JPS63246803A - 酸化物非直線抵抗体 - Google Patents

酸化物非直線抵抗体

Info

Publication number
JPS63246803A
JPS63246803A JP62081873A JP8187387A JPS63246803A JP S63246803 A JPS63246803 A JP S63246803A JP 62081873 A JP62081873 A JP 62081873A JP 8187387 A JP8187387 A JP 8187387A JP S63246803 A JPS63246803 A JP S63246803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mol
voltage
oxide
varistor
zno
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62081873A
Other languages
English (en)
Inventor
昇 一ノ瀬
阿蘇 満
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HOTSUKOU DENSHI KK
Original Assignee
HOTSUKOU DENSHI KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HOTSUKOU DENSHI KK filed Critical HOTSUKOU DENSHI KK
Priority to JP62081873A priority Critical patent/JPS63246803A/ja
Publication of JPS63246803A publication Critical patent/JPS63246803A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、酸化物半導体を用いた1に正非11!f線抵
抗体に関するものである〇 (従来の技術〉 近年、音響機器や制伊!e!4器及び小型+1動機器の
発展と普及により、これら機器の雑音の防止、過電圧か
らの保護、リレー接点の保護をすることが車要な課題と
なっている。しかし、これらの機器は小型化、集積化の
傾同にあり、電圧非直線抵抗体としても小型化、低電圧
化が要望されるようになってきた。
従来から使用されている電圧非直線抵抗体(以下、パリ
ス々と称す。ンには、S10バリスタ、8γT103バ
リスタ、ZnO糸のバリスタなどがあり、これら電圧電
流特性の非直線的な特性によりサージ電圧の吸収、電圧
安定化に多く使用されている。
一般に、バリスタの電圧電流特性は次式で近似される。
工請(Vlo)“ ただし、Iはバリスタを流れる電流、Vは印加電圧、0
はTIE g 1 mAにおける電圧でバリスタ電圧v
1mAと表示され、αは非1σ程性を表わす係数であり
、電圧電流特性はバリスタ電圧V1mAと非直線係数α
で表わされる。
5i0バリスタの場合、その非直線性は!JLO粒子相
互の接触抵抗のfiモ圧圧感感性利用したもので、Si
a位子を磁器結合剤で暁き固めて製着される。
810パリス々では非直線係数αは3〜7と得られるが
、1粒界あたりのC値が高いために低電圧にするには粒
′#数を減らさなければならず、パリス々を流れる′1
げ流方回の厚みを減らすか、もしくは、導電性物質を加
え固■抵抗を下げることなどが知られている。しかし、
前搏の場合は厚みが薄くなって機械的強ヴに問題があり
、少者の場合は非直〜性のない導電物質が入るため非1
ケ線係数を小さくすることになり低電圧用には限度があ
る。
SγT103バリスタは、五酸化ニオブ(Nb2O,)
などの半導体化剤の添加と還元性4囲嘱煉結での(J!
; +4−1で半導体化し、バリスタ特性をイ叫るため
再び、゛・19化性雰囲気中で熱処理することにより製
遺される。しかし、8γTie3、Nb2O5などは高
価な材料であり、嘩債面においても熱処理の面でコスト
島になるなどの間穐がある。
(発明が解決しようとする問題、へ2 そこで本発明は、低電圧5〜40ボルトにおけろバリス
タを容易に得ることができると共に非直即係教αを6以
上で安Y性が静<、通常の銀R−ストを焼付けた14伶
でよく、かつ、安価なバリスタを提供することにある。
(問題慨を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため本発明は、酸化亜鉛(ZnO
)を主成分として64〜99.3モル%、副成分として
酸化マンガン(MnO,l O,1〜5モル%、〆・′
9化チ々ン(T102)0.5〜20モル%を含み、添
加物として酸化フパルト(a o o ) 0.1〜5
モル%、酸化アンチモン(ab、’ o3) 0.1〜
5モル%、二酸化ケイ素(+3102)  α1〜3モ
ル%を少なくとも一種類以上を含む焼結体にM /%F
−ストを途布焼付けて電極を構成したことを特徴とする
ものである。
本発明における組成範囲を前記のごとく限定した埋田に
ついて記述すると、本発明における主成分のZnOと副
成分のMn01’r1o2の3成分糸においてバリスタ
特性を調べたところ、パリス々゛屯圧V1mAと非直線
係数αとには次のような関係が間第1図はznOを(9
9−X)モv%にMnOを1モル%に固定してTiO□
1t(1モル%)を変化させたとき、第2図はZnOを
(95−X)モル%にTiO3を5モル%に固定してM
nO省(xモル%ンを変化させたときのバリスタ特性と
電圧変化率である。図から明らかのように、Ti0gが
0.5〜20モル%、MnOが0.1〜5モル%である
