JPS6183028U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6183028U JPS6183028U JP16832684U JP16832684U JPS6183028U JP S6183028 U JPS6183028 U JP S6183028U JP 16832684 U JP16832684 U JP 16832684U JP 16832684 U JP16832684 U JP 16832684U JP S6183028 U JPS6183028 U JP S6183028U
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- JP
- Japan
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- core tube
- control unit
- gas
- furnace
- furnace body
- Prior art date
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- Pending
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の実施例を示す構成図、第２〜
第４図はセンサの特性を示す特性曲である。 １……ガス供給部、２……炉芯管ノズル、３…
…炉芯管、４……炉体、５……排気管、６……ス
カベンジヤー、７……炉芯管の排気口、８……吸
気管、９……吸気ポンプ、１０……吸気管、１１
……ガス分析装置、１６……制御部。
第４図はセンサの特性を示す特性曲である。 １……ガス供給部、２……炉芯管ノズル、３…
…炉芯管、４……炉体、５……排気管、６……ス
カベンジヤー、７……炉芯管の排気口、８……吸
気管、９……吸気ポンプ、１０……吸気管、１１
……ガス分析装置、１６……制御部。
Claims (1)
- 炉芯管内で半導体ウエーハを処理する炉体と、
該炉体の炉芯管内に反応ガスを送気するガス供給
部と、前記炉体及びガス供給部の動作制御を行な
う制御部と、前記炉芯管より排気されたガスの成
分を分析して成膜状況を監視し、不良状態発生時
に制御指令を制御部に発するガス分析装置とを有
することを特徴とする半導体膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16832684U JPS6183028U (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16832684U JPS6183028U (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183028U true JPS6183028U (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=30726102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16832684U Pending JPS6183028U (ja) | 1984-11-06 | 1984-11-06 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6183028U (ja) |
-
1984
- 1984-11-06 JP JP16832684U patent/JPS6183028U/ja active Pending
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