JPS58194187A - メモリ装置 - Google Patents
メモリ装置Info
- Publication number
- JPS58194187A JPS58194187A JP57075737A JP7573782A JPS58194187A JP S58194187 A JPS58194187 A JP S58194187A JP 57075737 A JP57075737 A JP 57075737A JP 7573782 A JP7573782 A JP 7573782A JP S58194187 A JPS58194187 A JP S58194187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- address
- random access
- data
- semiconductor memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子計算機のメモＩＩ装置に関し、特に不揮
発性の外部メモリ装置の利用に関する本のである。
発性の外部メモリ装置の利用に関する本のである。
不揮発性の外部メモリ装置としては磁気テープ、磁気デ
ィスク、バブルメモリ等があるが、この発明に用いる不
揮発性メモ１」はどのような種類のもので本よいので、
以下の説明は磁気ディスクを外部メモリとして用いた場
合について記述する。
ィスク、バブルメモリ等があるが、この発明に用いる不
揮発性メモ１」はどのような種類のもので本よいので、
以下の説明は磁気ディスクを外部メモリとして用いた場
合について記述する。
従来この釉のメモリ装置としては２１図に示すものがあ
った。図において１１）は固定ヘッドディスクメモリ、
（２）はインタフェース、１３１ＵｃＰＵバス、（４１
はディスクメモリ装置の内部接続毎号線、（５）はディ
スクメモリ装置とＣＰＵバス（３１との接続信号線であ
る。第２図は第１図の接続（７８号線（５）上の信号の
タイミングを示すタイミング図であって、同図（ａ）Ｆ
ｉアクセスリクエスト化号（６１ヲ示し同図（ｂ） Ｉ
ｆデデー転送フェース（７）を示す。１８１ ｄアクセ
スタイム、（９）はデータ有効期間である。ＣＰＵ （
図示せず）側カラＣＰＵハス（３１ヲ経てアクセスリク
エスト信号＋６１が与えられると固定ヘッドディスクメ
モリｔｌｌＵあらかしめ指定されたアドレスに対応する
セグメント位置までディスクを回転させて指定されたア
ドレスの先頭番地と一致した点からデータ転送フェース
（７）を開始する。信号（６）の始点からデータ転送フ
ェース（７）の始点までの時間をアクセスタイムと呼ぶ
。アクセスタイムは固定ヘッドディスクメモリでは通常
１ｍｓ乃至数百ｍ８である。データ有効期間（９）の間
には、ディスクの回転位相の同期をとるためのデータ無
効期間が存在する。
った。図において１１）は固定ヘッドディスクメモリ、
（２）はインタフェース、１３１ＵｃＰＵバス、（４１
はディスクメモリ装置の内部接続毎号線、（５）はディ
スクメモリ装置とＣＰＵバス（３１との接続信号線であ
る。第２図は第１図の接続（７８号線（５）上の信号の
タイミングを示すタイミング図であって、同図（ａ）Ｆ
ｉアクセスリクエスト化号（６１ヲ示し同図（ｂ） Ｉ
ｆデデー転送フェース（７）を示す。１８１ ｄアクセ
スタイム、（９）はデータ有効期間である。ＣＰＵ （
図示せず）側カラＣＰＵハス（３１ヲ経てアクセスリク
エスト信号＋６１が与えられると固定ヘッドディスクメ
モリｔｌｌＵあらかしめ指定されたアドレスに対応する
セグメント位置までディスクを回転させて指定されたア
ドレスの先頭番地と一致した点からデータ転送フェース
（７）を開始する。信号（６）の始点からデータ転送フ
ェース（７）の始点までの時間をアクセスタイムと呼ぶ
。アクセスタイムは固定ヘッドディスクメモリでは通常
１ｍｓ乃至数百ｍ８である。データ有効期間（９）の間
には、ディスクの回転位相の同期をとるためのデータ無
効期間が存在する。
以上のように、外部メモリ装置として用いられる不揮発
性メモＩＪ ［一般に、不揮発性であるという特徴の外
に大量のデータを格納することができるという特徴があ
るが、アクセスタイム（ａｃｃｅｓｓｔｉｍｅ）が大き
いという欠点があり、かつ磁気ヘッドと記憶媒体とが相
対運動をする形のものではその運動の起動停止を制御せ
ねばならず、また記憶媒体と磁気ヘッドとの間でヘッド
クラッシュ（ｈｅａｄ ｃｒａｓｈ）を発生して誤動作
の原因となるおそれがめるという欠点があった。
性メモＩＪ ［一般に、不揮発性であるという特徴の外
に大量のデータを格納することができるという特徴があ
るが、アクセスタイム（ａｃｃｅｓｓｔｉｍｅ）が大き
いという欠点があり、かつ磁気ヘッドと記憶媒体とが相
対運動をする形のものではその運動の起動停止を制御せ
