JPS58177031A - 磁気センサ− - Google Patents
磁気センサ−Info
- Publication number
- JPS58177031A JPS58177031A JP5994982A JP5994982A JPS58177031A JP S58177031 A JPS58177031 A JP S58177031A JP 5994982 A JP5994982 A JP 5994982A JP 5994982 A JP5994982 A JP 5994982A JP S58177031 A JPS58177031 A JP S58177031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- hybrid
- semiconductor integrated
- circuit section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性磁気抵抗素子と附属の半導体集積回路
素子を一体に組合わせた、ハイブリッドＩＣ型磁気セン
サーに係る。
素子を一体に組合わせた、ハイブリッドＩＣ型磁気セン
サーに係る。
磁石が近接することによシスイツチングするセンサーと
して、リードスイッチやホールＩＣが用いられている。
して、リードスイッチやホールＩＣが用いられている。
前者は有接点であるため、スイッチ音、動作寿命等の点
で欠点があり、後者はセンサーであるシリコンホール素
子の感度が低いために、磁石の発生磁場が不足すること
となり、誤動作を生じ易い欠点があった。
で欠点があり、後者はセンサーであるシリコンホール素
子の感度が低いために、磁石の発生磁場が不足すること
となり、誤動作を生じ易い欠点があった。
本発明は、このような欠点を改良するため、強 ′
磁性磁気抵抗素子（以下単にＭＲ素子という）と半導体
集積回路とを組合せ、簡単な構造で、歩留りのよい高感
度なスイッチング式ハイブリッドＩＣ型磁気センサーを
提供するものである。
磁性磁気抵抗素子（以下単にＭＲ素子という）と半導体
集積回路とを組合せ、簡単な構造で、歩留りのよい高感
度なスイッチング式ハイブリッドＩＣ型磁気センサーを
提供するものである。
以下図面に従って本発明の一実施例を詳細に説明する。
第１図に本案磁気センサーのブロック図を示す０１はＭ
Ｒ素子（強磁性磁気抵抗素子）、２はＭＲ素子１とブリ
ッジを構成する拡散抵抗、３は差動増幅回路、４はシュ
ミットトリガ−回路、５は出力回路である。上記のうち
、２〜５の抵抗及び各回路部は、例えば半導体集積回路
素子６として単一のシリコン基板に組込んで構成される
ものであリ、ＭＲ素子１と半導体集積回路素子６は、Ｍ
Ｒ素子１の真空蒸着用基板等を兼用し、ハイブリッドＩ
Ｃ型センサーとして組立てられる。７はＶ。０電圧を供
給する電源端子、８はグランド（７−ス）端子で、９及
び１０は出力回路５から導出した信号出力端子である。
Ｒ素子（強磁性磁気抵抗素子）、２はＭＲ素子１とブリ
ッジを構成する拡散抵抗、３は差動増幅回路、４はシュ
ミットトリガ−回路、５は出力回路である。上記のうち
、２〜５の抵抗及び各回路部は、例えば半導体集積回路
素子６として単一のシリコン基板に組込んで構成される
ものであリ、ＭＲ素子１と半導体集積回路素子６は、Ｍ
Ｒ素子１の真空蒸着用基板等を兼用し、ハイブリッドＩ
Ｃ型センサーとして組立てられる。７はＶ。０電圧を供
給する電源端子、８はグランド（７−ス）端子で、９及
び１０は出力回路５から導出した信号出力端子である。
ところで、ＭＲ素子１の外部磁場［Ｆ］）に対する抵抗
変化率（△Ｒ／Ｒ）は、第２図の特性図に示されるとお
り、５０ガウス以上で飽和し、低磁場に対する感度はす
ぐれているものの、抵抗変化率ΔＲ／Ｒは５％〜３％と
小さい。このため、差動増幅回路部３の各入力端に接続
される端子、すなわち、拡散抵抗２ａと２ｂの中点の端
子１１と、ＭＲ素子１と接続するための端子１２の電圧
の不平衡電圧は少なくとも±θ〜±３Ｘ程度に小さくす
る必要がある。
変化率（△Ｒ／Ｒ）は、第２図の特性図に示されるとお
り、５０ガウス以上で飽和し、低磁場に対する感度はす
ぐれているものの、抵抗変化率ΔＲ／Ｒは５％〜３％と
小さい。このため、差動増幅回路部３の各入力端に接続
される端子、すなわち、拡散抵抗２ａと２ｂの中点の端
子１１と、ＭＲ素子１と接続するための端子１２の電圧
の不平衡電圧は少なくとも±θ〜±３Ｘ程度に小さくす
る必要がある。
通常、生産時に生ずるバラツキは、拡散抵抗値は±１０
％程度以内であり、ＭＲ素子の抵抗値も±１０％程度以
内である。本案はこのような点を勘案して歩留りよくセ
ンサーを生産する構造を提案するもので、第１図のブロ
ック及び第３図に要部構造を拡大して示すように、ＭＲ
素子１の中点部に複数個の電圧取出し用、すなわちトリ
ミング用のパッドＡ−Ｅを作っている。第３図において
、７′は電源端子７に接続されるパッド、８′はグラン
ド端子８に接続されるパッドである。ＭＲ素子ｌの中点
部に電圧取出し用パッドＡ−Ｅを作っておき、端子１１
の電圧と一番近い電圧レベルの端子をＡ〜Ｅの中から選
択して端子１２と接続することにより、かかる製造上の
バラツキからくる不平衡電圧を、端子１１とパッドＡ−
Ｅ電圧のベアリングにより小さくできる。なお、第１図
の端子１１は、拡散抵抗２の中点と増幅回路部３との間
で扱い易いように別途上記のトリミング用のため導出し
たテス用端子として示している。
％程度以内であり、ＭＲ素子の抵抗値も±１０％程度以
内である。本案はこのような点を勘案して歩留りよくセ
ンサーを生産する構造を提案するもので、第１図のブロ
ック及び第３図に要部構造を拡大して示すように、ＭＲ
