DE2247580A1 - Halbleiteranordnung aus einem metallischen kontaktierungsstreifen - Google Patents

Halbleiteranordnung aus einem metallischen kontaktierungsstreifen

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DE2247580A1 DE19722247580 DE2247580A DE2247580A1 DE 2247580 A1 DE2247580 A1 DE 2247580A1 DE 19722247580 DE19722247580 DE 19722247580 DE 2247580 A DE2247580 A DE 2247580A DE 2247580 A1 DE2247580 A1 DE 2247580A1
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Description

Li c-f ιϊti a Pat.ent--=Verwaltungs-Gm"bH
6 Frankfurt/Main, Theodor =Stern=.Kai 1
Heilbronn, den 8„9ol972 PT-Ma/sr ~ HN 7 2/17
Halbleiteranordnung aus exnem me·= t a 11 is eben Kontaktierung streif en
Die Erfindung betrifft eine HaJbI ext er anordnung aus einem metallischen Kontaktierungsstreifen, der zur Bildung ei Musters von Anschlußtei J en» die für die Aufnahme von Halbleiterbauelementen oder deren Anschlußdrähte vorge= sehen sind, mit einer Vielzahl von Einschnitten und/oder Aussparungen versehen ist.
Man geht mehr und mehr zu Halbleiteranordnungen über, die aus einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen be= ätehene Neben der integrierten Halbleitertechnik, bei der zahlreiche Einzelbauelemente in einem gemeinsamen Halbleiterkörper untergebracht werden, gibt es noch die ■sogenannte MuIt i-Ch ip-Technik» bei der zahlreiche Einzplbaueleroente, die in jeweils einem gesonderten Halb" 1 pi terkörper untergebracht, sind, miteinander verschaltet werdeno Hierzu werden als Trägerkörper entweder
BAD ORIQfNAL
mit Leifbahnen beschichtete Ιεο]ίersto£fρ I atten oder Konlaktierungsstreifpn der eingangs beschriebenen Art verwendet.
Je größer die Anzahl der Halbleiterbauelemente ist. desto schwieriger wird deren Verschaltung, da die Verbindungsdrähte sich, um Kurzschlüsse zu vermeiden, nicht kreuzer· dürfenο
Der vorliegenden Erfindung Liegt die Aufgabe zugrunde, die Kontaktlprungsmöglichkeiten bei derartigen Anordnungen zu verbessern. Zur Lösung dieser Aufgabe ist bei einem Kontaktierungsstreifen der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß vorgesehen, daß auf den Kontaktierungsstreifen zur Überbrückung größerer Abstande zwischen Kontaktstellen isolierende an der freien Oberflachensei Le metallisierte Plättchen angeordnet sind, die einerseits über einen Verbindungsdraht mit einer Anschlußstelle und andererseits gleichfalls über einen Verbindungsdrabt mit einem Halbleiterbauelement oder mit einer weiteren Anschlußstelle verbunden sind.
Die Isolierstof fp lättchen bilden Kontaktinseln, mit derer< Hilfe einmal größere zwischen den Kontaktatellen bestehende
A 0 9 8 U / 0 7 1 8 BAD 0RK3HP£fc CAB "'
Abstande überwunden werden können und zum anderen eine direkt nicht mögliche Verbindung über Eckpunkte umgeleitet werden kann« Mit Hilfe der Plättchen erhalt man kurz.·? Änsch l.ußdrahte, durch die Kurzschlüsse so gut wie ausgosch-ossen werden, eine höhere Packungsdichtes eine erhobt:' Zuverlässigkeit der Schaltung und viel" gtre Scha Stungsmoglichkeiten„
Die Kontaktinseln bzw. Isolierstoffplättchen bestehen vorzugsweise aus Keramik und sind an der freien Oberf lachensei t e beispielsweise vergoldet» Die Kontaktin^ sein werden beispielsweise auf den Kontaktierungs~ streifen aufgeklebt.
Die Erfindung- soll im weiteren noch anhand eines Ausfübrungäbeispieles näher erläutert werden.
In d^r Figur l ist eine Einheit 1 e.mes rasterförmxgen Kontaktierungsstrei fens dargesteiIi . der für die Aufnahm*-, siner Schaltung vorgesehen ist. Dei metallische Kout akt le.rungsstrei f en besteht aus einem Rahmen, der duich die Langsste^ 10 und dis Quersiege 3 gebildet
4098 1 4/071 8
wird. Auf beiden Längsseiten des Rahmens ragen nach außen Anschlußzungen H, die später die Anschlüsse für ein fertiges Halbleitergehäuse darstellen. In das Rahmen innere ragen gleichfalls an den beiden Längsseiten des Rahmens Kontaktierungszungen 2, die Endpunkte für die Anschlußdrähte bilden oder auch Halbleiterbauelemente aufnehmen können» Zwischen den beiden Zungenreihen erstrek ken sich parallel zueinander verlaufende metallische Streifen k, die an den Querstegen 3 des Rahmens enden und senkrecht zur Ausdehnungsrichtung der Kontaktierungszungen 2 angeordnet sind» Diese Längsstreifen nehmen vorzugsweise die Halbleiterplattchen 5 und die Isolier-» stoffplättchen 6 auf. In dem oben dargestellten Teil der Figur 1 muß ein Halbleiterbauelement 5 auf einer Zunge 2 aus schaltungstechnischen Gründen mit der gegenüber* liegenden Zunge über die Streifen k hinweg verbunden werden. Ein solcher Verbindungsdraht ist zu lang, so daß stets die Gefahr eines Kurzschlusses mit den Streifen k besteht. Diese Gefahr wird vermieden, wenn der Verbindungsdraht zunächst zu einem Isolierstoffplättchen und erst von dort zu der Anschlußzunge geführt wird« Das Isolierstoffplättchen 6 wird dann vorzugsweise die gesamte Drahtlänge in etwa zwei gleichgroße Teile aufteilen.
4G98U/0718
BÄÖ ORlOtNAL "'
Im unteren Teil der Figur 1 ist dargestellt, wie ein Halbleiterbauelement auf einem Streifen k mit zwei versetzt einander gegenüberliegenden Zungen verbunden wird» Das Xsolierstoffplättchen 6 ist so angeordnet, daß möglichst kurze Verbindungen zustande kommen, durch die die anderen erforderlichen Verbindungen nicht gestört werderio
Die Halbleiteranordnung wird stets in ein Gehäuse 8 eingegossen, das durch die gestrichelt gezeichnete Linie 8 begrenzt isto Danach müssen zur Isolierung der verschiedenen Anschlußteile noch die Seitenstege 3 und die Be-= reiche zwischen den einzelnen Zungen entfernt werden.,
In der Figur 2 ist ein einzelnes Isolierstoffplättchen 6 dargestellt, daß aus Keramik besteht und beispielsweise . 0,2 mm dick ist0 An der Oberfläche ist eine Metallschicht 12, beispielsweise aus Gold angeordnet, die eine Dicke von cao 5 /UI»i aufweist. In der Figur ist ferner dargestellt, wie der Kontaktierungsdraht 7 mit der Goldfläche 12 verbunden ist, so daß das Keramikplättchen einen Stütz= punkt für die Anschlußdrähte bildete Die Goldschicht' kann aufgedampft oder aufgedruckt werden. Anstelle von Keramik können natürlich auch Glas=· oder Pertinax~Plätt= chen verwendet werden.»
4O98U/0718
In der Figur 3 ist eine Dioden^Matrix-Anordnung dargestellt, die beispielsweise 23 Dioden enthält. Solche Dioden Schaltungen werden beispielsweise zur Ansteuerung von Speicherzellen benötigt.
Die Realisierung einer solchen Schaltung in der Multi-Chip-Technik mit Hilfe.der isolierenden Kontaktierungs ■ inseln ergibt sich aus der Figur k, wobei für alle Bauteile die Bezeichnungen in der Figur 1 wieder verwendet wurden.
Aus der Figur k ergibt sich, wie mit Hilfe von Isolier= stoffplättchen die Anschlußdrähte sehr kurz gehalten und dadurch Kurzschlüsse vermieden werden können·
4098U/07 1 8
J,'V.v.,t.,tO· CiAO-. :
BAD ORIGINAL

