JPH019151Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH019151Y2 JPH019151Y2 JP13783483U JP13783483U JPH019151Y2 JP H019151 Y2 JPH019151 Y2 JP H019151Y2 JP 13783483 U JP13783483 U JP 13783483U JP 13783483 U JP13783483 U JP 13783483U JP H019151 Y2 JPH019151 Y2 JP H019151Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shroud
- refrigerant
- semiconductor manufacturing
- liquid level
- drop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の利用分野〕
本考案は、半導体製造装置に係り、特に冷媒を
保有する空間が独立し冷媒の消費量が異なるシユ
ラウドを複数個有する半導体製造装置に関するも
のである。
保有する空間が独立し冷媒の消費量が異なるシユ
ラウドを複数個有する半導体製造装置に関するも
のである。
半導体製造装置では、シユラウド、例えば、液
体窒素シユラウド（以下、LN2シユラウドと略）
を使用して、雰囲気ガスや不純物などをLN2シユ
ラウドの表面に吸着させ雰囲気の清浄化や真空度
の向上に役立つている。１例として第１図に従来
の分子線エピタキシヤル装置を示す。１は真空
槽、２は鏡板、３，４はLN2シユラウド、５は分
子線源、６，７は温度センサー、８，９は冷媒補
給管、、１０，１１は排気管、１２，１３は制御
器、１４，１５は電磁弁である。
体窒素シユラウド（以下、LN2シユラウドと略）
を使用して、雰囲気ガスや不純物などをLN2シユ
ラウドの表面に吸着させ雰囲気の清浄化や真空度
の向上に役立つている。１例として第１図に従来
の分子線エピタキシヤル装置を示す。１は真空
槽、２は鏡板、３，４はLN2シユラウド、５は分
子線源、６，７は温度センサー、８，９は冷媒補
給管、、１０，１１は排気管、１２，１３は制御
器、１４，１５は電磁弁である。
以上の構成において、その作用を以下説明す
る。制御器１２を動作させると、温度センサー６
が気相部にあるとそれに応じた信号を温度センサ
ー６から制御器１２が受け、それに対応して制御
器１２は電磁弁１４を開く信号を出し冷媒である
液体窒素（以下LN2と略）がLN2シユラウド３に
供給される。LN2シユラウド４にも同様にして
LN2が補給される。なお、第１図の例のように
LN2シユラウド３に温度センサー６が１個だけの
場合には、LN2の消費量が多い時などは電磁弁１
４の開閉が頻繁に行なわれ、液面変動がはげしく
制御不能におちいることがある。そのため、温度
センサー６から液面低下の信号を制御器１２が受
けても直ちに電磁弁１４を開かせる信号を発せ
ず、制御器１２に内蔵されているタイマーを介し
てある時間後に電磁弁１４を開かせる信号を発し
てLN2を補給することは一般に行なわれている。
る。制御器１２を動作させると、温度センサー６
が気相部にあるとそれに応じた信号を温度センサ
ー６から制御器１２が受け、それに対応して制御
器１２は電磁弁１４を開く信号を出し冷媒である
液体窒素（以下LN2と略）がLN2シユラウド３に
供給される。LN2シユラウド４にも同様にして
LN2が補給される。なお、第１図の例のように
LN2シユラウド３に温度センサー６が１個だけの
場合には、LN2の消費量が多い時などは電磁弁１
４の開閉が頻繁に行なわれ、液面変動がはげしく
制御不能におちいることがある。そのため、温度
センサー６から液面低下の信号を制御器１２が受
けても直ちに電磁弁１４を開かせる信号を発せ
ず、制御器１２に内蔵されているタイマーを介し
てある時間後に電磁弁１４を開かせる信号を発し
てLN2を補給することは一般に行なわれている。
第１図の例は鏡板２と真空槽１を分離する必要
があるため、LN2シユラウド３とLN2シユラウド
４が独立した構造となつている。この例では、制
御器１２、制御器１３と２個あつて高価となる。
また、LN2シユラウド４の内容積を大きくするこ
とは全体構成から制限があつてできず、分子線源
５の発熱による熱負荷をLN2シユラウド４が受け
てLN2の消費量が多く液面低下ははやい。前記の
ように、制御器１３に内蔵されたタイマーで液面
が異常に低下しないように調節することは可能で
ある。しかし、熱負荷が必ずしも一定ではないの
でその調節は実用上困難であり、したがつて、
LN2の液面低下はLN2シユラウド４の冷却に支障
をきたしLN2シユラウド４に温度勾配を生じ上部
は温度上昇しLN2シユラウド４の機能がそこなわ
れてしまう。
があるため、LN2シユラウド３とLN2シユラウド
４が独立した構造となつている。この例では、制
