JPS58168129U - 半導体ウエハの面取り装置 - Google Patents
半導体ウエハの面取り装置Info
- Publication number
- JPS58168129U JPS58168129U JP6380482U JP6380482U JPS58168129U JP S58168129 U JPS58168129 U JP S58168129U JP 6380482 U JP6380482 U JP 6380482U JP 6380482 U JP6380482 U JP 6380482U JP S58168129 U JPS58168129 U JP S58168129U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- grinding wheel
- thickness
- grinding
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第1図は面取りされた半導体ウェハの正面図、第2図は
半導体ウェハの面取りを示す図、第3UjA及び第4図
はそれぞれ半導体ウェハの厚みがt。の場合及びt。+
Δtの場合の面取り量を示す説明図、第5図は本考案の
一実施例の保持部及び研削部の要部を示す図、第6図は
本考案の一実施例の電気回路系統を示す概略図である。 ゛ 7・・・半導体ウェハ、8・・・保持部、9・・・研削
部、10・・・厚み測定部、11・・・演算制御部、1
2・・・チ ′ヤツク、14・・・円環部、15・・・
研削砥石、18・・・送り機構、21・・・昇降機構。 輩−1図 ¥3図
半導体ウェハの面取りを示す図、第3UjA及び第4図
はそれぞれ半導体ウェハの厚みがt。の場合及びt。+
Δtの場合の面取り量を示す説明図、第5図は本考案の
一実施例の保持部及び研削部の要部を示す図、第6図は
本考案の一実施例の電気回路系統を示す概略図である。 ゛ 7・・・半導体ウェハ、8・・・保持部、9・・・研削
部、10・・・厚み測定部、11・・・演算制御部、1
2・・・チ ′ヤツク、14・・・円環部、15・・・
研削砥石、18・・・送り機構、21・・・昇降機構。 輩−1図 ¥3図
Claims (1)
- (1)円板状の半導体ウェハを保持するチャックを有し
このチャックに保持された半導体ウェハの軸線を回転軸
として上記半導体ウェハを回転駆動する保持部と、円柱
状の本体部分の外周面に上記本体部分と同軸のV字状の
円環溝が形成され上記円環溝の内周面が研削作用面とな
る研削砥石及び上記研削砥石をこの研削砥石の軸線を回
転軸として回転駆動する回転駆動機構を有し、上記研削
砥石の円環溝の最深部を通る吊央面が上記保持部に保持
された半導体ウェハの主面に平行に上記研削砥石を保持
する研削部と、上記研削砥石及び上記半導体ウェハの回
転軸方向の相対的高さを調整する昇降機構と、上記研削
砥石及び上記半導体ウェハをこれらの回転軸に直角方向
に相対的に送り移動させ上記研削砥石の、円環溝の研削
作用面に上記半導体ウェハの上下主面の周縁部を当接さ
せる送り機構と、上記半導体ウェハの厚みを測定しこの
厚みを示す電気信号を出力する厚み測定部と、上記厚み
測定部からの電気信号を入力し測定された半導体ウェハ
の厚みに基づいて上記研削砥石の中央面を上記保持部に
保持された半導体ウェハの主面に平行かつ厚み中心を通
る面と同一平面上に設定する制御信号を上記昇降機構に
出力し上記半導体ウェハの上下板面の面取り量を均一に
する演算制御部とを具備することを特徴とする半導体ウ
ェハの面取り装置。 □(
2) 演算制御部は厚み測定部における半導体ウェハ
の厚み測定値に基づいて研削砥石及び上記半導体ウェハ
の相対的送り移動量を算出しこの算出された送り移動を
行わせる制御信号を送り機1 構に出力することを特
徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載の半導体ウ
ェハの面取り装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6380482U JPS58168129U (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体ウエハの面取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6380482U JPS58168129U (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体ウエハの面取り装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58168129U true JPS58168129U (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=30073887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6380482U Pending JPS58168129U (ja) | 1982-05-04 | 1982-05-04 | 半導体ウエハの面取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58168129U (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291126A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体デバイス用基板の加工方法 |
WO1996027479A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Kao Corporation | Appareil pour realiser un chanfrein sur un substrat |
JP2007098487A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
-
1982
- 1982-05-04 JP JP6380482U patent/JPS58168129U/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291126A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体デバイス用基板の加工方法 |
WO1996027479A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Kao Corporation | Appareil pour realiser un chanfrein sur un substrat |
JP2007098487A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ面取り装置 |
JP4591830B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-12-01 | 株式会社東京精密 | ウェーハ面取り装置 |
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