JPS58169333A - 磁気記録媒体の製法 - Google Patents
磁気記録媒体の製法Info
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- JPS58169333A JPS58169333A JP5167682A JP5167682A JPS58169333A JP S58169333 A JPS58169333 A JP S58169333A JP 5167682 A JP5167682 A JP 5167682A JP 5167682 A JP5167682 A JP 5167682A JP S58169333 A JPS58169333 A JP S58169333A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本実−は磁気記最媒体、％に金属磁性薄１ＩＩＩｌｋ気
記鎌媒体の調法に係わる。
記鎌媒体の調法に係わる。
通常一般の磁気装置媒体は、非＊＊支持体上に針状磁性
粉とバインダーとが議会されたｌｌ性塗膜より成る１１
性層が被着されて成魯。
粉とバインダーとが議会されたｌｌ性塗膜より成る１１
性層が被着されて成魯。
これに比し、近時、ポリエチレンテレクーレート等の非
＊＊支持体上に、Ｃ・、Ｃ・−Ｎ１会食等の金属ａＳＳ
を真空蒸着、イオンプレーテインダ、スバツＩＩＪンダ
等によりて直鋳約に、何らバインダーを用いることなく
被着した金属ａｍ薄膜より成る磁性愚な形成する金属薄
履瀝配置厳体が、注目されている。これは前達したバイ
ンダーが混入使用されたａ性層によ４謀体に比し、高−
践雷硫東蜜度１ｒを得ることがで自、更に薄層に形成で
龜て値線−１４Ｅ鍮に好適である。
＊＊支持体上に、Ｃ・、Ｃ・−Ｎ１会食等の金属ａＳＳ
を真空蒸着、イオンプレーテインダ、スバツＩＩＪンダ
等によりて直鋳約に、何らバインダーを用いることなく
被着した金属ａｍ薄膜より成る磁性愚な形成する金属薄
履瀝配置厳体が、注目されている。これは前達したバイ
ンダーが混入使用されたａ性層によ４謀体に比し、高−
践雷硫東蜜度１ｒを得ることがで自、更に薄層に形成で
龜て値線−１４Ｅ鍮に好適である。
とζろが、このよう゛な金属薄膜部の記帰媒体は、この
非ａｍ支持体の例えばポリエチレンテレフタレートに対
する金属ｉｉ＊薄属の被着強度に命中難点があ養。
非ａｍ支持体の例えばポリエチレンテレフタレートに対
する金属ｉｉ＊薄属の被着強度に命中難点があ養。
本斃−は、この種金属ａＩｋ薄属より成る磁愉層が非＊
＊支持体上に強固に被着され【成る磁気記最厳体を確実
に得ることができるようにした磁気装置媒体な提供す番
ものである。
＊支持体上に強固に被着され【成る磁気記最厳体を確実
に得ることができるようにした磁気装置媒体な提供す番
ものである。
図面を参照して本発明をＩ！―す４に、本発明において
は菖１ｍ１に示すように、ポリエチレンテレフタレート
、ポリイミド勢の例えばフィルム状の非ｌｌ懺支持体（
１）上に、Ｃ・、Ｃ・−Ｎ１等の磁性金属を１着、スパ
ッタリング、イオンプレーテインダ等によりて直接的に
被着し文金属１ｍ性薄膜より成る１１一層（２）を形成
し、その後非磁性支持体（１）を冷却ロールＫｍ触させ
ククａ性層（２）Ｋ対する例えば０．１〜ＩＯＷ、讐
、０．１〜５秒間位の電子ビーム等の照射による加熱処
暑を行って金属ａ惟薄属渥磁気装置媒体（３）を得る。
は菖１ｍ１に示すように、ポリエチレンテレフタレート
、ポリイミド勢の例えばフィルム状の非ｌｌ懺支持体（
１）上に、Ｃ・、Ｃ・−Ｎ１等の磁性金属を１着、スパ
ッタリング、イオンプレーテインダ等によりて直接的に
被着し文金属１ｍ性薄膜より成る１１一層（２）を形成
し、その後非磁性支持体（１）を冷却ロールＫｍ触させ
ククａ性層（２）Ｋ対する例えば０．１〜ＩＯＷ、讐
、０．１〜５秒間位の電子ビーム等の照射による加熱処
暑を行って金属ａ惟薄属渥磁気装置媒体（３）を得る。
この本発明製法を実施する装置は、例えば第２閣に示す
ように、連続した意つの槽（４及び（５）を設は前段の
楢（４）内において金属ａＳ薄膜の被着処ｌをなし１次
段の榴（５）内においてこれに対する熱処理を行う、前
段の槽（４）内には非磁性支持体（１）の供給ロール（
−を配し、後段の槽（部内にはその＊＊四−ル（７）ｔ
−配し、両部−ル（６）から（７）Ｋ両槽（４）及び（
５）の双方に順次非磁性支持体（１）が移行するようＫ
なされる。そして、一方の槽（４）内にはＣｏ 、 Ｃ