御器１２、制御器１３と２個あつて高価となる。
また、LN2シユラウド４の内容積を大きくするこ
とは全体構成から制限があつてできず、分子線源
５の発熱による熱負荷をLN2シユラウド４が受け
てLN2の消費量が多く液面低下ははやい。前記の
ように、制御器１３に内蔵されたタイマーで液面
が異常に低下しないように調節することは可能で
ある。しかし、熱負荷が必ずしも一定ではないの
でその調節は実用上困難であり、したがつて、
LN2の液面低下はLN2シユラウド４の冷却に支障
をきたしLN2シユラウド４に温度勾配を生じ上部
は温度上昇しLN2シユラウド４の機能がそこなわ
れてしまう。
このような半導体製造装置では、シユラウドへ
の熱負荷が大きい場合、そのシユラウドでの冷媒
の液面低下が大きくなるため、冷媒の液面が異常
に低下しないように調節することが困難となりシ
ユラウドの機能が損われるといつた欠点があつ
た。
の熱負荷が大きい場合、そのシユラウドでの冷媒
の液面低下が大きくなるため、冷媒の液面が異常
に低下しないように調節することが困難となりシ
ユラウドの機能が損われるといつた欠点があつ
た。
本考案の目的は、冷媒の消費量が多いシユラウ
ドでの冷媒の液面低下を小さく抑制することで、
シユラウドの機能を良好に維持できる半導体製造
装置を提供することにある。
ドでの冷媒の液面低下を小さく抑制することで、
シユラウドの機能を良好に維持できる半導体製造
装置を提供することにある。
本考案は、冷媒の消費量が少ないシユラウドに
冷媒補給管を連結すると共に、該シユラウドと冷
媒の消費量が多いシユラウドとを冷媒連通管で連
結したことを特徴とするもので、冷媒の消費量が
多いシユラウドでの冷媒の液面低下を小さく抑制
しようとしたものである。
冷媒補給管を連結すると共に、該シユラウドと冷
媒の消費量が多いシユラウドとを冷媒連通管で連
結したことを特徴とするもので、冷媒の消費量が
多いシユラウドでの冷媒の液面低下を小さく抑制
しようとしたものである。
本考案の一実施例を第２図により説明する。な
お、第２図で、第１図と同一部品等は同一符号で
示し説明を省略する。
お、第２図で、第１図と同一部品等は同一符号で
示し説明を省略する。
第２図で、この場合、冷媒であるLN2の消費量
が少ないLN2シユラウド３には、電磁弁１４が設
けられた冷媒補給管８が連結されている。LN2シ
ユラウド３とLN2の消費量が多いLN2シユラウド
４とは、冷媒連通管１６で連結されている。
が少ないLN2シユラウド３には、電磁弁１４が設
けられた冷媒補給管８が連結されている。LN2シ
ユラウド３とLN2の消費量が多いLN2シユラウド
４とは、冷媒連通管１６で連結されている。
以上の構成において、第１図で説明したのと同
じように、温度センサー６からの信号を制御器１
２が受けそれに対応して電磁弁１４を開きLN2が
LN2シユラウド３に補給され、冷媒連通管１６を
介してLN2シユラウド３からLN2シユラウド４に
も冷媒が補給される。この場合、LN2シユラウド
４でのLN2消費割合は従来のように単独の場合よ
りも小さくなり、したがつて、LN2シユラウド４
における液面低下は単独の場合より小さく抑制さ
れる。
じように、温度センサー６からの信号を制御器１
２が受けそれに対応して電磁弁１４を開きLN2が
LN2シユラウド３に補給され、冷媒連通管１６を
介してLN2シユラウド３からLN2シユラウド４に
も冷媒が補給される。この場合、LN2シユラウド
４でのLN2消費割合は従来のように単独の場合よ
りも小さくなり、したがつて、LN2シユラウド４
における液面低下は単独の場合より小さく抑制さ
れる。
本実施例のような半導体製造装置では、次のよ
うな効果が得られる。
うな効果が得られる。
(1) LN2の消費量が多いLN2シユラウドでのLN2
の液面低下を小さく抑制できるため、LN2の液
面が異常に低下しないように調節することが容
易となりLN2シユラウドの機能を良好に維持で
きる。
の液面低下を小さく抑制できるため、LN2の液
面が異常に低下しないように調節することが容
易となりLN2シユラウドの機能を良好に維持で
きる。
(2) 制御器、温度センサー、電磁弁、冷媒補給管
で構成される冷媒補給系を２系列から１系列へ
と少なくできるため、装置価格が安価となると
共に、制御を簡略化でき信頼性を向上できる。
で構成される冷媒補給系を２系列から１系列へ
と少なくできるため、装置価格が安価となると
共に、制御を簡略化でき信頼性を向上できる。
なお、本実施例では、半導体製造装置を１台と
して説明したが、その他に、複数台の半導体製造
装置の各シユラウドを冷媒連通管で適宜連結する
ようにしても良い。
して説明したが、その他に、複数台の半導体製造
装置の各シユラウドを冷媒連通管で適宜連結する
ようにしても良い。
本考案は、以上説明したように、冷媒の消費量
が少ないシユラウドに冷媒補給管を連結すると共
に、該シユラウドと冷媒の消費量が多いシユラウ
ドとを冷媒連通管で連結したことで、冷媒の消費
量が多いシユラウドでの冷媒の液面低下を小さく
