JPS58192320A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58192320A
JPS58192320A JP57075165A JP7516582A JPS58192320A JP S58192320 A JPS58192320 A JP S58192320A JP 57075165 A JP57075165 A JP 57075165A JP 7516582 A JP7516582 A JP 7516582A JP S58192320 A JPS58192320 A JP S58192320A
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JP
Japan
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single crystal
substrate
amorphous
temperature
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JP57075165A
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Japanese (ja)
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JPS6341210B2 (cg-RX-API-DMAC10.html
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Yasuo Kunii
泰夫 国井
Michiharu Tanabe
田部　道晴
Kenji Kajiyama
梶山　健二
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    • H10P14/3244—
    • H10P14/3411—
    • H10P14/3458—
    • H10P14/3806—
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    • H10P14/3818—

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01300521A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Fujitsu Ltd 半導体デバイスの製造方法及び製造装置
JP2007516586A (ja) * 2003-12-03 2007-06-21 エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ ウェハの表面粗さを改善する方法

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JPH01300521A (ja) * 1988-05-30 1989-12-05 Fujitsu Ltd 半導体デバイスの製造方法及び製造装置
JP2007516586A (ja) * 2003-12-03 2007-06-21 エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ ウェハの表面粗さを改善する方法

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