JPS58171839A - 半導体装置のパツケ−ジ及び実装方法 - Google Patents
半導体装置のパツケ−ジ及び実装方法Info
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- JPS58171839A JPS58171839A JP58048064A JP4806483A JPS58171839A JP S58171839 A JPS58171839 A JP S58171839A JP 58048064 A JP58048064 A JP 58048064A JP 4806483 A JP4806483 A JP 4806483A JP S58171839 A JPS58171839 A JP S58171839A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、半導体装置の実装方法に関し、さらに詳しく
はプラスチックカプセル封止全行う為のリードフレーム
の製造に関す名。
はプラスチックカプセル封止全行う為のリードフレーム
の製造に関す名。
従来技術の説明
例えばデュアルインライン型パッケージのような（以下
ＤＩＰパッケージと呼ぶ）典型的な半導体パッケージは
、お互いに電気的には絶縁されていてプラスチックのカ
プセル封止包囲体を通って伸び、例えばプリント回路板
上の個々のリードのような電気回路の他の構成部に対し
電気的な接続を形成する複数のリードを有している。プ
リント回路板上のリードはＤ工Ｐパッケージと例えは出
力供給部又はその他のＩＩＩＰパッケージのような他の
構成部とを接続する。Ｄ工Ｐパッケージは、典型的には
、例えば集積回路のような半導体装置がその上にとり付
けられるバーパッドを有している。半導体装置のバーパ
ッドへのと９付けは合金又はエポキシ樹脂で半導体装置
とバーパラぜの間を接着することによって行われる。バ
ーパッドはたいたい平坦な面を有していて、この上に半
導体装置の一方の面がとシつけられる。半導体装置の反
対側の面は典型的に複数の電極パッドを有している。半
導体装置上の各々の電極パッドは、複数のリードのうち
の１本のり−げに設けられた電極パッドにとりつけられ
る。これによって半導体装置とＩＪ −ドの騎で必要な
電気的な接続が与えられる。上記で示したリードはお互
いに電気的に絶縁されていて、半導体装置上の電極パッ
ドと他の回路との間を別個に電気的に接続している。パ
ーパッドａ 一般に、典型的に接地に接続する１本のり
−ｒに接続している。
ＤＩＰパッケージと呼ぶ）典型的な半導体パッケージは
、お互いに電気的には絶縁されていてプラスチックのカ
プセル封止包囲体を通って伸び、例えばプリント回路板
上の個々のリードのような電気回路の他の構成部に対し
電気的な接続を形成する複数のリードを有している。プ
リント回路板上のリードはＤ工Ｐパッケージと例えは出
力供給部又はその他のＩＩＩＰパッケージのような他の
構成部とを接続する。Ｄ工Ｐパッケージは、典型的には
、例えば集積回路のような半導体装置がその上にとり付
けられるバーパッドを有している。半導体装置のバーパ
ッドへのと９付けは合金又はエポキシ樹脂で半導体装置
とバーパラぜの間を接着することによって行われる。バ
ーパッドはたいたい平坦な面を有していて、この上に半
導体装置の一方の面がとシつけられる。半導体装置の反
対側の面は典型的に複数の電極パッドを有している。半
導体装置上の各々の電極パッドは、複数のリードのうち
の１本のり−げに設けられた電極パッドにとりつけられ
る。これによって半導体装置とＩＪ −ドの騎で必要な
電気的な接続が与えられる。上記で示したリードはお互
いに電気的に絶縁されていて、半導体装置上の電極パッ
ドと他の回路との間を別個に電気的に接続している。パ
ーパッドａ 一般に、典型的に接地に接続する１本のり
−ｒに接続している。
Ｄ工Ｐパッケージの構成では、リードフレームはフォト
リトグラフ技術又はスタンピングによって製造される。
リトグラフ技術又はスタンピングによって製造される。
リードフレームは金属製であって、平坦な金属板の所定
区域を打ち抜くといった標準的な技術によってこのスタ
ンピング工程が行われる。フォトリトグラフ技術では、
浸食材（ｃｏｒｒｏａｉｖｅ）の作用に対し耐浸食性の
材料で所定区域をおおう。この浸食材はリードフレーム
を構成している金属を溶かす仁とができる物質である。
区域を打ち抜くといった標準的な技術によってこのスタ
ンピング工程が行われる。フォトリトグラフ技術では、
浸食材（ｃｏｒｒｏａｉｖｅ）の作用に対し耐浸食性の
材料で所定区域をおおう。この浸食材はリードフレーム
を構成している金属を溶かす仁とができる物質である。
所定区域はおおわれないままで残っていて例えば浸食物
質の入った水槽の中に入れてリードフレームを浸食材に
さらすと、何もおおわれて込ない部分の金属は浸食され
て浴けてしまって、耐浸食性の物質におおわれた部分の
金属のみが残る。次いで耐浸食性の物質が残った金属か
らとシ除かれる。
質の入った水槽の中に入れてリードフレームを浸食材に
さらすと、何もおおわれて込ない部分の金属は浸食され
て浴けてしまって、耐浸食性の物質におおわれた部分の
金属のみが残る。次いで耐浸食性の物質が残った金属か
らとシ除かれる。
バーパラＶに付属した状態でリードが形成される場合、
バーパッドとリードフレームの間にすきまができるよう
な穴をあけるパンチングが行われパーパッドからリード
は分離される。それからパーパッドは、リードによって
占められる平面から他の平面に移される。更に半導体装
置はパーパッドにとりつけられる。半導体装置内の各々
の電極パッドは複数のリードの中の一本のリードの先端
付近に接続される。この接続は、例えばテープ自動ボン
ディング、イヤングボンデイング、ポールボンディング
又はステッチがンデイングを用いて行うことができる。
バーパッドとリードフレームの間にすきまができるよう
な穴をあけるパンチングが行われパーパッドからリード
は分離される。それからパーパッドは、リードによって
占められる平面から他の平面に移される。更に半導体装
置はパーパッドにとりつけられる。半導体装置内の各々
の電極パッドは複数のリードの中の一本のリードの先端
付近に接続される。この接続は、例えばテープ自動ボン
ディング、イヤングボンデイング、ポールボンディング
又はステッチがンデイングを用いて行うことができる。
電気的な接続が形成された後でパーパッドＹＣ近接する
部分のリード、バーパッド及び半導体装置はプラスチッ
クによってカプセルそれから適宜な方向に曲げられる。
部分のリード、バーパッド及び半導体装置はプラスチッ
クによってカプセルそれから適宜な方向に曲げられる。
例えば、デュアルインライン型パッケージの一方の側面
から出る全てのリードは時計回シの方向に曲げられ、デ
ユアルインライン型パッケージの反対側の側面から出る
リードは（パッケージの同じ方向から見て）時計回シと
逆の方向におシ曲けられる。
から出る全てのリードは時計回シの方向に曲げられ、デ
ユアルインライン型パッケージの反対側の側面から出る
リードは（パッケージの同じ方向から見て）時計回シと
逆の方向におシ曲けられる。
金床を用意し、その中に包囲体が入れられることによっ
てリードはおシ曲けられる。包囲体からのびるリードと
接触している金床の縁部はリードで形成したい形とほぼ
同じ形をしている。金床の上方位置に締め具が移動され
る。締め具は、リードの一部と接触していて、またリー
ドは金床とも接触しているのでしつかプとリードが締め
つけられる。形成用パンチ器具は、金床と締め具の間で
保護さ朴ている区域かられずかに離れ九位置でリーＹに
接触するように位置される。リードを曲げ丸い方向に形
成パンチ器具を動かしこれによってリードは金床の縁と
同じ形に折れ曲が９所望の形状となる。いくつかの実施
例では、ボンディングオペレーションの間リードが物理
的に相互に接続されていることが望ましい。リードフレ
ームの包囲体が形成された時に包囲体の外側になる位置
でリードは物理的に相互に接続している。個々のリード
