JPS58177977A - 4−フエニルピラゾ−ル類 - Google Patents

4−フエニルピラゾ−ル類

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JPS58177977A
JPS58177977A JP5799682A JP5799682A JPS58177977A JP S58177977 A JPS58177977 A JP S58177977A JP 5799682 A JP5799682 A JP 5799682A JP 5799682 A JP5799682 A JP 5799682A JP S58177977 A JPS58177977 A JP S58177977A
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JP
Japan
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group
phenyl
methyl
pyrazole
lower alkyl
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Application number
JP5799682A
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English (en)
Inventor
Shinzo Kano
加納 慎蔵
Akira Shibuya
渋谷 皓
Satoshi Hibino
日比野 「さとし」
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Aska Pharmaceutical Co Ltd
Original Assignee
Grelan Pharmaceutical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 を表わし、Rx はt級アルキル基、低級アルコキシ基
、ハロゲン原子、低級アルコキシ力ルホニル基、ヒドロ
キシ低級アルギル基、シアノ低級アルキル基tたけヒド
ロキシカルボニル低級アルキル基を表わす)で示される
4−フェニルピラゾール類に関するものである。
本発明者らは医薬品の開発を目的として各種の4−7ヱ
ニルピラゾール類の製造およびその薬理作用の検討を行
なってきた結果、安価な原料より収率良く一般式(1)
で示される4−7エニルピラゾール類が合成され、合成
された新規化合物類には消炎、鎮痛作用が発現され、ま
たこれら化合物は他の薬理作用を示す各種化合物等の合
成中間体として重要な化合物であることが判明し、本発
明を完成させるに至った。
本明細書において示される置換基、一般式(1)のR1
およびR意における各種用語として、「低級アルキル基
」とは炭素数1〜6の直鎖または分枝したアルキル基を
意味し、具体的にはメチル、エチル、n  e 1so
−プロピル、n  eiao  gtart−ブチル基
等の直鎖または分枝したアルキル基を表わし、「アリー
ル基」とは例えdフェニル基、置換フェニル基を意味す
る。また「低級アルコキシ基」とは、前記に説明される
低級アルキル基置換アルコキシ基を表わし、「ハロゲン
原子」とは塩素、臭素、フ、素原子等を、「低級アルコ
キシカルホニル基」トはメトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、ブトキシカルボニル基のような前述の低級
アルコキシ基置換カルボニル基を表ワス。さらに、rヒ
ドロキシカルボニル低級アルキル基」、「ヒドロキシ低
級アルキル基」および「シアノ低級アルキル基」とはそ
れぞれ、ヒドロキシカルボニル基、ヒドロキシ基および
シアノ基にメチレン、メチルメチレン、ジメチルメチレ
ン、エチレン、メチルエチレン、フロピレンブチレンの
ような炭素数1ない1,6の直鎖または分枝した低級ア
ルキレン基が結合した基を意味し、それらの具体的な例
としてヒドロキシ、カルボニルメチル、1−ヒドロキシ
カルボニル−1−エチル、2−ヒドロキシカルボニル−
1−エチル、2−ヒドロキシカルボニル−2−プロピル
のようなヒドロキシカルボニル低級アルキル基、ヒドロ
キシメチル、ヒドロキシエチルのようなヒドロキシ低級
アルキル基、および7アノメチル、シアノエチルのよう
な/アノ低級アルキル基が挙げられる。
本発明の4−7エニルピラゾール類は文献未記載の新規
