JPS6028203A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6028203A JPS6028203A JP58137231A JP13723183A JPS6028203A JP S6028203 A JPS6028203 A JP S6028203A JP 58137231 A JP58137231 A JP 58137231A JP 13723183 A JP13723183 A JP 13723183A JP S6028203 A JPS6028203 A JP S6028203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- voltage
- oxide
- bismuth
- sintered body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛化生成分とする焼結体にお（・て出発
原料添加物としてチタン酸ビスマス化合物乞含むことを
特徴とする電圧非直線抵抗体の製造 。
原料添加物としてチタン酸ビスマス化合物乞含むことを
特徴とする電圧非直線抵抗体の製造 。
方法に関する。
近年、ＩＣ，）ランジスタ、サイリスタなどの半導体素
子および半導体回路とその応用の急速な発展にともない
制御１通信機器および電力機器における半導体および半
導体回路の使用が普及し、これら機器の小形化、高性能
化が急速に進展している。しかし他方ではこのような進
歩にともないこれらの機器やその部品の耐電圧、耐サー
ジ、耐ノイス性は十分とは言えない。このためこれらの
機器や部品を異状なサージやノイズから保護すること、
あるいは回路電圧を安定化することが必要である。これ
らの目的のためこれまではＳｉＣやＳｉバリスタが多用
されてきた。また最近では酸化亜鉛化生成分としてこれ
に添加物を加えたバリスタが開発されている。しかし最
近は半導体および半導体回路の高密度化、高集積化にと
もない半導体および半導体回路の低電圧化、低電力化が
いっそう促進されている。これらの半導体や半導体回路
欠保護１ろためあるいは回路電圧欠安定化す、るために
さらに低電圧で働くバリスタが必要となってきた。
子および半導体回路とその応用の急速な発展にともない
制御１通信機器および電力機器における半導体および半
導体回路の使用が普及し、これら機器の小形化、高性能
化が急速に進展している。しかし他方ではこのような進
歩にともないこれらの機器やその部品の耐電圧、耐サー
ジ、耐ノイス性は十分とは言えない。このためこれらの
機器や部品を異状なサージやノイズから保護すること、
あるいは回路電圧を安定化することが必要である。これ
らの目的のためこれまではＳｉＣやＳｉバリスタが多用
されてきた。また最近では酸化亜鉛化生成分としてこれ
に添加物を加えたバリスタが開発されている。しかし最
近は半導体および半導体回路の高密度化、高集積化にと
もない半導体および半導体回路の低電圧化、低電力化が
いっそう促進されている。これらの半導体や半導体回路
欠保護１ろためあるいは回路電圧欠安定化す、るために
さらに低電圧で働くバリスタが必要となってきた。
バリスタの電圧電流特性は一般にっぎの関係式Ｉ＝（’
Ｖ／Ｃ）ｃｔ で表わされる。ここで■はバリスタ素体に印加される電
圧であり、■はバリスタ素体を流れる電流である。また
Ｃは与えられた電流を流したときの電圧に対応する定数
である。α−１はオームの法則にしたがう普通の抵抗体
であり、αが大きいほど非直線性は優れている。
Ｖ／Ｃ）ｃｔ で表わされる。ここで■はバリスタ素体に印加される電
圧であり、■はバリスタ素体を流れる電流である。また
Ｃは与えられた電流を流したときの電圧に対応する定数
である。α−１はオームの法則にしたがう普通の抵抗体
であり、αが大きいほど非直線性は優れている。
ここではバリスタ特性７Ｃとαで表わすかわりに電流ｋ