間の物理的な相互接続部は包囲体を形成する前に切断さ
れる。リード間の物理的な接続を分断した後で包囲体が
形成され、更にこれは金床と締め具の間に入れられて上
述のようにリードを所望の形状に折シ曲げる１徊が行わ
れる。
てリードはおシ曲けられる。包囲体からのびるリードと
接触している金床の縁部はリードで形成したい形とほぼ
同じ形をしている。金床の上方位置に締め具が移動され
る。締め具は、リードの一部と接触していて、またリー
ドは金床とも接触しているのでしつかプとリードが締め
つけられる。形成用パンチ器具は、金床と締め具の間で
保護さ朴ている区域かられずかに離れ九位置でリーＹに
接触するように位置される。リードを曲げ丸い方向に形
成パンチ器具を動かしこれによってリードは金床の縁と
同じ形に折れ曲が９所望の形状となる。いくつかの実施
例では、ボンディングオペレーションの間リードが物理
的に相互に接続されていることが望ましい。リードフレ
ームの包囲体が形成された時に包囲体の外側になる位置
でリードは物理的に相互に接続している。個々のリード
間の物理的な相互接続部は包囲体を形成する前に切断さ
れる。リード間の物理的な接続を分断した後で包囲体が
形成され、更にこれは金床と締め具の間に入れられて上
述のようにリードを所望の形状に折シ曲げる１徊が行わ
れる。
従来構造でパーパラＰからリードのうちの少くとも１本
のリードを切断するリードフレームを示すものはなかっ
た。更に従来構造でリードフレームに機械的に弱い区域
を持ち、この機械的な強度を低下させた区域に沿ってリ
ードを折シ曲げるようにしたものを示すものはなかった
。
のリードを切断するリードフレームを示すものはなかっ
た。更に従来構造でリードフレームに機械的に弱い区域
を持ち、この機械的な強度を低下させた区域に沿ってリ
ードを折シ曲げるようにしたものを示すものはなかった
。
発明の概要
本発明社、半導体装置を実装及びカプセル封止する為に
作られたリードフレームを示している。
作られたリードフレームを示している。
リードフレームは、パーパッドとパーパッドに一方の先
端で接続される少くとも１本のリードを含んで形成され
る。リードは、リードフレームの外部フレームにもとシ
つけられている。外部リードは、リードの形成工程及び
例えば半導体装置をパーパッドにつ）つける工程のよう
なその他の種々の工程の間％’）−）’フレームを構造
的に支えている。一方の先端でパーパッドと接続してい
るリードは、接続していたパーパッドから切断される。
端で接続される少くとも１本のリードを含んで形成され
る。リードは、リードフレームの外部フレームにもとシ
つけられている。外部リードは、リードの形成工程及び
例えば半導体装置をパーパッドにつ）つける工程のよう
なその他の種々の工程の間％’）−）’フレームを構造
的に支えている。一方の先端でパーパッドと接続してい
るリードは、接続していたパーパッドから切断される。
リードフレーム扛、平坦な金属板から作られ、外部フレ
ーム、リード及びパーパッド祉同一平面内にある。それ
からパーパッドはこの平面から他のへと移されパーパッ
ドから切断された９ ｐの先端とパーパッドの間には
必要な分離が与えられ、パー°パッドとリードの間が偶
然電気的に接続されることを防ぐ。リーＰには横方向に
弱くシ゛である区域がある。□この区域は、カプセル封
止の後でゾ２スナック包囲体のちょうど外側に位置する
。機械的な強度を低下させた区域を折シ曲げたい位置に
設けて確実に所望の位置でリードが曲がるようチックの
包囲体を形成した後でパーパラＰに遅筆する方のリード
の先端にかけて包囲体の中に含まれる広くなった区域を
有している。この広くなっている区域は、プラスチック
の包囲体内にＷするようにリードを固定し保護していて
、外部的な力によってリードがひき出される事故の発生
を防いでいる。
ーム、リード及びパーパッド祉同一平面内にある。それ
からパーパッドはこの平面から他のへと移されパーパッ
ドから切断された９ ｐの先端とパーパッドの間には
必要な分離が与えられ、パー°パッドとリードの間が偶
然電気的に接続されることを防ぐ。リーＰには横方向に
弱くシ゛である区域がある。□この区域は、カプセル封
止の後でゾ２スナック包囲体のちょうど外側に位置する
。機械的な強度を低下させた区域を折シ曲げたい位置に
設けて確実に所望の位置でリードが曲がるようチックの
包囲体を形成した後でパーパラＰに遅筆する方のリード
の先端にかけて包囲体の中に含まれる広くなった区域を
有している。この広くなっている区域は、プラスチック
の包囲体内にＷするようにリードを固定し保護していて
、外部的な力によってリードがひき出される事故の発生
を防いでいる。
半導体装置及び外部との電気的な接続を提供するリード
をカプセル封止する方法は、リードフレームの形成から
始まる。リードフレームは、平坦な金属板から形成され
、所望のリード及び支持部のパターンは、標準的表フォ
トリトグラフ技術又は標準的なスタンプ技術のいずれか
を用いて形成される。リード及びバーパラＹが形成され
た後で少くとも１本のリードはパーについた１１残る。
をカプセル封止する方法は、リードフレームの形成から
始まる。リードフレームは、平坦な金属板から形成され
、所望のリード及び支持部のパターンは、標準的表フォ
トリトグラフ技術又は標準的なスタンプ技術のいずれか
を用いて形成される。リード及びバーパラＹが形成され
た後で少くとも１本のリードはパーについた１１残る。
このリードと同様パーパッドについているこの他のいず
れのリードもパーパッドから切シ離される。
れのリードもパーパッドから切シ離される。
それからパーパッドはリードフレームの存る平面からそ
れと平行な他の平面に移される。更に、半導体装置がエ
ポキシ樹脂又は合金によってパーパッドに接着される。
れと平行な他の平面に移される。更に、半導体装置がエ
ポキシ樹脂又は合金によってパーパッドに接着される。
リードと半導体装置のバーパッ゛ドと接着してａる面と
反対側の面の上に設けられた適当な電極パッドとの間に
必要な電気的接続が形成される。次にリードフレーム及
び半導体装置はモールドの中に置かれ、その周辺をおお
ってプラスチックのカプセル封止包囲体が形成される。
反対側の面の上に設けられた適当な電極パッドとの間に
必要な電気的接続が形成される。次にリードフレーム及
び半導体装置はモールドの中に置かれ、その周辺をおお
ってプラスチックのカプセル封止包囲体が形成される。
リードのバーパッドと近接する部分はカプセル封止され
るが、機械的な強度を低くした狭くなった区域は、包囲
体の外側表面と非常に近接するが外側に位置する。リー
ドは、広くなった区域を有していて、この区域は、カプ
セル封止包囲体の中にあって、リーｒを包囲体の中に留
まるように保護し、固定している。カプセル封止工程の
間、リードを他のリードのような他の構成部と接続して
おくことができる。これらの相互接続部は、カプセル封
止される区域の外側にあってパンチの操作によってトリ
ムされリードはその他全ての構成部から切シ離される。
るが、機械的な強度を低くした狭くなった区域は、包囲
体の外側表面と非常に近接するが外側に位置する。リー
ドは、広くなった区域を有していて、この区域は、カプ
セル封止包囲体の中にあって、リーｒを包囲体の中に留
まるように保護し、固定している。カプセル封止工程の
間、リードを他のリードのような他の構成部と接続して
おくことができる。これらの相互接続部は、カプセル封
止される区域の外側にあってパンチの操作によってトリ
ムされリードはその他全ての構成部から切シ離される。
この切断には、もしあれば、リードフレームの外部フレ
ームが含まれる。ここでリーｙは、半導体装置との電気
的な接続及び包囲体との機械的な接続を残し、完全に切
シーされ絶縁される。包囲体の外にあるり−ドの先端は
さらに外形を整える１穐にかけられる。形成パンチ装置
は包囲体の外側にでているリードに接解していてリード
を望みの方向に曲げる。機械的な強度を低下させた区域
は、包囲体の外側にあるのでリードはこの区域で変形し
たり曲がったりしやすい。
ームが含まれる。ここでリーｙは、半導体装置との電気
