JPS58184743A - モ−ルド型半導体装置 - Google Patents
モ−ルド型半導体装置Info
- Publication number
- JPS58184743A JPS58184743A JP6738582A JP6738582A JPS58184743A JP S58184743 A JPS58184743 A JP S58184743A JP 6738582 A JP6738582 A JP 6738582A JP 6738582 A JP6738582 A JP 6738582A JP S58184743 A JPS58184743 A JP S58184743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- metal substrate
- semiconductor device
- adhesive
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、モールド型半導体装置に係り、特にケースと
金属基板の接続に関する。
金属基板の接続に関する。
第１図は従来のモールド型半導体装置の断面図會示し、
第２図は第１図のケースと金属基板Ｏ螢続部の拡大図で
、絶縁モールド型サイリスタを示す。半導体チップ５の
上面は、ろう材８Ｇ、８におよび９Ｇ、９に′ｆｒ介し
て内リード７Ｇ、７にとゲート電極６Ｇ、 カソード電
極６Ｋにそれぞれ接続され、半導体テップ５の下面はろ
う材９Ａｔ介してアノード電極６Ａに電気的に接続され
ている。
第２図は第１図のケースと金属基板Ｏ螢続部の拡大図で
、絶縁モールド型サイリスタを示す。半導体チップ５の
上面は、ろう材８Ｇ、８におよび９Ｇ、９に′ｆｒ介し
て内リード７Ｇ、７にとゲート電極６Ｇ、 カソード電
極６Ｋにそれぞれ接続され、半導体テップ５の下面はろ
う材９Ａｔ介してアノード電極６Ａに電気的に接続され
ている。
さらにアノード電極６Ａ、ゲート電極６Ｇおよびカソー
ド電極６には、ろう材１０Ａ、ＩＯＧ。
ド電極６には、ろう材１０Ａ、ＩＯＧ。
１０１１介して、セラミックなどの絶縁板１１に接続し
、この絶縁板１１と金属基板２はろう材１２にて接続し
である。ケースｌと金属基板２は接着剤４で接続し、ケ
ースｌの内部には樹脂３ｆモールドにより充填し外気と
遮断しである。
、この絶縁板１１と金属基板２はろう材１２にて接続し
である。ケースｌと金属基板２は接着剤４で接続し、ケ
ースｌの内部には樹脂３ｆモールドにより充填し外気と
遮断しである。
以上のような従来のモールド型半導体装置は次のような
欠点倉有してイル。
欠点倉有してイル。
■ ケースｌと金属基板２の接続位置が不安定で接着剤
４で接続することが容易に出来ない。
４で接続することが容易に出来ない。
■ 樹脂３を注入する時に樹脂３がケース！と金属基板
２との間より流出しないようにケース１と金属基板２は
接着剤４で接続するが、その際、接着剤４が半導体チッ
プ５の上に飛び散り、また熱硬化する接着剤４によって
は、この接着剤４から発生するガスにより半導体装置の
機能を害することがある。
２との間より流出しないようにケース１と金属基板２は
接着剤４で接続するが、その際、接着剤４が半導体チッ
プ５の上に飛び散り、また熱硬化する接着剤４によって
は、この接着剤４から発生するガスにより半導体装置の
機能を害することがある。
係るモールド型半導体装置の欠点？解消するため種々の
方法が考えられたが、いづれも解消不可能な次の欠点を
有している。
方法が考えられたが、いづれも解消不可能な次の欠点を
有している。
的記■を解決するために、金属基板２の溝にケースｌの
幅を合わせ接続位！ｔ１！ｒ定める構造では接着剤４を
注入することが出来ない。
幅を合わせ接続位！ｔ１！ｒ定める構造では接着剤４を
注入することが出来ない。
あらかじめ接着剤４をケースｌの先端に塗布しておき、
金属基板２と接続する構造では、ケースｌの先端に塗布
した接着剤４が、金属基板２へ取り付ける際、アノード
電極６Ａ、ゲート電極６Ｇ。
金属基板２と接続する構造では、ケースｌの先端に塗布
した接着剤４が、金属基板２へ取り付ける際、アノード
電極６Ａ、ゲート電極６Ｇ。
カンード電極６になどに触れないよう位置合わせするこ
とが必要となり、作業性が悪い。
とが必要となり、作業性が悪い。
■の半導体装置の機能を害する防止策として、半導体チ
ップ５をコーテイング材で被覆保護する構造があるが、
・−ティ〜グ：材−１，５！出し金属基板２とケースｌ
の接続部に達した場合・ケース！と金属基板２の間に隙
間が出来、接続不具合いが生じるため、慎重に作業する
ことが必要である。
ップ５をコーテイング材で被覆保護する構造があるが、