ときの非直邸係数αが6以上で、バリスタ電圧V1mA
は5〜40ボルトの範囲で制御できる。ここで、これら
Mno、T1o2!aの組成範囲外では非直線係数αが
3未満となり、バリスタ電圧V i mA も40ボル
トより大きくなる。また、電圧変化率ΔV1QmAは、
MnO,TlO2の組成範囲内であっても一15%〜−
28%と大きく不安定に得られている。
・淋3図から45図はZnOを(94−X)%ル%、M
nOを1モル%、TiO2を5モル%に固定し、添加物
として0oO1Sb203.8102  +4を変化さ
せたときのパリス々特性と、電圧変化率を示す。図から
明らかのように、電圧変化率は0oOQ、1〜3.0モ
ル%、Bb20s  O,5〜5.Q モル%、51o
20.1〜3モル%の範囲で一10%以下に減少し、し
かも、非直線係数α3以上に、バリスタ電圧5〜4゜ボ
ルトの範囲で制御することができる。aooSsb20
3、Singの添加範囲外では電圧変化率が一10%よ
り大きくなり、非直線係数αも3未満となる。
また、Z!10を主成分として64〜926モル%、副
成分としてMnOQ、 1〜5 % 8%、T1o20
.5〜20モル%、添加物としてooOo、1〜3モル
%、βbgO30.5〜5%ル%、5109 0.1〜
3モ、zlの組成範囲内で少なくとも一棺類以上の添加
物を加えた場合でも、良効なバリスタ特性を得ることが
できる。
(作 用] 本発明によれば低T4圧におけるバリスタとなると共に
非直線係数αが3以上の安定性が高いバリスタとなる。
(実施例λ 以下本発明にかかる酸化物非直線抵抗体を実地例に基づ
いて説明する。
主成分であるZnOと副成分のMn01Ti02と添加
物の000S81)203.5102 を所定の範囲内
で種々の#1合に秤量しボールミルで混合し、600〜
900°0で仮焼した優、さらにボールミル等で粉砕し
て調製粉末とする。これにポリビニール、アルコール等
の粘結剤を加え100 kg/ cd〜2 ton/d
桿変の圧力で成形し、焼結を′4気炉にて空気雰囲気中
で1200〜1400°Cの範囲で焼結し、直径15m
+、厚さ1鵠の円板状の素子に仕上げる。ここで使用さ
れる原料は仮焼、焼結などの加熱によって酸化物に転す
る水酸化物、喫酸壇を用いてもかまわない。次に得られ
た炉結体素子に銀ペーストを塗布し、500〜800°
Oの範囲で焼付けして成極をf4成する。
このようにして得られた試料のバリスタ特性で槌 V1’、QmA tt標閂回路方弯により求めた。次表
は各試料におけるその測定結果をそれら試料の組成比と
ともに示したものである。
その表を次の頁に示す。
第1表 第2表 実施例から明らかなように、本発明の範囲内の組成によ
りパリス々電圧v1!!1人5〜40ボルトと低電圧に
得られ、非直線係数αも3以上である。
電圧変化率必QmAは一10%以下で、特に添加物であ
る0oO18’b203 、!3102  の同時添加
の組成は一5襲以下になり安定性が高い。これに対して
本発明以外の組成で試料A1〜3.26〜30の非+f
L@係数αは3未満で、電圧変化率ΔV1QmAは一1
0%より大きくなり不安定である。
(発明の効果ン 本発明によれば、バリスタ電圧を5〜40ボルト1非直
線係数αを3以上に組成比を変えることにより容易に得
ることができる。しかも、安価な原料を使用しており、
製造も容易であるのでコスト的にも安く、安定性も高v
1ものを提供する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は主成分ZnOにMnOを1.0モル%に固定し
たときのTlO2変化に対するバリスタ電圧v1mAと
非直線係数αおよび電圧変化率ΔV i Qmムを示す
特性曲線図、第2図は主成分ZnOに’rto2を5.
0モル%に固定したときのMnO変化に対するバリスタ
電圧VimAと非直線係数αおよび電圧変化率ΔViQ
mAを示す特性曲線図、第3図、第4図、@5図は主成
分Z!LOに副成分MnOを1.0モル%、TlO2を
5.0モル%に固定したときの0oO1!3b203.
810g変化に対するバリスタ電圧VimAと非直線係
数αおよび電圧変化率ΔV1QmAを示す各曲線図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化亜鉛(ZnO)を主成分として64〜99.3モル
    %、副成分として酸化マンガン(MnO)0.1〜5モ
    ル%、酸化チタン(TiO_2)0.5〜20モル%を
    含み、添加物として酸化コバルト(CoO)0.1〜3
    モル%、酸化アンチモン(Sb_2O_3)0.1〜5
    モル%、二酸化ケイ素(SiO_2)0.1〜5モル%
    を少なくとも一種類以上を含む焼結体に銀ペーストを塗
    布焼付けて電極を構成したことを特徴とする酸化物非直
    線抵抗体。
JP62081873A 1987-04-01 1987-04-01 酸化物非直線抵抗体 Pending JPS63246803A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62081873A JPS63246803A (ja) 1987-04-01 1987-04-01 酸化物非直線抵抗体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62081873A JPS63246803A (ja) 1987-04-01 1987-04-01 酸化物非直線抵抗体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63246803A true JPS63246803A (ja) 1988-10-13

