JPS5912404A - 偏光子の製造方法 - Google Patents
偏光子の製造方法Info
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- JPS5912404A JPS5912404A JP12173982A JP12173982A JPS5912404A JP S5912404 A JPS5912404 A JP S5912404A JP 12173982 A JP12173982 A JP 12173982A JP 12173982 A JP12173982 A JP 12173982A JP S5912404 A JPS5912404 A JP S5912404A
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- polarizer
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- film
- synthetic resin
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は合成樹脂の成形により形成する偏光子の製造方
法に関する。
法に関する。
従来、偏光板としては、■複屈折結晶を用いたプリズム
、あるいは■ヨウ素を含むＩリビニルアルコールの延伸
フィルム、■２色性色素を含むプラスチックフィルムを
延伸したものなどが便、われていた。しかしながら、■
の偏光板では、偏光特性の入射角依存性が大きく、小形
化が難しいこと、経済性に劣ること、■、■の偏光板に
おいてはそう大損失が大きく、また波長帯域が限られて
いることなどの欠点を有していた。
、あるいは■ヨウ素を含むＩリビニルアルコールの延伸
フィルム、■２色性色素を含むプラスチックフィルムを
延伸したものなどが便、われていた。しかしながら、■
の偏光板では、偏光特性の入射角依存性が大きく、小形
化が難しいこと、経済性に劣ること、■、■の偏光板に
おいてはそう大損失が大きく、また波長帯域が限られて
いることなどの欠点を有していた。
このようなことがら、最近、微細な４電格子構造を有す
る偏光板が提案されている（％願昭５６−１４０７５６
号）。この偏光板は、例えばシリコン基板１上に金属層
を蒸着し、全面に電子線レジスト膜を被覆し、電子線描
画による電子線リングラフィｆロセスにょシ格子１ｏ
Ｌ／シストパターンを形成した後、該レゾスト・４ター
ンをマスクとして金属層をエツチングして導電格子２を
形成することにより製造される（第１図図示）。かかる
偏光子は小型で広い波長域で使用できると共に、耐湿性
に＼４等の特性を有する。しかしながら、上記偏光子は
既述しり如く、電子線リソグラフィプロセス、ドライエ
ツチングプロセスを経て造られるため、製造時間が長く
かかシ゛、かつ露光装置、ドライエツチング装置等の高
価な装置と熟練した技術者を必要とする。その結果、量
産性、経済性の点で大きな問題がある。また、凸状もし
くは凹状のレンズ面を有する集光機能をもつ偏光板を得
ようとすると、更に量産性、経済性の点で問題となる。
る偏光板が提案されている（％願昭５６−１４０７５６
号）。この偏光板は、例えばシリコン基板１上に金属層
を蒸着し、全面に電子線レジスト膜を被覆し、電子線描
画による電子線リングラフィｆロセスにょシ格子１ｏ
Ｌ／シストパターンを形成した後、該レゾスト・４ター
ンをマスクとして金属層をエツチングして導電格子２を
形成することにより製造される（第１図図示）。かかる
偏光子は小型で広い波長域で使用できると共に、耐湿性
に＼４等の特性を有する。しかしながら、上記偏光子は
既述しり如く、電子線リソグラフィプロセス、ドライエ
ツチングプロセスを経て造られるため、製造時間が長く
かかシ゛、かつ露光装置、ドライエツチング装置等の高
価な装置と熟練した技術者を必要とする。その結果、量
産性、経済性の点で大きな問題がある。また、凸状もし
くは凹状のレンズ面を有する集光機能をもつ偏光板を得
ようとすると、更に量産性、経済性の点で問題となる。
本発明は合成樹脂をペースとした微細格子ノ４ターンを
有する偏光子を量産的にかつ安価に製造し得る方法を提
供しようとするものである。
有する偏光子を量産的にかつ安価に製造し得る方法を提
供しようとするものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず、導電性材料からなる基板、或いは絶縁材料等から
なる母材表面に金属層を蒸着した基板を用意し、この基
板表面に公知の電子線リソグラフィ又はフォトリングラ
フィにより微細格子状のレジストパターンを形成した後
、該レジストパターンをマスクとして基板表面をドライ
エツチングして微細格子パターンを形成する。
なる母材表面に金属層を蒸着した基板を用意し、この基
板表面に公知の電子線リソグラフィ又はフォトリングラ
フィにより微細格子状のレジストパターンを形成した後
、該レジストパターンをマスクとして基板表面をドライ
エツチングして微細格子パターンを形成する。
次いで、前記基板を適当な枠体を用いて、例えばその微
細格子パターンが露出するように保持し、枠体とと電鋳
浴に浸漬し、該基板を陰極とし、該電鋳浴中に挿入した
金属棒を陽極として通電することによって電鋳を行ない
、該基板の微細格子パターン側に十分な厚さの金属層を
堆積する。この工程での電鋳金属は電鋳可能で十分な強
度をもつ金属であればいかなるものでもよいが、例えば
Ｎｉ 、 Ｃｒ等を挙げることかで！ きる。
細格子パターンが露出するように保持し、枠体とと電鋳
浴に浸漬し、該基板を陰極とし、該電鋳浴中に挿入した
金属棒を陽極として通電することによって電鋳を行ない
、該基板の微細格子パターン側に十分な厚さの金属層を
堆積する。この工程での電鋳金属は電鋳可能で十分な強
度をもつ金属であればいかなるものでもよいが、例えば
Ｎｉ 、 Ｃｒ等を挙げることかで！ きる。
て表面に前記基板の微細格子パターンに対して逆の微細
格子パターン倉有する金型を作製する。
格子パターン倉有する金型を作製する。
次いで、金型を適宜な微砕に組込み、合成樹脂の成形を
行ない、基板と同じ微細格子ノリーンが表面に転写され
洸合成樹脂製の偏光膜を形成する。この工程での成形手
段としては、例えば合成樹脂溶液を金型を組込んだ型枠
内に注入し、溶媒を蒸発気散させるソルベントキャスト
法を採用し得る。ここに用いる合成樹脂としては、例え
ばアクリル樹脂、ポリカーボネール樹脂等を挙げること
ができる。また、別の成形手段としてはフィルム状、板
状の合成樹脂を金型と加熱プレス板間に配置し、加熱プ
レス板により加熱加圧する方法もある。更に、他の成形
手段としては射出成形法がある。ここに用いる注入合成
樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、メタクリレート樹脂等を挙げることができる。
行ない、基板と同じ微細格子ノリーンが表面に転写され
洸合成樹脂製の偏光膜を形成する。この工程での成形手
段としては、例えば合成樹脂溶液を金型を組込んだ型枠
内に注入し、溶媒を蒸発気散させるソルベントキャスト
法を採用し得る。ここに用いる合成樹脂としては、例え
ばアクリル樹脂、ポリカーボネール樹脂等を挙げること
ができる。また、別の成形手段としてはフィルム状、板
状の合成樹脂を金型と加熱プレス板間に配置し、加熱プ
レス板により加熱加圧する方法もある。更に、他の成形
手段としては射出成形法がある。ここに用いる注入合成
樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ジアリルフタレー
ト樹脂、メタクリレート樹脂等を挙げることができる。
次いで、前記偏光膜の微細格子パターン側に金属薄膜を
蒸着法やス・母ツタ法によシ被着し、更にコート膜を被
覆して偏光子を製造する。この金属薄膜の被着工程にお
いて、微細格子パターンに対して垂直方向から金属薄膜
を被着すれば該パターンの凸面と凹面の両方に金属薄膜
がつき、反射型の偏光子が製造される。他方、偏光膜を
透明な合成樹脂で形成し、金属を斜め方向から被着すれ
ば、微細格子ノ４ターンの凸面のみに金属薄膜が被着さ
れ、透過型の偏光子が製造される。
蒸着法やス・母ツタ法によシ被着し、更にコート膜を被
覆して偏光子を製造する。この金属薄膜の被着工程にお
いて、微細格子パターンに対して垂直方向から金属薄膜
を被着すれば該パターンの凸面と凹面の両方に金属薄膜
がつき、反射型の偏光子が製造される。他方、偏光膜を
透明な合成樹脂で形成し、金属を斜め方向から被着すれ
ば、微細格子ノ４ターンの凸面のみに金属薄膜が被着さ
れ、透過型の偏光子が製造される。
なお、上記製造工程において、凸状又は凹状の曲面を有
する基板を用いれば、該基板表面とは逆の凹状又は凸状