的な接続及び包囲体との機械的な接続を残し、完全に切
シーされ絶縁される。包囲体の外にあるり−ドの先端は
さらに外形を整える１穐にかけられる。形成パンチ装置
は包囲体の外側にでているリードに接解していてリード
を望みの方向に曲げる。機械的な強度を低下させた区域
は、包囲体の外側にあるのでリードはこの区域で変形し
たり曲がったりしやすい。
故に金床や締め具を使わなくて吃り−ドの曲がる位置を
予め決めることができる。リードを先細シの形状で作る
こともできる。この場合、パンチ装置は機械的な強度を
低下させた区域も包む９−Ｆのだんだん広くなっている
区−に触れている。リードは、包囲体の外側にあるリー
ドの先端に近づくにつれて先が細くなるような形状で作
られる。
予め決めることができる。リードを先細シの形状で作る
こともできる。この場合、パンチ装置は機械的な強度を
低下させた区域も包む９−Ｆのだんだん広くなっている
区−に触れている。リードは、包囲体の外側にあるリー
ドの先端に近づくにつれて先が細くなるような形状で作
られる。
本発明に従うと、リーＹがバーパッドから切シ離される
切断工程の間にリードの先端は上又は下方向のいずれか
におし曲げられリーｒはバーパッドと絶縁される。この
リードを曲げる工程によってパーパラぜに近接する方の
リードの先端とバーパッドとの間で必要な物理的な分離
を提供することができる。上記で記した残ルの工程鉱、
バーパッドを、リードフレームの残りの部分が占める平
面から他の平面に移す必要がないこと以外は同じである
。
切断工程の間にリードの先端は上又は下方向のいずれか
におし曲げられリーｒはバーパッドと絶縁される。この
リードを曲げる工程によってパーパラぜに近接する方の
リードの先端とバーパッドとの間で必要な物理的な分離
を提供することができる。上記で記した残ルの工程鉱、
バーパッドを、リードフレームの残りの部分が占める平
面から他の平面に移す必要がないこと以外は同じである
。
本発明の他の利点は、リードをプラスチックカプセル封
止包囲体から出ないよう固定し保護することを可能にす
る広くなった区域を提供することである。
止包囲体から出ないよう固定し保護することを可能にす
る広くなった区域を提供することである。
本発明の他の利点は、リードが所定区域で曲がるように
する為の機械的な強度を低下させた区域をプラスチック
のカプセル封止包囲体の外側に設は九半導体装置のパッ
ケージの為のリードを提供している点である。
する為の機械的な強度を低下させた区域をプラスチック
のカプセル封止包囲体の外側に設は九半導体装置のパッ
ケージの為のリードを提供している点である。
更に本発明の利点は、切断工程によってバーパッドから
少くとも１本のリードを切断するために利用することが
できることである。
少くとも１本のリードを切断するために利用することが
できることである。
本発明の他の利点は、Ｄ工Ｐパッケージの幅に比例して
現在の製造方法で用いられる幅より幅を広くした半導体
装置を使用することができるデユアルーイン−ライン型
パッケージを提供することである。
現在の製造方法で用いられる幅より幅を広くした半導体
装置を使用することができるデユアルーイン−ライン型
パッケージを提供することである。
本発明の他の利点は、リードを切断工程によっテ／＋−
パッドから切シ離した後でリードのある平面と平行する
が間隔をおいた異る平面にバーパッドを移すことによっ
てリードの先端とバーパラＶの間を物理的に分離するこ
とである。
パッドから切シ離した後でリードのある平面と平行する
が間隔をおいた異る平面にバーパッドを移すことによっ
てリードの先端とバーパラＶの間を物理的に分離するこ
とである。
本発明の他の利点は、リードを切断し、リードの先端及
びバーパラｒに近い部分を所望の方向に押し曲げること
によってリードの残シ部分及びバーパッドがある平面の
外へ出し、故にバーパラＰとリードのバーパッドに近接
する先端の間に物理的な分離を提供することである。
びバーパラｒに近い部分を所望の方向に押し曲げること
によってリードの残シ部分及びバーパッドがある平面の
外へ出し、故にバーパラＰとリードのバーパッドに近接
する先端の間に物理的な分離を提供することである。
好ましい実施例の説明
以下、図を参照しながら好ましい実施例に関連し本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
図面を参照すると、特にその中の第１図を参照するとリ
ードフレーム２０が示されている。リードフレーム２０
は外側フレーム２２を持ちこれは、この中にリードフレ
ーム２０の残ル部分が形成され、外枠となる。外側フレ
ーム２２は、適尚な領で他の別個のリードフレームと接
続し例えば自動装置を通過する為、印をつけるのに適し
−ｈｖ−ドフレームのストリップ（帯）を形成するよう
にすることもできる。ストリップ内の全てのリードフレ
ームは実質的に同一である為リードフレーム２０を詳細
に説明することによって全てが説明される。
ードフレーム２０が示されている。リードフレーム２０
は外側フレーム２２を持ちこれは、この中にリードフレ
ーム２０の残ル部分が形成され、外枠となる。外側フレ
ーム２２は、適尚な領で他の別個のリードフレームと接
続し例えば自動装置を通過する為、印をつけるのに適し
−ｈｖ−ドフレームのストリップ（帯）を形成するよう
にすることもできる。ストリップ内の全てのリードフレ
ームは実質的に同一である為リードフレーム２０を詳細
に説明することによって全てが説明される。
外側フレーム２２は支持部２５．２７によってバーパッ
ド２９に接続される。支持部２１は、突出部３２によっ
てリード３４に接続される。突出部３２及び支持部２７
によってリード３４はバーパッド２Ｓに接続されバーパ
ッド２９を所望の電圧レベルに維持している。リード３
４は、デュアルインライン型パッケージ３６（第６図）
が他の回路（図示せず）Ｋ接続された後では接地電位に
接続されない。リードフレーム２０はリーＰ４〇−５４
も有している。Ｄ工Ｐパッケージ３６（第６図）は１６
本のビンを持つパッケージであって、これらのぜンはリ
ードを通して半導体装置６０上の１６の異る電極パッド
にアクセスしている。リード４１−４４及び４９−５２
は、第１図で示す通シバーパッド２９と接続している。
ド２９に接続される。支持部２１は、突出部３２によっ
てリード３４に接続される。突出部３２及び支持部２７
によってリード３４はバーパッド２Ｓに接続されバーパ
ッド２９を所望の電圧レベルに維持している。リード３
４は、デュアルインライン型パッケージ３６（第６図）
が他の回路（図示せず）Ｋ接続された後では接地電位に
接続されない。リードフレーム２０はリーＰ４〇−５４
も有している。Ｄ工Ｐパッケージ３６（第６図）は１６
本のビンを持つパッケージであって、これらのぜンはリ
ードを通して半導体装置６０上の１６の異る電極パッド
にアクセスしている。リード４１−４４及び４９−５２
は、第１図で示す通シバーパッド２９と接続している。
リード３４４Ｇ、４５，４６．４７．４８．５３及び５
１１バーパツド２９と接続していない。リード及びリー
ドとバーパッド間の種々の開口を形成するスタ／ゾ工程
の間にこれらのリードはバーパッド２９の材料から切り
離される。リード３４及び４〇−５４は全て第１図で示
す通シ先端６７−７８でそれぞれ外側フレーム２２から
切）離される。これらの先端は外部リードフレームと接
続したまま維持され、カプセル封止されたデュアルイン
ライン型パッケージを形成する工程の期間中ならいつで
も切断される。リード３４及び４０−５４は、それぞれ
先端６３−７．．８からバーパッド２９に近接または接
続している内側の先端８４−９９１でのびている。いく
つかの実施例では、一連の相互接続結合部１１０−１１
８によってリードを相互に接続することによって各々の
リード３４及び４〇−５４をさらに支えることが望まし
い場合がある。
１１バーパツド２９と接続していない。リード及びリー
ドとバーパッド間の種々の開口を形成するスタ／ゾ工程
の間にこれらのリードはバーパッド２９の材料から切り