・−Ｎ＆等の磁性金属の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティングを行う手Ｒ（８）を配する。このｅｍｌ
（４Ｊ内には例えば円筒キャン（９）とガイドローラ帥
とを配し、供給四−ル（４！Ｊから繰り出された非磁性
支持体（１）がこのキャン（９）を繞ってガイドルーラ
ａ・によってガイドされズ後段の槽（５）内に導かれる
。図示の例では手＆ （８）が蒸着手段である場合を示
し、キャン（９）Ｋ対向してＣｏ、Ｃｏ−Ｎ１等の蒸着
源Ｉか配され、これが加熱手５（１ａによって加熱され
てシャッターないしはマスタロを介してキャン（Ｉｔ）
の周Ｉｉｖ纏る支持体（１）の一方の面に蒸着源ａ、１
）よりの金属を蒸着して第１図で説−した金属薄膜磁性
層（２）を形成する。このように金属薄膜磁性層（２）
が形成された支持体（１）は、後段の槽（５）内に送ら
れる−この槽（５）内には、例えば水冷、空冷等圧よつ
【冷却されたクーリングキャンａ４．すなわち冷却ロー
ルが配され仁のキャンα４にその支持体（１）の磁性層
（２）を有する備とは反対側の画が接触するようガイド
ローラ四を纏り、キャンａ尋を繞って巻取り寵−ル（７
）ｋ巻取られるようにする。また槽（５）内０キャンＩ
の周面に支持体（１）の磁性層を有するｌ１ｌＫ対向し
て加熱手段を設ける。この加熱手段ａ・は抵抗ヒータに
よるものを始めとして、高周波誘導加熱コイルを配して
磁性層中に生じる誘導亀ｆＬＫよってその加熱を行わせ
るようにしたもの、ｊ！に或ｉは電子ビーム、イオンビ
ーム、レーザーと−ム、赤外線等の照射によるものなど
種々の加熱態様を採り得る。
ように、連続した意つの槽（４及び（５）を設は前段の
楢（４）内において金属ａＳ薄膜の被着処ｌをなし１次
段の榴（５）内においてこれに対する熱処理を行う、前
段の槽（４）内には非磁性支持体（１）の供給ロール（
−を配し、後段の槽（部内にはその＊＊四−ル（７）ｔ
−配し、両部−ル（６）から（７）Ｋ両槽（４）及び（
５）の双方に順次非磁性支持体（１）が移行するようＫ
なされる。そして、一方の槽（４）内にはＣｏ 、 Ｃ
・−Ｎ＆等の磁性金属の蒸着、スパッタリング、イオン
ブレーティングを行う手Ｒ（８）を配する。このｅｍｌ
（４Ｊ内には例えば円筒キャン（９）とガイドローラ帥
とを配し、供給四−ル（４！Ｊから繰り出された非磁性
支持体（１）がこのキャン（９）を繞ってガイドルーラ
ａ・によってガイドされズ後段の槽（５）内に導かれる
。図示の例では手＆ （８）が蒸着手段である場合を示
し、キャン（９）Ｋ対向してＣｏ、Ｃｏ−Ｎ１等の蒸着
源Ｉか配され、これが加熱手５（１ａによって加熱され
てシャッターないしはマスタロを介してキャン（Ｉｔ）
の周Ｉｉｖ纏る支持体（１）の一方の面に蒸着源ａ、１
）よりの金属を蒸着して第１図で説−した金属薄膜磁性
層（２）を形成する。このように金属薄膜磁性層（２）
が形成された支持体（１）は、後段の槽（５）内に送ら
れる−この槽（５）内には、例えば水冷、空冷等圧よつ
【冷却されたクーリングキャンａ４．すなわち冷却ロー
ルが配され仁のキャンα４にその支持体（１）の磁性層
（２）を有する備とは反対側の画が接触するようガイド
ローラ四を纏り、キャンａ尋を繞って巻取り寵−ル（７
）ｋ巻取られるようにする。また槽（５）内０キャンＩ
の周面に支持体（１）の磁性層を有するｌ１ｌＫ対向し
て加熱手段を設ける。この加熱手段ａ・は抵抗ヒータに
よるものを始めとして、高周波誘導加熱コイルを配して
磁性層中に生じる誘導亀ｆＬＫよってその加熱を行わせ
るようにしたもの、ｊ！に或ｉは電子ビーム、イオンビ
ーム、レーザーと−ム、赤外線等の照射によるものなど
種々の加熱態様を採り得る。
崗ａり及び舖は、夫一槽αη及びαＩＫ設けられた排気
口で−１図示しなｉが真空ポンプに連結される。またａ
湯は５例えは槽（５）内に不活性ガス等の雰囲気ガスを
送り込む供給口である。
口で−１図示しなｉが真空ポンプに連結される。またａ
湯は５例えは槽（５）内に不活性ガス等の雰囲気ガスを
送り込む供給口である。
仁のよ５にして非磁性支持体（１）側が冷却されつつ金
属薄膜磁性層（２）の熱処理がなされて得た磁気記録媒
体は、磁性層（２）が支持体（１）上に強固に線層され
る。
属薄膜磁性層（２）の熱処理がなされて得た磁気記録媒
体は、磁性層（２）が支持体（１）上に強固に線層され
る。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例ｌ
−１
１Ｇ ）ルの真空中で、１３μ閤の厚さのポリエチレ
