JP2003048751A - エッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子 - Google Patents
エッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子Info
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Abstract
方法、光学素子の製造方法及び光学素子を提供するこ
と。 【解決手段】 等方性エッチングによりレジスト膜6に
形成された階段状の形状を滑らかにし、これを異方性エ
ッチングによって石英ガラス基板5に転写することとし
たので、異方性エッチングのみによる場合に比べ、より
滑らかで高精度な形状のレンズの製造が可能である。異
方性エッチングと等方性エッチングとの選択を、ICP
−RIE装置1の電極8に印加されるバイアス電圧の有
無によることとしたので、より異方性エッチングと等方
性エッチングの選択が極めて容易にできることとなりレ
ンズの表面形成の迅速化も図れる。
Description
係り、特に光学素子の製造方法に関する。
ム等及び光記録ディスクのピックアップ等の光学素子は
機械加工で製造されてきた。
の製造が困難になりつつあると共に、電荷結合素子(C
CD)及び液晶の前面に取りつけて光を集中、分配する
レンズ配列素子(マイクロレンズアレー)等のように、
機械加工では不可能な光学素子も登場している。
うに小型プリズム、回折格子及び光スイッチ等の光学素
子を大量に必要とする分野も増大しており、従来の機械
加工では困難であると共に、製造コストがかかり過ぎる
等の問題も生じている。
学素子を製造する方法として濃淡のある多階調マスク
(グレースケールマスク)を利用したエッチング技術が
提案されている。
量に応じて現像後のレジスト膜の厚さが変化するので、
グレースケールマスクを利用して露光すると露光量が部
分毎に異なり、従って現像後のレジスト膜の厚さも部分
毎に異なるので、結果としてマスクに応じた任意の形状
をレジスト膜で製造することができる。
直方向のみの異方性プラズマエッチングを行えば、任意
の材料の基板にレジスト膜の形状を転写することが可能
である。従って半導体プロセスであるフォトリソグラフ
ィー及びドライエッチングを応用して、現在の半導体の
設計寸法である0.5μm以下の精度及び範囲で形状加
工することが可能になる。
た特殊ガラスに、電子ビームを照射するとその照射量に
応じてガラスの黒化量が異なることを利用して製造さ
れ、解像度は約0.1μmである。グレースケールマス
クの濃度は光学濃度(吸収度)で表され、光学濃度=lo
g10(透過率)−1なので、例えば透過率10%の濃度
は光学濃度1、透過率1%では光学濃度2となる。通常
のグレースケールマスクでの光学濃度の範囲は約0.1
5〜2.0であり、最小階調幅は約0.0092であ
る。また、最大階調数は約200となる。
を使用して露光する場合、ある光学濃度差に対して露
光、現像後のレジスト膜の厚みがどれだけ変化するかが
問題となる。ここで図19は感度直線の具体例(AZ
P4903)を示すグラフであり、図に示すようにマス
クの濃度を横軸に、露光、現像後のレジスト膜の厚さを
縦軸に取ると測定値は直線に並ぶので、これを感度直線
と呼でいる。
あり、図に示すように、あるレジスト厚さtに対し、傾
きaの場合は4階調しか取れないのに対し、傾きbでは
6階調取れる。
厚みに対して、階調数を多く取れるので有利である。
て決まっているので、使用するレジストが決まれば、あ
る厚みに対する階調数も決まる。例えば、クラリアント
ジャパンのレジスト、AZ P4620では1階調あた
りの厚さは約0.1μmである。
て、実現したい形状に対し実際には曲面や斜面が段差約
0.1μmの水平面で形成されることとなる。
が光の波長の5%程度、即ち約0.02μmにする必要
があるので、上記の約0.1μmは誤差が大きく、結果
として光の集光精度や分配能力が劣る事となる。
レジスト膜を加熱してレジスト膜の表面を溶かし、レジ
スト膜表面を滑らかにする方法が提案されているが、加
熱しすぎるとレジスト膜全体が変形するなど制御に問題
があった。
光学素子の応用は、精度をあまり必要としない分野、例
えばユニットセルの小さなCCD及び液晶等に限定さ
れ、ピックアップのような光の回折限界まで焦点を小さ
くする必要のある光学素子には応用できなかった。