離される。リード３４及び４〇−５４は全て第１図で示
す通シ先端６７−７８でそれぞれ外側フレーム２２から
切）離される。これらの先端は外部リードフレームと接
続したまま維持され、カプセル封止されたデュアルイン
ライン型パッケージを形成する工程の期間中ならいつで
も切断される。リード３４及び４０−５４は、それぞれ
先端６３−７．．８からバーパッド２９に近接または接
続している内側の先端８４−９９１でのびている。いく
つかの実施例では、一連の相互接続結合部１１０−１１
８によってリードを相互に接続することによって各々の
リード３４及び４〇−５４をさらに支えることが望まし
い場合がある。
例えば結合部１１０は外側フレーム２２をリード３４と
接続し、結合部１１１はリード３４をリード４０と接続
している。結合部１１０−１１８はり−ド３４及び４０
−４６を相互に接続し、外側フレーム２２の一方の端か
ら他方の端までのびる連続するストリップを形成する。
接続し、結合部１１１はリード３４をリード４０と接続
している。結合部１１０−１１８はり−ド３４及び４０
−４６を相互に接続し、外側フレーム２２の一方の端か
ら他方の端までのびる連続するストリップを形成する。
例えば、リード４６は結合部１１８によって外側フレー
ム２２に接続し結合部１１７によってリード４５に接続
する。同様にして、結合部１１９−１２７はリード４７
−５４を相互に接続し外側７レームに接続している。例
えばリード５０は結合部１２２によってリード４９に接
続し結合部１２３によってリーｒ５１に接続する。第１
図に示すリードフレーム２０も、標準的なフォトリトグ
ラフ技術によって形成される。
ム２２に接続し結合部１１７によってリード４５に接続
する。同様にして、結合部１１９−１２７はリード４７
−５４を相互に接続し外側７レームに接続している。例
えばリード５０は結合部１２２によってリード４９に接
続し結合部１２３によってリーｒ５１に接続する。第１
図に示すリードフレーム２０も、標準的なフォトリトグ
ラフ技術によって形成される。
各々のり−ド３４及び４０−５４はそれぞれ機械的な強
度が低下された区域１５０−１６６を有している。機械
的強度を低下させた区域社、全て同様であって、区域１
６５．１６４に関する詳しい説明をすれば全てにあては
まる。まず第１に結合部１１Ｇ−１２６によって作られ
九相互接続部を除き全てのリードは隣接するリードから
、またバーパッドと接続するリード４１−４２及び４９
−５２を除く他の全てのリードから分離されていること
を明記しておく。区域１６４は水平方向にリード５２に
わたって伸びている。区域１６４は、開口１７５．１７
６にそれぞれ切込み１７８及び１７２をつけることによ
って形成される。開口１７５は、リード５１及び５２を
バーパッド２９に近い結合部１２４から切シ離すのに必
要な物理的な公理を提供している。開口１７５は、バー
パッド２９の一辺まで伸びる指状の切込み１７８を有し
ている。切込み１７Ｂの機能については、以下で説明す
る。
度が低下された区域１５０−１６６を有している。機械
的強度を低下させた区域社、全て同様であって、区域１
６５．１６４に関する詳しい説明をすれば全てにあては
まる。まず第１に結合部１１Ｇ−１２６によって作られ
九相互接続部を除き全てのリードは隣接するリードから
、またバーパッドと接続するリード４１−４２及び４９
−５２を除く他の全てのリードから分離されていること
を明記しておく。区域１６４は水平方向にリード５２に
わたって伸びている。区域１６４は、開口１７５．１７
６にそれぞれ切込み１７８及び１７２をつけることによ
って形成される。開口１７５は、リード５１及び５２を
バーパッド２９に近い結合部１２４から切シ離すのに必
要な物理的な公理を提供している。開口１７５は、バー
パッド２９の一辺まで伸びる指状の切込み１７８を有し
ている。切込み１７Ｂの機能については、以下で説明す
る。
開口１７６は、バーパッド２Ｓと結合部１２５の聞及び
リード５２と５３を分ける為に必要な分離を提供してい
る。切込み１７０及び１７２は、それぞれの開口１７５
，１７６からはハ４５°の角度でリード５２の中央線に
向かってリード５２の中に入シこむちょっと手前までの
びている。開口１７６もリード５３の中央線に向かって
のびるほぼ４５°の角度にのびる切込み１８０ｆｒ有し
ている。
リード５２と５３を分ける為に必要な分離を提供してい
る。切込み１７０及び１７２は、それぞれの開口１７５
，１７６からはハ４５°の角度でリード５２の中央線に
向かってリード５２の中に入シこむちょっと手前までの
びている。開口１７６もリード５３の中央線に向かって
のびるほぼ４５°の角度にのびる切込み１８０ｆｒ有し
ている。
リード５３と５４を分離する他の開口１８２は、これら
のリードの先端９８．９９からこれらが接続する結合部
１２６ｔで広がっている。開口１８２には、はぼ４５°
の角度でリード５３の中央線に向かって伸びる切込み１
８４が設けられている。機械的な強度を低下させた区域
１６５を形成する為こζに示す特定の開口の配置は、単
なる一例として示すものである。機械的な強度を低減さ
せた区域を形成する標準的な方法ならいずれも使用可能
である。例えば、区域１６５内のり−ド５３の材料に水
平に切り溝（キズ）を入れてそこに含まれている材料自
体の強度を弱くする方法も利用できる。区域１６５内の
材料に入れた切シ溝は、材料が切り離されてしまう程深
くて紘いけないが総体的にみて弱い区域を作る深さであ
れば充分である。
のリードの先端９８．９９からこれらが接続する結合部
１２６ｔで広がっている。開口１８２には、はぼ４５°
の角度でリード５３の中央線に向かって伸びる切込み１
８４が設けられている。機械的な強度を低下させた区域
１６５を形成する為こζに示す特定の開口の配置は、単
なる一例として示すものである。機械的な強度を低減さ
せた区域を形成する標準的な方法ならいずれも使用可能
である。例えば、区域１６５内のり−ド５３の材料に水
平に切り溝（キズ）を入れてそこに含まれている材料自
体の強度を弱くする方法も利用できる。区域１６５内の
材料に入れた切シ溝は、材料が切り離されてしまう程深
くて紘いけないが総体的にみて弱い区域を作る深さであ
れば充分である。
リード５２．５３は、開口１８５によって結合部１２５
とこれらリードの先端７６及び７Ｔの間において分離さ
れている。リーｙ５３及び５４は開口１８Ｂによって結
合部１２６とこれらリードの先端７７．７８の間におい
て分離されている。
とこれらリードの先端７６及び７Ｔの間において分離さ
れている。リーｙ５３及び５４は開口１８Ｂによって結
合部１２６とこれらリードの先端７７．７８の間におい
て分離されている。
リード５４は、外側フレームに接続する結合部とリード
５４の先端１８の間の開口１９０によって外側フレーム
２２から分離される。他のリード３４−５２は開口１８
５．１８８及び１９０と同様の開口によって他のり−Ｐ
との結合部及び外側フレーム２２との結合部から分離さ
れる。さらに、リード３４及び４０−５４は開口１７５
．１７６及び１８２と同様の複数の開口によって分離さ
れる。リード４１−４４及び４９−５２とバーパッド２
９とが接続する部分を除き、リードが結合部１１０−１
２７だけで他の構成部と接続するようにする為に必要な
分離をリード間に提供する為、これらの開口が設けられ
る・ 切断工程の間、リ−）”４１−４４の先端８６−８９は
それぞれ点線２１０に沿ってバーパッド２９から切シ離
される。更に切断工程の間にリー）”４９−５２は、そ
れぞれ、その先端９４−１７で点ＩＫ２１２に沿ってバ
ーパッド２９から切シ離される。カプセル封止が行われ
、バーパッド２＆半導体装置６０（第６図）及び点線２
１６−２１９で囲まれた長方形□内に含まれる部分のリ
ードは、プラスチック材料でこの区域をカプセル封止す
ることによってできた包囲体の中に含まれてしまう。
５４の先端１８の間の開口１９０によって外側フレーム
２２から分離される。他のリード３４−５２は開口１８
５．１８８及び１９０と同様の開口によって他のり−Ｐ