・−ティ〜グ：材−１，５！出し金属基板２とケースｌ
の接続部に達した場合・ケース！と金属基板２の間に隙
間が出来、接続不具合いが生じるため、慎重に作業する
ことが必要である。
本発明の目的は、前記公知技術の欠点を解消し、接着剤
管用いないでケースと金属基板を容易に接続することが
でき、信頼性向上することができるモールド型半導体装
置管提供することにある。
管用いないでケースと金属基板を容易に接続することが
でき、信頼性向上することができるモールド型半導体装
置管提供することにある。
本発明の特徴とするところは金属基板と接するケースの
先端に弾性を有する突起を設はケースを金属基板に敗り
付ける際、この突起の弾性管利用し金属基板に保合密着
させたことにある。
先端に弾性を有する突起を設はケースを金属基板に敗り
付ける際、この突起の弾性管利用し金属基板に保合密着
させたことにある。
以下、本発明を図面に示した実施例に基づいて説明する
。
。
第３図はケース１を取シ付は樹脂３ケ充填したモールド
型半導体装置の拡大断面図である。ケースｌは金属基板
２の所定の位置にケース１１先端の突起１ａを介して突
起１ａの弾性を利用し保合密着されている。
型半導体装置の拡大断面図である。ケースｌは金属基板
２の所定の位置にケース１１先端の突起１ａを介して突
起１ａの弾性を利用し保合密着されている。
本発明によると下記に示す利点がある。
″［・
■ ケースｌと金属基板、２の接続が接着剤４を用いな
いこと、およびケースｌ先端の突起１１の弾性を利用し
保合密着させることで取シ付は位置が定まシ作業が容易
である。
いこと、およびケースｌ先端の突起１１の弾性を利用し
保合密着させることで取シ付は位置が定まシ作業が容易
である。
■ 接着剤４を用いないでケースと金属基板２倉接続し
、その後樹脂３をケースｌの内部Ｋｙｅ、ｔｌｌするた
め、接着剤４が半導体装置の機能を害することが無くな
り、信頼性向上となる。
、その後樹脂３をケースｌの内部Ｋｙｅ、ｔｌｌするた
め、接着剤４が半導体装置の機能を害することが無くな
り、信頼性向上となる。
■ ケースｌは先端の突起１ａの弾性を利用し金属基板
２と保合密着させるため、樹脂３の流出防止が出来る。
２と保合密着させるため、樹脂３の流出防止が出来る。
さらに発明の変形例・応用例としてｔＨ４図〜第６図に
他の実施例を示す。
他の実施例を示す。
第４図に示す実施例でケースｌの先端の突起Ｉａをケー
スｌの外側に具備し、これ會金桐基板２へ取り付けたも
のであり上蓋付きケースＩＫ有効である。ｆｊｇｓ図に
示す実施例ではケースｌの先端突起１ａをケースｌの内
外側両方向に具備しこれを金属基板２へ取り付けたもの
で、さらに取り付は位置が安定する。第６図は１１１４
図の実施例のケースｌの底面と金属基板２よりうがせ、
この部分へも樹脂３を充填したモールド型半導体装置で
ある。この構造においては樹脂３を介しての装置内部と
外気との沿面長がさらに長くなシ、より信頼性が向上す
る。
スｌの外側に具備し、これ會金桐基板２へ取り付けたも
のであり上蓋付きケースＩＫ有効である。ｆｊｇｓ図に
示す実施例ではケースｌの先端突起１ａをケースｌの内
外側両方向に具備しこれを金属基板２へ取り付けたもの
で、さらに取り付は位置が安定する。第６図は１１１４
図の実施例のケースｌの底面と金属基板２よりうがせ、
この部分へも樹脂３を充填したモールド型半導体装置で
ある。この構造においては樹脂３を介しての装置内部と
外気との沿面長がさらに長くなシ、より信頼性が向上す
る。
以上の実施例では絶縁板１１が半導体チップ５と金属基
板２０間に介在されているが、絶縁板１１かないもので
あってもよい。まな、半導体チップは複数個載置されて
いてもよい。
板２０間に介在されているが、絶縁板１１かないもので
あってもよい。まな、半導体チップは複数個載置されて
いてもよい。
本発明によれば、ケースと金属基板の接続が容易となり
、さらにケースと金属基板の接続に接着剤管用いないこ
とで信頼性向上の効果がある。
、さらにケースと金属基板の接続に接着剤管用いないこ
とで信頼性向上の効果がある。
第１図は従来のモールド型半導体装置の断面図、第２図
は第１図のケースと金属基板の接続部の拡大図、第３図
〜第６図は各々本発明の異なる実施例を示すケースと金
属基板の接続部の拡大断面図である。 ｌ・・・ケース、Ｈｇ・・・突起、２・・・金属基板、
３・・・樹脂、５・・・半導体チップ、６Ａ・・・アノ
ード電極、６Ｇ・・・ゲート電極、６Ｋ・・・カンード
電極、７Ｇ・７Ｋ・・・内リード、８Ｇ・８Ｋ・９Ｇ・
９Ｋ・１０Ａ−１０Ｇ−１０Ｋ・１２・・７１″ １１
−絶縁板。 署 ご ｍ ＄ ４ｍ
は第１図のケースと金属基板の接続部の拡大図、第３図
〜第６図は各々本発明の異なる実施例を示すケースと金