化合物であり、これに限定されるものではない。すなわ
ち、一般式(1)で示される本発明の4−71ニルピラ
ゾール類のある棟のものは、(式中、 R’* ti低
級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子または
低級アルコキシカルボニル基を表わす)で示される化合
物と、一般式(置)R1−NHNH鵞   (1) (式中、Rs は前記定義と同一)で示されるヒドラジ
ン誘導体を適当な溶媒の存在下、あるいは無溶媒丁に縮
合させることによって得られる。その縮合反応体より具
体的には以下のA t B両方法が採用される。
A法 化合物(1)およびヒドラジン誘導体(1)をアルコー
ル系溶媒体中加熱還流することによって行なわれる。こ
の場合のアルコール系溶媒としては、メタノール、エタ
ノール、180−プロパツール等の比較的低級のアルコ
ールが好ましく、反応時間は用いる化合物あるいは溶媒
により一様に限定し得ないが、1−24時間、好ましく
は10〜16時間程度で良い。もちろんこの場合におい
てはアルコール系の溶媒を存在させなくても進行し得る
が、溶媒を使用した方が好結果を与える。
B法 化合物(1)およびヒドラジン蒋導体(■)を適当な溶
媒中、ルイス酸存在下に縮合させることにより行なわれ
る。本方法における溶媒は、反応に直接関与しないもの
なら任意に選択されるが、アセトニトリルのような溶媒
が好ましい。またルイス酸としては、例えば三塩化ホウ
素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、三フッ化ホウ素
、四塩化スズ、塩化唾鉛等が挙げられるが、四塩化チタ
ンが等に優れた結果を与える。反応は化合物(1)およ
び(1)の混合物中にルイス酸1に滴下する手段でなさ
れるが、この滴下時は水冷下に行なうのが好ましく、そ
の後室温〜100℃程度で行なうのが良い0反応時間は
1−24時間程度、好ましくは10〜15時間程度で十
分である。
以上記載のA法およびB法により一般式(1)で示され
る4−7エニルビラゾール類のめるへの化合物が製造さ
れるが、得られた化合物にさらに橿種の化学反応を行な
い、それぞれ相当する一般式+1)の4−フェニルピラ
ゾール類を製造し得る。
その代表的な反応工程を図式化すれd図1のようになる
図1 (上記式中、Ri は前記定義と同一であり、Reは低
級アルキル基を、×はハロゲン原子を表わす)次に図1
中における各工程の概略を述べれは、化合物(fV)よ
り化合物(V)への還元反応は無水溶媒、例えば無水テ
トラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、ベンゼン中
水素化リチウムアルミニウム(LiAIHa)等の還元
試薬により行なわれる。次の化合物(マ)より化合物(
Vl)へのハロゲン化は塩化チオニル、臭化チオニル、
塩化水素等のハロゲン化試薬が好ましい。この場合、得
られた化合物(W)は単離することなくシアン化ナトリ
ウム、シアン化カリウム等を用いてニトリル化を行ない
、化合物(■)へ導びき、さらに化合物(1)を酸また
は塩基のいずれかによる加水分解あるいはメチル化を行
なった後加水分解を行ない化合物(Yl)、([)また
は(X)へ導くことができる。
以上に記載の方法により一般式(1)の4−7エニルビ
ラゾール類を製造し得るが、そのなかでカルボキシル基
を有する化合物は薬学的に許容される塩基性化合物との
塩とすることができ、その場合の塩基性化合物としては
ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、フェネチルア
ミン、アニーン、ヘキシルアミン等の有機アミン、アン
モニア等カ好ましい。
以下に本発明の製造例を実施例にてさらに許細に説明す
る。
実施例 L A法:x−(4−エトキシカルボニルフェニル)−3−
メチルチオ−ツープロペナールl’jf、メチルヒドラ
ジン441152およびエタノール100m−の混合物
を14時間加熱鑞流した。溶媒を留去し残留物に水を加
え、ベンゼンで抽出。抽出液を水洗、乾燥後に濃縮し、
カラムクロマトグラフィーで精製を行なった後、再結晶
し1−メチル−4−(4−エトキシカルボニルフェニル
)ピラゾールa94fを得た。
セトニ) IJル80m1に溶かし、冷却下に四塩化チ
タンα52mJを加えてから室温で14時間攪拌した0
反応後、水を加えベンゼンで抽出し、抽出液を上記A法
と同様に処理すること罠よってA法で祷られたものと則