との結合部及び外側フレーム２２との結合部から分離さ
れる。さらに、リード３４及び４０−５４は開口１７５
．１７６及び１８２と同様の複数の開口によって分離さ
れる。リード４１−４４及び４９−５２とバーパッド２
９とが接続する部分を除き、リードが結合部１１０−１
２７だけで他の構成部と接続するようにする為に必要な
分離をリード間に提供する為、これらの開口が設けられ
る・ 切断工程の間、リ−）”４１−４４の先端８６−８９は
それぞれ点線２１０に沿ってバーパッド２９から切シ離
される。更に切断工程の間にリー）”４９−５２は、そ
れぞれ、その先端９４−１７で点ＩＫ２１２に沿ってバ
ーパッド２９から切シ離される。カプセル封止が行われ
、バーパッド２＆半導体装置６０（第６図）及び点線２
１６−２１９で囲まれた長方形□内に含まれる部分のリ
ードは、プラスチック材料でこの区域をカプセル封止す
ることによってできた包囲体の中に含まれてしまう。
カプセル封止は例えばトランスファーモールディング又
は注入モールディングのような標準的技術のいずれかに
よって行うことができる。
は注入モールディングのような標準的技術のいずれかに
よって行うことができる。
弱くしである区域１５Ｇ−１６６はカプセル封止をする
包囲体の外側にあシ、結合部１１〇−１２１もカプセル
封止する包囲体の外側にあることに注意しなくてはなら
ない。リードフレーム２０の他の特徴は、各々のリード
３４及び４０−５４が広くなつ九区域２３０−２４５を
有していることである。ここで示した広くなった区域は
リードの一部分がリードの本体部分からその両側の開口
の中に向かってのび広くなっている部分を指す。カプセ
ル封止された後で広くなっている区域の付近まで開口は
包囲体２２２のプラスチック材料でおおわれる為、広く
なっている区域は、開口の内側に入りこんで広くなって
いるので例えば出荷又はプリント回路板やＤ工Ｐソケッ
トに挿入する間に加わる外部からの機械的な圧力によっ
てリードが包囲体２２２（第６図）からひつば）出され
ることがないように固定し又は保−する為の機構あるい
は錨として働いている。広くなっている区域は全てのリ
ード３４及び４０−５４とだいたい同一であるので広く
なった区域２３Ｇ及び２３２の詳細な説明管行えに全て
にあてはまる。
包囲体の外側にあシ、結合部１１〇−１２１もカプセル
封止する包囲体の外側にあることに注意しなくてはなら
ない。リードフレーム２０の他の特徴は、各々のリード
３４及び４０−５４が広くなつ九区域２３０−２４５を
有していることである。ここで示した広くなった区域は
リードの一部分がリードの本体部分からその両側の開口
の中に向かってのび広くなっている部分を指す。カプセ
ル封止された後で広くなっている区域の付近まで開口は
包囲体２２２のプラスチック材料でおおわれる為、広く
なっている区域は、開口の内側に入りこんで広くなって
いるので例えば出荷又はプリント回路板やＤ工Ｐソケッ
トに挿入する間に加わる外部からの機械的な圧力によっ
てリードが包囲体２２２（第６図）からひつば）出され
ることがないように固定し又は保−する為の機構あるい
は錨として働いている。広くなっている区域は全てのリ
ード３４及び４０−５４とだいたい同一であるので広く
なった区域２３Ｇ及び２３２の詳細な説明管行えに全て
にあてはまる。
広くなっている区域２３２は、リード４１と４２の間の
開口２５０の中に突き出た小さなホック（鉤状部＞１有
している。故にこの広く々つ九区域に於るリ−Ｐの幅は
カプセル封止される部分の限界を示す第１図の点線２１
６に近い区域の幅よりいくらか広くなっている。故に広
くなっている区域は、リード３４が包囲体２２２（第１
図）内に留まるようにする支え又は保護の機能全果たし
ている。同様にして、リード４１の広くなっている区域
２３２ｔｌｊ：点線２１Ｂに沿った部分のり一ド４１の
幅よシずりと広い幅を持っている。更に２つのホック２
５３．２５４は、それぞれ開口２５６と２５０の中まで
のびている。少くともホック２５３と２５４に近接する
部分の開口は、包囲体２２２のプラスチック材料でおお
われる。包咄体２２２の材料は、ホック２５３．２５４
といつしよになって外部の機械的な圧力が加わることに
よってリード４１が包囲体２２２から引つばシだされる
のを防いでいる。例えばリード４１を包囲体２２２から
引き出そうとじ九場合、ホック２５３及び２５４は、ホ
ラＡ近の包囲体の材料にひつかかシこれによってリード
４１が包囲体の外へ出てしまうのを防いでいる。
開口２５０の中に突き出た小さなホック（鉤状部＞１有
している。故にこの広く々つ九区域に於るリ−Ｐの幅は
カプセル封止される部分の限界を示す第１図の点線２１
６に近い区域の幅よりいくらか広くなっている。故に広
くなっている区域は、リード３４が包囲体２２２（第１
図）内に留まるようにする支え又は保護の機能全果たし
ている。同様にして、リード４１の広くなっている区域
２３２ｔｌｊ：点線２１Ｂに沿った部分のり一ド４１の
幅よシずりと広い幅を持っている。更に２つのホック２
５３．２５４は、それぞれ開口２５６と２５０の中まで
のびている。少くともホック２５３と２５４に近接する
部分の開口は、包囲体２２２のプラスチック材料でおお
われる。包咄体２２２の材料は、ホック２５３．２５４
といつしよになって外部の機械的な圧力が加わることに
よってリード４１が包囲体２２２から引つばシだされる
のを防いでいる。例えばリード４１を包囲体２２２から
引き出そうとじ九場合、ホック２５３及び２５４は、ホ
ラＡ近の包囲体の材料にひつかかシこれによってリード
４１が包囲体の外へ出てしまうのを防いでいる。
第２図で示す通シ、リード４２，５１ａバーパツド２９
と接続している。切断装置２６０は、リード４２及び５
１の先端・８７．９６の方向にそれぞれ向けられる。切
断装置２６０には２枚の鋭利な切断用の刃２６３及び２
６４がついている。鋭利な刃２６３及び２６４は、バー
パッド２９の幅と同じ間隔でとルつけられている。鋭利
な刃２６３゜２６４はそれぞれり−１”４２及び５１の
先端８Ｔ。
と接続している。切断装置２６０は、リード４２及び５
１の先端・８７．９６の方向にそれぞれ向けられる。切
断装置２６０には２枚の鋭利な切断用の刃２６３及び２
６４がついている。鋭利な刃２６３及び２６４は、バー
パッド２９の幅と同じ間隔でとルつけられている。鋭利
な刃２６３゜２６４はそれぞれり−１”４２及び５１の
先端８Ｔ。
８６でリードフレーム２０の材料と触れ合つ七いる。実
際は、鋭利な刃２６３及び２６４ａ、点−２１０及び２
１２（第１図）、の全長に沿って９−ｒフレーム２０の
材料と触れあっていて、リード４１−４４及び４９−５
２は全てパーパッド２９から切）離される。点線２１０
．２１２（第１図）に浴ったり−ドフレーム２０の材料
の切断を容易にする為、切断装置２６０が最も有効に切
断を実行でき点線２１０．２１２にきちんと沿って材料
を切断できるようにリードフレームは、平らな切断用の
平面の上に位置される。Ｄ工Ｐパッケージを形成する工
程では、まず第１図で示したリードフレームが形成され
、次に第２図で示す切断工程が行われる。切断工程とは
、即ち無駄や廃物を作らずに材料を鋭い刃で切開するこ
とを意味している。
際は、鋭利な刃２６３及び２６４ａ、点−２１０及び２
１２（第１図）、の全長に沿って９−ｒフレーム２０の
材料と触れあっていて、リード４１−４４及び４９−５
２は全てパーパッド２９から切）離される。点線２１０
．２１２（第１図）に浴ったり−ドフレーム２０の材料
の切断を容易にする為、切断装置２６０が最も有効に切
断を実行でき点線２１０．２１２にきちんと沿って材料
を切断できるようにリードフレームは、平らな切断用の
平面の上に位置される。Ｄ工Ｐパッケージを形成する工
程では、まず第１図で示したリードフレームが形成され
、次に第２図で示す切断工程が行われる。切断工程とは
、即ち無駄や廃物を作らずに材料を鋭い刃で切開するこ
とを意味している。
これは、無駄な材料部分を発生させるパンチやスタンプ
による形式の操作と区別される。
による形式の操作と区別される。
第５図で示す様に１第２図に関連して上記で説明した切
