JPS58192945U - アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 - Google Patents

アモルフアスシリコン感光体の成膜装置

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Publication number
JPS58192945U
JPS58192945U JP8874982U JP8874982U JPS58192945U JP S58192945 U JPS58192945 U JP S58192945U JP 8874982 U JP8874982 U JP 8874982U JP 8874982 U JP8874982 U JP 8874982U JP S58192945 U JPS58192945 U JP S58192945U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
valve
amorphous silicon
silicon photoreceptor
dust trap
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8874982U
Other languages
English (en)
Inventor
克己 鈴木
Original Assignee
株式会社東芝
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社東芝 filed Critical 株式会社東芝
Priority to JP8874982U priority Critical patent/JPS58192945U/ja
Publication of JPS58192945U publication Critical patent/JPS58192945U/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図はアモルファスシリコン感光体のｆ膜中における
本考案の一実施例を示す断面側面図、第２図は、同例を
示す断面平面図、第３図は同例の要部を示す平面図、第
４図はアモルファスシリコン感光体の成膜後における同
例を示す断面側面図である。 １・・・・・・アモルファスシリコン感光体の成膜装置
、２・・・・・・チェンバー、４・・・・・・導電性ド
ラム状基板、１２．１８・・・・・・排気管、１３・・
・・・・ダストトラップ、１７・・・・・・排気系統、
１９．　２０．　３１．　３３・・・・・・バルブ、３
２・・・・・・リーク弁、３４・・・・・・電動吸引清
浄装置。 補正　昭５７．１１．１２ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する。 Ｏ実用新案登録請求の範囲 （１）チェンバー内で少なくともＳｉを含むガスによる
プラズマ状態を生じさせることにより導電性基体にアモ
ルファスシリコン感光体を成膜する成膜装置において、
前記チェンバーと連通して設けられ前記チェンバー内の
少なくともＳｉを含むガスを排気させるための排気系統
と前記チェンバーとの間に連通して設けられ前記排気系
統の排気力により前記チェンバー内に生成される粉状Ｓ
ｉを吸引回収するダストトラップと、このダストトラッ
プに付設され前記ダストトラップ内部に高圧ガスを導入
させるためのリーク弁と、前記ダストトラップに第１の
バルブを介し−で連結され前記ダストトラップ内に回収
される粉状Ｓｉを吸引除去する電動吸引清浄器とを具備
して成り、アモルファスシリコン感晃体の導電性基体へ
の成膜中は前記リーク弁及び前記第１のバルブが閉じて
おり、アモルファスシリコン感光体の導電性基体への成
膜後に前記リーク弁及び前記第１のバルブが開いて前記
ダストトラップ内に高圧ガスを導入するとともに前記電
動吸引清浄器により前記ダストトラップ内の粉状Ｓｉを
吸引除去することを特徴とするアモルファスシリコン感
光体の成膜装置。 （２）ダストトラップはチェンバー及び排気系統と管状
部材により連通されており、前記ダストトラップと前記
チェンバーとの間の管状部材及び前記ダストトラップと
前記排気系統との間の管状部材にはそれぞれ第２のバル
ブ及び第３のバルブが付設されており、アモルファスシ
リコン感光体の導電性基体への成膜中は前記第２のバル
ブ及び第３のバルブが開いて前記排気系統の排気力によ
り前記チェンバー内の粉状Ｓｉを前記′ダストトラップ
内＋’−吸引回収し、アモルファスシリコン感光体の成
膜後には前記第２のバルブ及び第３のバルブが閉じるこ
とを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載のア
モルファスシリコン感光体の成膜装置。 （３）リーク弁はアモルファスシリコン感光体の導電性
基体への成膜後に開いてダストトラップ内に高圧窒素ガ
ス−を導入することを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第１項及び第２項記載のアモルファスシリコン感光体
の成膜装置。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. （１）チェンバー内で少なくともＳｉを含むガスによる
    プラズマ状態を生じさせることにより導電性基体にアモ
    ルファスシリコン感光体を成膜する成膜装置において、
    前記チェンバーと連通して設けられ前記チェンバー内の
    少なくともＳｉを含むガスを排気させるための排気系統
    と前記チェンバーとの間に連通して設けられ前記排気系
    統の排気力により前記チェンバー内に生成される粉状Ｓ
    ｉを吸引回収するダクトトラップと、このダストトラッ
    プに付設され前記ダストトラップ内部に高圧ガスを導入
    ４せるためのリーク弁と、前記ダストトラップに第１の
    バルブを介して連結され前記ダストトラップ内に回収さ
    れる粉状Ｓｉを吸引除去する電動吸引清浄器とを具備し
    て成り、アモルファスシリコン感光体の導電性基体への
    成膜中は前記リーク弁及び前記第１のバルブが閉じてお
    り、アモルファスシリコン感光体の導電性基体への成膜
    後に前記リーク弁及び前記第１のバルブが開いて前記ダ
    ストトラップ内に高圧ガスを導入するとともに前記電動
    吸引清浄器により前記ダストトラ・シブ内の粉状Ｓｉを
    吸引除去することを特徴とするアモルファスシリコン感
    光体の成膜装置。
  2. （２）ダストトラップはチェンバー及び排気系統と管状
    部材により連通されており、前記ダストトラップと前記
    チェンバーとの間の管状部材及び前ダストトラップと前
    記排気系統との間の管状部材にはそれぞれ第２のバルブ
    及び第３のバルブが付設されており、アモルファスシリ
    コン感光体の導電性基体への成膜中は前記第２のバルブ
    及び第３のバルブが開いて前記排気系統の排気力により
    前記チェンバー内の粉状Ｓｉを前記ダストトラップ内に
    吸引回収し、アモルファスシリコン感光体の成膜後には
    前記第２のバルブ及　　　　−び第３のバルブが閉じる
    ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１項記載の
    アモルファスシリコン感光体の成膜装置。　　　゛
  3. （３）　　リーク弁はアモルファスシリコン感光体の導
    電性基体へめ成膜後に開いてダストトラップ内に高圧窒
    素ガス導入することを特徴とする実用新案登録請求範囲
    第１項及び第２項記載のアモルファスシリコン感光体の
    成膜装置。
JP8874982U 1982-06-16 1982-06-16 アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 Pending JPS58192945U (ja)

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