JPS59121833U - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPS59121833U
JPS59121833U JP1433683U JP1433683U JPS59121833U JP S59121833 U JPS59121833 U JP S59121833U JP 1433683 U JP1433683 U JP 1433683U JP 1433683 U JP1433683 U JP 1433683U JP S59121833 U JPS59121833 U JP S59121833U
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JP
Japan
Prior art keywords
exhaust pipe
low vacuum
speed
valve
sample
Prior art date
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Pending
Application number
JP1433683U
Other languages
English (en)
Inventor
吉良 宗利
義久 石田
Original Assignee
株式会社日立製作所
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社日立製作所 filed Critical 株式会社日立製作所
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、従来の半導体製造装置の排気系統図、第2図
は、本考案による半導体製造装置の一例を示す排気系統
図である。 10・・・・・・真空室、20・・・・・・試料室、3
0・・・・・・低真空排気系、31.61・・・・・・
バルブ、32・・・・・・排気管、33・・・・・・低
真空ポンプ、40・・・・・・高真空排気系、60・・
・・・・初期排気速度抑制手段、62・・・・・・絞り
弁、63・・・・・・バイパス排気管。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 減圧排気される真空室に置設された試料取入取出室
    に低真空排気系と高真空排気系とが連結され、前記試料
    取入取出室から前記真空室に搬入された試料にドライプ
    ロセスにて所定の処理を施こす装置において、前記試料
    取入取出室の大気圧からの初期排気速度を該試料取入取
    出室内での塵埃の舞上りを防止できる速度に抑制可能な
    初期排気速度抑制手段を前記低真空排気系に設けたこと
    を特徴とする半導体製造装置。 2 前記初期排気速度抑制手段を、バルブと絞り弁とバ
    イパス排気管とで構成するとともに、バルブ、絞り弁が
    設けられた只イパス排気管を前記試料取入取出室と前記
    低真空排気系の低真知ポンプとを連結する排気管に、該
    排気管に設けられたバルブをバイパスして連結した実用
    新案登録請求の範囲第1項記載の半導体製造装置。
JP1433683U 1983-02-04 1983-02-04 半導体製造装置 Pending JPS59121833U (ja)

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JPS59121833U true JPS59121833U (ja) 1984-08-16

Family

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216823A (ja) * 1989-02-17 1990-08-29 Tokyo Electron Ltd 処理方法
JP2003168727A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Dainichi Shoji Kk エクスチェンジャーおよびガス置換方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02216823A (ja) * 1989-02-17 1990-08-29 Tokyo Electron Ltd 処理方法
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