１． ｍＡ ／（Ｈｆの電流密度で流したときの立上
り電圧Ｖ ］、 ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電圧
非直線性欠もつ代表的なものであるＳｉＣバリスタはＳ
ｉＣ粒子ケ磁器結合剤で焼き固めたもので、その非直線
性はＳｉＣ粒子の接触抵抗の電圧依存性に起因している
。バリスタの素体厚さ１闘の場合電流ｙ１ｍＡ／ａｔ流
したときの立上り電圧Ｙ Ｖ１ｍＡ／ＩｍとするとＳｉ
ＣバリスタはＳｉＣ粒子の粒径と素体厚さ乞制御するこ
とによりＶｌｍＡが数Ｖのものから数千■のものまで製
造可能であるが、非直線係数αが３〜７と小さいため十
分でない。またＳｉＣバリスタと同様に焼結体自体が非
直線性火有するものにＺｎＯ系バリスタがある。これは
酸化亜鉛に主成分として添加物として少量の酸化ビスマ
ス、酸化コバルト、酸化マンガン、ｉｔ化アンチモンな
どを含むものである。ＺｎＯ系バリスタの非直線係数は
約２０〜５ｏでありＳｉＣバリスタに比して非常に優れ
た非直線性ケ示す。このため半導体や半導体回路の保護
に非常に適しているが半導体や半導体回路の使用電圧が
ますます低電圧化の傾向にある。しかしこれまでのＺｎ
Ｏ系バリスタではこの低電圧化に対応する低電圧バリス
タ（Ｖ１’ｒｒｌＡが約２０Ｖ）４製造することが非常
に困難であった。この理由としてＺｎＯ系バリスタの微
細構造は第１図に示すように低抵抗の酸化亜鉛結晶粒（
１）馨非直線性を発揮させる高抵抗の粒界層（２）でポ
リ囲んだものである。図中（３）は電極、（４）は端子
である。このため焼結体厚さ１關当たりのＶ ｌ ｍＡ
７ｍｍ は素体の厚み方向に存在する粒界層（２）の
数により決定される。ＺｎＯ系バリスタでは１粒界層当
たりの立上り電圧は約２．５Ｖ程度である。
１． ｍＡ ／（Ｈｆの電流密度で流したときの立上
り電圧Ｖ ］、 ｍＡとαで表わす。焼結体自体が電圧
非直線性欠もつ代表的なものであるＳｉＣバリスタはＳ
ｉＣ粒子ケ磁器結合剤で焼き固めたもので、その非直線
性はＳｉＣ粒子の接触抵抗の電圧依存性に起因している
。バリスタの素体厚さ１闘の場合電流ｙ１ｍＡ／ａｔ流
したときの立上り電圧Ｙ Ｖ１ｍＡ／ＩｍとするとＳｉ
ＣバリスタはＳｉＣ粒子の粒径と素体厚さ乞制御するこ
とによりＶｌｍＡが数Ｖのものから数千■のものまで製
造可能であるが、非直線係数αが３〜７と小さいため十
分でない。またＳｉＣバリスタと同様に焼結体自体が非
直線性火有するものにＺｎＯ系バリスタがある。これは
酸化亜鉛に主成分として添加物として少量の酸化ビスマ
ス、酸化コバルト、酸化マンガン、ｉｔ化アンチモンな
どを含むものである。ＺｎＯ系バリスタの非直線係数は
約２０〜５ｏでありＳｉＣバリスタに比して非常に優れ
た非直線性ケ示す。このため半導体や半導体回路の保護
に非常に適しているが半導体や半導体回路の使用電圧が
ますます低電圧化の傾向にある。しかしこれまでのＺｎ
Ｏ系バリスタではこの低電圧化に対応する低電圧バリス
タ（Ｖ１’ｒｒｌＡが約２０Ｖ）４製造することが非常
に困難であった。この理由としてＺｎＯ系バリスタの微
細構造は第１図に示すように低抵抗の酸化亜鉛結晶粒（
１）馨非直線性を発揮させる高抵抗の粒界層（２）でポ
リ囲んだものである。図中（３）は電極、（４）は端子
である。このため焼結体厚さ１關当たりのＶ ｌ ｍＡ
７ｍｍ は素体の厚み方向に存在する粒界層（２）の
数により決定される。ＺｎＯ系バリスタでは１粒界層当
たりの立上り電圧は約２．５Ｖ程度である。
酸化亜鉛に酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガン
など欠加えたものを１１００〜１３００ ’０の温度で
焼結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径
は３０〜４０μｍ程度である。このためＶ １ ｍＡ
