JPS58179364A - 半導体素子の特性測定装置 - Google Patents
半導体素子の特性測定装置Info
- Publication number
- JPS58179364A JPS58179364A JP6188982A JP6188982A JPS58179364A JP S58179364 A JPS58179364 A JP S58179364A JP 6188982 A JP6188982 A JP 6188982A JP 6188982 A JP6188982 A JP 6188982A JP S58179364 A JPS58179364 A JP S58179364A
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- JP
- Japan
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- measured
- electric power
- transistor
- power
- gain
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子の特性測定装置に関し、特にその電
力利得測定装置に関する。
力利得測定装置に関する。
例えば、トランジスタの印加電力とその出方電力の関係
においては、印加電力の増加に対応して出力電力が一定
の増幅率で増加する直線増幅領域と、印加電力の増加に
対応して出力電力の増幅率がしだいに下が）ながら増加
する非直線増幅領域とがある。前者の一定の増幅率に対
し、後者の領域で増幅率のｌｄＢ下がった出力電力点が
ｌｄＢ利得圧縮点となシ、素子特性の測定項目としてこ
れを求めなければならない。
においては、印加電力の増加に対応して出力電力が一定
の増幅率で増加する直線増幅領域と、印加電力の増加に
対応して出力電力の増幅率がしだいに下が）ながら増加
する非直線増幅領域とがある。前者の一定の増幅率に対
し、後者の領域で増幅率のｌｄＢ下がった出力電力点が
ｌｄＢ利得圧縮点となシ、素子特性の測定項目としてこ
れを求めなければならない。
ｌ ｄＢ利得圧縮点の求め方として、従来は出力信号の
安定した信号発生器を用いて、トランジスタの出力が十
分に飽和しないレベルまで下げた状態においてトランジ
スタの電力利得を求め、トランジスタの電力利得が下が
シはじめるレベルにおいて、その前後を変化させ入力及
び出力電力を測定し、前記電力利得がｌｄＢ下がった点
を求め、出力電力を求める方法が一般に考えられる。
安定した信号発生器を用いて、トランジスタの出力が十
分に飽和しないレベルまで下げた状態においてトランジ
スタの電力利得を求め、トランジスタの電力利得が下が
シはじめるレベルにおいて、その前後を変化させ入力及
び出力電力を測定し、前記電力利得がｌｄＢ下がった点
を求め、出力電力を求める方法が一般に考えられる。
Ｍ１図は従来のトランジスタの電力利得測定装置のシス
テムブロック図を示すもので、信号発生装置ｌから方向
性結合器２ｔ−介して被測定トランジスタ２へ入力電力
が印加され、これは電力計４で測定される。被測定トラ
ンジスタ３からの出力電力は電力計５で測定される。こ
の場合、被測定トランジスタ３０入力・出力電力特性が
直線的に変化する領域での直線利得を正確に求める為に
、数回の繰り返し測定を行わなければならない。従って
、この利得全基準にして被測定トランジスタへ印加する
電力を増加させながら、順次電力利得を求め、ｌｄＢ利
得圧縮点を探し出さなければならない。又、その点にお
ける出力電力を求めるのであるが、この方法は繰シ返し
測定を多く行なわなければならず、かつ入力・出力特性
の電力利得の変換を測定毎に行なわなければならないな
ど、長い測定時間を必要とする欠点があった。
テムブロック図を示すもので、信号発生装置ｌから方向
性結合器２ｔ−介して被測定トランジスタ２へ入力電力
が印加され、これは電力計４で測定される。被測定トラ
ンジスタ３からの出力電力は電力計５で測定される。こ
の場合、被測定トランジスタ３０入力・出力電力特性が
直線的に変化する領域での直線利得を正確に求める為に
、数回の繰り返し測定を行わなければならない。従って
、この利得全基準にして被測定トランジスタへ印加する
電力を増加させながら、順次電力利得を求め、ｌｄＢ利
得圧縮点を探し出さなければならない。又、その点にお
ける出力電力を求めるのであるが、この方法は繰シ返し
測定を多く行なわなければならず、かつ入力・出力特性
の電力利得の変換を測定毎に行なわなければならないな
ど、長い測定時間を必要とする欠点があった。
