JPS58185445A - マイクロレンズアレイの製造方法 - Google Patents
マイクロレンズアレイの製造方法Info
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- JPS58185445A JPS58185445A JP6594082A JP6594082A JPS58185445A JP S58185445 A JPS58185445 A JP S58185445A JP 6594082 A JP6594082 A JP 6594082A JP 6594082 A JP6594082 A JP 6594082A JP S58185445 A JPS58185445 A JP S58185445A
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- JP
- Japan
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- optical glass
- glass substrate
- protruding parts
- reactive
- array
- Prior art date
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- Granted
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
- G02B3/0018—Reflow, i.e. characterized by the step of melting microstructures to form curved surfaces, e.g. manufacturing of moulds and surfaces for transfer etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/006—Re-forming shaped glass by fusing, e.g. for flame sealing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B23/00—Re-forming shaped glass
- C03B23/02—Re-forming glass sheets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B29/00—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins
- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
-
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B29/02—Reheating glass products for softening or fusing their surfaces; Fire-polishing; Fusing of margins in a discontinuous way
- C03B29/025—Glass sheets
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- G02B3/00—Simple or compound lenses
- G02B3/0006—Arrays
- G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
- G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明＃′ｉマイクロレンズアレイの製造方法の改良に
係る。
係る。
（ｂ） 技術の背景
近年光集積回路の進歩に伴い、光集積回路と光フアイバ
アレイとの光結合器として、あるいは光ドットによる画
儂形成の手段として、高性能、＾密度のマイク彎レンズ
アレイが要望されている。
アレイとの光結合器として、あるいは光ドットによる画
儂形成の手段として、高性能、＾密度のマイク彎レンズ
アレイが要望されている。
（０従米技ｄｉと問題点
イ、Ｅ米のマイクロレンズアレイの製造法を第１図をｂ
ｈしながら説明する。紀１図は従来の製造過程を示す光
字ガラス基板の断面図である。
ｈしながら説明する。紀１図は従来の製造過程を示す光
字ガラス基板の断面図である。
し７来は主としてイオン交換法により製造されていた。
イオン交換法とは、光学ガラス基板ｌの表面に、微細直
径ｄ、の孔４が所望に配列されたアルＣニウム、チタン
などの金４ｔスク３を公知の手段、囲えば蒸着、スパッ
タリングなどで形成せしメチ、ＴＪ、 Ａｇ、 すどノ
イオンを含むｔｌぼ４００゜〜６（）０℃に加熱された
溶融塩中に浸漬し、Ｎａイオンと金楓イオンを置換して
鳩折率を大きくシ、それぞれの孔４の中心より光学ガラ
ス基板！Ｏ内部に！ｉ＝］う、球面状の屈折率の変化層
を形成せしめた後に、金鵡マスク３を除去してそれヤれ
の孔４に対応する位置にマイクロレンズ２を設けていた
。
径ｄ、の孔４が所望に配列されたアルＣニウム、チタン
などの金４ｔスク３を公知の手段、囲えば蒸着、スパッ
タリングなどで形成せしメチ、ＴＪ、 Ａｇ、 すどノ