になされるもので、光学素子の表面を滑らかにできるエ
ッチング方法、光学素子の製造方法及び光学素子を提供
することを目的としている。
に、本発明の主たる観点に係るエッチング方法は、
(a)基板上に、階段状の表面を有するようにレジスト
膜を形成する工程と、(b)前記形成されたレジスト膜
の表面に等方性エッチングを施す工程と、(c)前記等
方性エッチングがなされた後に、前記基板から前記レジ
スト膜を除去するように異方性エッチングを施す工程と
を具備することを特徴とする。
スト膜に形成された階段状の形状を滑らかにし、これを
異方性エッチングによって基板に転写することとしたの
で、異方性エッチングのみによる場合に比べ、より滑ら
かで高精度な形状に形成が可能である。
べ表面の微細な形成が可能となるので、非球面などの高
精度な形状を製造できる。
は、(a)基板上に、階段状の表面を有するようにレジ
スト膜を形成する工程と、(b)前記形成されたレジス
ト膜の表面に異方性エッチングを施す工程と、(c)前
記異方性エッチングがなされた後に、前記基板から前記
レジスト膜を除去するように等方性エッチングを施す工
程とを具備することを特徴とする。本発明では、異方性
エッチングによりレジスト膜に形成された階段状の形状
をある程度基板上から除去し、これを等方性エッチング
によって滑らかにすることとしたので、レジスト膜に形
成された全体の形状を大きく崩さず基板表面を滑らかに
できる。
膜が、濃淡のある多階調マスクにより形成されたもので
あることを特徴とする。これにより、濃淡のある多階調
マスクにより任意の形状をレジスト膜で形成することが
できる。
ッチングと前記等方性エッチングとの選択を、印加され
るバイアスの有無によることとしたことを特徴とする。
これにより異方性エッチングと等方性エッチングの選択
が極めて容易にできることとなりエッチングの迅速化も
図れる。
法は、平板状の原材料にエッチングを施して光学素子を
製造する方法において、(a)前記平板状の原材料上
に、階段状の表面を有する凹部又は凸部を持つレジスト
膜を形成する工程と、(b)前記形成されたレジスト膜
の表面に等方性エッチングを施す工程と、(c)前記等
方性エッチングがなされた後に、異方性エッチングを施
して前記平板状の原材料から前記レジスト膜を除去する
工程とを具備することを特徴とする。本発明では、等方
性エッチングによりレジスト膜に形成された階段状の形
状を滑らかにし、これを異方性エッチングによって基板
に転写することとしたので、異方性エッチングのみによ
る場合に比べ、より滑らかで高精度な形状の光学素子の
製造が可能である。
べ表面の微細な形成が可能となるので、非球面などの高
精度な形状の光学素子を製造できる。
法は、平板状の原材料にエッチングを施して光学素子を
製造する方法において、(a)前記平板状の原材料上
に、階段状の表面を有する凹部又は凸部を持つレジスト
膜を形成する工程と、(b)前記形成されたレジスト膜
の表面に異方性エッチングを施す工程と、(c)前記異
方性エッチングがなされた後に、前記平板状の原材料か
ら前記レジスト膜を除去するように等方性エッチングを
施す工程とを具備することを特徴とする。本発明では、
異方性エッチングによりレジスト膜に形成された階段状
の形状をある程度前記平板状の原材料上から除去し、こ
れを等方性エッチングによって滑らかにすることとした
のでレジスト膜に形成された全体の形状を大きく崩さ
ず、表面が滑らかな光学素子を製造できる。
膜が、濃淡のある多階調マスクにより形成されたもので
あることを特徴とする。これにより、濃淡のある多階調
マスクにより任意の形状の光学素子をレジスト膜で製造
することができる。
ッチングと前記等方性エッチングとの選択を、印加され
るバイアスの有無によることとしたことを特徴とする。
これにより、異方性エッチングと等方性エッチングの選
択が極めて容易にできることとなり、光学素子の表面形
成の迅速化も図れる。
項5から請求項8のうちいずれか1項に記載の光学素子
の製造方法から製造されたことを特徴とする。本発明で
は、等方性エッチングによりレジスト膜に形成された階
段状の形状を滑らかにするので、より高精度な形状の光
学素子とすることが可能である。
べ、表面の微細な形成が可能となるので、非球面などの
高精度な形状の光学素子とすることできる。
に基づき説明する。
ンズの表面形状を形成する場合における誘導結合型プラ
ズマ反応性イオンエッチング(以下「ICP−RIE」
という)装置の概略図である。