７ｍｍは４０Ｖ以上となる。コノためＶ ｌ ｍＡ −
２ＱＶのバリスタ乞製造するには厚さＱ、５ ｙの素体
化つくる必要がある。この場合微細構造は酸化亜鉛結晶
粒（１）が１０個直列につながり粒子と粒子との間に８
個の粒界層（２）が存在するかたちになる。
など欠加えたものを１１００〜１３００ ’０の温度で
焼結したとき、焼結体中の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径
は３０〜４０μｍ程度である。このためＶ １ ｍＡ
７ｍｍは４０Ｖ以上となる。コノためＶ ｌ ｍＡ −
２ＱＶのバリスタ乞製造するには厚さＱ、５ ｙの素体
化つくる必要がある。この場合微細構造は酸化亜鉛結晶
粒（１）が１０個直列につながり粒子と粒子との間に８
個の粒界層（２）が存在するかたちになる。
厚さＱ、５龍の累体乞製造する方法として焼結体馨研磨
して所定の厚さゲ得る方法がある。しかし焼結体は酸化
亜鉛結晶粒（１）欠主としてビスマス酸化物からなる粒
界層（２）が取り囲んでいるため機械的強度は弱い。こ
のため研磨中に酸化亜鉛結晶粒（１）が脱落したりマイ
クロクラ゛ツクが発生し局部的に電圧の低い欠陥部が生
じる。またもう一つの方法として焼結体が所定の厚さに
なるように焼結後の収縮率を加味して薄い板状に成型す
る方法がある。
して所定の厚さゲ得る方法がある。しかし焼結体は酸化
亜鉛結晶粒（１）欠主としてビスマス酸化物からなる粒
界層（２）が取り囲んでいるため機械的強度は弱い。こ
のため研磨中に酸化亜鉛結晶粒（１）が脱落したりマイ
クロクラ゛ツクが発生し局部的に電圧の低い欠陥部が生
じる。またもう一つの方法として焼結体が所定の厚さに
なるように焼結後の収縮率を加味して薄い板状に成型す
る方法がある。
この場合は収縮率ケ加味して０．６〜０．７關の厚さに
成型したけｎばならない。しかし成型体の機械的強度は
非常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型体の取扱いが
非常に困難である。これらの欠点ケなくするためには焼
結体の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径火約１００μｍまで
成長させ、素体厚さが約１．０龍でＶｌｍＡ−２０Ｖの
バリスタができるようにし、成型体強度２強くする必要
がある。最近ＺｎＯ系低電圧バリスタの製造方法として
たとえば特開昭５４−１４０９９５号公報で提案されて
いるように粒径が１００μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒（１
）を使用する方法がある。これは焼結過程で酸化亜鉛結
晶粒（１１’Ｋ １００μｍ程度の太きさまで成長させ
ることが困難なため主成分である酸化亜鉛の一部に最初
から大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒（１）を使用する
ものである。しかし大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒（
１）欠得るには酸化亜鉛に炭酸バリウムや炭酸ストロン
チウ７！−ヲ加えたもの火成型。
成型したけｎばならない。しかし成型体の機械的強度は
非常に弱いため割れや欠けなどが生じ成型体の取扱いが
非常に困難である。これらの欠点ケなくするためには焼
結体の酸化亜鉛結晶粒（１）の粒径火約１００μｍまで
成長させ、素体厚さが約１．０龍でＶｌｍＡ−２０Ｖの
バリスタができるようにし、成型体強度２強くする必要
がある。最近ＺｎＯ系低電圧バリスタの製造方法として
たとえば特開昭５４−１４０９９５号公報で提案されて
いるように粒径が１００μｍ程度の酸化亜鉛結晶粒（１
）を使用する方法がある。これは焼結過程で酸化亜鉛結
晶粒（１１’Ｋ １００μｍ程度の太きさまで成長させ
ることが困難なため主成分である酸化亜鉛の一部に最初
