核粒子を重量Ｘを変えて添加混合し、成
形後空気中で１２５０〜１４００℃の温度で焼成した。
２０μ、 、 ２０〜２５μ７ 、２５〜３７μ、 、
３フ −＋４４μつ 、４４゜５３μ１，５３〜６３
μｍ、６３〜８８μ鯛の７種類の粒径に分級した。Ｚｎ
Ｏバリスタ粉末か←１はＺｎＯに０．５原子％のＰｒ
、 ２．０原子ＸのＧｏ 、 ０．２原子ＸのＫ 、
０．１５原子ＸのＣｒ 、 ０．ｌ原子ＸのＭＢ 、
０．１原子ｊ％ｆ）Ｃａを添加したもので、この組成の
粉末に分級した核粒子を重量Ｘを変えて添加混合し、成
形後空気中で１２５０〜１４００℃の温度で焼成した。
焼結体を厚さ１．０１１１１ まで研磨後、ＩＪの面積
の電極を対向する面に設はバリスタ特性と測定した。第
１表はその測定結果を示し、ａは０．１−〜１４Ａ
間の非直線係数、Δｖ１−は８Ｘ菊μ８の標準波形のサ
ージ２５００Ａを５回通電波のｖＩＩＰＩムの変化率を
示す。
の電極を対向する面に設はバリスタ特性と測定した。第
１表はその測定結果を示し、ａは０．１−〜１４Ａ
間の非直線係数、Δｖ１−は８Ｘ菊μ８の標準波形のサ
ージ２５００Ａを５回通電波のｖＩＩＰＩムの変化率を
示す。
第１表
第１表から明らかなように、核粒子の混合量が変化して
も核粒子の粒径が５３−以上になると非直線係数ａが助
以下になシ、また８×助μＢのサージ２５００Ａ通電後
の変化率も一５％以上と大きくなるのでＺｎＯバリスタ
の特性としては満足できるものではなくなる。一方、粒
径が２５μｍ以下になると厚さ１−当たりのＶ＋１は５
０Ｖ以上となる。約３０Ｖのｖｌ−を得るのには、核粒
子の粒径は２５〜５３μｍが適当である。
も核粒子の粒径が５３−以上になると非直線係数ａが助
以下になシ、また８×助μＢのサージ２５００Ａ通電後
の変化率も一５％以上と大きくなるのでＺｎＯバリスタ
の特性としては満足できるものではなくなる。一方、粒
径が２５μｍ以下になると厚さ１−当たりのＶ＋１は５
０Ｖ以上となる。約３０Ｖのｖｌ−を得るのには、核粒
子の粒径は２５〜５３μｍが適当である。
実験例２：
第１図の曲線１１はＺｎＯにＢａＣＯ５を０．０８原子
Ｘ加え成形後空気中で１１００−１４００℃の範囲の温
度に２時間保って焼結した場合の焼結体の平均粒径と焼
結温度の関係を示す。この曲線より明らかなように、前
記の最適粒子径２５〜５３μｍを得るためには、焼結温
度を１１５０℃以下にしなければならない。この範囲の
温度では加水分解による核粒子の分離速度が遅く、製造
時間が長くかかる。しかも６０μｍ以下の粒径は焼結温
度依存性が大きいため、核粒子の粒径管理に問題があっ
た。これに対し、１ｌｃ１図における曲Ｍ１２〜１６は
同様に作られる焼結体に紅を絵加した場合の平均粒径で
ある。すなわち、紅を硝酸アルミニウムの形で２〜２０
０原子ｐｐＭ加え十分混合し、これにバインダをまぜ成
形後曲線１１の場合と同様に焼結した。曲１ｉｓ１２〜
１６はそれぞれ紅絵加ｉｉ ２ 、５ 、１０ 、１０
０ 、２００ｐｐＭ の場合に対応する。これより、
２５〜５３μ解の最適粒度を得る焼結温度がム添〃ＩＩ
ｊｌとともに高くなっていることが明らかである。
Ｘ加え成形後空気中で１１００−１４００℃の範囲の温
度に２時間保って焼結した場合の焼結体の平均粒径と焼
結温度の関係を示す。この曲線より明らかなように、前
記の最適粒子径２５〜５３μｍを得るためには、焼結温
度を１１５０℃以下にしなければならない。この範囲の
温度では加水分解による核粒子の分離速度が遅く、製造
時間が長くかかる。しかも６０μｍ以下の粒径は焼結温
度依存性が大きいため、核粒子の粒径管理に問題があっ
た。これに対し、１ｌｃ１図における曲Ｍ１２〜１６は
同様に作られる焼結体に紅を絵加した場合の平均粒径で
ある。すなわち、紅を硝酸アルミニウムの形で２〜２０
０原子ｐｐＭ加え十分混合し、これにバインダをまぜ成
形後曲線１１の場合と同様に焼結した。曲１ｉｓ１２〜
１６はそれぞれ紅絵加ｉｉ ２ 、５ 、１０ 、１０
０ 、２００ｐｐＭ の場合に対応する。これより、
２５〜５３μ解の最適粒度を得る焼結温度がム添〃ＩＩ
ｊｌとともに高くなっていることが明らかである。
第２図は、核粒子の焼結温度と加水分解による核粒子の
分離時間を示している。各温度とも第１図に示す関係曲
線から核粒子径が２５〜５３μｍの範囲に入るＡＩ！濃
度の焼結体を選んで用いた。分離が終りほぼ単一の核粒
子になっているかどうかは光学顕微鏡によシ確認した。
分離時間を示している。各温度とも第１図に示す関係曲
線から核粒子径が２５〜５３μｍの範囲に入るＡＩ！濃
度の焼結体を選んで用いた。分離が終りほぼ単一の核粒
子になっているかどうかは光学顕微鏡によシ確認した。
第２図から明らかなように、核粒子の焼結温度が１１５
