JPS58170019A - 半導体装置製造装置 - Google Patents
半導体装置製造装置Info
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- JPS58170019A JPS58170019A JP57053089A JP5308982A JPS58170019A JP S58170019 A JPS58170019 A JP S58170019A JP 57053089 A JP57053089 A JP 57053089A JP 5308982 A JP5308982 A JP 5308982A JP S58170019 A JPS58170019 A JP S58170019A
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- JP
- Japan
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- nitride film
- grown
- film
- polysilicon
- quartz tube
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は半導体装置を製造する装置、より詳しくは化学
気相成長法によりウェハ前面に窒化膜の成長を行う半導
体装置の製造装置に関する。
気相成長法によりウェハ前面に窒化膜の成長を行う半導
体装置の製造装置に関する。
（２）技術の背景
化学気相成長法（ＣＶＤ法）は半導体装置製造において
重要な成膜技術である。このＣＶＤ法は反応管内にウェ
ハを配置し、結晶成長に必要なガスを流し込み、加熱す
ることによってウェハ面上に結晶を成長させる技術であ
る。
重要な成膜技術である。このＣＶＤ法は反応管内にウェ
ハを配置し、結晶成長に必要なガスを流し込み、加熱す
ることによってウェハ面上に結晶を成長させる技術であ
る。
第１図は上記ＣＶＤ法によってウェハ表面に窒化ＩＩ
（Ｓｉ３Ｎｋ ）を成長させる石英反応管の構造を示す
斜視図である。
（Ｓｉ３Ｎｋ ）を成長させる石英反応管の構造を示す
斜視図である。
同図を参照すると、直径が例えば１１５ａ＋−の石英反
応管′１内に複数枚のウェハ２がバスケット３に保持さ
れて配置され゛ている。このバスケット３は石英管への
出し入れが自由であってウニ共２の交換を容易にするも
のである。
応管′１内に複数枚のウェハ２がバスケット３に保持さ
れて配置され゛ている。このバスケット３は石英管への
出し入れが自由であってウニ共２の交換を容易にするも
のである。
上記装置による窒化膜の成長は、石英管１内に外部から
シラン（Ｓｌ）とアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスを流
し込志、加熱装置（図示せず）による８００℃の高温下
で行われる。このとき窒化膜の成長速度は３５人／ｓｉ
ｎである。また反応したガスは排気装置（図示せず）に
よって石英管１の外部へ排出される。
シラン（Ｓｌ）とアンモニア（ＮＨ３）の混合ガスを流
し込志、加熱装置（図示せず）による８００℃の高温下
で行われる。このとき窒化膜の成長速度は３５人／ｓｉ
ｎである。また反応したガスは排気装置（図示せず）に
よって石英管１の外部へ排出される。
ところで、上記ＣＶＤ法によφ窒化膜成長において、膜
形成時にウェハ表面を清浄に保つことがきわめて重要で
ある。これはウェハ表面に付着物があると、微細パター
ンの形成が不可能となるだけでなく、付着物の存在する
チップは不良品となることを免れず、半導体装置の製造
歩留りの低下と信頼性低下をもまねくからである。
形成時にウェハ表面を清浄に保つことがきわめて重要で
ある。これはウェハ表面に付着物があると、微細パター
ンの形成が不可能となるだけでなく、付着物の存在する
チップは不良品となることを免れず、半導体装置の製造
歩留りの低下と信頼性低下をもまねくからである。
（３）従来技術と問題点
第２図は従来技術による窒化膜成長時における石英反応
管の断面図で、同図において第１図に示したものと同じ
部分は同じ符号を付して示す。
管の断面図で、同図において第１図に示したものと同じ
部分は同じ符号を付して示す。
第１図に示す装置を用いてウェハ２の表面に窒化膜を成
長させると、同時に石英反応管１の内壁にも窒化１１１
４が付着する。いま窒化膜形成を、シランとアンモニア
の混合気体を用いて、前記した温度８００℃、膜成長速
度３５人／ｓｉｎの条件で行うと、ウェハ表面に成長す
る窒化膜の厚さが２μ−程度になったところでウェハ２
に付着物（ゴミ）が付着していることが確認された。こ
のゴミの多くは石英管１の内壁についた窒化［Ｉ４がは
がれて落下し、その破片がウエノζ２の表面に付着した
ものである。なお、従来技術では上記ゴミの付着を防止
するため、窒化膜の厚さが２μ−程度に成長したところ
で、石英管ｌの内壁についた窒化１ ｇ
＄１４をぶつ酸により除去している。
長させると、同時に石英反応管１の内壁にも窒化１１１
４が付着する。いま窒化膜形成を、シランとアンモニア
の混合気体を用いて、前記した温度８００℃、膜成長速
度３５人／ｓｉｎの条件で行うと、ウェハ表面に成長す
る窒化膜の厚さが２μ−程度になったところでウェハ２
に付着物（ゴミ）が付着していることが確認された。こ
のゴミの多くは石英管１の内壁についた窒化［Ｉ４がは
がれて落下し、その破片がウエノζ２の表面に付着した
ものである。なお、従来技術では上記ゴミの付着を防止
するため、窒化膜の厚さが２μ−程度に成長したところ
で、石英管ｌの内壁についた窒化１ ｇ
＄１４をぶつ酸により除去している。
以上述べた如く、従来技術では窒化膜の膜厚が２μ−以
上になると、ウェハ表面にゴミが発生するため、微細パ
ターンの形成が妨げられるだけでなく当該装置の連続使
用が中断される問題点がある。すなわちこの付着物の発
生を防止するため、石英管内壁についた窒化膜の除去処
理を適宜行わなければならないことも半導体装置製造の
歩留りの観点から従来技術の問題点である。
上になると、ウェハ表面にゴミが発生するため、微細パ
ターンの形成が妨げられるだけでなく当該装置の連続使
用が中断される問題点がある。すなわちこの付着物の発
生を防止するため、石英管内壁についた窒化膜の除去処
理を適宜行わなければならないことも半導体装置製造の
歩留りの観点から従来技術の問題点である。
（４）発明の目的
本発明は上記従来技術の欠点に謹み、付着物（ゴミ）の
発生がなく、長時間連続して窒化膜成長が行い得る半導
体装置の製造装置の提供を目的とする。
発生がなく、長時間連続して窒化膜成長が行い得る半導
体装置の製造装置の提供を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、内壁に化学気相成長