置1は、プラズマ2が生成される反応室3、プラズマを
発生させる柱状コイル4、石英ガラス基板5及びレジス
ト膜6にバイアスを印加するバイアス用高周波電源(以
下「RF」という)、柱状コイル4とRFとを制御する
制御系7を備えている。
が設けられており、電極8上に階段状の表面を有する凸
部を持つレジスト膜6が形成された石英ガラス基板5が
載置されている。
御系7で制御され、電極8を通して石英ガラス基板5に
例えばバイアス0Vあるいは、バイアス−100Vと選
択的にバイアス電圧がかけられることとなる。
ングと等方性エッチングを選択できることとなる。
設けられており、この柱状コイル4は制御系7によって
例えば2.0MHzの高周波電流が流されることとな
る。
源(図示せず)とRFとを独立して制御できることとな
り、レンズ表面形成のための石英ガラス基板5の処理が
正確に且つ迅速にできる。
ってエッチング方法、例えばレンズの表面形状を形成す
る場合について説明する。
3はグレースケールマスクを通してレジスト膜を露光す
る状態を示す断面図、図4は露光後に現像、洗浄したレ
ジスト膜6を示す断面図、図5はレジスト膜の表面に等
方性エッチングを施す場合の断面図、図6(a)〜
(c)は等方性エッチングでレジスト膜が滑らかにされ
る説明図、図7は表面が滑らかな凸部を持つレジスト膜
の断面図、図8は異方性エッチングを施す場合の断面
図、図9はエッチング方法が終了した状態の断面図、図
10はエッチングの工程を示すフローチャートである。
石英ガラス基板5上に、階段状の表面を有する凸部を持
つレジスト膜6を形成する工程について説明する。
する。
る多階調マスクであるグレースケールマスク9を通して
レジスト膜6を露光する。ここでグレースケールマスク
9は、例えば図2に示すよう同心円状にA1〜A6の区
域に分けられており、A1が一番薄くなっており中心に
行くほど濃くなるように設けられた多階調マスクであ
る。また、図3ではグレースケールマスク9の断面図に
おいて同じように両端のA1が一番薄くなっており、中
心へ行くほど濃くなるように設けられている。
ジスト膜を溶解し、次いで水洗い、乾燥を行う。
基板5上に、ほぼ段差0.1μmの水平面で形成された
階段状の表面を有する凸部を持つレジスト膜6が形成さ
れる。
グレースケールマスク9で極めて容易に形成されること
となる。
び図7に基づき(b)形成されたレジスト膜6の表面に
等方性エッチングを施す工程について説明する。
置1の反応室3に(a)の工程により階段状の表面を有
する凸部を持つレジスト膜6が形成された石英ガラス基
板5を電極8上に載置する(ステップ101)。
のガスが送入され(ステップ102)制御系7の制御
下、柱状コイル4に高周波電流が流され反応室3内にプ
ラズマ2が生成される(ステップ103)。
ガラス基板5のバイアスをゼロとして、等方性エッチン
グをレジスト膜6の表面に施す(ステップ104)。
中のイオン粒子が階段状の表面を有する凸部を持つレジ
スト膜6の表面に対し、あらゆる方向に照射されること
となるので、階段状の表面が全体的にエッチングされ、
滑らかな凸部を持つレジスト膜6を形成することができ
る(ステップ105)。
形状が変化して突出部10が丸くなり、小さくなる特徴
があるが、図6(a)〜(c)に基づいて以下に詳述す
る。
膜6の実際の凹凸の二乗平均誤差が最小になるように規
格化された平均表面11を設定する。
のベクトルは、平均表面11に対し垂直な方向(Y)
と、水平な方向(X)の2種類に分けることができる。
11に対して垂直な方向のエッチングが起きる場合、こ
れは異方性エッチングと同じ現象なので、レジスト膜6
の表面の形状がそのまま転写される。
11に対して水平方向のエッチングが起きる場合、平均
表面11から飛び出した所だけがエッチングで小さくな
る。すなわち、図6(a)に示すように平均表面11か
らh1だけの高さがあった突出部10が、等方性エッチ
ングにより図6(c)に示すように平均表面11からh
1より小さいh2となる。
示すように表面が滑らかな凸部を持つレジスト膜6が、
形成されることとなる。
ク9の階調が増えたのと同じ効果が得られる。この結
果、レジスト膜6の表面の段差を通常の光学素子に必要
とされている精度0.02μmを上回るように滑らかに
できるので、より高精度な光学素子を製造することが可
能となる。
ンズの製造が容易になる効果がある。すなわち、非球面
レンズは特に1枚の球面レンズ光学系で発生する球面収
差を補正するのに大きな効果があるが、球面レンズとの