断工程を行つ死後でパーパッドは、例えばパンチ装置に
よってリード３４及び４０−５４のある平面からは間隔
があるが平行な平面に移される。リード４１−４４及び
４９−５２をパーパッド２９から切断した後で、パーパ
ッド２９はリードのある平面から移される。その後で支
持部２５．２７（第１図）は変形され支持部２５ 、２
７の所定部分がリード３４及び４０−５４のある平面に
残る。リード３４及び４０−５４のある平面からパーパ
ッド２９をパンチ装置で移した後で半導体装置６０が例
えば合金又はエポキシ樹脂による接着技術のような標準
的技術を用いてパーパラＰ２９にとシ□つけられる。半
導体装置６ｏをパーパッド２９にと如つける為にはバー
パッド２９０表面２６６（第３図）と半導体装置６０の
表面２６８の間に電気的接続がなされていることが一般
に望ましい□。電気的な接続を与える材料が、２つの表
面２６６と２６８を接着する材料に加えられる。半導体
装置６０のパーパッド２９と接着する面と反対側の表面
２７０は、例えば電極パッド２７２及び２７４のような
複数の電極パッド管有している。ワイヤ２８０によって
電極パッド２７２とリード４２の間には、電気的な接続
が形成される。電極パッド２７２は特に高くなっている
部分という訳ではないが、一般に電極パッドと呼ばれる
リード４２の先端８７に近接する位置との間にワイヤ２
８０がと）つけられる。ワイヤ２８０は、例えばゴール
ボンディング又はステッチポンディングのような標準的
技術によってとりつけられる。
断工程を行つ死後でパーパッドは、例えばパンチ装置に
よってリード３４及び４０−５４のある平面からは間隔
があるが平行な平面に移される。リード４１−４４及び
４９−５２をパーパッド２９から切断した後で、パーパ
ッド２９はリードのある平面から移される。その後で支
持部２５．２７（第１図）は変形され支持部２５ 、２
７の所定部分がリード３４及び４０−５４のある平面に
残る。リード３４及び４０−５４のある平面からパーパ
ッド２９をパンチ装置で移した後で半導体装置６０が例
えば合金又はエポキシ樹脂による接着技術のような標準
的技術を用いてパーパラＰ２９にとシ□つけられる。半
導体装置６ｏをパーパッド２９にと如つける為にはバー
パッド２９０表面２６６（第３図）と半導体装置６０の
表面２６８の間に電気的接続がなされていることが一般
に望ましい□。電気的な接続を与える材料が、２つの表
面２６６と２６８を接着する材料に加えられる。半導体
装置６０のパーパッド２９と接着する面と反対側の表面
２７０は、例えば電極パッド２７２及び２７４のような
複数の電極パッド管有している。ワイヤ２８０によって
電極パッド２７２とリード４２の間には、電気的な接続
が形成される。電極パッド２７２は特に高くなっている
部分という訳ではないが、一般に電極パッドと呼ばれる
リード４２の先端８７に近接する位置との間にワイヤ２
８０がと）つけられる。ワイヤ２８０は、例えばゴール
ボンディング又はステッチポンディングのような標準的
技術によってとりつけられる。
更に、テープ自動ざンデイング又はヤヤングボンデイン
グとして知られる技術を用いて電気的な接続を形成する
こともできる。ワイヤ２８２はリ−１−”５１の先端９
６付近の電極パッドと半導体装置６０上の電極パッド２
７４０間に接続される。パーパッドの辺２９０と２９２
はそれぞれ一般にリード４２の先端８Ｔ及びリード５１
の先端９６と近接するが間隔のあいた位置にある。リー
ド４２゜５１の平坦な上側の表面１５３は、平面２９５
の中にある。パーパッド２９の平坦な上側表面２６６は
平面２９７内にある。平面２９５及び２９７は、実質上
平行に位置する。先端ＢＴ及び辺２９０は、一般に平面
２９５及び２８７に対し実質上垂直な平面３０６の中に
ある。同様に辺２９２と先端９６は平面２９５及び２９
７に対し実質上垂直な平面３０２内にある。第３図に示
すように包囲体２２２は、半導体装置６０とパーパッド
２９を完全にカプセル封止し、さらにリード４２及び５
１をおおって区域１５３及び１６３に近接する点まで外
側に広がっている。機械的な強度を低下させた区域１５
３及び１８３は包囲体２２２の外側表面３０５の外側で
あるが非常に近接して位置する。
グとして知られる技術を用いて電気的な接続を形成する
こともできる。ワイヤ２８２はリ−１−”５１の先端９
６付近の電極パッドと半導体装置６０上の電極パッド２
７４０間に接続される。パーパッドの辺２９０と２９２
はそれぞれ一般にリード４２の先端８Ｔ及びリード５１
の先端９６と近接するが間隔のあいた位置にある。リー
ド４２゜５１の平坦な上側の表面１５３は、平面２９５
の中にある。パーパッド２９の平坦な上側表面２６６は
平面２９７内にある。平面２９５及び２９７は、実質上
平行に位置する。先端ＢＴ及び辺２９０は、一般に平面
２９５及び２８７に対し実質上垂直な平面３０６の中に
ある。同様に辺２９２と先端９６は平面２９５及び２９
７に対し実質上垂直な平面３０２内にある。第３図に示
すように包囲体２２２は、半導体装置６０とパーパッド
２９を完全にカプセル封止し、さらにリード４２及び５
１をおおって区域１５３及び１６３に近接する点まで外
側に広がっている。機械的な強度を低下させた区域１５
３及び１８３は包囲体２２２の外側表面３０５の外側で
あるが非常に近接して位置する。
リード４２及び５１の広くなっている区域２３３及び２
４２ｔ；ｔそれぞれ包囲体２２２内に位置され、図で示
す通シワイヤ２８０．２８２によって電気的な接続が形
成されている。
４２ｔ；ｔそれぞれ包囲体２２２内に位置され、図で示
す通シワイヤ２８０．２８２によって電気的な接続が形
成されている。
第４図で示す通夛、包囲体２２２は面３０７に接して位
置され支えられている。各々のリードは、細い縁部を持
つ２つの平坦な表面を有している。
置され支えられている。各々のリードは、細い縁部を持
つ２つの平坦な表面を有している。
形成パンチ装置３０９は、第４図のようにリード４２だ
けでなく他のり−ド３４及び４０−４６の方に下向きに
位置あわせされ接触するようにセットされ、これらリー
ドは包囲体２２２に対し時計回シの方向に動かされ曲げ
られる。パンチ装置はリードの平坦な面と接触している
。リード紘第４図の点線で示す過多の位置まで曲げられ
る。区域１５３は機械的な強度を低下させである部分で
あるからここで折れ曲が〕これによってリード４２が（
実線の）第１の位置から時計回シの方向に菖４図の点線
で示す第２の位置までくるように、リード４２の曲がる
部分を精密に制御することができる。同様にして第４図
にはリード５１だけしか示されていないがリード４６−
５４も、パンチ装置の反対側の接触部によってリードに
接触し第４図に示す通夛時計回りと反対方向に力を加え
リードを押しまけることによって（実線で示す）初めの
位置からその位置に対し実質上９０°回転した位置まで
曲けられる。第４図のパンチ装置３０９０２つの接触部
は、もともと安定性を与える為に結合されているもので
ある。さらに包囲体２２２は、パンチ装置が操作される
間、さらにしつかシと固定しておく為第４図で示すよう
な表面３０７の中にわずかに挿入される。機械的強度を
低下させた区域を設けた時にはり−ド３４及び４０−５
４を締め金でとめる必要はないということに注意しなく
てはならない。リード５１は、区域１６３で折れ曲がる
こと拡重要であり注意してほしい。強度を低下させた区
域を設けることによって上記の従来技術で示し説明した
ような締金による操作（クランーング）を必要としない
のでリードを包囲体２２２の外側表面に非常に近接した
位置で曲げることができるようになる。
けでなく他のり−ド３４及び４０−４６の方に下向きに
位置あわせされ接触するようにセットされ、これらリー
ドは包囲体２２２に対し時計回シの方向に動かされ曲げ
られる。パンチ装置はリードの平坦な面と接触している
。リード紘第４図の点線で示す過多の位置まで曲げられ
る。区域１５３は機械的な強度を低下させである部分で
あるからここで折れ曲が〕これによってリード４２が（
実線の）第１の位置から時計回シの方向に菖４図の点線