ねばならず、また記憶媒体と磁気ヘッドとの間でヘッド
クラッシュ（ｈｅａｄ ｃｒａｓｈ）を発生して誤動作
の原因となるおそれがめるという欠点があった。
＼この発明は上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、不揮発性メモリとランダムアク
セス半導体メモリを組合せることにより、不揮発性であ
ってかつアクセスの容易な高速大容量の外部メモリ装置
全提供することを目的としている。
ためになされたもので、不揮発性メモリとランダムアク
セス半導体メモリを組合せることにより、不揮発性であ
ってかつアクセスの容易な高速大容量の外部メモリ装置
全提供することを目的としている。
以下、図面についてこの発明の詳細な説明する。第３図
はこの発明の一実施例を示すブロック図で、ニア１図と
同一符号は同−又は相当部分金示し、ａｕｈ高速アクセ
スの可能なランダムアクセス半導体メモリ、（６）はＣ
ＰＵバス（３）との接続を制御するインタフェース、（
１３Ｕコントローラ、Ｑ４はインタフェース（ロ）とラ
ンダムアクセス半導体メモ９０１間の接続バス、（９）
はタンダムアクセス半導体メモリＵυと固定ヘッドディ
スクメモ１月１ｊ間の接続バスである。
はこの発明の一実施例を示すブロック図で、ニア１図と
同一符号は同−又は相当部分金示し、ａｕｈ高速アクセ
スの可能なランダムアクセス半導体メモリ、（６）はＣ
ＰＵバス（３）との接続を制御するインタフェース、（
１３Ｕコントローラ、Ｑ４はインタフェース（ロ）とラ
ンダムアクセス半導体メモ９０１間の接続バス、（９）
はタンダムアクセス半導体メモリＵυと固定ヘッドディ
スクメモ１月１ｊ間の接続バスである。
また、第４図は第３図に示す装置の動作を表す動作フロ
ーチャートであって、（４ｏ）、（ａｌ）、（４ｚ）。
ーチャートであって、（４ｏ）、（ａｌ）、（４ｚ）。
（４３） ｋｌそれぞれプログラムステップを示す。第
４図に示すように電源投入以前にはランダムアクセス半
導体メモＩＩ （ｉｌｌの内容は消されているのでステ
ップ（４０）、（４１）によりディスクメモ１７１１１
ｅ起動しその記憶内容を全部ランダムアクセス半導体
メモリａυに転送する。その後はディスクメモＩＪ ｆ
ｉ＋は使用されず、ＣＰＵはもっばらランダムアクセス
半導体メモリαＤにアクセスする。ただし、ＣＰＵｄ−
らランダムアクセス半導体メモリｆｉｌｌへ書込む（ラ
イト）動作も行われるので、この督込んだアドレスの部
分、すなわちこのアドレスにもとがらめったデータを書
換えた部分は、遅くとも電源しゃ断（４３）の前までに
はディスクメモ１月１）へ転送しておく。
４図に示すように電源投入以前にはランダムアクセス半
導体メモＩＩ （ｉｌｌの内容は消されているのでステ
ップ（４０）、（４１）によりディスクメモ１７１１１
ｅ起動しその記憶内容を全部ランダムアクセス半導体
メモリａυに転送する。その後はディスクメモＩＪ ｆ
ｉ＋は使用されず、ＣＰＵはもっばらランダムアクセス
半導体メモリαＤにアクセスする。ただし、ＣＰＵｄ−
らランダムアクセス半導体メモリｆｉｌｌへ書込む（ラ
イト）動作も行われるので、この督込んだアドレスの部
分、すなわちこのアドレスにもとがらめったデータを書
換えた部分は、遅くとも電源しゃ断（４３）の前までに
はディスクメモ１月１）へ転送しておく。
第５図はランダムアクセス半導体メモＩＪ Ｑυへのア
クセスを示す動作タイムチャートで、同図（ａ）はアク
セスリクエ゛スト信号（６１、同図（ｂ） Ｕライトデ
ータ転送Ｍ、同図（ｃ）にリードデータ転送（１８１）
、（１８２）。
クセスを示す動作タイムチャートで、同図（ａ）はアク
セスリクエ゛スト信号（６１、同図（ｂ） Ｕライトデ
ータ転送Ｍ、同図（ｃ）にリードデータ転送（１８１）
、（１８２）。
（１８３）、 同図（ｄ） ＃′ｉライト指示（ｔｌ？
）、同図（ｅ）はＩＪ−ド指示（１９１）、（１９２）
、（１９３）、同図（ｆ）はアドレス■、同図（ｇ）は
ディスクメモリ（１）への書込（２りを示す。 ・ 以下、第５図を用いて第３図の装置の動作を説いる間だ
けランダムアクセス半導体メモ１１ Ｑυへのアクセス
が行われ、ライト指示面が出ている時にはライトデータ
転送ａ→のデータがアドレスｊで示されるアドレスへ書
込まれ、１１−ド指示（１９１） 。
）、同図（ｅ）はＩＪ−ド指示（１９１）、（１９２）
、（１９３）、同図（ｆ）はアドレス■、同図（ｇ）は
ディスクメモリ（１）への書込（２りを示す。 ・ 以下、第５図を用いて第３図の装置の動作を説いる間だ
けランダムアクセス半導体メモ１１ Ｑυへのアクセス
が行われ、ライト指示面が出ている時にはライトデータ
転送ａ→のデータがアドレスｊで示されるアドレスへ書
込まれ、１１−ド指示（１９１） 。
（ｔ９ｚ）、（ｔａａ）が出ているときのアドレス（第
５図の例では２＠地、５番地、０番地）のデータが読出
