JPS58194341A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS58194341A JPS58194341A JP7289983A JP7289983A JPS58194341A JP S58194341 A JPS58194341 A JP S58194341A JP 7289983 A JP7289983 A JP 7289983A JP 7289983 A JP7289983 A JP 7289983A JP S58194341 A JPS58194341 A JP S58194341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- gas
- pressure
- ccl4
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- -1 CF4 and CHF3 Chemical class 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はエツチング方法に関し、詳しくは反応性スパッ
タエツチングによるシリコン（Ｓｉ）のエツチング方法
に関する。
タエツチングによるシリコン（Ｓｉ）のエツチング方法
に関する。
従来、半導体装置などの製造には、一般にエッチ液によ
る湿式のエツチングが広く用いられたが、湿式のエツチ
ングは、サイドエツチングの発生など多くの難点がある
。そのため、集積度の向上な−どにより、一層微細なパ
ターンの形成が必要になるにともなって、エツチングも
、エッチ液を使用しない、いわゆるドライエツチングが
提案され、その中でも、物理的なエツチングと化学的な
エツチングが同時に進行する、平板電極を用いた反応性
スバツタエ、チングが非常に注目されている。
る湿式のエツチングが広く用いられたが、湿式のエツチ
ングは、サイドエツチングの発生など多くの難点がある
。そのため、集積度の向上な−どにより、一層微細なパ
ターンの形成が必要になるにともなって、エツチングも
、エッチ液を使用しない、いわゆるドライエツチングが
提案され、その中でも、物理的なエツチングと化学的な
エツチングが同時に進行する、平板電極を用いた反応性
スバツタエ、チングが非常に注目されている。
この方法は、対向する平板電極を反応容器の中に配置し
て、一方の電極上に被エツチング物を置き、所定圧力の
ガス雰囲気中において、上記平板電極に高周波電力を印
加してプラズマを発生させ、エツチングを行なうもので
ある。
て、一方の電極上に被エツチング物を置き、所定圧力の
ガス雰囲気中において、上記平板電極に高周波電力を印
加してプラズマを発生させ、エツチングを行なうもので
ある。
反応性スバ、タエ、チングを半導体装置の製造に適用す
るトめには、エツチング速度、エツチングの選択性、加
工精度、工、チング面の清浄度など、多くの条件を満足
する必要がある。
るトめには、エツチング速度、エツチングの選択性、加
工精度、工、チング面の清浄度など、多くの条件を満足
する必要がある。
従来、シリコンまたはその化合物を反応性スバツタエ、
チングによって工、チする際、エツチングガスとしては
、一般に、たとえばＣＦ４やＣＨＦ ３など、各種フッ
化炭素や含フ、素炭化水素などが多く用いられたが、こ
れらフッ素を含むガスを用いたエツチングは、選択性や
エツチング積度などの点が不十分であり、さらに改善が
望まれていた。
チングによって工、チする際、エツチングガスとしては
、一般に、たとえばＣＦ４やＣＨＦ ３など、各種フッ
化炭素や含フ、素炭化水素などが多く用いられたが、こ
れらフッ素を含むガスを用いたエツチングは、選択性や
エツチング積度などの点が不十分であり、さらに改善が
望まれていた。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、高い選択性
をもって単結晶あるいは多結晶エッチできるような、反
応性スパッタエツチング法を提供することである。
をもって単結晶あるいは多結晶エッチできるような、反
応性スパッタエツチング法を提供することである。
本発明の他の目的は、所望の断面形状を得ることのでき
る、シリコンの反応性スパッタエツチング法を提供する
ことである。
る、シリコンの反応性スパッタエツチング法を提供する
ことである。
上記目的を達成するため、本発明は、ＣＣｌ４をエツチ
ングガスに用い、かつ、該エツチングガスの圧力を所望
の値に設定して、シリコンをエッチするものである。
ングガスに用い、かつ、該エツチングガスの圧力を所望
の値に設定して、シリコンをエッチするものである。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
本発明によれば、エツチングガスの圧力および高周波電
力密度を変えることによって、エツチングによって形成
される穴または溝の断面形状を広範囲に、かつ精度よく
調節することができる。
力密度を変えることによって、エツチングによって形成
される穴または溝の断面形状を広範囲に、かつ精度よく
調節することができる。
すなわち、第１図（ａ）に示すように、たとえば（１０
０）Ｓｉ基板１の表面に、８ｉ３Ｎ４やＳｉｎ。
０）Ｓｉ基板１の表面に、８ｉ３Ｎ４やＳｉｎ。
などからなるマスク２を被着し、ＣＣＩ、圧力５Ｐａ、
高周波電力密度０．３ Ｗ／ｃｄなる条件で、平板電極
を用いた反応性スバツタエ、チングを行なうと、エツチ
ング底面２は基板１の表面と平行になり、エツチング側
面４は基板１の表面とほぼ垂直になる。
高周波電力密度０．３ Ｗ／ｃｄなる条件で、平板電極
を用いた反応性スバツタエ、チングを行なうと、エツチ
ング底面２は基板１の表面と平行になり、エツチング側
面４は基板１の表面とほぼ垂直になる。
しかし、ＣＣｌ４ガス圧力１０Ｐａ、によび１５Ｐａに
すると第１’ＩＮ（ｂ）、（ｃ）に示したように、エツ
チング底面１２．２２は変らないが、エツチング側面１
４．２４は、それぞれ、基板１の表面と約７５０および
約６０°傾斜した。このような側面の角変変化は連続的
であり、ガス圧力を高く高周波電力密度を小さくすると
、基板表面とエツチング側面とのなす角度が小さくなり
、エツチング側面の傾斜がゆるやかになるので、所望の
傾斜を容易に得ることが可能である。
すると第１’ＩＮ（ｂ）、（ｃ）に示したように、エツ
チング底面１２．２２は変らないが、エツチング側面１
４．２４は、それぞれ、基板１の表面と約７５０および
約６０°傾斜した。このような側面の角変変化は連続的
であり、ガス圧力を高く高周波電力密度を小さくすると
、基板表面とエツチング側面とのなす角度が小さくなり
、エツチング側面の傾斜がゆるやかになるので、所望の
傾斜を容易に得ることが可能である。
しかも、単に傾斜がゆるやかになるばかりでなく、第１
図（ｂ）ｓ （Ｃ）に示したようにエツチング側面
１１４．２４は湾曲し、底面１２．２２との境
界における鋭い角度が解消されるので引き続いて行なわ
れる酸化処理によって、著るしい突出部や鋭い角度を持
った部分などが生ずる恐れはなく、半導体装置の信頼性
向上に極めて有効である。
図（ｂ）ｓ （Ｃ）に示したようにエツチング側面
１１４．２４は湾曲し、底面１２．２２との境
界における鋭い角度が解消されるので引き続いて行なわ
れる酸化処理によって、著るしい突出部や鋭い角度を持
った部分などが生ずる恐れはなく、半導体装置の信頼性
向上に極めて有効である。
一方、エツチングガスとしてＣＦ４などを用いて反応性
スパッタエツチングやプラズマエツチングを行なうと、
エツチング側面は本発明と同様に傾斜するが、マスクの
下部までがアンダーカットされてしまうので、穴や溝な
どの幅が大きくなってしまい、寸法精度が著るしく低下
