JPS63246803A - 酸化物非直線抵抗体 - Google Patents
酸化物非直線抵抗体Info
- Publication number
- JPS63246803A JPS63246803A JP62081873A JP8187387A JPS63246803A JP S63246803 A JPS63246803 A JP S63246803A JP 62081873 A JP62081873 A JP 62081873A JP 8187387 A JP8187387 A JP 8187387A JP S63246803 A JPS63246803 A JP S63246803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- voltage
- oxide
- varistor
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019704 Nb2O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、酸化物半導体を用いた1に正非11!f線抵
抗体に関するものである〇 (従来の技術〉 近年、音響機器や制伊!e!4器及び小型+1動機器の
発展と普及により、これら機器の雑音の防止、過電圧か
らの保護、リレー接点の保護をすることが車要な課題と
なっている。しかし、これらの機器は小型化、集積化の
傾同にあり、電圧非直線抵抗体としても小型化、低電圧
化が要望されるようになってきた。
抗体に関するものである〇 (従来の技術〉 近年、音響機器や制伊!e!4器及び小型+1動機器の
発展と普及により、これら機器の雑音の防止、過電圧か
らの保護、リレー接点の保護をすることが車要な課題と
なっている。しかし、これらの機器は小型化、集積化の
傾同にあり、電圧非直線抵抗体としても小型化、低電圧
化が要望されるようになってきた。
従来から使用されている電圧非直線抵抗体(以下、パリ
ス々と称す。ンには、S10バリスタ、8γT103バ
リスタ、ZnO糸のバリスタなどがあり、これら電圧電
流特性の非直線的な特性によりサージ電圧の吸収、電圧
安定化に多く使用されている。
ス々と称す。ンには、S10バリスタ、8γT103バ
リスタ、ZnO糸のバリスタなどがあり、これら電圧電
流特性の非直線的な特性によりサージ電圧の吸収、電圧
安定化に多く使用されている。
一般に、バリスタの電圧電流特性は次式で近似される。
工請(Vlo)“
ただし、Iはバリスタを流れる電流、Vは印加電圧、0
はTIE g 1 mAにおける電圧でバリスタ電圧v
1mAと表示され、αは非1σ程性を表わす係数であり
、電圧電流特性はバリスタ電圧V1mAと非直線係数α
で表わされる。
はTIE g 1 mAにおける電圧でバリスタ電圧v
1mAと表示され、αは非1σ程性を表わす係数であり
、電圧電流特性はバリスタ電圧V1mAと非直線係数α
で表わされる。
5i0バリスタの場合、その非直線性は!JLO粒子相
互の接触抵抗のfiモ圧圧感感性利用したもので、Si
a位子を磁器結合剤で暁き固めて製着される。
互の接触抵抗のfiモ圧圧感感性利用したもので、Si
a位子を磁器結合剤で暁き固めて製着される。
810パリス々では非直線係数αは3〜7と得られるが
、1粒界あたりのC値が高いために低電圧にするには粒
′#数を減らさなければならず、パリス々を流れる′1
げ流方回の厚みを減らすか、もしくは、導電性物質を加
え固■抵抗を下げることなどが知られている。しかし、
前搏の場合は厚みが薄くなって機械的強ヴに問題があり
、少者の場合は非直〜性のない導電物質が入るため非1
ケ線係数を小さくすることになり低電圧用には限度があ
る。
、1粒界あたりのC値が高いために低電圧にするには粒
′#数を減らさなければならず、パリス々を流れる′1
げ流方回の厚みを減らすか、もしくは、導電性物質を加
え固■抵抗を下げることなどが知られている。しかし、
前搏の場合は厚みが薄くなって機械的強ヴに問題があり
、少者の場合は非直〜性のない導電物質が入るため非1
ケ線係数を小さくすることになり低電圧用には限度があ
る。
SγT103バリスタは、五酸化ニオブ(Nb2O,)
などの半導体化剤の添加と還元性4囲嘱煉結での(J!
; +4−1で半導体化し、バリスタ特性をイ叫るため
再び、゛・19化性雰囲気中で熱処理することにより製
遺される。しかし、8γTie3、Nb2O5などは高
価な材料であり、嘩債面においても熱処理の面でコスト
島になるなどの間穐がある。
などの半導体化剤の添加と還元性4囲嘱煉結での(J!