の曲面に微細格子・ヤターンが形成された金型を作製で
き、この金型を用いて合成樹脂の成形を行なうことによ
って微細格子ｉ！ターンが曲面に形成された偏光子を製
造し得る。
する基板を用いれば、該基板表面とは逆の凹状又は凸状
の曲面に微細格子・ヤターンが形成された金型を作製で
き、この金型を用いて合成樹脂の成形を行なうことによ
って微細格子ｉ！ターンが曲面に形成された偏光子を製
造し得る。
しかして、本発明は基板表面への微細加工技術と該基板
を用いた電鋳法とを利用することによって、従来の特殊
なダイヤモンド研削による金型製作技術では困難であっ
た格子ピッチが１μｍ以下、更には可視領域での使用可
能な０．２μｍ以下の微細格子ノｆターンを有する金型
を容易に作製できる技術を確立し、この金型を用いて合
成樹脂の成形を行なうことにより偏光子を量産的にかつ
安価に製造できたものである。
を用いた電鋳法とを利用することによって、従来の特殊
なダイヤモンド研削による金型製作技術では困難であっ
た格子ピッチが１μｍ以下、更には可視領域での使用可
能な０．２μｍ以下の微細格子ノｆターンを有する金型
を容易に作製できる技術を確立し、この金型を用いて合
成樹脂の成形を行なうことにより偏光子を量産的にかつ
安価に製造できたものである。
次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１
（１） まず、シリコン基板１１表面に例えば厚さｔ
ｏｏｏＸの酸化膜１２を形成し、この酸化膜１２を鏡面
に研磨した後、全面に厚さ４０００Ｘの金膜１３を、真
空蒸着した（第２図（、）図示）。
ｏｏｏＸの酸化膜１２を形成し、この酸化膜１２を鏡面
に研磨した後、全面に厚さ４０００Ｘの金膜１３を、真
空蒸着した（第２図（、）図示）。
つづいて、金膜１３上に厚さ約３０００Ｘのネガ型電子
ビーム感応レジスト膜（クロロメチル化ポリαメチルス
チレン）を被覆し、電子ビーム露光を施した後、アセト
ンで現像し、イングロパノールでリンス処理して線幅０
．１５μｍ、ピッチ０．４μｍの格子状のレゾストパタ
ーン（図示せず）を形成した。ひきつづき、レジストパ
ターンをマスクとして金膜をエツチングして線幅０．１
５μｍｔピッチ０．４μｍ、深さ０．４μｍ（４０００
Ｘ）の微細格子Ａ’ターフ１４を形成した（第２図（ｂ
）図示）。
ビーム感応レジスト膜（クロロメチル化ポリαメチルス
チレン）を被覆し、電子ビーム露光を施した後、アセト
ンで現像し、イングロパノールでリンス処理して線幅０
．１５μｍ、ピッチ０．４μｍの格子状のレゾストパタ
ーン（図示せず）を形成した。ひきつづき、レジストパ
ターンをマスクとして金膜をエツチングして線幅０．１
５μｍｔピッチ０．４μｍ、深さ０．４μｍ（４０００
Ｘ）の微細格子Ａ’ターフ１４を形成した（第２図（ｂ
）図示）。
（１１）次いで、第３図に示す如く、微細格子パターン
１４を有する基板１１を枠体１０１に組込んだ状態で溶
融槽１０２内のニッケル系の電解液ｉｏｓに浸漬し、該
枠体１０１（基板１１）を陰極、電解液１０３中に挿入
した二、ケル棒１０４を陽極として電源１０５から初期
は２ｍＡＡＭ ”・の電流密度で通電し、徐々に電流を
増加させ最終的にｌ ＯｍＡ／ｃｍ”の電流密度に設定
して約２週間電鋳を行なった。なお、電解液１０３はス
ルファミン酸ニッケルを主成分とし、塩化ニッケル、ホ
ウ酸及び微量の添カロ剤を含むものを用い、かつその温
度を３０’Ｃに保持した。こうした電鋳により、数オン
グストロームのニッケルイオンが基板１１の微細格子ノ
ｆターン１４側に徐々に堆積され、同第３図に示す如く
該微細格子パターンが転写された厚さ４ｗｍのニッケル
層１５が形成された。
１４を有する基板１１を枠体１０１に組込んだ状態で溶
融槽１０２内のニッケル系の電解液ｉｏｓに浸漬し、該
枠体１０１（基板１１）を陰極、電解液１０３中に挿入
した二、ケル棒１０４を陽極として電源１０５から初期
は２ｍＡＡＭ ”・の電流密度で通電し、徐々に電流を
増加させ最終的にｌ ＯｍＡ／ｃｍ”の電流密度に設定
して約２週間電鋳を行なった。なお、電解液１０３はス
ルファミン酸ニッケルを主成分とし、塩化ニッケル、ホ
ウ酸及び微量の添カロ剤を含むものを用い、かつその温
度を３０’Ｃに保持した。こうした電鋳により、数オン
グストロームのニッケルイオンが基板１１の微細格子ノ
ｆターン１４側に徐々に堆積され、同第３図に示す如く