されてリードデータ転送（ｔｓｉ ）、（ｉｓｚ）、（
ｔａａ）となる。２５図の例ではライト指示ｔｉηによ
って０番地へ新しいデータが書込まれたので、このデー
タをディスクメモ１月１）の対応する番地へ書込んでお
かねばならない。この瞥込みは第５図に示す実施例では
ランダムアクセス半導体メモリＯＤのデータ転送動作の
間隙（第５図（ロ））の斜線）に行り。電源・ しゃ断
（４３）前にはディスクメモリ（１）への書込を完了し
ておかねばならない。
５図の例では２＠地、５番地、０番地）のデータが読出
されてリードデータ転送（ｔｓｉ ）、（ｉｓｚ）、（
ｔａａ）となる。２５図の例ではライト指示ｔｉηによ
って０番地へ新しいデータが書込まれたので、このデー
タをディスクメモ１月１）の対応する番地へ書込んでお
かねばならない。この瞥込みは第５図に示す実施例では
ランダムアクセス半導体メモリＯＤのデータ転送動作の
間隙（第５図（ロ））の斜線）に行り。電源・ しゃ断
（４３）前にはディスクメモリ（１）への書込を完了し
ておかねばならない。
以上のような制御はたとえばマイクロコンピュータを使
用したコントローラＱ３で行う。
用したコントローラＱ３で行う。
以上のようにこの発明によれば、不揮発性メモリ装置と
ランダムアクセス半導体メモリを組合せ性メモリに高速
にアクセスできるという効果がある。
ランダムアクセス半導体メモリを組合せ性メモリに高速
にアクセスできるという効果がある。
第１図は従来の装置を示すブロック図、第２図は第１図
の信号線上の信号のタイミングを示すタイミング図、第
３図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第４図は
′２３図に示す装置の動作を表す動作フローチャート、
第５図は第３図のランダムアクセス半導体メモリへのア
クセスを示す動作タイムチャートである。 （１）・・・固定ヘッドディスクメモリ、＋３１・・Ｃ
ＰＵバス、０υ・・・ランダムアクセス半導体メモリ、
（６）・・・インタフェース、（１３１・・・コントロ
ーラ。 なお、図中−−符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野 信−
の信号線上の信号のタイミングを示すタイミング図、第
３図はこの発明の一実施例を示すブロック図、第４図は
′２３図に示す装置の動作を表す動作フローチャート、
第５図は第３図のランダムアクセス半導体メモリへのア
クセスを示す動作タイムチャートである。 （１）・・・固定ヘッドディスクメモリ、＋３１・・Ｃ
ＰＵバス、０υ・・・ランダムアクセス半導体メモリ、
（６）・・・インタフェース、（１３１・・・コントロ
ーラ。 なお、図中−−符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 葛野 信−
Claims (1)
- 電源が遮断された状態においても記憶内容をそのまま保
持することができる不揮発性メモリと、この不揮発性メ
モリの内容が入力されるランダムアクセス半導体メモリ
と、電源を新に投入した時点において上記不揮発性メモ
リの全内容を上記ランダムアクセス半導体メモリに転送
する手段と、中央処理装置から上記ランダムアクセス半
導体メモリにアクセスする手段と、上記ランダムアクセ
スメモリに新に書込みが行われたときは当該書込みが行
われたアドレスに関連する部分のデータ金１上記中央処
理装置を介することなくかつ上記′＃Ｌ源′ｆｔ遮断す
る。以前に、上記不揮発性メモ１」に書込む手段とを備
えたメモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075737A JPS58194187A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075737A JPS58194187A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194187A true JPS58194187A (ja) | 1983-11-12 |
Family
ID=13584886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075737A Pending JPS58194187A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194187A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180340A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Hitachi Ltd | 補助記憶装置のデ−タ入出力方法 |
| JPS61201356A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 記憶装置 |