で示す第２の位置までくるように、リード４２の曲がる
部分を精密に制御することができる。同様にして第４図
にはリード５１だけしか示されていないがリード４６−
５４も、パンチ装置の反対側の接触部によってリードに
接触し第４図に示す通夛時計回りと反対方向に力を加え
リードを押しまけることによって（実線で示す）初めの
位置からその位置に対し実質上９０°回転した位置まで
曲けられる。第４図のパンチ装置３０９０２つの接触部
は、もともと安定性を与える為に結合されているもので
ある。さらに包囲体２２２は、パンチ装置が操作される
間、さらにしつかシと固定しておく為第４図で示すよう
な表面３０７の中にわずかに挿入される。機械的強度を
低下させた区域を設けた時にはり−ド３４及び４０−５
４を締め金でとめる必要はないということに注意しなく
てはならない。リード５１は、区域１６３で折れ曲がる
こと拡重要であり注意してほしい。強度を低下させた区
域を設けることによって上記の従来技術で示し説明した
ような締金による操作（クランーング）を必要としない
のでリードを包囲体２２２の外側表面に非常に近接した
位置で曲げることができるようになる。
第５図を参照すると、リードフレーム２０と同様のリー
ドフレーム３１（１９−）”フレーム２０のり−）’４
２．５１と同様のリード３１３，３１２を有している。
ドフレーム３１（１９−）”フレーム２０のり−）’４
２．５１と同様のリード３１３，３１２を有している。
リードフレーム３１０はバーパッド２９と同様のバーパ
ッド３１７も有している。
ッド３１７も有している。
リード３１３の先端３１９はバーパッド３１１にとりつ
けられている。さらにリード３１２の先端３２１もパー
パラ１’３１７にとシつけられている。
けられている。さらにリード３１２の先端３２１もパー
パラ１’３１７にとシつけられている。
先端３１９及び３２１は切断装置３２３によって切断さ
れ、バーパッド３１７から切り離される。
れ、バーパッド３１７から切り離される。
切断装置３２３はバーパッド３１７から先端３１９゜３
２１を切シ離し、さらに第５図に示す通夛上方におし曲
げることによってリード３１２．３１３の残余部分及び
バーパッド３１７が占める平面３２５の外に、これらの
先端は出される。
２１を切シ離し、さらに第５図に示す通夛上方におし曲
げることによってリード３１２．３１３の残余部分及び
バーパッド３１７が占める平面３２５の外に、これらの
先端は出される。
バーパッド３１７上に位置される半導体装置とリード３
１２及び３１３の間に電気的接続を形成したい時には、
例えばポールポンディングによって接続される場合、リ
ードに対する接続電極は通常リード３１３及び３１２上
のそれぞれ参照番号３２８及び３２９で示す位置に作ら
れる。この形式のリードフレーム成形で紘、リードの先
端とパーパラＰの間は、リードの先端をリード及びバー
パッド３１７がもともとあった平面の外に押し出すこと
Ｋよって物理的に分離される。この構成では、他の理由
で移した方が望ましい場合を除き、バーパッドを平面３
２５の外へ移す必要はない。
１２及び３１３の間に電気的接続を形成したい時には、
例えばポールポンディングによって接続される場合、リ
ードに対する接続電極は通常リード３１３及び３１２上
のそれぞれ参照番号３２８及び３２９で示す位置に作ら
れる。この形式のリードフレーム成形で紘、リードの先
端とパーパラＰの間は、リードの先端をリード及びバー
パッド３１７がもともとあった平面の外に押し出すこと
Ｋよって物理的に分離される。この構成では、他の理由
で移した方が望ましい場合を除き、バーパッドを平面３
２５の外へ移す必要はない。
半導体装置６０（第６図）と同様な半導体装置はバーパ
ッドを平面３２５の外へ移さなくてもバーパッド３１７
の上にとりつけ得る。バーパッド３１７の上にとシつけ
られた半導体装置とリードフレーム３１０のリードとの
間に所望の電気的な接続を形成した後で、半導体装置、
バーパッド及びバーパッドに近接する部分のリードはカ
プセル封止される。次に、リードは、リード４２ 、５
１（第４図）と同様にリードフレーム３１０を蟻初に形
成するときに作られた弱くしである区域ｔ−片いて押し
曲げられる。
ッドを平面３２５の外へ移さなくてもバーパッド３１７
の上にとりつけ得る。バーパッド３１７の上にとシつけ
られた半導体装置とリードフレーム３１０のリードとの
間に所望の電気的な接続を形成した後で、半導体装置、
バーパッド及びバーパッドに近接する部分のリードはカ
プセル封止される。次に、リードは、リード４２ 、５
１（第４図）と同様にリードフレーム３１０を蟻初に形
成するときに作られた弱くしである区域ｔ−片いて押し
曲げられる。
ここではＤ工Ｐパッケージが示されているが本発明は、
例えば四方にリードが伸びるプラスチックチップキャリ
アのような適宜なキャリアのいずれにおいても利用でき
る。
例えば四方にリードが伸びるプラスチックチップキャリ
アのような適宜なキャリアのいずれにおいても利用でき
る。
以上のようにして、切断によってパーパッドを残りのリ
ードフレーム部分がある平面に移すことによって資材の
無駄上最小にした半導体装置パッケージを提供すること
ができる。本発明のリードフレームのリードは機械的強
度を弱くした区域を設けであるので特別の道具を使わず
に正確にリードを所定方向におし曲げることができる。
ードフレーム部分がある平面に移すことによって資材の
無駄上最小にした半導体装置パッケージを提供すること
ができる。本発明のリードフレームのリードは機械的強
度を弱くした区域を設けであるので特別の道具を使わず
に正確にリードを所定方向におし曲げることができる。
更にリードの包囲体の中に入る部分は幅が広くなってい
るので、外部的な力によって中のリードパッド等がひき
出されることはなく保護されている。このように種々の
利点を持つパッケージ実装法を用いることによって半導
体装置の歩留まシを向上させることができ故に価格の低
減に関しても有効な実装方法及びパッケージを提供する
ことができる。
るので、外部的な力によって中のリードパッド等がひき
出されることはなく保護されている。このように種々の
利点を持つパッケージ実装法を用いることによって半導
体装置の歩留まシを向上させることができ故に価格の低
減に関しても有効な実装方法及びパッケージを提供する
ことができる。
本発明祉特定の実施例に関し説明したが当分野に通常の
知識を有する者であれば自づがら改変も示唆するもので
あることは明白でおる。このような改変は、特許請求の
範囲の趣旨に基づき包含されることを意図するものであ
る。
知識を有する者であれば自づがら改変も示唆するもので
あることは明白でおる。このような改変は、特許請求の
範囲の趣旨に基づき包含されることを意図するものであ
る。
第１図は本発明に従って構成されたリードフレームの平
面図である。 第２図は、リードフレームのリードをリードフレームの
パーパッドから切）離す切断工程を示す側面図である。 第６図は、所望の方向にリニドをおシ曲ける前の本発明
に従って構成されたデユアルーイン−ライン型パッケー
ジである。 第４図は、本発明に従って行われるリードを曲ける操作
を示す側面図である。 第５図は、切断工程でリードの先端及びそれに隣接する
部分が切シ離されパーパッドから離れておシ曲げる切断
操作を横から見た図である。 Ｆｉｇ、Ｉ Ｆｔ夕５
面図である。 第２図は、リードフレームのリードをリードフレームの
パーパッドから切）離す切断工程を示す側面図である。 第６図は、所望の方向にリニドをおシ曲ける前の本発明
に従って構成されたデユアルーイン−ライン型パッケー
ジである。 第４図は、本発明に従って行われるリードを曲ける操作
を示す側面図である。 第５図は、切断工程でリードの先端及びそれに隣接する
部分が切シ離されパーパッドから離れておシ曲げる切断
操作を横から見た図である。 Ｆｉｇ、Ｉ Ｆｔ夕５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１バａ） 中央に位置するパーパッドを持つ実質上平