本発明の目的はｌｄＢ利得圧縮点を正確にかつ速く求め
ることを可能した測定装置を提供することである。
ることを可能した測定装置を提供することである。
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。
信号発生器ｌから出力される印加′シカの信号レベルは
制御部６によって制御され、方向性結合器２を介して被
測定トランジスタ３へ印加される。
制御部６によって制御され、方向性結合器２を介して被
測定トランジスタ３へ印加される。
被測定トランジスタ３へ印加される入力電力は電力計４
によシ正確に測定され、測定値は制御部６へ入力される
。被測定トランジスタ３の出力電力は電力計５により測
定され、その時の測定値は制御部６へ入力される。
によシ正確に測定され、測定値は制御部６へ入力される
。被測定トランジスタ３の出力電力は電力計５により測
定され、その時の測定値は制御部６へ入力される。
本測定装置では被測定トランジスタの入力・出力電力特
性の電力利得−尾領域（直線増幅領域）の回帰直！１Ｉ
ｔ−求め、この回帰直線を基準にして、トランジスタの
電力利得が３ｄＢ前後、下がる点における入力電力を印
加し出力電力の測定を行う。
性の電力利得−尾領域（直線増幅領域）の回帰直！１Ｉ
ｔ−求め、この回帰直線を基準にして、トランジスタの
電力利得が３ｄＢ前後、下がる点における入力電力を印
加し出力電力の測定を行う。
以下第３図に示すトランジスタの入力・出力電力特性図
を示し説明を進める。回帰直線１０に対し、ｌｄＢ電力
利得を下げた直線１１を求める。直線ｌＯと１１は平行
な直線となる。電力利得が回帰直線上の電力利得に対し
３ｄＢ前後下がった点での出力電力１２を求める。測定
点１２と、回帰直ｄｌＯｔ−求めた電力利得−尾領域で
の任意の点とその入力電力に対応する出力電力点１３ｅ
結ぶ直線１４を求める。直［１４と直線１１の交点を求
め、その点における入力電力に対する出力電力１５を測
定する。直線１１における前記測定点における入力電力
に対する出力電力値を求める。上記出力電力値１５と測
定点１２とを結ぶ直線を求め、これと直線１１との交点
を求める。この交点に対応する入力電力を求め、出力電
力１７ｔ−測定する。又直線１１において、同人力電力
おける出力電力の電力利得が一定と仮定した出力電力値
を計算上よシ求める。前記測定を繰シ返し行い、測定出
力電力と直線１１よシ求める出力電力との差１８が零と
なる点がｌｄＢ利得圧縮点となる。
を示し説明を進める。回帰直線１０に対し、ｌｄＢ電力
利得を下げた直線１１を求める。直線ｌＯと１１は平行
な直線となる。電力利得が回帰直線上の電力利得に対し
３ｄＢ前後下がった点での出力電力１２を求める。測定
点１２と、回帰直ｄｌＯｔ−求めた電力利得−尾領域で
の任意の点とその入力電力に対応する出力電力点１３ｅ
結ぶ直線１４を求める。直［１４と直線１１の交点を求
め、その点における入力電力に対する出力電力１５を測
定する。直線１１における前記測定点における入力電力
に対する出力電力値を求める。上記出力電力値１５と測
定点１２とを結ぶ直線を求め、これと直線１１との交点
を求める。この交点に対応する入力電力を求め、出力電
力１７ｔ−測定する。又直線１１において、同人力電力
おける出力電力の電力利得が一定と仮定した出力電力値
を計算上よシ求める。前記測定を繰シ返し行い、測定出
力電力と直線１１よシ求める出力電力との差１８が零と
なる点がｌｄＢ利得圧縮点となる。
従ってこの装置によるｌｄＢ利得圧縮点の測定は、従来
に比べて統計的な処理を用いているので、測定数の大幅
な減少と測定値の精度を著しく高めることができる。従
って、電力用トランジスタの測定においては測定時間が
長くなることによりトランジスタの熱的変動が犬きくな
シ正確性が欠如するため、極力、測定時間の減少を計ら
なければならない。その面からも、本測定装置は、作業
時間の減少と合せてトランジスタの正確な特性を測定す
る為に極めて有効である。
に比べて統計的な処理を用いているので、測定数の大幅
な減少と測定値の精度を著しく高めることができる。従
って、電力用トランジスタの測定においては測定時間が
長くなることによりトランジスタの熱的変動が犬きくな
シ正確性が欠如するため、極力、測定時間の減少を計ら
なければならない。その面からも、本測定装置は、作業
時間の減少と合せてトランジスタの正確な特性を測定す
る為に極めて有効である。
第１図は従来の電力利得測定装置のシステムブロック図
、第２図は本発明の一実施例による電力利得測定装置の
システムブロック図、第３図は本実施例によるｌｄＢ利