から大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒（１）を使用する
ものである。しかし大きく成長させた酸化亜鉛結晶粒（
１）欠得るには酸化亜鉛に炭酸バリウムや炭酸ストロン
チウ７！−ヲ加えたもの火成型。
焼結し、この焼結体を純水中で煮沸することにより酸化
亜鉛結晶粒（１）ヲ取り囲んだＢａやＳｒｙ水に溶解さ
せ焼結体を分解する必要がある。また酸化亜鉛結晶粒（
１）以外の原料の粒径は数μｍ以下である。このため焼
結過程で酸化亜鉛結晶粒（１）部分と他の原料粉末部分
とに収縮率の差が生じ焼結体が多孔質になる。このため
Ｖ １ ｍ Ａ ／ｍｒｓが低く緻密な葉体ケ得るには
酸化亜鉛結晶粒（１）の焼結温度。
亜鉛結晶粒（１）ヲ取り囲んだＢａやＳｒｙ水に溶解さ
せ焼結体を分解する必要がある。また酸化亜鉛結晶粒（
１）以外の原料の粒径は数μｍ以下である。このため焼
結過程で酸化亜鉛結晶粒（１）部分と他の原料粉末部分
とに収縮率の差が生じ焼結体が多孔質になる。このため
Ｖ １ ｍ Ａ ／ｍｒｓが低く緻密な葉体ケ得るには
酸化亜鉛結晶粒（１）の焼結温度。
粒径、添加割合、結晶核以外の原料の組成などの条件の
選択が複雑となる。
選択が複雑となる。
また添加物に酸化ビスマス化含むＺｎＯ系バリスタの欠
点として焼結体の熱処理条件（電極焼付工程も含む）に
より寿命特性が大きく変わることがあげられる。これは
非直線性を発揮させる粒界層（２）が主として酸化ビス
マスからなるためである。
点として焼結体の熱処理条件（電極焼付工程も含む）に
より寿命特性が大きく変わることがあげられる。これは
非直線性を発揮させる粒界層（２）が主として酸化ビス
マスからなるためである。
熱処理前の焼結体中の酸化ビスマス結晶相はα相。
β相、δ相のうちの少なくとも］種類に含む。この焼結
体乞熱処理することにより酸化ビスマスは全てγ相に変
わる。このγ相への変化の過程により寿命特性が大きく
変動すると考えられる。このように酸化亜鉛欠生成分と
して添加物に酸化ビスマスゲ含む組成系で低電圧バリス
タ欠製造するには工程数が非常に多く、かつ条件の選択
や管理も複雑であるという欠点があった。
体乞熱処理することにより酸化ビスマスは全てγ相に変
わる。このγ相への変化の過程により寿命特性が大きく
変動すると考えられる。このように酸化亜鉛欠生成分と
して添加物に酸化ビスマスゲ含む組成系で低電圧バリス
タ欠製造するには工程数が非常に多く、かつ条件の選択
や管理も複雑であるという欠点があった。
本発明は酸化亜鉛を主成分とし添加物として酸化ビスマ
スにかわりチタン酸ビスマス化合物を含み、かつ添加物
であるチタン酸ビスマス化合物は焼結過程における酸化
チタンと酸化ビスマスの固相反応によるものでなく出発
原料としてチタン酸ビスマス化合物火使用することによ
り焼結体中の酸化亜鉛結晶粒’％１００μｍ以上に成長
させることを可能とした電圧非直線抵抗体の製造方法ケ
提供せんとするものである。以下本発明の詳細について
説明する。すなわち出発原料添加物としてチタン酸ビス
マス化合物を含むバリスタの微細構造は従来の添加物と
して酸化ビスマス化合むものと同様であり非直線性化発
揮させる粒界層かチタン酸ビスマス化合物からなるもの
である。これにより化ビスマスにかわりチタン酸化スマ
ス化含物欠含むことによりあらかじめ粒成長させた酸化
亜鉛結晶粒ゲ用いろような複雑な製造方法を採用するこ
とな（混合、成型、焼結の通常の製造方法により低電圧
バリスタの製造が可能となり、かつ熱処理工程における
粒界層の結晶相変化がないため信頼性が高く製造の容易
な電圧非直線抵抗体の製造方鉛、酸化ビスマス、チタン
酸ビスマス化合物、酸化チタン、酸化コバルト、酸化マ
ンガン、酸化ニッケル乞出発原料として第１表に示す組
成割合に秤量、混合し、乾燥、造粒、成型後１１００〜
１３００’（：”の温度で焼結し直径１５ｕ、厚さ１．