イオンを含むｔｌぼ４００゜〜６（）０℃に加熱された
溶融塩中に浸漬し、Ｎａイオンと金楓イオンを置換して
鳩折率を大きくシ、それぞれの孔４の中心より光学ガラ
ス基板！Ｏ内部に！ｉ＝］う、球面状の屈折率の変化層
を形成せしめた後に、金鵡マスク３を除去してそれヤれ
の孔４に対応する位置にマイクロレンズ２を設けていた
。
しかし乍ら陽イオンを滲透せしめるので、屈折率は光学
ガラス展板ｌより０．００３程度大きいものであり、ま
たｌ１ｌｉｌ々のマイクロレンズ２の直径ｄ、は孔４の
直径ｄ１より大きい２００μ量以上で深さｔもせいぜい
２０ ｓｍ前後が＠度であって、ＮＡ（開口数）の大き
いものではなかった。ｔたこのイオン交換にはＩＶ夜以
上を要していた。
ガラス展板ｌより０．００３程度大きいものであり、ま
たｌ１ｌｉｌ々のマイクロレンズ２の直径ｄ、は孔４の
直径ｄ１より大きい２００μ量以上で深さｔもせいぜい
２０ ｓｍ前後が＠度であって、ＮＡ（開口数）の大き
いものではなかった。ｔたこのイオン交換にはＩＶ夜以
上を要していた。
（ｄ） 発明の目的
本発明の目的は上紀従米の間趙点に鯰み、ＮＡが太きく
Ａｖｂｔのマイクロレンズアレイを短時間に製造しうる
マイクロレンズアレイの製造方法を提供することにある
。
Ａｖｂｔのマイクロレンズアレイを短時間に製造しうる
マイクロレンズアレイの製造方法を提供することにある
。
（ｅ） 発明の構成
この目的を達成するために本発明は、光学ガラスの表面
に、マイク關レンズの直径に等しいＦｊＴ！ｉａの直径
の円形に所望に配列されたレジストノくターンを形成し
た後に、該光学ガラス為４Ｋをリアクティブイオンエツ
チングして円柱形の突ｍｋ１列せしめ１該レジストを除
去後加熱して、それぞれの威突部を表ＩｔＩ張力により
球面状に変形せしめ凸レンズとするようにする製造方法
である。
に、マイク關レンズの直径に等しいＦｊＴ！ｉａの直径
の円形に所望に配列されたレジストノくターンを形成し
た後に、該光学ガラス為４Ｋをリアクティブイオンエツ
チングして円柱形の突ｍｋ１列せしめ１該レジストを除
去後加熱して、それぞれの威突部を表ＩｔＩ張力により
球面状に変形せしめ凸レンズとするようにする製造方法
である。
（ｆ） 発明の実Ｍ両
以下１示実施例を＃照して本発明について＃ｐｍに説明
する。
する。
継２区のｔ（）、ｔＯ］、←→に）（ホ）に本発明の一
夾施偽の糾遣、ＩＩ４罐図、第３図は第２図のものの集
成品の４＋伏Ａでｂる。
夾施偽の糾遣、ＩＩ４罐図、第３図は第２図のものの集
成品の４＋伏Ａでｂる。
本厖Ｉ駒のル盾云はト目ピのとにりである。
・１・Ｌ・シストパターンの形成・・山・（２４２図Ｕ
）、（→町扉、（ロ）は（イ）の点線ｙｌ −Ｈの断面
図である）ｊｙｒＪｉのｌＩｋ庄の円か配列された高精
度のマスクパターンを用い角板法の）′ｔｔガラス基板
５０表面に顔Φし走・ｊ・トレンスト上にｍ、＊塊＊を
行りて、円形パターンのガラス基板５の表面を露出せし
める。
）、（→町扉、（ロ）は（イ）の点線ｙｌ −Ｈの断面
図である）ｊｙｒＪｉのｌＩｋ庄の円か配列された高精
度のマスクパターンを用い角板法の）′ｔｔガラス基板
５０表面に顔Φし走・ｊ・トレンスト上にｍ、＊塊＊を
行りて、円形パターンのガラス基板５の表面を露出せし
める。
つきＶＣスパッタ、あるいは蒸着などで、ガラス基板５
の全向盛ち円形パターンおよび円が除去されたホトレジ
ストのり而に例えばＡｊ展を形成せし、リフトオフ法に
よってＡｊのパターン化を行ひ、九−≠カラス、基板５
の表面に１１径ｄ、の円が配列さｒＬ＆Ａ７レジストパ
ターン６′を形成する。
の全向盛ち円形パターンおよび円が除去されたホトレジ
ストのり而に例えばＡｊ展を形成せし、リフトオフ法に
よってＡｊのパターン化を行ひ、九−≠カラス、基板５
の表面に１１径ｄ、の円が配列さｒＬ＆Ａ７レジストパ
ターン６′を形成する。
なお、光学ガラス基板５の表面の全面にＡノ属をは飯形
成せしめホトエッチンク法にょシＡｎレジストパターン
６を形成せしめても良い。
成せしめホトエッチンク法にょシＡｎレジストパターン
６を形成せしめても良い。
［有］リアクティブイオンエツチング・・曲（＄１１２
図（ハ）参照） Ａｊと反応せず、光学ガラスと反応する反応ガス、例え
ば、ＣＦａ ＋０あるいＦｉＣＩＣノＦ１が封入され、
高周波電源に接続され丸干面電極と、平面電極に相対さ
れた対向電極とを備えたりアクティブイオンエツチング
装置の平面電極上にＡＩレジストパターン６が形成され
た光学ガラス基板５をａｆｔ、てＡｊレジストパターン
６で横はれた以外の表面を所望の＃！さｔ！だけエツチ
ングする。したがって光学ガラス基板ｓＦｉ％ｔｌだけ
厚さが薄くなり光学ガラス基板７となり、光学ガラス基
板７の表面に高さｔ、で、上端面にＡｊレジスト６′が
形成され九直径ｄ、の円柱形の突部８が配設される。
図（ハ）参照） Ａｊと反応せず、光学ガラスと反応する反応ガス、例え
ば、ＣＦａ ＋０あるいＦｉＣＩＣノＦ１が封入され、
高周波電源に接続され丸干面電極と、平面電極に相対さ
れた対向電極とを備えたりアクティブイオンエツチング
装置の平面電極上にＡＩレジストパターン６が形成され
た光学ガラス基板５をａｆｔ、てＡｊレジストパターン
６で横はれた以外の表面を所望の＃！さｔ！だけエツチ
ングする。したがって光学ガラス基板ｓＦｉ％ｔｌだけ
厚さが薄くなり光学ガラス基板７となり、光学ガラス基
