JPS58166774A - シヨツトキ接合形化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents

シヨツトキ接合形化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法

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JPS58166774A
JPS58166774A JP57049008A JP4900882A JPS58166774A JP S58166774 A JPS58166774 A JP S58166774A JP 57049008 A JP57049008 A JP 57049008A JP 4900882 A JP4900882 A JP 4900882A JP S58166774 A JPS58166774 A JP S58166774A
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Japan
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schottky junction
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insulating film
conductive layer
layer
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Yasuhiro Ishii
康博 石井
Yoshimoto Fujita
藤田　良基
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS59193070A (ja) * 1983-04-15 1984-11-01 Nec Corp シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法
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JPS61241980A (ja) * 1985-04-18 1986-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法

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