JPS58195432U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPS58195432U
JPS58195432U JP9150982U JP9150982U JPS58195432U JP S58195432 U JPS58195432 U JP S58195432U JP 9150982 U JP9150982 U JP 9150982U JP 9150982 U JP9150982 U JP 9150982U JP S58195432 U JPS58195432 U JP S58195432U
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JP
Japan
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semiconductor manufacturing
gas
chamber
manufacturing equipment
growth
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Pending
Application number
JP9150982U
Other languages
English (en)
Inventor
健 上條
正男 小林
古川　量三
Original Assignee
沖電気工業株式会社
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Publication date
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Priority to JP9150982U priority Critical patent/JPS58195432U/ja
Publication of JPS58195432U publication Critical patent/JPS58195432U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の気相成長半導体製造装置を示す構成説明
図、第２図はこの考案の第１の実施例による半導体製造
装置を示す構成説明図、第３図は同第２の実施例による
半導体製造装置を示す構成説明図である。 １１・・・・・・反応管、１２・・・・・・ガス導入口
、１３・・・・・・基板サセプタ、１４・・・・・・ガ
ス排出口、２１゜３１・・・・・・ガス混合室、２１ａ
、３１ａ・・・・・・ガス導入管、２２．３２・・・・
・・成長室、２２ａ、３２ａ・・・・・・基板サセプタ
、２３．３３・・・・・・シャッタ、２４゜３４・・・
・・・ガス供給装置、２５．　２６．　３５．　３６・
・・・・・排気口、２５ａ、２６ａ、３５ａ、３６ａ・
・・・・・制御弁、２７．３７・・・・・・制御器、２
Ｂ、　　２９．　３８゜３９・・・・・・真空計。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 気相成長を行なう半導体製造装置において、ガス供給装
    置と連通ずるガス室と、ガス混合室との真空度の違いを
    利用した差動排気によりガス混合室からガスが供給され
    る成長室と、前記ガス混合室および成長室の差動排気を
    制御する制御器とを備えたことを特徴とする半導体製造
    装置。
JP9150982U 1982-06-21 1982-06-21 半導体製造装置 Pending JPS58195432U (ja)

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JP9150982U JPS58195432U (ja) 1982-06-21 1982-06-21 半導体製造装置

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JPS58195432U true JPS58195432U (ja) 1983-12-26

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ID=30221503

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