抑制できるので、冷媒の液面が異常に低下しない
ように調節することが容易となりシユラウドの機
能を良好に維持できるという効果がある。
が少ないシユラウドに冷媒補給管を連結すると共
に、該シユラウドと冷媒の消費量が多いシユラウ
ドとを冷媒連通管で連結したことで、冷媒の消費
量が多いシユラウドでの冷媒の液面低下を小さく
抑制できるので、冷媒の液面が異常に低下しない
ように調節することが容易となりシユラウドの機
能を良好に維持できるという効果がある。
第１図は、従来の分子線エピタキシヤル装置の
縦断面図、第２図は、本考案による分子線エピタ
キシヤル装置の一実施例を示す縦断面図である。 ３，４……LN2シユラウド、８……冷媒補給
管、１６……冷媒連通管。
縦断面図、第２図は、本考案による分子線エピタ
キシヤル装置の一実施例を示す縦断面図である。 ３，４……LN2シユラウド、８……冷媒補給
管、１６……冷媒連通管。
Claims (1)
- 冷媒を保有する空間が独立し前記冷媒の消費量
が異なるシユラウドを複数個有する半導体製造装
置において、前記冷媒の消費量が少ない前記シユ
ラウドに冷媒補給管を連結すると共に、該シユラ
ウドと冷媒の消費量が多いシユラウドとを冷媒連
通管で連結したことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13783483U JPS6045427U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13783483U JPS6045427U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045427U JPS6045427U (ja) | 1985-03-30 |
| JPH019151Y2 true JPH019151Y2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=30309463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13783483U Granted JPS6045427U (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045427U (ja) |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP13783483U patent/JPS6045427U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6045427U (ja) | 1985-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20030007938A (ko) | 환경적으로 제어된 챔버내에 압력을 유지하는 방법 및 장치 | |
| JPS5939608B2 (ja) | 真空パツド装置 | |
| JPH019151Y2 (ja) | ||
| JPS5332230A (en) | Exhaust gas re-circulation system | |
| JPS59141718A (ja) | 内燃機関の掃気空気温度制御装置 | |
| JPH0633854B2 (ja) | 蒸発防止装置 | |
| JPS63119834A (ja) | 空気除湿装置 | |
| JP2556625Y2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01107082A (ja) | 空気分離装置の空気予冷却方法 | |
| JPS6365217U (ja) | ||
| JPH05299411A (ja) | 常圧気相成長装置 | |
| JPS57157047A (en) | Exhaust gas recirculation control system for diesel engine | |
| JP3295739B2 (ja) | 流体供給装置 | |
| JPS58203300A (ja) | 液体ヘリウムの供給方式 | |
| JPH02207782A (ja) | 培養方法及び装置 | |
| JPS6019977U (ja) | 半導体測定用試料台 | |
| JPH05296288A (ja) | 空気バネ式除振台の流量制御装置 | |
| JP2003042395A (ja) | ガス供給方法およびガス供給装置 | |
| JPS6297430U (ja) | ||
| JPH0390429U (ja) | ||
| JPH02138424U (ja) | ||
| JPS6244434U (ja) | ||
| Yamauchi et al. | Metal Mold Cooling Device | |
| JPS62138174U (ja) | ||
| JPS61131834U (ja) |