JPS58194193A - メモリ回路 - Google Patents

メモリ回路

Info

Publication number
JPS58194193A
JPS58194193A JP57075159A JP7515982A JPS58194193A JP S58194193 A JPS58194193 A JP S58194193A JP 57075159 A JP57075159 A JP 57075159A JP 7515982 A JP7515982 A JP 7515982A JP S58194193 A JPS58194193 A JP S58194193A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
circuit
output
word
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57075159A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiro Sueda
末田 昭洋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP57075159A priority Critical patent/JPS58194193A/ja
Publication of JPS58194193A publication Critical patent/JPS58194193A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はメモ91gl路に係り、とくにメモリ回路の入
出力回路KMする。
〔発明の孜雨的背象〕
従来のメモリ回路を図面を用いて説明する。第1図は従
来の几AMの入出力回路のブロック因でめる。メモリセ
ル#P12の行方向を選択するためのデコード信号DX
がローデコーダ11に入力する。a −デコーダ1lF
iデコード信号DXを行方向アドレス信号Xに変換し、
メモリセル群12の行選択を行なう。
一方、メモリセル群120列方向を選択するためのデコ
ード信号DYは、カラムデコーダ13に入力する。
カラムデコーダ13はデコード信号DYを列方向アドレ
ス信号Yに変換し、入出力制御回路14に送る。
入出力制#(ロ)w114では、前記アドレス信号Y 
KIhづいてメモリセル群12の列方向のパスラインB
USを選択し、データの書込みや、読出しをhなう。
絖出しと誉龜込みの区別は入出力制御回路に人力するR
/W @号により制御される。またデータの外部との人
出力は入出力縁I10によりhなう。
第2図は、従来のRAMの入出力回路の峠細凶でおる。
この)tAMはlワードが8 bitの構成となってお
り、アドレスを指定すると、同時に8 bitのデータ
の人出力が、Ilo 1− l108の入出力縁を通し
て竹なえるようになっている。カラムデコーダ13は、
デコード−DY、〜DY、及び七の反転出力でめるDY
1〜1JYaとの所定の論理和をとるNokL回路21
゜4・・・から構成されている。これらのNo)1回路
21,22.−の出力Y、、Y、・・・がタ1j方向ア
ドレスイg号となり、入出力制御回路14に人力する。
人出力如」#囲路14は、メモリセル12の各列とそれ
ぞれ法統されたパスラインBU81. BU82.・・
・と、CPUとのデータの出し入れを行なう入出力−1
/Ul〜■108とを人力用のクロックドインバー!”
I+■!+・・・及びこれと並夕IJに設けられた出力
用のクロックドインバータ11+ll+・・・を介して
接続している。、lワードが8b口で入出力されるため
、大田カーは8本となっており、各パスライフ48本ご
とに同じ人田力線に接続される。
人力用クロックドインバータのクロックにはIIσ記N
OルgAmからのアドレス16号Y、、Y、・・・と書
き込み信号Wとの論理積が入力する。また出力用クロッ
   ゛クドインバータのクロックには、同じアドレス
倍@ Y+ 、 Y倉・・・と絖み出し信Matとのa
tm槓が入力する。
以上の構成による動作を説明する。まず外部からのデコ
ード信号により行方向及び列方向のアドレスが指定され
る。行方向アドレス信号Xによp行が選択されるとその
行に必るメモリセルのデータがパスライン1JLJsl
、 BU82.・・・より入出力動」#1路に送られる
。一方、列方向アドレスが指定され、例えばY、が選択
されると、絖み出しの場合、クロック信号Y1・Rが入
力しているり■ツクトイ/バータI、〜■畠のゲートが
開いてパス2インに3U81− k3U88に送られて
きたデータが入出力@ Ilo l−1/l) 8に出
力される。書き込みの場合はクロックドインバータI、