法によってポリシリコン層を成長させた石英管を用いて
窒化゛膜成長を行う半導体製造装置を提供することによ
って達成される。
法によってポリシリコン層を成長させた石英管を用いて
窒化゛膜成長を行う半導体製造装置を提供することによ
って達成される。
（６）発明の実施例
以下、本発明の実施例を図面によって詳述する。
第３図は本発明による石英管の断面図で、同図において
第１図および第２図に示したものと同じ部分は同じ符号
を付して示す。
第１図および第２図に示したものと同じ部分は同じ符号
を付して示す。
同図を参照すると、石英管１の内壁に厚さ１．５μ−の
ポリシリコン１１１５をＣＶＤ法で形成する。
ポリシリコン１１１５をＣＶＤ法で形成する。
このポリシリコン１ｌＩ５の形成は窒化膜成長の場合と
同様に石英管ｌ内にウェハ２を配置し、シランガスを用
いて温度６２０℃の条件で行う、この場合のウェハは窒
化膜成長と同じ状態とするためのものである。このとき
のポリシリコン膜の成長速度は５０人／ｓｉｎである。
同様に石英管ｌ内にウェハ２を配置し、シランガスを用
いて温度６２０℃の条件で行う、この場合のウェハは窒
化膜成長と同じ状態とするためのものである。このとき
のポリシリコン膜の成長速度は５０人／ｓｉｎである。
本願の発明者は上述した内壁にポリシリコン膜を形成し
た石英管１を用いて窒化膜成長を行う従来技術に比べ２
倍の厚さの窒化膜成長が行なえる理由は、石英管１の内
壁に形成したポリシリコン５と窒化膜との密着性が良い
ためである。
た石英管１を用いて窒化膜成長を行う従来技術に比べ２
倍の厚さの窒化膜成長が行なえる理由は、石英管１の内
壁に形成したポリシリコン５と窒化膜との密着性が良い
ためである。
なお４μ■の窒化膜成長を行なった後は、石英管１を洗
浄してポリシリコン層および付着した窒化膜を除去し、
再び新たなポリシリコン層を形成して窒化膜成長を行う
。
浄してポリシリコン層および付着した窒化膜を除去し、
再び新たなポリシリコン層を形成して窒化膜成長を行う
。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の半導体装置の製
造装置は、ウェハ表面への窒化膜成長に対して、付着物
の発生がな〈従来の２倍以上の連続使用に耐えるため、
経済性に優れるだけでなく、半導体装置の信頼性向上（
高品質）および微細パターンの形成に効果大である。
造装置は、ウェハ表面への窒化膜成長に対して、付着物
の発生がな〈従来の２倍以上の連続使用に耐えるため、
経済性に優れるだけでなく、半導体装置の信頼性向上（
高品質）および微細パターンの形成に効果大である。
第１図は窒化膜形成に用いる石英管の斜視図、第２図は
従来技術における石英管の断面図、第３図は本発明にか
かる石英管の断面図である。 １−・−石英管、２−ウェハ、３−・−バスケット、４
−・−窒化膜、５−ポリシリコン膜
従来技術における石英管の断面図、第３図は本発明にか
かる石英管の断面図である。 １−・−石英管、２−ウェハ、３−・−バスケット、４
−・−窒化膜、５−ポリシリコン膜
Claims (1)
- 円筒形石英管内にウェハを配設し、化学気相成長法によ
って前記ウェハ表面上り窒化膜を成長させる半導体装置
の製造装置において、該円筒形石英管の内壁表面にポリ
シリコン層を形成して成ることを特徴とする半導体装置
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053089A JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57053089A JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58170019A true JPS58170019A (ja) | 1983-10-06 |
| JPH029445B2 JPH029445B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=12933050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57053089A Granted JPS58170019A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 半導体装置製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58170019A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510978A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Knees Hans | Tool for cooking |
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
| JPS55151339A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz tube for heat treatment |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57053089A patent/JPS58170019A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510978A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Knees Hans | Tool for cooking |
| JPS55127021A (en) * | 1979-03-24 | 1980-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | Deposition apparatus for gaseous phase reaction |
| JPS55151339A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | Quartz tube for heat treatment |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05152229A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Materials Corp | 熱処理炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029445B2 (ja) | 1990-03-02 |
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