| JPS6275856A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Hitachi Ltd | 不揮発性メモリ装置 |
| JPS6431449U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
| JPH02245928A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Pfu Ltd | フロッピーディスクを用いたシステムプログラムの管理方式 |
| JPH04267448A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | マイクロコンピュータ |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57075737A patent/JPS58194187A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6180340A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-23 | Hitachi Ltd | 補助記憶装置のデ−タ入出力方法 |
| JPS61201356A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 記憶装置 |
| JPH0411897B2 (ja) * | 1985-03-01 | 1992-03-02 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS6275856A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-07 | Hitachi Ltd | 不揮発性メモリ装置 |
| JPS6431449U (ja) * | 1987-08-19 | 1989-02-27 | ||
| JPH02245928A (ja) * | 1989-03-20 | 1990-10-01 | Pfu Ltd | フロッピーディスクを用いたシステムプログラムの管理方式 |
| JPH04267448A (ja) * | 1991-02-22 | 1992-09-24 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | マイクロコンピュータ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR19990063999A (ko) | 컴퓨터 시스템의 플래시 eeprom 주메모리 | |
| JPS58194187A (ja) | メモリ装置 | |
| JPS6362057A (ja) | デイスク記憶装置 | |
| JPS5931742B2 (ja) | 磁気テ−プ記録再生方式 | |
| JP2584119B2 (ja) | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム | |
| JPS6331806B2 (ja) | ||
| JPS60245029A (ja) | デ−タ書込み方式 | |
| JPH03103918A (ja) | 仮想ディスク構成方式 | |
| JPH0143332B2 (ja) | ||
| JPS62221020A (ja) | デ−タ処理方式 | |
| JPH10133867A (ja) | データ再生装置及びデータ記録媒体 | |
| JP2876488B2 (ja) | 半導体ファイルメモリ装置 | |
| JPH0212440A (ja) | Ｆｉｆｏ型キャッシュメモリ付メインメモリ装置 | |
| JPS5815813B2 (ja) | デ−タシヨリソウチ | |
| JPS623455B2 (ja) | ||
| JPS5855587B2 (ja) | 磁気バブル記憶装置のデ−タ転送方式 | |
| JPS592113B2 (ja) | 磁気バブルメモリ制御方式 | |
| JPS6051129B2 (ja) | レコ−ド情報読取り処理方式 | |
| JPS62175353U (ja) | ||
| JPS60182561A (ja) | 磁気デイスク装置 | |
| JPS58169271A (ja) | デ−タ・バツフア制御方式 | |
| JPS5985564A (ja) | デイスクコントロ−ル装置 | |
| JPS5831017B2 (ja) | カ−トリッジコピ−方式 | |
| JPH045722A (ja) | マイクロコンピュータを用いた制御装置 | |
| JPS6261977B2 (ja) |