該微細格子パターンが転写された厚さ４ｗｍのニッケル
層１５が形成された。
（ｉｉｉ） 次いで、電解液から枠体ごと基板１１を
取出し、枠体から取り外した・後、微細格子・ぐターン
１４及び基板１１等をニッケル層１５から剥離し、更に
二、ケル層１５の外周辺を加工して表面に前記／母ター
ン１４と逆の微細格子パターン１６を有するニッケル型
１７を作製した（第２図（ｃ）図示）。
取出し、枠体から取り外した・後、微細格子・ぐターン
１４及び基板１１等をニッケル層１５から剥離し、更に
二、ケル層１５の外周辺を加工して表面に前記／母ター
ン１４と逆の微細格子パターン１６を有するニッケル型
１７を作製した（第２図（ｃ）図示）。
（ｌｖ） 次いで、作製されたニッケル型１７をその
微細格子パターン１６が表出するように型枠１８内にセ
ットし、この上に厚さ１■のポリメチルメタクリレート
板を載せ、上方からヒータを内蔵したプレス板１９によ
シ１００℃ｔｓｏｋＩＩ／ｃｒｎ”の条件で３分間ポリ
メチルメタクリレート板を加熱プレス成形して前記基板
り微細格子ノＪ？ターンと同様な微細格子パターンが転
写された板状の偏光膜２０を形成した（第２図（ｄ）図
示）。
微細格子パターン１６が表出するように型枠１８内にセ
ットし、この上に厚さ１■のポリメチルメタクリレート
板を載せ、上方からヒータを内蔵したプレス板１９によ
シ１００℃ｔｓｏｋＩＩ／ｃｒｎ”の条件で３分間ポリ
メチルメタクリレート板を加熱プレス成形して前記基板
り微細格子ノＪ？ターンと同様な微細格子パターンが転
写された板状の偏光膜２０を形成した（第２図（ｄ）図
示）。
（Ｖ） 次いで、グレート板等から偏光膜２０を取出
し、真上から偏光膜２０の微細格子パターンの凸面及び
凹面に厚さ約１００１のクロム膜、厚さ１５００１の金
膜を順次蒸着して二層金属薄膜２１を形成した後、シロ
キサン系のハードコーティング剤を塗布し、１００℃で
約５時間加熱して厚さ５μｍのコート層２２を形成して
反射型偏光子を製造した（第２図（ｅ）図示）。
し、真上から偏光膜２０の微細格子パターンの凸面及び
凹面に厚さ約１００１のクロム膜、厚さ１５００１の金
膜を順次蒸着して二層金属薄膜２１を形成した後、シロ
キサン系のハードコーティング剤を塗布し、１００℃で
約５時間加熱して厚さ５μｍのコート層２２を形成して
反射型偏光子を製造した（第２図（ｅ）図示）。
しかして、得られた反射型偏光子は消光比かを組込んだ
プレス装置を用いて繰り返し偏光膜を造り、この偏光膜
に同様に二層金属薄膜の形成、コート層の形成を行なっ
たところ、同様な消光比を有する反射型偏光子を量産的
に得ることができた。
プレス装置を用いて繰り返し偏光膜を造り、この偏光膜
に同様に二層金属薄膜の形成、コート層の形成を行なっ
たところ、同様な消光比を有する反射型偏光子を量産的
に得ることができた。
実施例２
（１） まず、曲率８０ｍの球面に研磨したガラス基
板３１上に厚さ約１００裏のクロム膜３２及び厚さ約４
０００１の金膜３３を順次真空蒸着した（第４図（、）
図示）。つづいて、この金膜３３上に実施例１と同様に
レジストパターンを形成し、金膜を工、チングして線幅
０．１５μｍピッチ約０．４μｍ、深さ０．４μｍの微
細格子パターン３４を形成した（第４図（ｂ）図示）。
板３１上に厚さ約１００裏のクロム膜３２及び厚さ約４
０００１の金膜３３を順次真空蒸着した（第４図（、）
図示）。つづいて、この金膜３３上に実施例１と同様に
レジストパターンを形成し、金膜を工、チングして線幅
０．１５μｍピッチ約０．４μｍ、深さ０．４μｍの微
細格子パターン３４を形成した（第４図（ｂ）図示）。
（１１）次いで、実施例１と同様、ガラス基板３１を電
鋳処理して厚さ４ｍｍのニッケル層を堆積し、ガラス基
板３１等をニッケル層から剥離した後、ニッケル層の外
周辺を加工して突状球面に前記ｉ４ターン３４と逆の微
細格子ノｆターン３５が形成されたニッケル型３６を作
製した（第４図（０）図示）。
鋳処理して厚さ４ｍｍのニッケル層を堆積し、ガラス基
板３１等をニッケル層から剥離した後、ニッケル層の外
周辺を加工して突状球面に前記ｉ４ターン３４と逆の微
細格子ノｆターン３５が形成されたニッケル型３６を作
製した（第４図（０）図示）。
（ｌｉｉ） 次いで、二、ケル型３６を型枠３７内に
セ、トシた後、微量の重合開始剤を含むアリルジグリコ
ールカーがネールを注入し、蓋体３８を載せ、６０〜９