形状の差は0.1μm程度と小さく、従来のグレースケ
ールマスク9のみでは球面レンズと非球面レンズとの差
を十分に表現できなかった。
ることと組み合わせることによって、非球面レンズの特
徴を表すのに必要な面形状の精度を確保することができ
ることとなり、非球面レンズの製造が容易になる。
エッチングがなされた後に、石英ガラス基板5からレジ
スト膜6を除去するように異方性エッチングを施す工程
について説明する。
装置1の反応室3内の等方性エッチングによるエッチン
グ生成物及び残留ガスが排気され、代わりのガスが送入
される (ステップ106)。
って反応室3内にプラズマ2が生成される(ステップ1
07)。
8を通して石英ガラス基板5にバイアスがかけられ異方
性エッチングが施される(ステップ108)。
のイオン粒子が石英ガラス基板5の面に対し垂直方向に
照射される。これによって、レジスト膜6の滑らかな表
面を有する凸部がそのまま、石英ガラス基板5に転写さ
れることとなる。
示すように全体的に滑らかな表面を有するレンズが、形
成され(ステップ109) エッチング方法が終了するこ
ととなる。
ッチングによりレジスト膜6に形成された階段状の形状
を滑らかにし、これを異方性エッチングによって石英ガ
ラス基板5に転写することとしたので、異方性エッチン
グのみによる場合に比べ、より滑らかで高精度な形状の
レンズの製造が可能である。
べ表面の微細な形成が可能となるので、非球面などの高
精度な形状を製造できる。
グとの選択を、ICP−RIE装置1の電極8に印加さ
れるバイアス電圧の有無によることとしたので、より異
方性エッチングと等方性エッチングの選択が極めて容易
にできることとなりレンズの表面形成の迅速化も図れ
る。
電源と別々にしたのでレンズの表面形成を極めて精密に
且つ迅速にできる。
らかいレジスト膜6に等方性エッチングを施しその後、
硬い石英ガラス基板5に異方性エッチングを施すことと
したので、レンズの形成が極めて速くできることとな
る。
に係るレンズの表面形状を形成する場合におけるレジス
ト膜に異方性エッチングを施すときの断面図、図12は
レジスト膜に等方性エッチングを施す場合の断面図、図
13は基板処理方法が終了した状態の断面図である。
施形態で示した図1から図9までにおける構成要素と同
一の構成要素については同一の符号を付すものとし、そ
の説明を省略する。
形態に係るICP−RIE装置1と同じ構成を有するの
でその説明を省略する。
1の実施形態の場合と異なり、異方性エッチングを施し
た後、等方性エッチングを施しレンズの表面形状を形成
する場合について説明する。
状の表面を有する凸部を持つレジスト膜6を形成する工
程については、第1の実施形態の場合と同一である。
されたレジスト膜6の表面に異方性エッチングを施す工
程について説明する。
置1の反応室3に(a)の工程により階段状の表面を有
する凸部を持つレジスト膜6が形成された石英ガラス基
板5を電極8上に載置する。
を送入し制御系7の制御下、柱状コイル4によって反応
室3内にプラズマ2が生成される。
8を通して石英ガラス基板5にバイアスがかけられ異方
性エッチングが施される。
2中のイオン粒子が、階段状の表面を有する凸部を持つ
レジスト膜6の表面に対し、垂直方向に照射されること
となるので、階段状の表面を有する凸部がそのまま維持
され、レジスト膜6がある程度石英ガラス基板5から除
去されることとなる。以上により(b)の工程が終了す
る。
ングがなされた後に、石英ガラス基板5からレジスト膜
6を除去するように等方性エッチングを施す工程につい
て説明する。
装置1の反応室3内の異方性エッチングによるエッチン
グ生成物及び残留ガスが排気された後、代わりのガスが
送入され、制御系7の制御下柱状コイル4によって反応
室3内にプラズマ2が生成される。
(b)の工程において電極8を通して石英ガラス基板5
にバイアスがかけてあったのをゼロバイアスにして、等
方性エッチングを石英ガラス基板5に施す。
2中のイオン粒子が階段状の表面を有する凸部を持つレ
ジスト膜6に対し、あらゆる方向に照射されることとな
るので、階段状の表面が全体的にエッチングされ、石英
ガラス基板5の表面も滑らかな凸部を有する表面とされ
る。
エッチングと異なりプラズマ2中のイオン粒子がレジス
ト膜6の階段状の表面に対し、垂直方向(Y方向)のみ
ならず水平方向(X方向)にも照射される。これによっ
て、レジスト膜6面上に残っていた階段状の突出部10
もエッチングされ、突出部10が小さくなり全体的に滑