; +4−1で半導体化し、バリスタ特性をイ叫るため
再び、゛・19化性雰囲気中で熱処理することにより製
遺される。しかし、8γTie3、Nb2O5などは高
価な材料であり、嘩債面においても熱処理の面でコスト
島になるなどの間穐がある。
(発明が解決しようとする問題、へ2
そこで本発明は、低電圧5〜40ボルトにおけろバリス
タを容易に得ることができると共に非直即係教αを6以
上で安Y性が静<、通常の銀R−ストを焼付けた14伶
でよく、かつ、安価なバリスタを提供することにある。
タを容易に得ることができると共に非直即係教αを6以
上で安Y性が静<、通常の銀R−ストを焼付けた14伶
でよく、かつ、安価なバリスタを提供することにある。
(問題慨を解決するための手段〉
上記の目的を達成するため本発明は、酸化亜鉛(ZnO
)を主成分として64〜99.3モル%、副成分として
酸化マンガン(MnO,l O,1〜5モル%、〆・′
9化チ々ン(T102)0.5〜20モル%を含み、添
加物として酸化フパルト(a o o ) 0.1〜5
モル%、酸化アンチモン(ab、’ o3) 0.1〜
5モル%、二酸化ケイ素(+3102) α1〜3モ
ル%を少なくとも一種類以上を含む焼結体にM /%F
−ストを途布焼付けて電極を構成したことを特徴とする
ものである。
)を主成分として64〜99.3モル%、副成分として
酸化マンガン(MnO,l O,1〜5モル%、〆・′
9化チ々ン(T102)0.5〜20モル%を含み、添
加物として酸化フパルト(a o o ) 0.1〜5
モル%、酸化アンチモン(ab、’ o3) 0.1〜
5モル%、二酸化ケイ素(+3102) α1〜3モ
ル%を少なくとも一種類以上を含む焼結体にM /%F
−ストを途布焼付けて電極を構成したことを特徴とする
ものである。
本発明における組成範囲を前記のごとく限定した埋田に
ついて記述すると、本発明における主成分のZnOと副
成分のMn01’r1o2の3成分糸においてバリスタ
特性を調べたところ、パリス々゛屯圧V1mAと非直線
係数αとには次のような関係が間第1図はznOを(9
9−X)モv%にMnOを1モル%に固定してTiO□
1t(1モル%)を変化させたとき、第2図はZnOを
(95−X)モル%にTiO3を5モル%に固定してM
nO省(xモル%ンを変化させたときのバリスタ特性と
電圧変化率である。図から明らかのように、Ti0gが
0.5〜20モル%、MnOが0.1〜5モル%である
ときの非直邸係数αが6以上で、バリスタ電圧V1mA
は5〜40ボルトの範囲で制御できる。ここで、これら
Mno、T1o2!aの組成範囲外では非直線係数αが
3未満となり、バリスタ電圧V i mA も40ボル
トより大きくなる。また、電圧変化率ΔV1QmAは、
MnO,TlO2の組成範囲内であっても一15%〜−
28%と大きく不安定に得られている。
ついて記述すると、本発明における主成分のZnOと副
成分のMn01’r1o2の3成分糸においてバリスタ
特性を調べたところ、パリス々゛屯圧V1mAと非直線
係数αとには次のような関係が間第1図はznOを(9
9−X)モv%にMnOを1モル%に固定してTiO□
1t(1モル%)を変化させたとき、第2図はZnOを
(95−X)モル%にTiO3を5モル%に固定してM
nO省(xモル%ンを変化させたときのバリスタ特性と
電圧変化率である。図から明らかのように、Ti0gが
0.5〜20モル%、MnOが0.1〜5モル%である
ときの非直邸係数αが6以上で、バリスタ電圧V1mA
は5〜40ボルトの範囲で制御できる。ここで、これら
Mno、T1o2!aの組成範囲外では非直線係数αが
3未満となり、バリスタ電圧V i mA も40ボル
トより大きくなる。また、電圧変化率ΔV1QmAは、
MnO,TlO2の組成範囲内であっても一15%〜−
28%と大きく不安定に得られている。
・淋3図から45図はZnOを(94−X)%ル%、M
nOを1モル%、TiO2を5モル%に固定し、添加物
として0oO1Sb203.8102 +4を変化さ
せたときのパリス々特性と、電圧変化率を示す。図から
明らかのように、電圧変化率は0oOQ、1〜3.0モ
ル%、Bb20s O,5〜5.Q モル%、51o
20.1〜3モル%の範囲で一10%以下に減少し、し
かも、非直線係数α3以上に、バリスタ電圧5〜4゜ボ
ルトの範囲で制御することができる。aooSsb20
3、Singの添加範囲外では電圧変化率が一10%よ
り大きくなり、非直線係数αも3未満となる。
nOを1モル%、TiO2を5モル%に固定し、添加物
として0oO1Sb203.8102 +4を変化さ
せたときのパリス々特性と、電圧変化率を示す。図から
明らかのように、電圧変化率は0oOQ、1〜3.0モ