素子１の中点部に複数個の電圧取出し用、すなわちトリ
ミング用のパッドＡ−Ｅを作っている。第３図において
、７′は電源端子７に接続されるパッド、８′はグラン
ド端子８に接続されるパッドである。ＭＲ素子ｌの中点
部に電圧取出し用パッドＡ−Ｅを作っておき、端子１１
の電圧と一番近い電圧レベルの端子をＡ〜Ｅの中から選
択して端子１２と接続することにより、かかる製造上の
バラツキからくる不平衡電圧を、端子１１とパッドＡ−
Ｅ電圧のベアリングにより小さくできる。なお、第１図
の端子１１は、拡散抵抗２の中点と増幅回路部３との間
で扱い易いように別途上記のトリミング用のため導出し
たテス用端子として示している。
上記の例では、Ａ−Ｅの５点のトリミング用パッドを設
ける例を示したが、製造時のバラツキの度合に応じて、
その数及び位置を調整することは容易である。
ける例を示したが、製造時のバラツキの度合に応じて、
その数及び位置を調整することは容易である。
以上のように本発明は、強磁性磁気抵抗素子と半導体集
積回路素子を組合わせたノ・イブリッドＩＣ型センサー
であって、簡単な構造で、歩留りよく、高感度な磁気セ
ンサーが提供できる。
積回路素子を組合わせたノ・イブリッドＩＣ型センサー
であって、簡単な構造で、歩留りよく、高感度な磁気セ
ンサーが提供できる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
強磁性磁気抵抗素子の特性を示す図、第３図は第１図の
要部構造を拡大して示す図である。 １・・強磁性磁気抵抗素子（ＭＲ素子）、２・・・拡散
抵抗、３ 差動増幅回路部、４・・・シュミットトリガ
−回路部、５・・・出力回路部、６・・・半導体集積〜
Ｅ・・・トリミング用ノ々ツド。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１６２
強磁性磁気抵抗素子の特性を示す図、第３図は第１図の
要部構造を拡大して示す図である。 １・・強磁性磁気抵抗素子（ＭＲ素子）、２・・・拡散
抵抗、３ 差動増幅回路部、４・・・シュミットトリガ
−回路部、５・・・出力回路部、６・・・半導体集積〜
Ｅ・・・トリミング用ノ々ツド。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）１６２
Claims (1)
- １６強磁性磁気抵抗素子と、該素子とブリッジを構成す
る拡散抵抗、前記素子と該拡散抵抗の出力が印加され差
動形式で前記素子の出力を増幅する差動増幅回路部、該
増幅回路部の出力が印加されて動作するシュミットトリ
ガ−回路部及び出力回路部等からなる半導体集積回路素
子とを有し、前記強磁性磁気抵抗素子と前記半導体集積
回路素子とを組合せて７１イブリツドＩＣ型センサーと
し、前記強磁性磁気抵抗素子に複数のトリミング用パッ
ドを設けたことを特徴とする磁気センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5994982A JPS58177031A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 磁気センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5994982A JPS58177031A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 磁気センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58177031A true JPS58177031A (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=13127897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5994982A Pending JPS58177031A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 磁気センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58177031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114119A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fanuc Ltd | 磁気センサ |
| KR20030010539A (ko) * | 2001-07-26 | 2003-02-05 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 자계 센서 |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP5994982A patent/JPS58177031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114119A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Fanuc Ltd | 磁気センサ |
| KR20030010539A (ko) * | 2001-07-26 | 2003-02-05 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 자계 센서 |
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