らかな表面となる。
に示すように全体的に滑らかな表面を有するレンズが、
石英ガラス基板5上に形成されエッチング方法が終了す
ることとなる。
ッチングによりレジスト膜6に形成された階段状の形状
をある程度石英ガラス基板5上から除去し、これを等方
性エッチングによって滑らかにすることとしたので、レ
ジスト膜6に形成された全体の形状を大きく崩さず、滑
らかな表面を有するレンズを形成できる。また、熱処理
による場合に比べ表面の微細な形成が可能となるので、
非球面などの高精度な形状を製造できる。
グとの選択を、ICP−RIE装置1の電極8に印加さ
れるバイアスの有無によることとしたので、より異方性
エッチングと等方性エッチングとの選択が極めて簡易に
できることとなる。
電源と別々にしたので、レンズの表面形成を極めて精密
に且つ迅速に図れる。
にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変形
して実施できる。
ールマスクとしてCanyon Materials
Inc.のHEBSガラス、フォトレジストとしてクラ
リアントジャパン(株)のAZ P4903、レジスト
膜6を滑らかにするのに使用するプラズマは酸素及び基
板材料として石英ガラスを示したが、材料の種類は上記
3種に限定されるものではない。
IPT Inc.等もある。更に写真乾板等のように濃
淡があれば使用可能である。
きく厚塗りができてポジ型であれば適用可能であり例え
ば、クラリアントジャパン(株)のAZ P4400及
びAZ P4620、東京応化工業(株)PMER P
−LA900PM及びPMER P−LA1300PM
及びJSR(株)のTHB−500P及びTHB−61
1P等がある。
ストの主成分で炭素と揮発性の化合物を生成する水素、
窒素、酸化窒素、アンモニア、3フッ化窒素、6フッ化
イオウ及び塩素等も適用可能である。
料で且つ復屈折がないか非常に弱く、反応性イオンエッ
チングが可能な材料であれば良い。例えば、赤外線用の
光学素子としてはシリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウ
ム、リン化インジウム及び硫化カドミウム等があり、赤
色光用としてはリン化ガリウム、セレン化亜鉛及び立方
晶系炭化ケイ素等がある。
スも可能であり、PPG社のCR−39、アクリル樹
脂、ポリカーボネート、(株)ニコン等の含硫ウレタン
樹脂及びHOYA(株)のテスラリッド(登録商標)等が
挙げられる。
有光学ガラス、安定化ジルコニア、硫化亜鉛、窒化アル
ミニウム、窒化ガリウム及び六方晶系炭化ケイ素等があ
る。
ものだけでなく、光学素子をプレスモールドで作成する
のに使用する金型をグレースケールマスクとプラズマエ
ッチングで製造する方法にも適用できる。すなわち、金
型の形状(凹状)をしたレジスト膜の表面を等方性エッ
チングで滑らかにできる。金型はプラズマエッチングが
可能で且つ硬度の大きな材料である必要があり、材料と
しては炭化ケイ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、炭化チタ
ン、窒化チタン及び炭化タングステン等がある。
−RIE装置1で等方性エッチングと異方性エッチング
の両方を施したが、これに限られるものでなく例えば等
方性エッチングと異方性エッチングとを、別々のICP
−RIE装置1で施しても良い。
ットをどちらか一方に固定でき、よりエッチングのスピ
ードアップが図れる。
ングとを別々の例えば、平行平板型プラズマエッチング
装置等によっても良い。これによって、より制御が簡単
になる。
例を説明する。
(直径50.8mm)にポジ型フォトレジストAZ P4
903(クラリアントジャパン(株)製)をスピンコー
ター(ミカサ(株)製)で膜厚17μmに塗布し、ホッ
トプレートで3分間加熱した。
Canyon MaterialsInc.製グレース
ケールマスクを通して露光した。
であり、光源波長は0.432μm、露光量は200m
J/cm2である。
K(クラリアントジャパン(株)製で主成分は水酸化カ
リウム水溶液)で現像して露光した部分のレジスト膜を
溶解し、次いで水洗い、乾燥を行った。
wView100(zygo Inc.)で測定した断
面を図14に示した。
がほぼ階段状になっていることが良く分かった。
ラス基板5をICP−RIE装置1(イギリスSTS社
製)にいれた。
6×10−4m3/h、プラズマに対する電力1500