ンテフタレートの支持体（１）上に、 ＣＧ魯６−Ｎ１
ｇの金属を１０００ムの厚さに蒸着して磁性層（２）を
形成した。この時の磁性層（２）の磁気的４Ｉ性は、抗
磁力Ｈｅが１０００＠ｌ 、残留磁束密度Ｂｒは９００
０ガウスであった。そしてこのようにして得た媒体を、
支持体（１）側をクーリングキャンＩＩ触させて冷却し
つつｌＯ〜１０トルの酸素０３雰囲気中で、磁性層（２
）に、電子線をｏ、ｓ ％’（１で２秒間照射し【その
加熱処理を行った。
ンテフタレートの支持体（１）上に、 ＣＧ魯６−Ｎ１
ｇの金属を１０００ムの厚さに蒸着して磁性層（２）を
形成した。この時の磁性層（２）の磁気的４Ｉ性は、抗
磁力Ｈｅが１０００＠ｌ 、残留磁束密度Ｂｒは９００
０ガウスであった。そしてこのようにして得た媒体を、
支持体（１）側をクーリングキャンＩＩ触させて冷却し
つつｌＯ〜１０トルの酸素０３雰囲気中で、磁性層（２
）に、電子線をｏ、ｓ ％’（１で２秒間照射し【その
加熱処理を行った。
この１５Ｋして得た磁気装置媒体の磁性層（２）の剥離
強度を測定した。この剥離強度の測定は、電極１００５
ｒｘｒのす７アイヤボールを１００鴎へ−で、所定の荷
重をかけながら擦った場合に傷がつかない最大の荷重を
測定したものでこの場合、その最大荷重は９０ｇであっ
た。また、実施例Ｉにおいて、そのＪＩＩ熱を酸素イオ
ンビーム照射によったものの同様の剥離強度は１０９
ＩＩ！、赤外線照射によったもののそれは７０ｇであっ
た。このように酸素雰囲気中で上述した熱処理を行った
ものは、剥離強度をより高め得るが、実施例ＩＫおける
加熱処理時の雰囲気を、１０ ）ルの真空中としたと
きの電子線照射による加熱をしたものの剥離強度は、８
０ｇであり、同様の真空中！アルゴンイオン照射による
加熱によったものも、同様の剥離強度はｓｏｇ、赤外ｆ
ＩＩｙＩＡ射時によったものは５０ｇであったに比し、
上述した熱処ｌ１ｖＬなかった場合のそれはＩＯｇＫ過
ぎなかった。
強度を測定した。この剥離強度の測定は、電極１００５
ｒｘｒのす７アイヤボールを１００鴎へ−で、所定の荷
重をかけながら擦った場合に傷がつかない最大の荷重を
測定したものでこの場合、その最大荷重は９０ｇであっ
た。また、実施例Ｉにおいて、そのＪＩＩ熱を酸素イオ
ンビーム照射によったものの同様の剥離強度は１０９
ＩＩ！、赤外線照射によったもののそれは７０ｇであっ
た。このように酸素雰囲気中で上述した熱処理を行った
ものは、剥離強度をより高め得るが、実施例ＩＫおける
加熱処理時の雰囲気を、１０ ）ルの真空中としたと
きの電子線照射による加熱をしたものの剥離強度は、８
０ｇであり、同様の真空中！アルゴンイオン照射による
加熱によったものも、同様の剥離強度はｓｏｇ、赤外ｆ
ＩＩｙＩＡ射時によったものは５０ｇであったに比し、
上述した熱処ｌ１ｖＬなかった場合のそれはＩＯｇＫ過
ぎなかった。
尚、本発明製法における加熱時のイオンビームとしては
、アルゴンと酸素の混合ガスを始めとし”ＣＮ＠ ｅ
ｋｌ” ｔ Ｎｉ＊ Ｃｙｌに％ｄ ｒ ＣｋｋＰ＆と
が、これらヤこれらとムｒ 、 ＯＨ＃）ｆＩｈ会ガス
によるイオンビームを用いることもできる。′＊た、そ
の熱処理のｙＦＭ気もこれらガスの雰Ｈ気中で行うこと
ができる。
、アルゴンと酸素の混合ガスを始めとし”ＣＮ＠ ｅ
ｋｌ” ｔ Ｎｉ＊ Ｃｙｌに％ｄ ｒ ＣｋｋＰ＆と
が、これらヤこれらとムｒ 、 ＯＨ＃）ｆＩｈ会ガス
によるイオンビームを用いることもできる。′＊た、そ
の熱処理のｙＦＭ気もこれらガスの雰Ｈ気中で行うこと
ができる。
上述したように本発明においては非磁性支持体（１）何
を冷却させつつ金属薄膜磁性層（２）の加熱を行うもの
であり、この時この磁性履体）の非磁性支持体（１）へ
の被着強度が高められるが、仁の電子−等の照射エネル
ギーは、０．１〜１０ Ｗ／ｄ、 ０．１〜５秒で顕著
に金属薄＊ａ磁性層２）の膜強友と被着強度の向上がみ
られた。そして、この熱処理を支持体（１）側の冷却を
行わないでなしたときは、この熱によって非磁性支持体
（１）Ｋ変形歪が生じａ柱層（２）の強化、被着強度の
向上はみられなかった。
を冷却させつつ金属薄膜磁性層（２）の加熱を行うもの
であり、この時この磁性履体）の非磁性支持体（１）へ
の被着強度が高められるが、仁の電子−等の照射エネル
ギーは、０．１〜１０ Ｗ／ｄ、 ０．１〜５秒で顕著
に金属薄＊ａ磁性層２）の膜強友と被着強度の向上がみ
られた。そして、この熱処理を支持体（１）側の冷却を
行わないでなしたときは、この熱によって非磁性支持体