Ｑｍ＋ｗの焼結体を得た。これにオーミンクな接触欠示
す１、 Ｏｔｙｎｆの電極ケ形成しＶｌｍＡ、／ｍｙと
非直線係数α火測定した。第１表にその結果ケ示す。本
発明の実施例ば○印を付した組成／ｆ６５〜８であり、
これらは１２２０ ’Ｃの温度で２時間焼結したもので
ある。
スにかわりチタン酸ビスマス化合物を含み、かつ添加物
であるチタン酸ビスマス化合物は焼結過程における酸化
チタンと酸化ビスマスの固相反応によるものでなく出発
原料としてチタン酸ビスマス化合物火使用することによ
り焼結体中の酸化亜鉛結晶粒’％１００μｍ以上に成長
させることを可能とした電圧非直線抵抗体の製造方法ケ
提供せんとするものである。以下本発明の詳細について
説明する。すなわち出発原料添加物としてチタン酸ビス
マス化合物を含むバリスタの微細構造は従来の添加物と
して酸化ビスマス化合むものと同様であり非直線性化発
揮させる粒界層かチタン酸ビスマス化合物からなるもの
である。これにより化ビスマスにかわりチタン酸化スマ
ス化含物欠含むことによりあらかじめ粒成長させた酸化
亜鉛結晶粒ゲ用いろような複雑な製造方法を採用するこ
とな（混合、成型、焼結の通常の製造方法により低電圧
バリスタの製造が可能となり、かつ熱処理工程における
粒界層の結晶相変化がないため信頼性が高く製造の容易
な電圧非直線抵抗体の製造方鉛、酸化ビスマス、チタン
酸ビスマス化合物、酸化チタン、酸化コバルト、酸化マ
ンガン、酸化ニッケル乞出発原料として第１表に示す組
成割合に秤量、混合し、乾燥、造粒、成型後１１００〜
１３００’（：”の温度で焼結し直径１５ｕ、厚さ１．
Ｑｍ＋ｗの焼結体を得た。これにオーミンクな接触欠示
す１、 Ｏｔｙｎｆの電極ケ形成しＶｌｍＡ、／ｍｙと
非直線係数α火測定した。第１表にその結果ケ示す。本
発明の実施例ば○印を付した組成／ｆ６５〜８であり、
これらは１２２０ ’Ｃの温度で２時間焼結したもので
ある。
（以下余白）
第 １ 表
第１表において組成／１６１〜４は酸化ビスマスの量を
変えた参考例であり、組成／１６５〜８はチタン酸ビス
マス化合物の量を変えた実施例、組成扁９〜１２は酸化
ビスマスと酸化チタンのモル比馨焼結過程の反応でチタ
ン酸ビスマス化合物が生じるようにし、その量を変えた
参考例である。第１表から実施例の組成４５〜８が最も
Ｖ １ ｍ Ａ ／ｍｙが低くなり、かつ非直線係数α
も高く効果が顕著であることがわかる。また酸化ビスマ
ス、チタン酸ビスマス化合物、酸化ビスマス＋酸化チタ
ンのそれぞれの添加量に対する焼結体のＶ１’ｍＡ／ｙ
ｒｙの変化を第２図に、非直線係数αの変化を第３図に
示す。
変えた参考例であり、組成／１６５〜８はチタン酸ビス
マス化合物の量を変えた実施例、組成扁９〜１２は酸化
ビスマスと酸化チタンのモル比馨焼結過程の反応でチタ
ン酸ビスマス化合物が生じるようにし、その量を変えた
参考例である。第１表から実施例の組成４５〜８が最も
Ｖ １ ｍ Ａ ／ｍｙが低くなり、かつ非直線係数α
も高く効果が顕著であることがわかる。また酸化ビスマ
ス、チタン酸ビスマス化合物、酸化ビスマス＋酸化チタ
ンのそれぞれの添加量に対する焼結体のＶ１’ｍＡ／ｙ
ｒｙの変化を第２図に、非直線係数αの変化を第３図に
示す。
第２図および第３図において曲線Ａは酸化ビスマス、曲
線Ｂはチタン酸ビスマス化合物２曲線Ｃは酸化ビスマス
＋酸化チタンの場合化示す。ただし曲線Ｃの酸化ビスマ
ス＋酸化チタンの添加量はＢｉ ４Ｔｉ ３０１２とし
て換算した値である。
線Ｂはチタン酸ビスマス化合物２曲線Ｃは酸化ビスマス
＋酸化チタンの場合化示す。ただし曲線Ｃの酸化ビスマ
ス＋酸化チタンの添加量はＢｉ ４Ｔｉ ３０１２とし
て換算した値である。
第２図および第３図からチタン酸ビスマス化合物を添加
した曲線Ｂの実施例は酸化ビスマスゲ添加した曲線への
参考例と比較して非直線係数αにそこなうことなく酸化
亜鉛結晶粒ケ犬゛ぎく成長させることかわかる。また酸