W及び基板バイアス0Vに維持して等方性エッチングを
5分間施した。この際、石英ガラス基板5のバイアスが
0Vでないと異方性エッチングになるので注意を要す
る。
に出し、レジスト膜6の形状を干渉顕微鏡NewVie
w100(zygo Inc.)で測定して得た断面図
が図15に示された。
6が図14であり、これと図15とを比較すると、かな
り段差が除かれたことがわかった。すなわち、等方性エ
ッチングを施したことによってレジスト膜6の表面を、
滑らかにすることができたことがこれによって良くわか
った。
スケールマスクを使用してポジ型フォトレジストAZ
P4903(クラリアントジャパン(株)製)にレンズ
形状を形成した。
ラス基板5をICP−RIE装置1(イギリスSTS社
製)にいれた。
6×10−4m3/h、プラズマに対する電力1500
W及び基板バイアス0Vに維持して等方性エッチングを
5分間施した。
4フッ化炭素の流量を12×10− 4m3/h、酸素の
流量6×10−4m3/h、プラズマに対する電力15
00W及び基板バイアス−100Vに維持して異方性エ
ッチングを30分間施した。
板5とのエッチング速度が等しく、レジスト膜6の形状
が石英ガラス基板5に転写され、したがって石英ガラス
基板5にレンズ形状が形成された。
た焦点像を表す写真が図16である。
例とレジスト膜6の形状が非球面レンズになるように設
計したグレースケールマスクを使用した以外は同じであ
る。
同じように酸素プラズマを使用して、等方性エッチング
をレジスト膜6に施し、更に異方性エッチングによりレ
ジスト膜6の滑らかな形状を石英ガラス基板5に転写し
てレンズを作成した。
て得られた焦点像を表す写真である。
スケールマスクを使用して、レジスト膜6に対し露光、
現像を行った。
方性エッチングを施さずに4フッ化炭素と酸素の混合プ
ラズマで、レジスト膜6と石英ガラス基板5とを1:1
の割合で垂直方向のみの異方性エッチングを施した。
り、レジスト膜6の形状が石英ガラス基板5に転写さ
れ、レンズが石英ガラス基板5に形成された。
た焦点像を表す写真が図18である。
性エッチングによりレジスト膜6を滑らかにし更に異方
性エッチングを施した第2の実施例に係る図16のほう
が、異方性エッチングによりレジスト膜6の階段状の形
状をそのまま転写した比較例に係る図18の場合より焦
点像が小さく、すなわち収差が少なくなったことが分か
った。
スト膜6の形状が非球面レンズになるように設計したグ
レースケールマスクを使用した第3の実施例に係る図1
7の焦点像のほうが通常のグレースケールマスクを使用
した第2の実施例に係る図16の焦点像よりも更に小さ
くなった。このことは図17に係るレンズの方が収差が
少なくなったことを意味する。
光、現像によってレジスト膜に形成した階段状の表面
を、酸素プラズマ等で等方性エッチングを施すことによ
って、非球面形状等のより高精度な形状の光学素子を製
造できることが明確となった。
により、レンズ関連では電荷結合素子(CCD)のオン
チップマイクロレンズの集光効率の向上によるCCDの
感度が向上できる。感度が向上すれば、CCDの画素数
の増大及びCCDの小型化が可能になる。
ズアレーの光分配効率の向上による投映像の高精細化で
きる。また、レーザ投射ディスプレイでは、レーザアレ
イから出るレーザ光の成形の高効率化ができる。更に光
記録ディスクのピックアップの高精度化による記録密度
の向上等できる。
野では、プリズム及び回折格子等の光学素子の高精度化
により、多重できる波長数の増大及び素子そのものの小
型化ができる。
ッチの小型化及び多重できる波長数の増大を図れる。こ
れらを通して通信速度の増大、ひいては情報ビット単価
の軽減及び装置の小型化、低価格化が可能となる。
マシンでも、基板に対して斜めに傾いた面を持つ歯車、
ミラーの表面の高度精度化に有効であって、マイクロマ
シンの高信頼化につながる。
らかなレジスト表面と基板表面を形成でき、より高精度
の光学素子を製造できることとなる。
応性イオンエッチング装置を示す概略図である。
の平面図である。
を通してレジスト膜を露光する状態の断面図である。
たレジスト膜6を示す断面図である。
方性エッチングを施す場合の断面図である。
ジスト膜が滑らかにされる説明図である。
持つレジスト膜の断面図である。
す場合の断面図である。
た状態の断面図である。
示すフローチャートである。
形状を形成する場合におけるレジスト膜に異方性エッチ
ングを施すときの断面図である。