０℃で４〜２４時間加熱重合させて、前記基板の微細格
子パターンと同様な微細格子パターンが凹球面に転写さ
れた透明な偏光膜３９を形成した（第４図（ｄ）図示）
。
セ、トシた後、微量の重合開始剤を含むアリルジグリコ
ールカーがネールを注入し、蓋体３８を載せ、６０〜９
０℃で４〜２４時間加熱重合させて、前記基板の微細格
子パターンと同様な微細格子パターンが凹球面に転写さ
れた透明な偏光膜３９を形成した（第４図（ｄ）図示）
。
（１■）次・いで、型枠から偏光膜３９を取出し、該偏
光膜３９の微細格子パターンに真上よシ５０゜傾けた斜
め方向から厚さ約１００ＸのＡ／膜及び厚さ約１・００
０Ｘの金膜を真空蒸着して該パターンの凸面のみに二層
金属薄膜４０を被着した後、実施例１と同様コート層４
１を被覆して凹状球面を有する透過型偏光子を製造した
（第４図（ｅ）図示）。
光膜３９の微細格子パターンに真上よシ５０゜傾けた斜
め方向から厚さ約１００ＸのＡ／膜及び厚さ約１・００
０Ｘの金膜を真空蒸着して該パターンの凸面のみに二層
金属薄膜４０を被着した後、実施例１と同様コート層４
１を被覆して凹状球面を有する透過型偏光子を製造した
（第４図（ｅ）図示）。
得られた透過型偏光子は消光比がＨｅ−Ｎｅレーデの波
長（０，６３μｍ）で約１７１０であった。また、前記
第４図（ｄ）図示の二、ケル型３６を組込んだ成形装置
を用いて繰シ返し透明な偏光膜を作製し、この偏光膜に
二層金属薄膜、コート層を形成したところ、同様な消光
比を有する透過型偏光子を量産的に得ることができた。
長（０，６３μｍ）で約１７１０であった。また、前記
第４図（ｄ）図示の二、ケル型３６を組込んだ成形装置
を用いて繰シ返し透明な偏光膜を作製し、この偏光膜に
二層金属薄膜、コート層を形成したところ、同様な消光
比を有する透過型偏光子を量産的に得ることができた。
こうして得た偏光子は眼鏡用の偏光レンズ、各種光学系
での偏光板とレンズ系との一体化などが容易となる。
での偏光板とレンズ系との一体化などが容易となる。
なお、本発明方法では凸状球面を有する透過型偏光子も
同様に製造できる。即ち、第５図に示す如く凹状球面に
微細格子パターン５１が形成されたニッケル型４２を作
製し、との二、ケル型５２を上下型枠５３ ａ ｉ Ｓ
３ ｂに形成されたキャビティ５４の白土壁に固定す
るＪつづいて上型枠５３ａのスプール５５から例えば溶
融アクリル樹脂を注入し、ランナ５６を介してキャビテ
ィ５４内に供給することにより第６図図示の凸状球面に
微細格子ノ母ターンを有する透明な偏光膜５７を作る。
同様に製造できる。即ち、第５図に示す如く凹状球面に
微細格子パターン５１が形成されたニッケル型４２を作
製し、との二、ケル型５２を上下型枠５３ ａ ｉ Ｓ
３ ｂに形成されたキャビティ５４の白土壁に固定す
るＪつづいて上型枠５３ａのスプール５５から例えば溶
融アクリル樹脂を注入し、ランナ５６を介してキャビテ
ィ５４内に供給することにより第６図図示の凸状球面に
微細格子ノ母ターンを有する透明な偏光膜５７を作る。
次いで、実施例２と同様な方法により微細格子パターン
の凸面のみに二層金属薄膜５８を形成し、更にコー）
ｔ＝ ｓ ｓを被覆することによって透過型偏光子が得
られる（同第６図図示）。
の凸面のみに二層金属薄膜５８を形成し、更にコー）
ｔ＝ ｓ ｓを被覆することによって透過型偏光子が得
られる（同第６図図示）。
また、微細格子パターンを有する薄い金型を曲げた状態
で使用することによっても、前述した第４図（、）図示
或いは第６図図示の偏光子を得ることができる。
で使用することによっても、前述した第４図（、）図示
或いは第６図図示の偏光子を得ることができる。
以上詳述した如く、本発明によれば合成樹脂をペースと
した微細格子パターンを有する偏光子、更には凸面又は
凹面に微細格子ノリーンが形成された偏光子、を量産的
にかつ低コストで製造でき、もって表示用、光通信用、
各種光学測定用酸いは眼鏡などの一般光学製品への実用
化が可能となる等顕著な効果を有する。
した微細格子パターンを有する偏光子、更には凸面又は
凹面に微細格子ノリーンが形成された偏光子、を量産的
にかつ低コストで製造でき、もって表示用、光通信用、
各種光学測定用酸いは眼鏡などの一般光学製品への実用
化が可能となる等顕著な効果を有する。
第１図は従来の偏光子を示す断面図、第２図（ａ）〜（
ｅ）は本発明の実施例１における反射型偏光子の製造工