０℃以下になると分離時間が急激に増大する、従って焼
結体へのムｔの添加が分離時間の短縮に有効でｔＤＣｌ
また同時に第１図から分かるように粒径−節のだめの温
度管理を容易にする。
０℃以下になると分離時間が急激に増大する、従って焼
結体へのムｔの添加が分離時間の短縮に有効でｔＤＣｌ
また同時に第１図から分かるように粒径−節のだめの温
度管理を容易にする。
実験例３：
ＺｎＯに８ｒＣＯｉを０．０８原子Ｘ加え、さらに紅を
紅（Ｎｏｔ）ｓ の形で２〜２００原子ｐｐＭ加え十分
に混合し、これにバインダをまぜ成形後空気中で１１０
０〜１４００℃の範囲で２時間焼成した。この様にして
得られた焼結体の平均粒径を第３図に示す。第３図にお
いて曲線３１〜３６はそれぞれ紅を添加しない場合なら
びに紅を２ 、５ 、１０ 、１００ 、２００ｐｐＭ
添加し九場合の結果である。第３図から実験例１で確
かめられた最適粒径乃〜聞μｍを得る焼結温度が紅の添
加量とともに高くなることが分かるっ図示しないが核粒
子の焼結温度と加水分解による被粒子の分離時間との関
係は第２図と同様であシ、核粒子の焼結温度が１１５０
℃以下であると分離時間が急激に増大する。従って焼結
体への紅の添加が分離時間の短縮に有効である。
紅（Ｎｏｔ）ｓ の形で２〜２００原子ｐｐＭ加え十分
に混合し、これにバインダをまぜ成形後空気中で１１０
０〜１４００℃の範囲で２時間焼成した。この様にして
得られた焼結体の平均粒径を第３図に示す。第３図にお
いて曲線３１〜３６はそれぞれ紅を添加しない場合なら
びに紅を２ 、５ 、１０ 、１００ 、２００ｐｐＭ
添加し九場合の結果である。第３図から実験例１で確
かめられた最適粒径乃〜聞μｍを得る焼結温度が紅の添
加量とともに高くなることが分かるっ図示しないが核粒
子の焼結温度と加水分解による被粒子の分離時間との関
係は第２図と同様であシ、核粒子の焼結温度が１１５０
℃以下であると分離時間が急激に増大する。従って焼結
体への紅の添加が分離時間の短縮に有効である。
実験例４；
以上の実験結果に基づき、種々のｕ濃度の焼結体から得
られ九粒径２５〜５３μ鯛の核粒子を用いて作ったバリ
スタの特性を第２表に示す。製造条件は実験例１と同様
で、核粒子混合量は１０重量Ｘである。
られ九粒径２５〜５３μ鯛の核粒子を用いて作ったバリ
スタの特性を第２表に示す。製造条件は実験例１と同様
で、核粒子混合量は１０重量Ｘである。
第２表
第２表よシ、核粒子中の濃度を変えて紅を添加しても紅
を添加しない場合と＃ミとんど変らないことが明らかで
ある。すなわち、核粒子中のムは単に核粒子の粒成長に
のみ関係する。この効果は拠あるいは８ｒの量を０．０
１〜５原子Ｘの範囲で変化しても変らなかった。またバ
リスタ粉末の組成、すなわちＰｒ 、 ｆＪＩＬ、 Ｂ
１などの添加量を変化しても同様に核粒子へのＡＬＩｆ
＆加の効果が得られた。
を添加しない場合と＃ミとんど変らないことが明らかで
ある。すなわち、核粒子中のムは単に核粒子の粒成長に
のみ関係する。この効果は拠あるいは８ｒの量を０．０
１〜５原子Ｘの範囲で変化しても変らなかった。またバ
リスタ粉末の組成、すなわちＰｒ 、 ｆＪＩＬ、 Ｂ
１などの添加量を変化しても同様に核粒子へのＡＬＩｆ
＆加の効果が得られた。
良好なバリスタ特性を得るために必要な２５〜５３μｍ
の核粒子径に対しては５原子ｐｐＭ以上の添加が必要で
ある。紅の添加量を増加すると焼結温度が高くなシ、２
００原子ＰｐＭ以上添加すると核粒子の焼成温度が１４
００℃以上となるので実用的でない。従って紅の添加量
は５〜２００ｐｐＭ であることが望ましい。
の核粒子径に対しては５原子ｐｐＭ以上の添加が必要で
ある。紅の添加量を増加すると焼結温度が高くなシ、２
００原子ＰｐＭ以上添加すると核粒子の焼成温度が１４
００℃以上となるので実用的でない。従って紅の添加量
は５〜２００ｐｐＭ であることが望ましい。
以上述べたように本発明は、低電圧回路用の粒径の大き
いＺｎＯ焼結体からなるバリスタを作る丸めに焼成前に
予め混合するＺｎＯ核粒子の粒径をδ〜５３μ嘴 とす
ることにより良好な特性のバリスタを製造するものであ
る。さらにそのような粒径の核粒子をＳｒあるいは臘の
ほかにＭを添加したＺｎＯ焼結体の加水分解により短時
間に生成するもので、これによりＭを添加しない場合に
比して製造時間は半分に短縮でき、極めて能率よく特性
良好な特に低電圧回路用のＺｎＯバリスタの製造を可能
にする。
いＺｎＯ焼結体からなるバリスタを作る丸めに焼成前に
予め混合するＺｎＯ核粒子の粒径をδ〜５３μ嘴 とす
ることにより良好な特性のバリスタを製造するものであ
る。さらにそのような粒径の核粒子をＳｒあるいは臘の