化ビスマス＋酸化チタンケ添加し焼結工程中でチタン酸
ビスマス化合物を生成した曲線Ｃの参考例では酸化亜鉛
結晶粒が成長せず■１ｍＡＺ龍も低くならないことがわ
かる。
した曲線Ｂの実施例は酸化ビスマスゲ添加した曲線への
参考例と比較して非直線係数αにそこなうことなく酸化
亜鉛結晶粒ケ犬゛ぎく成長させることかわかる。また酸
化ビスマス＋酸化チタンケ添加し焼結工程中でチタン酸
ビスマス化合物を生成した曲線Ｃの参考例では酸化亜鉛
結晶粒が成長せず■１ｍＡＺ龍も低くならないことがわ
かる。
第４図は熱処理温度に対する寿命特性、すなわち空気中
２５°Ｃの雰囲気で１ｍＡ／ｄの電流’＆１０００時間
通電したときの立上り電圧Ｖ１ｍＡの変化率ΔＶ １
ｍＡ ｉ示すもので曲線Ａ２は組成／１６２の参考例２
曲線Ｂ６は組成／Ｉ６６の実施例２曲線Ｃ１０は組成Ａ
１０の参考例の場合化示す。
２５°Ｃの雰囲気で１ｍＡ／ｄの電流’＆１０００時間
通電したときの立上り電圧Ｖ１ｍＡの変化率ΔＶ １
ｍＡ ｉ示すもので曲線Ａ２は組成／１６２の参考例２
曲線Ｂ６は組成／Ｉ６６の実施例２曲線Ｃ１０は組成Ａ
１０の参考例の場合化示す。
第４図から出発原料添加物としてチタン酸ビスマス化合
物ケ含む曲線Ｂ６の実施例は熱処理温度に影響されない
ことがわかる。またチタン酸ビスマス化合物の添加量が
０．０５モル％未満では酸化亜鉛結晶粒化成長させるの
に十分でな（Ｖ ｌ ｍ Ａ ／ｍｙが高くなるため適
当でない。また３゜０モル％＆Ｍえると必要量以上とな
り焼結体表面に析出し焼結体が融着するなどの弊害が生
じ、かつＶ ］、 ｍ Ａ ／ｍｙも高くなり、非直線
係数αも低くなりはじめるので適当ではない。
物ケ含む曲線Ｂ６の実施例は熱処理温度に影響されない
ことがわかる。またチタン酸ビスマス化合物の添加量が
０．０５モル％未満では酸化亜鉛結晶粒化成長させるの
に十分でな（Ｖ ｌ ｍ Ａ ／ｍｙが高くなるため適
当でない。また３゜０モル％＆Ｍえると必要量以上とな
り焼結体表面に析出し焼結体が融着するなどの弊害が生
じ、かつＶ ］、 ｍ Ａ ／ｍｙも高くなり、非直線
係数αも低くなりはじめるので適当ではない。
なお上記実施例で用いた添加物に加えてさらにＳｂ、
Ｃｒ、 Ｓｎ、 Ａｌ、 Ｍｇ、 Ｂａ、 Ｂ、 Ｓｉ
、 Ｐｂ、 Ｆｅ。
Ｃｒ、 Ｓｎ、 Ａｌ、 Ｍｇ、 Ｂａ、 Ｂ、 Ｓｉ
、 Ｐｂ、 Ｆｅ。
Ｓｒの酸化物を少量添加せしめることにより非直線性を
いっそう改善できる。また添加物は金属酸化物として換
算したがチタン酸ビスマス化合物以外は焼結後酸化物に
なるものであればよく、たとえば出発原料が金属炭酸化
物や金属水酸化物などであってもよ（、最終的な焼結体
の組成がＺｎ０Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＮｉＯの形に換算した
値が本発明の組成範囲内であればよい。
いっそう改善できる。また添加物は金属酸化物として換
算したがチタン酸ビスマス化合物以外は焼結後酸化物に
なるものであればよく、たとえば出発原料が金属炭酸化
物や金属水酸化物などであってもよ（、最終的な焼結体
の組成がＺｎ０Ｃｏｏ、ＭｎＯ，ＮｉＯの形に換算した
値が本発明の組成範囲内であればよい。
以上詳述したように本発明は酸化亜鉛ケ主成分とし、出
発原料添加物として少なくともチタン酸ビスマス化合物
’ｘ Ｂ ｉ ４Ｔ ｉ ｚ０１２の形に換算して０．
０５〜３．０モル％含むことによって酸化亜鉛結晶粒化
１００μｍ以上に成長させることかできるため低電圧バ
リスタの製造が容易となり、かつ熱処理工程における粒
界層の結晶相変化がないため信頼性が高（特性の安定し
た電圧非直線抵抗体の製造方法を提供することができる
。
発原料添加物として少なくともチタン酸ビスマス化合物
’ｘ Ｂ ｉ ４Ｔ ｉ ｚ０１２の形に換算して０．
０５〜３．０モル％含むことによって酸化亜鉛結晶粒化
１００μｍ以上に成長させることかできるため低電圧バ