する。
スパッタエツチングやプラズマエツチングを行なうと、
エツチング側面は本発明と同様に傾斜するが、マスクの
下部までがアンダーカットされてしまうので、穴や溝な
どの幅が大きくなってしまい、寸法精度が著るしく低下
する。
しかし、ＣＣｌ４をエツチングガスとして反応性スパッ
タエツチングを行なうと、第１図（ａ）〜（Ｃ）から明
らかなように、アンダーカットは全くなく、極めて高い
寸法精度を得ることが可能である。
タエツチングを行なうと、第１図（ａ）〜（Ｃ）から明
らかなように、アンダーカットは全くなく、極めて高い
寸法精度を得ることが可能である。
また、ＣＣＩ、をエツチングガスに用いたプラズマエツ
チングによって（１００）８ｉ基板をエツチングすると
、エツチング側面は、（１１１）面がそのままあられれ
て、基板表面との角度は５５ｏになる。そのため％Ｃ（
１４をエツチングガスに用いると、溝の幅を深さの１．
４倍より小さくすることはできず、ＣＣｌ４によるプラ
ズマエツチングは実用上大きな問題がある。
チングによって（１００）８ｉ基板をエツチングすると
、エツチング側面は、（１１１）面がそのままあられれ
て、基板表面との角度は５５ｏになる。そのため％Ｃ（
１４をエツチングガスに用いると、溝の幅を深さの１．
４倍より小さくすることはできず、ＣＣｌ４によるプラ
ズマエツチングは実用上大きな問題がある。
Ｌ、かも、ＣＣＩ、を用いたプラズマエツチングはＳｉ
の（１１１）面をエッチして穴や溝を形成することはで
きないという欠点がある。
の（１１１）面をエッチして穴や溝を形成することはで
きないという欠点がある。
ＣＣｌ４をエツチングガスとして用いた反応性スパッタ
エッチングは、これらのすべての点においてすぐれてお
り、半導体装置の製造には最も有用である。
エッチングは、これらのすべての点においてすぐれてお
り、半導体装置の製造には最も有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の詳細な説明するための断面図である。
１・・・Ｓｉ基板、３・・・マスク、２，１２．２２・
・・エツチング底面、４，１４．２４・・・エツチング
側慟 ／ 慴 ３ １６５−
・・エツチング底面、４，１４．２４・・・エツチング
側慟 ／ 慴 ３ １６５−
Claims (1)
- １、反応容器中に配置された対向する平板電極の一方に
高周波電力を印加して、上記平板電極上に置かれた単結
晶シリコンの（１００）面を所定のエツチングガスによ
って反応性スパッタエツチングする方法において、上記
エツチングガスはＣＣｌ４であり、かつ、上記エツチン
グガスの圧力を所望の値に設定することにより、垂直よ
りゆるやかで、かつ、所望の傾斜を有する側面を形成す
ることを特徴とするエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289983A JPS58194341A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7289983A JPS58194341A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | エツチング方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225079A Division JPS55107780A (en) | 1979-02-07 | 1979-02-07 | Etching method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194341A true JPS58194341A (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=13502652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7289983A Pending JPS58194341A (ja) | 1983-04-27 | 1983-04-27 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114530A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法及びその装置 |
-
1983
- 1983-04-27 JP JP7289983A patent/JPS58194341A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61114530A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング方法及びその装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4350563A (en) | Dry etching of metal film | |
| JPS6376330A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61500821A (ja) | デバイスの製造における無転移スロット分離のための方法 | |
| JPS58130529A (ja) | 半導体のエツチング方法 | |
| JPS58194341A (ja) | エツチング方法 | |
| JP2681058B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6116524A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS59167021A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58130528A (ja) | 半導体のエツチング方法 | |
| JPS62106629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6043829A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH0160939B2 (ja) | ||
| JPS6230268B2 (ja) | ||
| JPH05160084A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08330276A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6050055B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPH02114524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01119028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01214025A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0130294B2 (ja) | ||
| JPS5828853A (ja) | シリコン膜形成法 | |
| JPS6353928A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPS6265329A (ja) | エツチング法 | |
| JPS58130527A (ja) | 半導体のエツチング方法 | |
| JPS6265328A (ja) | エツチング法 |