〜■8のゲートが開いて入出力m1101〜l108よ
りの**込みが可能となる。
〔背景技術の問題点〕
従来のメモリ(ロ)路で扛、1ワードのビット数が固定
場れており、飢えば前述した例でいえは、lワードが8
ビツトで構成されている。この場合、 −データの出し
入れに必らず8ビツト率位で、並タリに行なわれる。と
ころが、データの西谷によって1よ、lワードに8ビツ
トは必嶽とせず、4ビツトで建りる場合がある。このよ
うな際には8ビツトのうち4ビツト分は無駄な処理を行
なうことになってしまう。つまり従来のメモリ回路はl
ワード8ビツトで処理していたものを4ビツトで処理し
てもワード喪算谷童を増やすことができず、同−CPU
で、8ビツト処理と4ビツト処理の兼用には不向龜でめ
った。
〔開明の目的〕
奉宛@8μ、従来技術の問題点を克服し、配憶容量を無
駄にすることなく人出力の除の1ワードのビット数を叢
吏することができる入出力機能をもったメモリ回jl1
6”r提供することを目的とする。
〔発明の砥蓋〕
本発明は、メモリセルのA択に際し、同時に選択される
セルのat−切替手段により変更でさるようにし友もの
でめる。
〔発明の幼果) 本発明によれは、アドレスt−指定した際に同時に入出
力されるデータのビット数を変更できるため、データの
1尋によって1ワードのビット数倉変更することが可能
となる。例えばlワードのピット数を少なくすれば、全
体としてワード数換算の容量は増大させることができる
。このように本発明によれはメモリの記憶容量を有効に
利用することができる。
〔発明の爽施例〕
本発明の一実施例を第3図を用いて説明する。
メモリセル沖120行方向を選択するデコード信号DX
がローデコーダ11に入力する。ローデコーダ11は、
デコード信号DXを行方向アドレス信号Xに変換し、メ
モリセル抑12の行選択を行なう。一方、メモリセル解
12の列方向を選択するデコード信号Dη・・・DYr
lがカラムデコーダ33はデコードOI号DYビ・DY
、及びその反転信号の所定の組合せの@埋却をとるNo
几回路から構成されている。例えはNOR回路31は、
DY、・・・DY、を入力とし、NOR回路32はl)
Y、−・・DYfl−1,DYnを入力としている。N
o)1回路31社DY、・・・DYnがすべて“0″の
ときのみ選択されて列アドレス信号Y+ = @l ”
を出力する。またNOR回路32tj−DY+ ・DY
ll−、カ”0″−t’DY、=”l” ノド睡*け遇
パされる。このとき列アドレス信号Y! =“1”を出
力する。またこれらのN08回に131,32.・・・
には、それぞれ同じデコード瞼にahaれたペアのNO
Rこれらの各組のNOル回鮎回路、デコード細IJY、
・・・DYnからの16号の他にそれぞれビット数切替
1111制御を竹なうためのNOR[gl回路35N(
JkL回時36の出力の一方が人力している。前記N0
1(回路35にはコントロール信1eとNOR回路36
の出力が入力している。。
NO)L1gl路箕には、コントロール信号Cとデコー
ド48号1)Yoが入力する。以上のカラムデコーダ3
3からの列アドレス16号Y、、Y、、Y、、Y、  
・・・・が入出力制御回路凋に込られる。人出力部J御
回路34では、メモリセル12の6幻とそれぞれ媛枕さ
れたバスラ・イ/BU81 、 Bus2 、・・・、
)188とCPUとのデータの出し入れを′hなう入出
力縁l101〜l108とを壷き込み用のクロックドイ
ンバータ’I+11+・・・及びこれと花列に設けられ
た読み出し用のクロックドインバータ’l + ’4 
*・・・を介しYl絖している。
各パスラインは8本ごとに同じ人出カーに接続される。
ま九書き込み用のクロックドインバータ’I+I2.・
・・のクロックには、前記カラムデコーダ33よりの列
アドレス信号Y、 、 Y、 、も、Yl、・・・と畳
き込み1lil号Wの論理積が人力する。また続み出し
用のクロックドインバータIl+1!+・・・のクロッ
クには列アドレス信号Y、 、 Y、 、 Y、 、 
Y、 、・・・と銃み田し信−wjRの論理積が人力す
る。前配列アドレス信号Y1 * Yl +も、Y、。
・・・のおのおのが4本のパスラインのゲートを制御す
るようになっている0例えば、YIがBN21− Bu
s4を制御し、Y、がBus s〜BUS Bを制御す
る。またYfがBN29〜BUS12をTh1J 1l
il L、YlがBU813〜BUS16を制御する。
次に本来凡例の製作をB5L+31する。まず、lワー
ド8ビツトで使用する際はコントロール1H−号e=”
l”とする。この時は、へ0ル回鮎訪及び36の出力は
どちらも10′となり、デコード信gDYoに依らない
このため谷ペアのNOR回路31と31.32と32.