リスタの製造が容易となり、かつ熱処理工程における粒
界層の結晶相変化がないため信頼性が高（特性の安定し
た電圧非直線抵抗体の製造方法を提供することができる
。
第１図はＺｎＯ系バリスタの微細構造ケ示す拡大断面図
、第２図〜第４図は本発明の実施例と参考例との特性比
較を示すもので第２図は添加物の添加量に対するＶｌｍ
Ａ、／＋ｍの変化を示す曲線図、第３図は同様に非直線
係数αの変化７示す曲線図、第４図は熱処理温度に対す
るＶ ｌ ｍＡの変化率火水す曲線図である。 （１）・・・・・酸化亜鉛結晶粒 （２）・・・・・粒界層 （３）・・・・・電 極 （４）・・・・・端 子 特許出願人 マルコン電子株式会社 第１図 第２図 １１Ｊ３ Ｄ、ＯＳ Ｏ，５００，ｒＤ ３ｏｌＪ０春
如４（ｑ三）Ｌ−’／、） 第３図 Ｑ６３ Ｄ、ａＥ Ｏ，５Ｄ、ＪＤ １０１．０綿 カ
ロ ！ト（モ＋ｔ２） 第４図 ０ ヌυ ４６６ ７＃ Ｊｉν 究１１） １１）ρ
ρ挙些辱搾Ｓ１〜（ＱＣ）
、第２図〜第４図は本発明の実施例と参考例との特性比
較を示すもので第２図は添加物の添加量に対するＶｌｍ
Ａ、／＋ｍの変化を示す曲線図、第３図は同様に非直線
係数αの変化７示す曲線図、第４図は熱処理温度に対す
るＶ ｌ ｍＡの変化率火水す曲線図である。 （１）・・・・・酸化亜鉛結晶粒 （２）・・・・・粒界層 （３）・・・・・電 極 （４）・・・・・端 子 特許出願人 マルコン電子株式会社 第１図 第２図 １１Ｊ３ Ｄ、ＯＳ Ｏ，５００，ｒＤ ３ｏｌＪ０春
如４（ｑ三）Ｌ−’／、） 第３図 Ｑ６３ Ｄ、ａＥ Ｏ，５Ｄ、ＪＤ １０１．０綿 カ
ロ ！ト（モ＋ｔ２） 第４図 ０ ヌυ ４６６ ７＃ Ｊｉν 究１１） １１）ρ
ρ挙些辱搾Ｓ１〜（ＱＣ）
Claims (2)
- （１）酸化亜鉛を主成分とし焼結体自体が電圧非直線性
を有する電圧非直線抵抗体の製造方法にお（・て、出発
原料添加物として少なくともチタン酸ビスマス化合物Ｙ
Ｂ ｉ ４Ｔ ｉ ３０１２の形に換算して０．０５
〜３．０モル％含むことを特徴とする電圧非直線抵抗体
の製造方法。 - （２）チタン酸ビスマス化合物のほかに添加物元素とし
てＣｏ、 Ｍｎ、 Ｎｉ、 Ｃｒ、 Ｓｂ、 Ｓｎ、
ＡＩ、 Ｍｇ。 Ｂａ、 Ｂ’、 Ｓｉ、 Ｐｂ、 Ｆｅ、 Ｓｒ のう
ち少なくとも１種以上を含むこと馨特徴とする特許請求
の範囲第（１）項記載の電圧非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137231A JPS6028203A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58137231A JPS6028203A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6028203A true JPS6028203A (ja) | 1985-02-13 |
Family
ID=15193844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58137231A Pending JPS6028203A (ja) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6028203A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5739742A (en) * | 1995-08-31 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
| US5770113A (en) * | 1995-03-06 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
-
1983