程を示す断面図、第３図は実施例で用いた電鋳装置の概
略図、第４図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２におけ
る透過型偏光子の製造工程を示す断面図、第５図は本発
明の他の金型を組込んだ成形装置の断面図、第６図は第
５図の成形装置により製造された透過型偏光子の断面図
である。 １１・・・シリコン基板、１４．３４・・・金からなル
微細格子パターン、１５・・・ニッケル％、ｌ ６ ｒ
２ ３５・・・逆の微細格子ノリーン、Ｊ ｙ ｔ ３ 衿
α′二、ケル型、２０１３９ ｅ ５１・・・偏光膜、
２１゜４０．５８・・・二層金属薄膜、２２ ｔ ４１
ｔ ５９・・・コート層、１ｏ３・・・電解液、１ｏ
４・・・二、ケル棒、１０５川電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第４図
ｅ）は本発明の実施例１における反射型偏光子の製造工
程を示す断面図、第３図は実施例で用いた電鋳装置の概
略図、第４図（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施例２におけ
る透過型偏光子の製造工程を示す断面図、第５図は本発
明の他の金型を組込んだ成形装置の断面図、第６図は第
５図の成形装置により製造された透過型偏光子の断面図
である。 １１・・・シリコン基板、１４．３４・・・金からなル
微細格子パターン、１５・・・ニッケル％、ｌ ６ ｒ
２ ３５・・・逆の微細格子ノリーン、Ｊ ｙ ｔ ３ 衿
α′二、ケル型、２０１３９ ｅ ５１・・・偏光膜、
２１゜４０．５８・・・二層金属薄膜、２２ ｔ ４１
ｔ ５９・・・コート層、１ｏ３・・・電解液、１ｏ
４・・・二、ケル棒、１０５川電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 第４図
Claims (8)
- （１）基板表面に微細格子ノ４ターンを形成する工程と
、この基板を電鋳浴１ａ浸漬し、該基板を陰極、該電鋳
浴中に挿入した金属棒を陽極として電鋳全行なって該基
板の少なくとも微細格子パターン側に金属層を堆積する
工程と、この金属層から７基板を剥離した後、該金属層
の加工を行なって表面に前記微細格子パターンと逆の微
細格子パターンを有する金型を作製する工程と、この金
型を用いて合成樹脂の成形を行なって表面に前記基板と
同様な微細格子パターンを有する合成樹脂体を形成する
工程と、この合成樹脂体の微細格子・臂ターンに金属薄
膜を被着した後透明なコート膜を被覆する工程とを具備
したことを特徴とする偏光子の製造方法。 - （２） ！細路子・母ターンを有する基板が導電性材
料からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の偏光子の製造方法。 - （３）微細格子・臂ターンを有する基板が、絶縁材料か
らなる母材表面に微細格子パターンを形成した後、その
／４’ターンの凹凸面に導電性薄膜を被着することによ
り作製されたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の偏光子の製造方法。 - （４）微細格子ノリーンを有する基板が、絶縁材料から
なる母材表面に導電性被膜を被着した後、該導電性被膜
表面に微細格子ツクターンを形成することによシ作製さ
れたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１．
０ｉｔ記載の偏光子の製造方法。 - （５）微細格子パターンが形成される基板表面を平面状
としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の偏
光子の製造方法。 - （６）微細格子パターンが形成される基板表面−を凸状
又は凹状の曲面としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の偏光子の製造方法。 - （７）合成樹脂体を透明樹脂で形成すると共に、該合成
樹脂体の微細格子パターンの凸面のみ金属薄膜を被着し
て透過型の偏光子とすることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の偏光子の製造方法。 - （８）合成樹脂体の微細格子ノｆターンの凹凸面全体に