得圧縮点を求める方法を示す入力・出力電力特性図であ
る。 ｌ・・・・・・信号発生器、２・・・・・・方向性結合
器、３・・・・・・被測定半導体素子、４．５・・・・
・・電力計、６・・・・・・制御部、１０・・・・・・
電力利得−尾領域の入力・出力直線、１１・・・・・・
直線１０から電力利得がｌｄＢ下がる入力・出力直線、
１２・・・・・・出力電力飽和点の出力電力値、１３・
・・・・・直線１０’ｔ”求めた入力電力の任意の点に
おける出力電力、１４・・・・・・出力電力１２と出力
電力１３を結ぶ直線、１５．１７・・・・・・直線１１
と直［１４の交点に相応する入力電力に対する出力電力
、１６・・・・・・トランジスタの入力・出力特性曲線
、１８・・・・・・出力電力１５．１７と直ｌｆＭｌｌ
上の出力電力との電力差。
、第２図は本発明の一実施例による電力利得測定装置の
システムブロック図、第３図は本実施例によるｌｄＢ利
得圧縮点を求める方法を示す入力・出力電力特性図であ
る。 ｌ・・・・・・信号発生器、２・・・・・・方向性結合
器、３・・・・・・被測定半導体素子、４．５・・・・
・・電力計、６・・・・・・制御部、１０・・・・・・
電力利得−尾領域の入力・出力直線、１１・・・・・・
直線１０から電力利得がｌｄＢ下がる入力・出力直線、
１２・・・・・・出力電力飽和点の出力電力値、１３・
・・・・・直線１０’ｔ”求めた入力電力の任意の点に
おける出力電力、１４・・・・・・出力電力１２と出力
電力１３を結ぶ直線、１５．１７・・・・・・直線１１
と直［１４の交点に相応する入力電力に対する出力電力
、１６・・・・・・トランジスタの入力・出力特性曲線
、１８・・・・・・出力電力１５．１７と直ｌｆＭｌｌ
上の出力電力との電力差。
Claims (1)
- 被測定半導体素子への印加電力を検出する第１の検出部
と、前記被測定半導体菓子からの出力電力を検出する第
２の検出部と、前記第１及び第２の検出部の検出値に基
いて所定の処理を行なう制御部とを含み、前記制御部に
おいて前記第１及び第２の検出部からの検出値を統計的
に処理することによって前記被測定半導体素子の増幅特
性における利得圧縮点を求めるようにしたことを特徴と
する半導体素子の特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188982A JPS58179364A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 半導体素子の特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6188982A JPS58179364A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 半導体素子の特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179364A true JPS58179364A (ja) | 1983-10-20 |
Family
ID=13184158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6188982A Pending JPS58179364A (ja) | 1982-04-14 | 1982-04-14 | 半導体素子の特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614977A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
| JPS61235768A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
-
1982
- 1982-04-14 JP JP6188982A patent/JPS58179364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614977A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-10 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
| JPS61235768A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Nec Corp | 半導体素子の特性測定装置 |
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