（１）Ｋ変形歪が生じａ柱層（２）の強化、被着強度の
向上はみられなかった。
第１図は本発明製法による磁気記ＩＩ＆謀体の断面図、
第２図は本発明製法を実施する装置の一例の略廁的断面
図である。 （１）は非磁性支持体、（２）は金属薄膜磁性層である
。 第１図 ！ ！ 第２図 Ｉ １１
第２図は本発明製法を実施する装置の一例の略廁的断面
図である。 （１）は非磁性支持体、（２）は金属薄膜磁性層である
。 第１図 ！ ！ 第２図 Ｉ １１
Claims (1)
- ＊＊＊支持体上に、金属ｉｍ＊薄膜を形成し、上記非ａ
ｍ支持体を冷却Ｉｔ −＃ＫＩｌ触させた状態で上記金
属ｉｉｉ＊薄属を加熱する磁気装置媒体の１１渋。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167682A JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5167682A JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58169333A true JPS58169333A (ja) | 1983-10-05 |
| JPH0352135B2 JPH0352135B2 (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=12893477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5167682A Granted JPS58169333A (ja) | 1982-03-30 | 1982-03-30 | 磁気記録媒体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58169333A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165410A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強磁性薄膜形成装置 |
| WO2013123997A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | In-situ annealing in roll to roll sputter web coater and method of operating thereof |
| CN109290740A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-02-01 | 重庆文理学院 | 一种在加热处理过程中控制柱塞热变形的工艺方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164423A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-03-30 JP JP5167682A patent/JPS58169333A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164423A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59165410A (ja) * | 1983-03-10 | 1984-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強磁性薄膜形成装置 |
| WO2013123997A1 (en) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | In-situ annealing in roll to roll sputter web coater and method of operating thereof |
| CN109290740A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-02-01 | 重庆文理学院 | 一种在加热处理过程中控制柱塞热变形的工艺方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0352135B2 (ja) | 1991-08-09 |
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