板７の表面に高さｔ、で、上端面にＡｊレジスト６′が
形成され九直径ｄ、の円柱形の突部８が配設される。
■レジスＦ除去・・・・・・・・・（第２区に）参１’
［）突部８の上端面のｈａレジスト６′を適宜の剥艙液
（例えば硝ｇｍｌ）で除去する。
［）突部８の上端面のｈａレジスト６′を適宜の剥艙液
（例えば硝ｇｍｌ）で除去する。
■球面成形・・・・・・・・・（絽２図（ホ）参照）不
活性ガス（例えにアルゴン）が封入され九電気炉で、は
ぼ１８００℃に光学ガラス基板７を加熱し、必賛の場合
はガλレーず−にて突部８の周縁ｓｕ’ｒ加−して、突
部８を１＠融せしめ円柱形の突部８の形汰を表出１１力
により篩さｌｉｑ直径ｄ、の球面状に変形し凸レンズ９
とする。この凸レンズ９の圓径ｄ、は、ｌレジスト６′
の直径ｄ、には埋等しく、また高さｉｓは突部８の肯さ
ｔ、にはぼ等しい。
活性ガス（例えにアルゴン）が封入され九電気炉で、は
ぼ１８００℃に光学ガラス基板７を加熱し、必賛の場合
はガλレーず−にて突部８の周縁ｓｕ’ｒ加−して、突
部８を１＠融せしめ円柱形の突部８の形汰を表出１１力
により篩さｌｉｑ直径ｄ、の球面状に変形し凸レンズ９
とする。この凸レンズ９の圓径ｄ、は、ｌレジスト６′
の直径ｄ、には埋等しく、また高さｉｓは突部８の肯さ
ｔ、にはぼ等しい。
［ゾＥのように形成されたマイクロレンズアレイは第３
図のようで、光学方ラス基板７０表面に小さい儀の凸レ
ンズ９が高密度に配列されており、西レンズ９が空気中
に突出しているのでレンズと［２ての屈折率は、光学ガ
ラス基板５の屈折率と等しく大さいもので８９、またガ
えば直径を（１５０μｍ〜２００μ札）尚さを（５０μ
ＩＬ〜１００μ業）にすることが出来、ＮＡが大なるマ
イクロレンズアレイである。
図のようで、光学方ラス基板７０表面に小さい儀の凸レ
ンズ９が高密度に配列されており、西レンズ９が空気中
に突出しているのでレンズと［２ての屈折率は、光学ガ
ラス基板５の屈折率と等しく大さいもので８９、またガ
えば直径を（１５０μｍ〜２００μ札）尚さを（５０μ
ＩＬ〜１００μ業）にすることが出来、ＮＡが大なるマ
イクロレンズアレイである。
また、リアクティブエツチング時間はエツチングの深さ
により異なるがせいぜい数時間であり、さらにまたＲ面
数形の加熱時間もレンズ形状により嚇なるもほぼ１時間
酌後で、加工時間は従来のイオン交換法に蚊べて大いに
！Ｐｉ−することが出来るＯ なお、本実施例はレジストパターンはＡｊｌｌであるが
、ＡＩＭとは限らず、光学ガラス基板に蒸着またはスパ
ッタリングが容具でかつりアクティブイオンエツチング
時の反応ガスに反応しない他の金属膜例えば金属チタン
膜などで実施出来るものである。
により異なるがせいぜい数時間であり、さらにまたＲ面
数形の加熱時間もレンズ形状により嚇なるもほぼ１時間
酌後で、加工時間は従来のイオン交換法に蚊べて大いに
！Ｐｉ−することが出来るＯ なお、本実施例はレジストパターンはＡｊｌｌであるが
、ＡＩＭとは限らず、光学ガラス基板に蒸着またはスパ
ッタリングが容具でかつりアクティブイオンエツチング
時の反応ガスに反応しない他の金属膜例えば金属チタン
膜などで実施出来るものである。
（ｇｌ 発明の詳細
な説明したように本発明は、製造時間が短く、ＮＡが大
きく、高密度のＶイクロレンズアレイを提供しうるなど
といつ九実用上ですぐれた効果がある。
きく、高密度のＶイクロレンズアレイを提供しうるなど
といつ九実用上ですぐれた効果がある。
施例の製造過糧図、第３図は第２図の奄のの完成品の斜
視図である。 図中、１．５．７は光学ガラス基板、２はマイクｃｌ′
Ｌ／ンズ、３は金属マスク、６はレジストパターン、６
′はレジスト、８は突部、９は凸レンズを示すＯ ヤノｙ 千Ｚ−図 ム Ｐづ図
視図である。 図中、１．５．７は光学ガラス基板、２はマイクｃｌ′
Ｌ／ンズ、３は金属マスク、６はレジストパターン、６
′はレジスト、８は突部、９は凸レンズを示すＯ ヤノｙ 千Ｚ−図 ム Ｐづ図
Claims (1)
- 光学ガラス基板の表面に所望の円形に配列されたレジス
トパターンを形成し九後Ｋｌｊ光学ガラス基板をリアク
ティブイオンエツチングして円柱形の突部を配列せしめ
、該レジストを除去後加熱してそれぞれの＃央部を球面
状に変形せしめ凸レンズとすることを特徴とするマイク
ロレンズアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6594082A JPS58185445A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | マイクロレンズアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6594082A JPS58185445A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | マイクロレンズアレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58185445A true JPS58185445A (ja) | 1983-10-29 |