属基板の接続部の拡大断面図である。 ｌ・・・ケース、Ｈｇ・・・突起、２・・・金属基板、
３・・・樹脂、５・・・半導体チップ、６Ａ・・・アノ
ード電極、６Ｇ・・・ゲート電極、６Ｋ・・・カンード
電極、７Ｇ・７Ｋ・・・内リード、８Ｇ・８Ｋ・９Ｇ・
９Ｋ・１０Ａ−１０Ｇ−１０Ｋ・１２・・７１″ １１
−絶縁板。 署 ご ｍ ＄ ４ｍ
Claims (1)
- １、金属基板の一主面の少なくとも一部分に、ろう材な
どを介して、少くと４１個の半導体チップおよび該半導
体チップに電流を流すためＯ複数個の電極を取り付は前
記半導体デツプと複数個の電極管金属基板と接続される
ケースで囲い、このケースの内＠會樹脂によりモールド
し九モールド堰半導体装置において、ケースの金属基板
と接続する部分に弾性を有する突起管設け、該突起によ
ｐケースを金属基板に保合密着させているとと會特徴と
するモールド型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6738582A JPS58184743A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | モ−ルド型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6738582A JPS58184743A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | モ−ルド型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58184743A true JPS58184743A (ja) | 1983-10-28 |
Family
ID=13343477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6738582A Pending JPS58184743A (ja) | 1982-04-23 | 1982-04-23 | モ−ルド型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58184743A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196351U (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-14 | ||
| JPS6320447U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPH0236551A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Hitachi Ltd | 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 |
| JP2014203978A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
| JP2018046103A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018082069A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-23 JP JP6738582A patent/JPS58184743A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62196351U (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-14 | ||
| JPS6320447U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPH0236551A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Hitachi Ltd | 絶縁モールド型半導体装置及びその製法 |
| JP2014203978A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
| JP2018046103A (ja) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018082069A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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