°・°の10”の信号が送られる。従って谷ベアの区別
はなくなり、残りの列デコード信号IJY1・・DY、
によって1つのペアのN0I(回路が選択される。例え
ば31と31が同時に選択され、 Y、=Y、=”0”
が出力される。
その結果に3U81− BN28のクロックドインバー
タ11〜la (*き込み)わるいはl、〜Is (読
み出し)のケートが屍かれ、入出力縁I101〜l10
87に通してlワード8ビツトの単位でCPUとの間に
データのやりとりが打なわれる。
次に1ワード4ビツトで使用する場合を考える。
この時はC= ”0”とする。こうすればNORIgl
略35゜36はインバータと等価でおり、夾實的にデコ
ード信号DYoを伝達するデコード鉢が新友にDYl・
・DY。
に加わることを(なる。つまりペアのNOR1g1路の
うち一方をis択することがoJ能となり、lワード4
ビツト率位で人出力の制御ができる。例えii’ DY
l・IJYlmがすべて@01でυYo=”l”の場合
は、N01(。
回l1631が選択されY、=“l”が出力される。こ
の時1jU81〜BIJ84だけのゲートが開かれ入出
力縁1/Ul〜■104を通じてデータの115 L入
れか’r−rhわれる。また、IJY、 ・LAYnが
すべて′θ″でDY、=″θ″の場合は、NOR回路3
1が選低6れY、=”l”か出力される。この時は、B
U85〜1lUs8ffけのゲートが開かれて、入出力
線■105〜■108を通してデータの出し入れが行な
える。
以上のように、本実施例ではコントロール佃号Cを′0
”と′l”に切り換えることにより、lワード8ビツト
単位と1ワ一ド4ビツト単位の入出力制御を使いわける
ことができる。しかも、lワード4ビツトで用いた時は
、8ビツトで用いた時に比べてワード換算容量が2倍に
なり、データ容置の無駄がまったくない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリ回路を示すブロック図である。第
2図は従来のメモリ回路の入出力匍」御回路図である。 第3図は本発明の一実施例の入出力制御回路図である。 12・・・・・・・メモリセル解 BO21・・・・・・パスライン 1/(、)l −l108・・・・・・・入出力線j3
  ・・・・・・・・・・ カラムデコーダ35.36
・・・・・・・・・・・・・ 切、#11111」−回
路(7317)  代理人 デ理上  則 近 廊 佑
(ほか1名) 第1図 i2図 2

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、メモリセル群と、このメモリセル群に接し8れデー
    タの転送を行なう複数のパスラインと、この複数のパス
    フィンに接続され外部とのデータの出し入れを行なう複
    数の入出力−と、創自己・、パスラインと前記入出力線
    との間のデータの転送をflllJ 御する複数のゲー
    ト回路と、これらのゲート回路のおのおのに接続され選
    択されるとゲートを開く信号を伝達する複数のアドレス
    縁と、これらのアドレス縁を選択するデコーダを有する
    メモリ回路eこおいて、前記デコーダが同時に選択する
    アドレス線の数を変吏する手段を有することを特徴とす
    るメモリ回路。 2デコーダが、複数のデコード縁とこれらに俵絖され所
    定のデコード信号の組み合せにより各々のアドレス線に
    選択信号を送る複数の論理回路から構成され、これらの
    論理回路は少なくとも2つずつの組に栴成されており同
    じ組の論理回路かユ同じデコード信号の組み合せにより
    選択されるように1記デコードーに!!絖されており、
    切替制御回路からのコントロール信号により前記選択さ
    れた同じ組の論理f1gl路がそのまま四時に選択され
    る状態と個々に選択される状態を切り替えられるように
    したことを%歓とする%杵錆求の範囲第1項記載のメモ
    リ回路。 3、切替制御(ロ)路がコントロール信号端子と、デコ
    ード端子と、これらを入力とする@lのNOR回路と、
    この第1ONOR回路の出力と前記コントロール信号を
    入力とする第2のNOR回路とから栴成し、これらの5
    41(1ONOi(回路と第2のNOR回路の選択状−
    を切り曽えることを%倣とする%詐訪求の111iIW
    A纂2穐記軌のメモリ回路。
JP57075159A 1982-05-07 1982-05-07 メモリ回路 Pending JPS58194193A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57075159A JPS58194193A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 メモリ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57075159A JPS58194193A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 メモリ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58194193A true JPS58194193A (ja) 1983-11-12