- 1983-07-26 JP JP58137231A patent/JPS6028203A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5770113A (en) * | 1995-03-06 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
| US6146552A (en) * | 1995-03-06 | 2000-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same |
| US5739742A (en) * | 1995-08-31 | 1998-04-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide ceramics and method for producing the same and zinc oxide varistors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2012060099A (ja) | 高温動作酸化亜鉛サージ防止素子 | |
| JP2007173313A (ja) | 電流−電圧非直線抵抗体 | |
| JPS6028203A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS60233801A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP3323701B2 (ja) | 酸化亜鉛系磁器組成物の製造方法 | |
| JP2536128B2 (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPH0128481B2 (ja) | ||
| JPS5821806B2 (ja) | 焼結型電圧非直線抵抗体 | |
| JP2625178B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2510961B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP2830321B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0795482B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2548297B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP2006245111A (ja) | ビスマス系酸化亜鉛バリスタ | |
| KR20060011309A (ko) | 디스프로시아가 첨가된 프라세오디미아계 산화아연바리스터 및 그 제조 방법 | |
| CN106946562B (zh) | In3+、Nb5+复合施主掺杂ZnO压敏陶瓷及制备方法 | |
| JPS6028121B2 (ja) | 電圧非直線抵抗器の製造方法 | |
| JPH0128483B2 (ja) | ||
| JPH038765A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 | |
| JPH0574606A (ja) | 低電圧用酸化亜鉛バリスタ | |
| JPH10312909A (ja) | 低電圧用電圧非直線性抵抗器の製造方法 | |
| JP3838026B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器の製造方法 | |
| JPH02296301A (ja) | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 | |
| JPH0128485B2 (ja) | ||
| JPH0128486B2 (ja) |