−の1−メチル−4−(4−エトキシカルボニルフェニ
ル)ピラゾールLO8fを得た。
上記のA法およびB法の操作に従い、各種のα、β−不
飽和アルデヒド類(議)を用いて対応する4−フェニル
ピラゾール類(1)を得た。これらの結果を表1に示す
実施例 11 1−メチル−4−(4−ヒドロキシメチルフェニル)ピ
ラゾール l−メチル−4−(4−エトキシカルボニルフェニル)
ピラゾール8gを無水テトラヒドロ乙ランに溶かし、氷
冷下にLiAIHa  を無水テトラヒドロフランに懸
濁させたものの中へ滴加した。さらに室温下で4時間攪
拌し、30%水酸化す) IJウムで処理後、クロロホ
ルムで抽出、水洗・乾燥後クロロホルムを留去。残首物
を再結晶し、結晶五82fを得た。
実施例 12 1−フェニル−4−(4−ヒドロキシメチルフェニル)
ピラゾール l−フェニル−4−(4−エトキシカルボニル)ピラゾ
ールを用い、上記実施例11と同様の方法によって得た
実施例 18 1−メチル−◆−(4−シアノメチルフェニル)ピラゾ
ール 実施例11で得た1−メチル−4−(4−とドロキシメ
チルフェニル)ヒラゾール1h4f、ベンゼン100m
Jおよび塩化チオニル19−72f′t71時間加熱還
流後、ベンゼンおよび過剰の塩化チオニルを留去した。
残留物をメチルエチルケトン150mjK溶かし、シア
ン化ナトリウムa55fおよびヨウ化ナトリウム20f
を加え、混合物を14時間攪拌下に還流。反応後、溶媒
を留去し残冑物ケクロロホルムで抽出、水洗・乾燥後に
#縮し、カラムクロマトグラフィーで精製した。さらに
再結晶によって結晶367tを得た。
実施例 14 1−フェニル−4−(4−シアノメチルフェニル)ピラ
ゾール 実施例12でうたl−フェニル−4−(4−ヒドロキシ
メチルフェニル)ピラゾールを用い、上記実施例13と
同様の方法によって得た。
実施例 15 1−メfk−4−(4−ヒドロキシカルボニルメチルフ
ェニル)ピラゾール 実施例18で得た1−メチル−4−(4−シアノメチル
フェニル)ピラゾール29.水酸化ナトリウA8F、ジ
オキサン6 mJ、エタノール28!mJおよび水2m
l!lの混合物を攪拌下に加熱還流後Km媒を留去し、
残留物に水を加えクロロホルムで洗浄した。ボーを6%
塩酸で中和しクロロホルムで抽出、水洗・乾燥後にクロ
ロホルムを留去し、残留物を再結晶し結晶1.82を得
た。
実施例 16 1−フェニル−4−(4−ヒドロキシカルボニルメチル
フェニル)ヒラソール 実施例14で得たl−7エニルー4−(4−シアノメチ
ルフェニル)ピラゾールを用い、上記実施例15と同様
の方法によって得た。
実施例 17 2−(4−(1−メチル−4−ピラゾリル)フェニル〕
プロピオ/酸 実施例13で得たl−メチル−4−(4−シアノメチル
フェニル)ピラゾール3fを60%水素化ナトリウムへ
61fのテトラヒドロフラン懸濁液中に加え、1時間攪
拌した後、ヨウ化メチル096m1(11モル)のテト
ラヒドロフラン溶液を加え、混合物を室温ドで1時間攪
拌した。反応後、水を加えクロロホルムで抽出し、水洗
・乾燥後クロロホルムを留去。残留物を実施例16の方
法と同様に加水分解を行ない、目的物を得た。
実施例 18 実施例14で得たl−フェニル−4−(4−シアンメチ
ルフェニル)ピラゾールを用い、上記実施例17と同様
の方法によって得た。
実施例 19 ソー(4−(1−メチル−4−ピラゾリル)フェニル〕
イソブタン酸 実施例18で得たl−メチル−4−(4−シアノメチル
フェニル)ピラゾールヲ用い、過剰(約4モル)のヨウ
化メチルを用いた以外は上記実施例17と同様の方法に
よって得た。
実施例 20 2−(4−(t−フェニル−4−ピラゾリル)フェニル
〕イソブタ7el 実施例14で得た1−フェニル−4−(4−シアンメチ
ルフェニル)ピラゾールを用い、過−J(約4モル)の
ヨウ化メチルを用いた以外は上記実施例17と同様の方
法によって得た。
以上の〜実施例11〜20の結果を表1に示す。
特許出願人 グレラン製薬株式会社 手続補正書(方式) 昭和57年8月to日 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和57年特許原第57996号 2、発明の名称 4−フェニルピラゾール類 3、補正をする者 本件との関係 特許出願人 住 所 東京都世田谷区野沢三丁目3番9号名 称 グ
レラン製薬株式会社 (傅猪)  取締役社長 柳 沢    昭4、代理人 〒154 居 所 東京都世田谷区桜新町二丁目12番3号58補