Family

ID=13758579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62081873A Pending JPS63246803A (ja) 1987-04-01 1987-04-01 酸化物非直線抵抗体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63246803A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0560588A2 (en) * 1992-03-12 1993-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Power circuit breaker and power resistor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50127198A (ja) * 1974-02-20 1975-10-06

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50127198A (ja) * 1974-02-20 1975-10-06

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0560588A2 (en) * 1992-03-12 1993-09-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Power circuit breaker and power resistor
EP0560588A3 (ja) * 1992-03-12 1995-08-02 Tokyo Shibaura Electric Co

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS63246803A (ja) 酸化物非直線抵抗体
JPH04119601A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JP2876770B2 (ja) 電圧非直線抵抗体用半導体磁器組成物の製造方法
JPH0383846A (ja) バルスタの製造方法
JP2540048B2 (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
JPS62282416A (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS58110006A (ja) 酸化物電圧非直線抵抗体
JPH0417304A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPS59172202A (ja) 電圧非直線性抵抗体の製造方法
JPS5932043B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JPH04369803A (ja) 電圧非直線性抵抗体
JPS62290105A (ja) 電圧非直線抵抗体用電極材料
JPH0529110A (ja) 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子
JPH04175259A (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
JPH02180749A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPH03261658A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPH02192456A (ja) 半導体磁器
JPH0722212A (ja) 電圧非直線抵抗体用半導体磁器
JPH0450164A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPH02265216A (ja) 粒界酸化型電圧非直線低抗素子
JPH04175257A (ja) 電圧非直線性抵抗体磁器組成物
JPH02184568A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPH0450166A (ja) 電圧非直線抵抗体用磁器組成物
JPH03109259A (ja) 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物
JPH02177506A (ja) 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子