ル%、Bb20s O,5〜5.Q モル%、51o
20.1〜3モル%の範囲で一10%以下に減少し、し
かも、非直線係数α3以上に、バリスタ電圧5〜4゜ボ
ルトの範囲で制御することができる。aooSsb20
3、Singの添加範囲外では電圧変化率が一10%よ
り大きくなり、非直線係数αも3未満となる。
また、Z!10を主成分として64〜926モル%、副
成分としてMnOQ、 1〜5 % 8%、T1o20
.5〜20モル%、添加物としてooOo、1〜3モル
%、βbgO30.5〜5%ル%、5109 0.1〜
3モ、zlの組成範囲内で少なくとも一棺類以上の添加
物を加えた場合でも、良効なバリスタ特性を得ることが
できる。
成分としてMnOQ、 1〜5 % 8%、T1o20
.5〜20モル%、添加物としてooOo、1〜3モル
%、βbgO30.5〜5%ル%、5109 0.1〜
3モ、zlの組成範囲内で少なくとも一棺類以上の添加
物を加えた場合でも、良効なバリスタ特性を得ることが
できる。
(作 用]
本発明によれば低T4圧におけるバリスタとなると共に
非直線係数αが3以上の安定性が高いバリスタとなる。
非直線係数αが3以上の安定性が高いバリスタとなる。
(実施例λ
以下本発明にかかる酸化物非直線抵抗体を実地例に基づ
いて説明する。
いて説明する。
主成分であるZnOと副成分のMn01Ti02と添加
物の000S81)203.5102 を所定の範囲内
で種々の#1合に秤量しボールミルで混合し、600〜
900°0で仮焼した優、さらにボールミル等で粉砕し
て調製粉末とする。これにポリビニール、アルコール等
の粘結剤を加え100 kg/ cd〜2 ton/d
桿変の圧力で成形し、焼結を′4気炉にて空気雰囲気中
で1200〜1400°Cの範囲で焼結し、直径15m
+、厚さ1鵠の円板状の素子に仕上げる。ここで使用さ
れる原料は仮焼、焼結などの加熱によって酸化物に転す
る水酸化物、喫酸壇を用いてもかまわない。次に得られ
た炉結体素子に銀ペーストを塗布し、500〜800°
Oの範囲で焼付けして成極をf4成する。
物の000S81)203.5102 を所定の範囲内
で種々の#1合に秤量しボールミルで混合し、600〜
900°0で仮焼した優、さらにボールミル等で粉砕し
て調製粉末とする。これにポリビニール、アルコール等
の粘結剤を加え100 kg/ cd〜2 ton/d
桿変の圧力で成形し、焼結を′4気炉にて空気雰囲気中
で1200〜1400°Cの範囲で焼結し、直径15m
+、厚さ1鵠の円板状の素子に仕上げる。ここで使用さ
れる原料は仮焼、焼結などの加熱によって酸化物に転す
る水酸化物、喫酸壇を用いてもかまわない。次に得られ
た炉結体素子に銀ペーストを塗布し、500〜800°
Oの範囲で焼付けして成極をf4成する。
このようにして得られた試料のバリスタ特性で槌
V1’、QmA tt標閂回路方弯により求めた。次表
は各試料におけるその測定結果をそれら試料の組成比と
ともに示したものである。
は各試料におけるその測定結果をそれら試料の組成比と
ともに示したものである。
その表を次の頁に示す。
第1表
第2表
実施例から明らかなように、本発明の範囲内の組成によ
りパリス々電圧v1!!1人5〜40ボルトと低電圧に
得られ、非直線係数αも3以上である。
りパリス々電圧v1!!1人5〜40ボルトと低電圧に
得られ、非直線係数αも3以上である。
電圧変化率必QmAは一10%以下で、特に添加物であ
る0oO18’b203 、!3102 の同時添加
の組成は一5襲以下になり安定性が高い。これに対して
本発明以外の組成で試料A1〜3.26〜30の非+f
L@係数αは3未満で、電圧変化率ΔV1QmAは一1
0%より大きくなり不安定である。
る0oO18’b203 、!3102 の同時添加
の組成は一5襲以下になり安定性が高い。これに対して
本発明以外の組成で試料A1〜3.26〜30の非+f
L@係数αは3未満で、電圧変化率ΔV1QmAは一1
0%より大きくなり不安定である。
(発明の効果ン
本発明によれば、バリスタ電圧を5〜40ボルト1非直
線係数αを3以上に組成比を変えることにより容易に得
ることができる。しかも、安価な原料を使用しており、
製造も容易であるのでコスト的にも安く、安定性も高v
1ものを提供する効果がある。
線係数αを3以上に組成比を変えることにより容易に得
ることができる。しかも、安価な原料を使用しており、
製造も容易であるのでコスト的にも安く、安定性も高v
1ものを提供する効果がある。
第1図は主成分ZnOにMnOを1.0モル%に固定し
たときのTlO2変化に対するバリスタ電圧v1mAと
非直線係数αおよび電圧変化率ΔV i Qmムを示す
特性曲線図、第2図は主成分ZnOに’rto2を5.