Family

ID=13568139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57075159A Pending JPS58194193A (ja) 1982-05-07 1982-05-07 メモリ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58194193A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182593A (ja) * 1984-03-01 1985-09-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体メモリ
JPH02168496A (ja) * 1988-09-14 1990-06-28 Kawasaki Steel Corp 半導体メモリ回路
JPH05250877A (ja) * 1992-03-03 1993-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
JP2009277341A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Sramセルの書き込みマージンを改善する書き込みアシスト回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130884A (en) * 1980-03-14 1981-10-14 Toshiba Corp Semiconductor memory device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56130884A (en) * 1980-03-14 1981-10-14 Toshiba Corp Semiconductor memory device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60182593A (ja) * 1984-03-01 1985-09-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体メモリ
JPH02168496A (ja) * 1988-09-14 1990-06-28 Kawasaki Steel Corp 半導体メモリ回路
JPH05250877A (ja) * 1992-03-03 1993-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路
JP2009277341A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd Sramセルの書き込みマージンを改善する書き込みアシスト回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH079976B2 (ja) 半導体メモリ
JPS62182862A (ja) 大容量メモリおよび該大容量メモリを具備するマルチプロセツサシステム
JPS59227088A (ja) メモリ装置
JPS61143865A (ja) 直接データ転送のためのインターフエース
JPS58194193A (ja) メモリ回路
JPS63184987A (ja) 半導体記憶装置
JPS60133587A (ja) 半導体記憶装置
JPH07200385A (ja) 低電力動作モードを備えたメモリを有するデータ処理システムおよびその方法
JPS63300492A (ja) 半導体メモリ装置
JP2969825B2 (ja) デュアルポートメモリ
JPS60140591A (ja) バブルメモリ装置
JPS6143362A (ja) 集積回路装置
JP2693629B2 (ja) レジスタファイル
JPH0215495A (ja) 半導体記憶装置
JPH07312081A (ja) ランダム・アクセス・メモリ回路
JPS63142446A (ja) アドレス生成方式
JPH05289938A (ja) メモリアクセス装置
JPS61157953A (ja) メモリ装置
JPH09320259A (ja) 半導体記憶装置
JPH0724160B2 (ja) 連想記憶装置
JPS60170096A (ja) 半導体メモリ装置
JPS6220043A (ja) マルチプロセツサ用非同期同時アクセスの可能なランダムアクセスメモリ−
JPS61224050A (ja) メモリアクセス回路
JPS60181944A (ja) フラグ読み出し機構
JPH02141851A (ja) レジスタ読出し回路