等方性エッチングを施す場合の断面図である。
が終了した状態の断面図である。
膜の形状を干渉顕微鏡NewView100(zygo
Inc.)で測定した断面図である。
した後のレジスト膜の形状を干渉顕微鏡NewView
100(zygo Inc.)で測定した断面図であ
る。
を入射させて得られた焦点像を表す写真である。
を入射させて得られた焦点像を表す写真である。
せて得られた焦点像を表す写真である。
3)を示すグラフである。
Claims (9)
- 【請求項1】 (a)基板上に、階段状の表面を有する
ようにレジスト膜を形成する工程と、 (b)前記形成されたレジスト膜の表面に等方性エッチ
ングを施す工程と、 (c)前記等方性エッチングがなされた後に、前記基板
から前記レジスト膜を除去するように異方性エッチング
を施す工程とを具備することを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項2】 (a)基板上に、階段状の表面を有する
ようにレジスト膜を形成する工程と、 (b)前記形成されたレジスト膜の表面に異方性エッチ
ングを施す工程と、 (c)前記異方性エッチングがなされた後に、前記基板
から前記レジスト膜を除去するように等方性エッチング
を施す工程とを具備することを特徴とするエッチング方
法。 - 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のエッチン
グ方法において、 前記レジスト膜が、濃淡のある多階調マスクにより形成
されたものであることを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項4】 請求項1から請求項3のうちいずれか1
項に記載のエッチング方法において、 前記異方性エッチングと前記等方性エッチングとの選択
を、印加されるバイアスの有無によることとしたことを
特徴とするエッチング方法。 - 【請求項5】 平板状の原材料にエッチングを施して光
学素子を製造する方法において、 (a)前記平板状の原材料上に、階段状の表面を有する
凹部又は凸部を持つレジスト膜を形成する工程と、 (b)前記形成されたレジスト膜の表面に等方性エッチ
ングを施す工程と、 (c)前記等方性エッチングがなされた後に、異方性エ
ッチングを施して前記平板状の原材料から前記レジスト
膜を除去する工程とを具備することを特徴とする光学素
子の製造方法。 - 【請求項6】 平板状の原材料にエッチングを施して光
学素子を製造する方法において、 (a)前記平板状の原材料上に、階段状の表面を有する
凹部又は凸部を持つレジスト膜を形成する工程と、 (b)前記形成されたレジスト膜の表面に異方性エッチ
ングを施す工程と、 (c)前記異方性エッチングがなされた後に、前記平板
状の原材料から前記レジスト膜を除去するように等方性
エッチングを施す工程とを具備することを特徴とする光
学素子の製造方法。 - 【請求項7】 請求項5又は請求項6に記載の光学素子
の製造方法において、 前記レジスト膜が、濃淡のある多階調マスクにより形成
されたものであることを特徴とする光学素子の製造方
法。 - 【請求項8】 請求項5から請求項7のうちいずれか1
項に記載の光学素子の製造方法において、 前記異方性エッチングと前記等方性エッチングとの選択
を、印加されるバイアスの有無によることとしたことを
特徴とする光学素子の製造方法。 - 【請求項9】 請求項5から請求項8のうちいずれか1
項に記載の光学素子の製造方法から製造されたことを特
徴とする光学素子。
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---|---|---|---|---|
JP2009063777A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sharp Corp | 着色マイクロレンズアレイおよびその製造方法、カラー固体撮像素子およびその製造方法、カラー表示装置およびその製造方法、電子情報機器 |
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-
2001
- 2001-08-06 JP JP2001238160A patent/JP4483145B2/ja not_active Expired - Fee Related
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