正命令の日付 昭和57年7月27日(発送日) 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)  明細書第1O頁を別紙のとおり補正する。
C!l  明細書第9頁第1O〜11行に「その代表的
な反応工程を図式化すれば図■のようになる。」とある
のを、「その代表的な反応工程は例えば次の様である。
」と補正する。
(萄 明細書第11頁第2行に「次に図I中における各
工程の概略を述べれば、」とあるのを、「次に上記の各
工程の概略を述べれば、」と補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式(1) (式中、R2は低級アルキルまたはアリール基を表わし
    、R3は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
    原子、低級アルコキシカルボニル基、ヒドロキシ低級ア
    ルキル基、シアン低級アルキル基またはヒドロキシカル
    ボニル低級アルキル基を表わす)で示される4−フェニ
    ルピラゾール類。 2一般式(1)中、R1の低級アルキル基がメチル基で
    ある特許請求の範囲第1項に記載の4−7エニルピラゾ
    ール類。 1 & 一般式(1)中、hのアリール基がフヱニル基であ
    る特許請求の範囲第1項に記載の4−7エニルピラゾー
    ル類。 覗 一般式(1)中、Rx の低級アルキル基がメチル
    基である特許請求の範v5第1項ないし第3項に記載の
    4−フェニルピラゾール類〇五 一般式(1)中、R3
    の低級アルコキシ基がメトキシ基である特許請求の範囲
    第1項ないし第3項に記載の4−フェニルピラゾール類
    。 a 一般式(1)中、R雪 のハロゲン原子が塩素原子
    またはフッ素原子である特許請求の範囲gt項ないし第
    3項に記載の4−7エニルビラゾール類。 フ 一般式(1)中、R1の低級アルコキシカルボニル
    基がエトキシカルボニル基である特許請求の範囲第1項
    ないし第3項に記載の4−フェニルピラゾール類。 & 一般式(I)中、Rx のシアノ低級アルキル基が
    シアノメチル基である特許請求の範囲第1項ないし第8
    項に記載の4−フェニルピラゾール類。 Q  一般式(I)中、R寞 のヒドロキシカルボニル
    低級アルキル基がヒドロキシカルボニルメチル、1−ヒ
    ドロキシカルボニル−1−エチル、2−ヒドロキシカル
    ボニル−2−グロピルである特許請求の範l第1項ない
    し第8項に記載の4−フェニルピラゾール類。 lα 一般式(口の4−7エニルピラゾール類カ、l−
    メチル−4−(4−メチルフェニル)ピラゾール、1−
    フェニル−4−(4−メチルフェニル)ピラゾール、l
    −メチル−4−(4−メトキシフェニル)ピラゾール、
    1−フラジール、1−フェニル−4−(4−クロロフェ
    ニル)ピラゾール、1−メチル−4−(4−クロロフェ
    ニル)ヒラゾール、1−7エニルー4−(4−クロロフ
    ェニル)ヒラソール、l−メチル−4−(4−エトキシ
    カルボニルフェニル)ヒラゾール、1−フェニル−4−
    (4−エトキシカルボニルフェニル)ピラゾール、l−
    メチル−4−(4−シアノメチルフェニル)ヒラゾール
    、1−フェニル−4−(4−シアノメチルフェニル)ピ
    ラゾール、1−メチル−4−(4−カルボキシメチルフ
    ェニル)ヒラゾール、1−フェニル−4−(4−カルボ
    キシメチルフェニル)ピラゾール、2−(4−(1−メ
    チル−4−ピラゾール)フェニル)フロピオン酸、2−
    (4−(1−フェニル−4−ピラゾリル)フェニル)プ
    ロピオン酸、2−(4−(1−メチル−4−ピラゾリル
    )フェニルコイノブタン1!、ソー(4−(1−フェニ
    ル−4−ピラゾリル)フェニル〕イソブタン酸、1−メ
    チル−4=(4−ヒドロキシメチルフェニル)ピラゾー
    ル、1−フェニル−4−(4−ヒドロキシメチルフェニ
    ル)ピラゾールの群から選択される化合物である特許請
    求の範囲第1項ないし第9項に記載の4−7エニルピラ
    ゾール類。
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