ほかにＭを添加したＺｎＯ焼結体の加水分解により短時
間に生成するもので、これによりＭを添加しない場合に
比して製造時間は半分に短縮でき、極めて能率よく特性
良好な特に低電圧回路用のＺｎＯバリスタの製造を可能
にする。
第１図はＺｎＯに出および本発明によるＡｔを添加した
焼結体のＡｔ濃Ｋをパラメータとした平均粒径と焼結温
度の関係線図、第２図は本発明の−夾施例である紅添加
の焼結体の加水分解による粒子の分離時間と焼結温度の
関係線図、第３図は臘の代りに計を用いた場合の第１図
と同様の関係線図である。 １３ 、３３・・・５ ｐｐＭ Ａｔ、 １４ 、３４
・・・ｌｏｐｐＭ Ａｔ、 １５．３５・・・ｌｏｏｐ
ｐＭ Ａｔ％ １６ 、３６・・、 ２００ｐｐＭ Ａ
ｔ ０１″１ 図 洸紹温β（°Ｃ） 花ｎ子のλＬ８温庚（Ｃ）
焼結体のＡｔ濃Ｋをパラメータとした平均粒径と焼結温
度の関係線図、第２図は本発明の−夾施例である紅添加
の焼結体の加水分解による粒子の分離時間と焼結温度の
関係線図、第３図は臘の代りに計を用いた場合の第１図
と同様の関係線図である。 １３ 、３３・・・５ ｐｐＭ Ａｔ、 １４ 、３４
・・・ｌｏｐｐＭ Ａｔ、 １５．３５・・・ｌｏｏｐ
ｐＭ Ａｔ％ １６ 、３６・・、 ２００ｐｐＭ Ａ
ｔ ０１″１ 図 洸紹温β（°Ｃ） 花ｎ子のλＬ８温庚（Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）酸化亜鉛を主成分とし、バリウムあるいはストロン
チウムを含む焼結体を加水分解して得られる酸化亜鉛粒
子を核粒子として酸化亜鉛バリスタ粉末に混合し、成形
、焼成する方法において、５〜５３μ溝 の粒径の核粒
子を用いることを特徴とする酸化亜鉛バリスタの製造方
法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法において、酸化亜
鉛にバリウム化合物あるいはストロンチウム化合物の少
くとも一種と、元素あるいは化合物の形の５０〜２００
原子ｐｐＭのアルミニウムを加えた粉末を焼結した後加
水分解して核粒子を作ることを％黴とする酸化亜鉛バリ
スタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117950A JPS5820773A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56117950A JPS5820773A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820773A true JPS5820773A (ja) | 1983-02-07 |
| JPS6114104B2 JPS6114104B2 (ja) | 1986-04-17 |
Family
ID=14724242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56117950A Granted JPS5820773A (ja) | 1981-07-28 | 1981-07-28 | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442803A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-15 | Ngk Insulators Ltd | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JP2009264485A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Inax Corp | 給水弁装置 |
-
1981
- 1981-07-28 JP JP56117950A patent/JPS5820773A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442803A (en) * | 1987-08-11 | 1989-02-15 | Ngk Insulators Ltd | Voltage-dependent nonlinear resistor |
| JP2009264485A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Inax Corp | 給水弁装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6114104B2 (ja) | 1986-04-17 |
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