| JPS6146408B2 JPS6146408B2 (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13301460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6594082A Granted JPS58185445A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | マイクロレンズアレイの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58185445A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112101A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Hitachi Ltd | マイクロレンズアレ−及びその製造方法 |
| JPS6252502A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | マイクロレンズの製造方法 |
| JPS6283336A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | Hoya Corp | マイクロレンズアレ−の製造方法 |
| US5608577A (en) * | 1991-08-30 | 1997-03-04 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical mirror and optical device using the same |
| JP2003048751A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sony Corp | エッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子 |
| WO2004056715A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren und vorrichtung zum nachbehandeln einer optischen linse |
| JP2015131756A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | ロッドレンズを製造する方法、及びロッドレンズ |
| US11367692B2 (en) | 2016-04-07 | 2022-06-21 | Schott Ag | Lens cap for a transistor outline package |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP6594082A patent/JPS58185445A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61112101A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Hitachi Ltd | マイクロレンズアレ−及びその製造方法 |
| JPS6252502A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | ゼロツクス コ−ポレ−シヨン | マイクロレンズの製造方法 |
| JPS6283336A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-16 | Hoya Corp | マイクロレンズアレ−の製造方法 |
| US5608577A (en) * | 1991-08-30 | 1997-03-04 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical mirror and optical device using the same |
| JP2003048751A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-21 | Sony Corp | エッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子 |
| WO2004056715A1 (de) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Verfahren und vorrichtung zum nachbehandeln einer optischen linse |
| JP2015131756A (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | ロッドレンズを製造する方法、及びロッドレンズ |
| US11367692B2 (en) | 2016-04-07 | 2022-06-21 | Schott Ag | Lens cap for a transistor outline package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6146408B2 (ja) | 1986-10-14 |
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