0モル%に固定したときのMnO変化に対するバリスタ
電圧VimAと非直線係数αおよび電圧変化率ΔViQ
mAを示す特性曲線図、第3図、第4図、@5図は主成
分Z!LOに副成分MnOを1.0モル%、TlO2を
5.0モル%に固定したときの0oO1!3b203.
810g変化に対するバリスタ電圧VimAと非直線係
数αおよび電圧変化率ΔV1QmAを示す各曲線図。
たときのTlO2変化に対するバリスタ電圧v1mAと
非直線係数αおよび電圧変化率ΔV i Qmムを示す
特性曲線図、第2図は主成分ZnOに’rto2を5.
0モル%に固定したときのMnO変化に対するバリスタ
電圧VimAと非直線係数αおよび電圧変化率ΔViQ
mAを示す特性曲線図、第3図、第4図、@5図は主成
分Z!LOに副成分MnOを1.0モル%、TlO2を
5.0モル%に固定したときの0oO1!3b203.
810g変化に対するバリスタ電圧VimAと非直線係
数αおよび電圧変化率ΔV1QmAを示す各曲線図。
Claims (1)
- 酸化亜鉛(ZnO)を主成分として64〜99.3モル
%、副成分として酸化マンガン(MnO)0.1〜5モ
ル%、酸化チタン(TiO_2)0.5〜20モル%を
含み、添加物として酸化コバルト(CoO)0.1〜3
モル%、酸化アンチモン(Sb_2O_3)0.1〜5
モル%、二酸化ケイ素(SiO_2)0.1〜5モル%
を少なくとも一種類以上を含む焼結体に銀ペーストを塗
布焼付けて電極を構成したことを特徴とする酸化物非直
線抵抗体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62081873A JPS63246803A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 酸化物非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62081873A JPS63246803A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 酸化物非直線抵抗体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63246803A true JPS63246803A (ja) | 1988-10-13 |
Family
ID=13758579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62081873A Pending JPS63246803A (ja) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | 酸化物非直線抵抗体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63246803A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0560588A2 (en) * | 1992-03-12 | 1993-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power circuit breaker and power resistor |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50127198A (ja) * | 1974-02-20 | 1975-10-06 |
-
1987
- 1987-04-01 JP JP62081873A patent/JPS63246803A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50127198A (ja) * | 1974-02-20 | 1975-10-06 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0560588A2 (en) * | 1992-03-12 | 1993-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power circuit breaker and power resistor |
EP0560588A3 (ja) * | 1992-03-12 | 1995-08-02 | Tokyo Shibaura Electric Co |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS63246803A (ja) | 酸化物非直線抵抗体 | |
JPH04119601A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JP2876770B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器組成物の製造方法 | |
JPH0383846A (ja) | バルスタの製造方法 | |
JP2540048B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
JPS62282416A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
JPS58110006A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体 | |
JPH0417304A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPS59172202A (ja) | 電圧非直線性抵抗体の製造方法 | |
JPS5932043B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
JPH04369803A (ja) | 電圧非直線性抵抗体 | |
JPS62290105A (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
JPH0529110A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 | |
JPH04175259A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
JPH02180749A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH03261658A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH02192456A (ja) | 半導体磁器 | |
JPH0722212A (ja) | 電圧非直線抵抗体用半導体磁器 | |
JPH0450164A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH02265216A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線低抗素子 | |
JPH04175257A (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
JPH02184568A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH0450166A (ja) | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 | |
JPH03109259A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗組成物 | |
JPH02177506A (ja) | 粒界酸化型電圧非直線抵抗素子 |