坦な金属フレームと、一方の端でパーパッドにとりつけ
られ、上記パーパッドから外に向かって反対側の先端ま
でのびる少くとも１つのリードを形成し； （１）） 上記リードを上記パーパッドから切断する
；工程を含む９−Ｗフレームを形成する方法。 （２） 上記（→の工程の後で上記パーパッドを上記
リードとの関係で上記パーパッドが第１の平面内にＴｏ
シ、上記リードが上記第１の平面に平行な第２の平面に
あるように移す工ｍを含む特許請求の範囲第１項の方法
。 （３）（ａ） 半導体装置の周囲をおおい外側表面を
持つプラスチック包囲体と： （ｂ） 上記プラスチック包囲体内部の第１の平向に
位置され縁部を持つ上記半導体装置がと〕つゆられるパ
ーパッドと； （０） 上記包囲体内の上記第１の平面に実質上平行
な第２の平面に位置する第１の先端から上記外側表面を
通って第２の先端までのびる少くとも１つのリードとを
有し、上記縁部及び上記第１の先端が上記第１及び第２
の平面に実゛質上垂直な第５の平面内に位置する半導体
装置の為のパッケージ。 （４）上記リードが上記包囲体の外部の上記外側表面に
近接する位置に機械的な強度を低減させた横方向に狭く
なった区域管有すゐ特許請求の範囲第３］Ｊのパッケー
ジ。 （５） 上記リードが上記包囲体の外部の上記区域に
溢って上記第２の平面から曲げられる特許請求の範囲第
４項のパッケージ。 （６）上記パッケージがさらに上記包囲体の中に上記リ
ードと上記半導体装置の間の電気的な接続を有する特許
請求の範囲第６項のパッケージ。 （７） 上記電気的な接続が上記半導体装置上の電極
パッドから上記第１の先端付近の上記リード上の電極パ
ッドまでのびるワイヤを含む特許請求の範囲第６項のパ
ッケージ。 （８）上記リードは、上町包囲体内から出ないように上
記リードを保護する幅が増えて広くなっている区域を含
んでいる特許請求の範囲第６項のパッケージ。 （９）（ＳＬ） 上記半導体装置の周囲をおおい外側
表面を持つプラスチック包囲体と； （ｂ）２上記半導体装置にとシつけられ、上町包囲体内
の第１の平面に位置するバーパッドと；（０） 上記
包囲体内の上記バーパッドに近接する第１の先端から外
側表面を通って第２の先端までのびるリーＰであって、
上記リードは第１及び第２の部分を有し、上記第１の部
分は、上記第１の平面内を上記外側表面から上記第２の
部分までのび一１上記第２の部分は、上記第１の平面か
ら出て上記バーパッドの方にのび上記第１の先端を含む
所定距離の長さを持ち上記外側表面と反対側の上記第１
部分が終わる先端の位置で上記第１の部分はバーパッド
から上記所定距離だけ間隔がおいているこのようなリー
ドを少くとも１つは持つ半導体装置の為のパッケージ。 Ｑｔｌｌ 上記第１の部分が上記リードを上記包囲体
内に保持する為の広くなった区域を有する特許請求の範
囲第９項のパッケージ。 ａＯ上記リードが上記包囲体外部の上記外側表面に非常
に接近して位置する機械的な強度を低減させた横方向に
狭くなった区域を有する特許請求の範囲第９項のパッケ
ージ。 ａ３ 上記リードが上記包囲体の外で上記区域に清っ
て上記第１の平面からおシまげられている特許請求の範
囲第１１項のパッケージ。 （１３（ａ） 中央にバーパラＰが配置された実質上
平坦な金属フレームと一方の先端で上記バーパッドにと
りつけられ、上記バーパッドから離れてもう一方の反対
側の先端までのびる少くとも１つのリードを形成し； （ｂ） 上記リードを上記バーパッドから切断し；（
Ｃ） 上記リードに対して上記バーパッドを第１の平
面に位置させ、上記リードは上記第１の平面、と実質上
工性７第２０平面内に置き；（ｄ） 上記半導体装置
を上記バーパッドにとシつけ； （ｅ） 上記半導体装置上の電極パッドと上記リード
の間に電気的接続を形成し； （ｆ） 上記電気的接続を含み上記半導体装置、上記
バーパッド及び上記リードの上記バーパッドに近接する
部分をカプセル封止する 工程を含む半導体装置を実装する方法。 α荀 上記工程（１））及び＜Ｑ）を同時に行う特許請
求の範囲第１６項の方法。 ＱＳ（ＩＬ） バーパッドと一方の先端はバーパッド
にとシつけられ、＃ｇ１の平面内でもう一方の反対側の
先端までのびる少くとも１つのリードを持つリードフレ
ームを形成し； （１）） 上記バーパッドから上記一方の先端を切断
し、上記一方の先端及び上記リードの先端付近を曲げて
上記第１の平面の外に出し；（Ｃ） 上記半導体装置
を上記バーパッドにとシつけ； （、ｌ） 上記半導体装置上の電極パッドと上記リー
ドの上記一方の先端付近の間に電気的な接続を形成し； （ｅ） 上記電気的な接続を有し上記半導体装置、上
記バーパッド及び上記リードの上記一方の先端付近の部
分をカプセル封止する工程とを有する半導体装置の実装
方法。 ｔｔｅ 上記工程（ｂ）及び（０）を同時に行う特許
請求の範囲第１５項の方法。 αｎ （ａ） バーパッドと一方の先端で上記バーパ
ッドにクシつけられもう一方の反対側先端までのび、上
記一方の先端と上記もう一方の先端の中間に機械的な強
度を低減させた横方向の区域を持ち上記区域と上記一方
の先端の中間に幅が広くなっている区域をもつ少くなと
も１つのリードを持つリードフレームを形成し；（１）
） 上記リードの上記一方の先端で上記リードを上記
バーパッドから切断し； （０） 上記リードに対し上記バーパッドを第１の平
面に位置させ、上記リードを第１の平面に平行な第２の
平面内に位置させ； （＋１） 上記半導体装置を上記バーパッドにとりつ
け； （ｅ） 上記半導体装置上の電極パッドと上記一方の
先端に近接する上配り−ｖの間に電気的な接続を形成し
； （ｆ） 上記半導体装置上記バーパッド、及び上記リ
ードの上記区域付近から上記一方の先端までの部分をカ
プセル封止し； （ｇ） 上記区域に沿って上記ＩＪ −Ｆを上ｉ第２
の平面から出るように曲ける工程を含む半導体装置の実
装方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US36164482A | 1982-03-25 | 1982-03-25 | |
| US361644 | 1982-03-25 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171839A true JPS58171839A (ja) | 1983-10-08 |
Family
ID=23422898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58048064A Pending JPS58171839A (ja) | 1982-03-25 | 1983-03-24 | 半導体装置のパツケ−ジ及び実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0090503A3 (ja) |
| JP (1) | JPS58171839A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6366955A (ja) * | 1986-09-08 | 1988-03-25 | Mitsui Haitetsuku:Kk | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPH0468560A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1983
- 1983-03-01 EP EP83301080A patent/EP0090503A3/en not_active Withdrawn
- 1983-03-24 JP JP58048064A patent/JPS58171839A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0090503A3 (en) | 1985-05-22 |
| EP0090503A2 (en) | 1983-10-05 |
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