金属薄膜を被着して反射型の偏光子とすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の偏光子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173982A JPS5912404A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 偏光子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12173982A JPS5912404A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 偏光子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5912404A true JPS5912404A (ja) | 1984-01-23 |
Family
ID=14818679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12173982A Pending JPS5912404A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 偏光子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5912404A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296013B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-10-02 | Smc Kabushiki Kaisha | Pressure/flow rate control valve |
| US7113336B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-09-26 | Ian Crosby | Microlens including wire-grid polarizer and methods of manufacture |
| JP2013171177A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Nippon Signal Co Ltd:The | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 |
| CN104914496A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-16 | 安徽大学 | 一种宽带偏振旋转器 |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP12173982A patent/JPS5912404A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296013B1 (en) | 1999-03-10 | 2001-10-02 | Smc Kabushiki Kaisha | Pressure/flow rate control valve |
| KR100398079B1 (ko) * | 1999-03-10 | 2003-09-19 | 에스엠씨 가부시키 가이샤 | 압력/유량 제어밸브 |
| US7113336B2 (en) * | 2002-12-30 | 2006-09-26 | Ian Crosby | Microlens including wire-grid polarizer and methods of manufacture |
| JP2013171177A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Nippon Signal Co Ltd:The | 光学フィルタ及び光学フィルタの製造方法 |
| CN104914496A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-16 | 安徽大学 | 一种宽带偏振旋转器 |
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