Claims (2)

  1. Pat entansprüche
    1ΠHalbleiteranordnung aus einem metallischen Kontaktierungs= streifen, der zur Bildung eines Musters von Anschlußteilen, die für die Aufnahme von Halbleiterbauelementen oder deren Anschlußdrähte vorgesehen sind, mit. einer Vielzahl von Einschnitten und/öder Aussparungen versehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß auf den Kontaktie rungs·= streifen zur Überbrückung größerer Abstände zwischen Kontaktstellen isolierende an der freien Oberflächenseite metallisierte Plättchen angeordnet sind, die einerseits über einen VerbinaSungsdraht mit einer Anschlußstelle und andererseits gleichfalls über einen Verbindungsdraht mit einem Halbleiterbauelement oder mit einer weiteren. Anschlußstelle verbunden sindo
  2. 2) Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Plättchen an der freien Oberflächen= seite vergoldete Keramikplattchen sindo
    .3) Verwendung eines rasterförmigen Kontaktierüngsstreifen, der pro Hastereinheit rahmenförmig aufgebaut ist und in
    4098U/071 8 BAD OFHGfNAt.
    das Innere des Rahmens ragende Zungen als Anschlußstellen und für die Aufnahme der Halbleiterbauelemente und der
    isolierenden Plättchen senkrecht zu den Zungen, zwischen
    den Zungenreihen parallel zueinander verlaufende Streifen aufweist, zur Bildung einer Halbleiteranordnung nach
    Anspruch 1.
    k) Halbleiteranordnung flach einem der vorangehenden An«
    sprüche, gekennzeichnet durch ihre Verwendung als Dioden-Matrixanordnung.
    409814/0718
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