JPS58164526A - ｏ−を抑制されたジアルキルベンゼン類の製造法 - Google Patents
ｏ−を抑制されたジアルキルベンゼン類の製造法Info
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- JPS58164526A JPS58164526A JP58028670A JP2867083A JPS58164526A JP S58164526 A JPS58164526 A JP S58164526A JP 58028670 A JP58028670 A JP 58028670A JP 2867083 A JP2867083 A JP 2867083A JP S58164526 A JPS58164526 A JP S58164526A
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- toluene
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- catalyst
- alkylation conditions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms
- C07C2/54—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms by addition of unsaturated hydrocarbons to saturated hydrocarbons or to hydrocarbons containing a six-membered aromatic ring with no unsaturation outside the aromatic ring
- C07C2/64—Addition to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C2/66—Catalytic processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2529/00—Catalysts comprising molecular sieves
- C07C2529/03—Catalysts comprising molecular sieves not having base-exchange properties
- C07C2529/035—Crystalline silica polymorphs, e.g. silicalites
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、生成混合物中に存在する〇−真性体の最が熱
力学的な平衡量よりもかなり低い、ジアルキル置換ベン
ゼン異性体混合物の２造法に関する。別の局面において
、本発明はシリカライト型の本質的に〇−抑制性の結晶
性シリカ触媒を用いるジアルキル置換ベンゼン類の〇−
含−の低い異性体混合物の製造に関する。さらにまた本
発明の局面はシリカライト型の結晶性シリカ多形触媒を
用いるエチルトルエンの製、造において、エチルトルエ
ン異性体混合物が熱力学的に平衡な異性体混合物中に含
まれるよりもかなり少ない〇−真性休体か含まれない方
法に関する。
力学的な平衡量よりもかなり低い、ジアルキル置換ベン
ゼン異性体混合物の２造法に関する。別の局面において
、本発明はシリカライト型の本質的に〇−抑制性の結晶
性シリカ触媒を用いるジアルキル置換ベンゼン類の〇−
含−の低い異性体混合物の製造に関する。さらにまた本
発明の局面はシリカライト型の結晶性シリカ多形触媒を
用いるエチルトルエンの製、造において、エチルトルエ
ン異性体混合物が熱力学的に平衡な異性体混合物中に含
まれるよりもかなり少ない〇−真性休体か含まれない方
法に関する。
ジアルキル置換ベンゼン類の異性体混合物中に〇−興異
性が存在するのは望ましくないことが公知である。ジア
ルキル置換ベンゼン類の〇−興異性は、それらを脱水し
てビニル芳香族生成物を生成させるとき、閉環が起こり
、ｆンデン鵡やインダン晴のような双環誘導体を形成、
することがあるので避けなければならない。後者の化合
物は両方とも目的のビニル芳香族生成物の性質に不利な
影響をおよぼし、ジアルキル置換ベンゼン異性体混合物
からそのような生成物の回収可能な量を減少させる。も
しもそのような化合物が生成するならば、脱水素の前に
費用のかかる超分別プロセスによる分離が必要となる。
性が存在するのは望ましくないことが公知である。ジア
ルキル置換ベンゼン類の〇−興異性は、それらを脱水し
てビニル芳香族生成物を生成させるとき、閉環が起こり
、ｆンデン鵡やインダン晴のような双環誘導体を形成、
することがあるので避けなければならない。後者の化合
物は両方とも目的のビニル芳香族生成物の性質に不利な
影響をおよぼし、ジアルキル置換ベンゼン異性体混合物
からそのような生成物の回収可能な量を減少させる。も
しもそのような化合物が生成するならば、脱水素の前に
費用のかかる超分別プロセスによる分離が必要となる。
しかしながら、熱力学からかなりの―の〇−興異性がＯ
−１■−およびＯ−異性体からなるジアルキル置換ベン
ゼン生成物の混合物中に存在することが予測される。た
とえば、エチルトルエンの異性体混合物に対する熱力学
的平衡は気相アルキル化が行なわれる２ｉ度においてお
およそｐ−，３１，５％、−−，５０，２％および０−
．１８．３％である。異性体混合物はｐ−、Ｉ−および
０−フラクションに分離するのが困難なので、もとの異
性体混合物中の０−の―を減少させる方法がきわめて望
ましい。
−１■−およびＯ−異性体からなるジアルキル置換ベン
ゼン生成物の混合物中に存在することが予測される。た
とえば、エチルトルエンの異性体混合物に対する熱力学
的平衡は気相アルキル化が行なわれる２ｉ度においてお
およそｐ−，３１，５％、−−，５０，２％および０−
．１８．３％である。異性体混合物はｐ−、Ｉ−および
０−フラクションに分離するのが困難なので、もとの異
性体混合物中の０−の―を減少させる方法がきわめて望
ましい。
ｒＺｓＭ−５Ｊ型触媒物質として公知のものを含めてア
ルミノシリケート型のゼオライト触媒は最近炭化水素転
化プロセスに対して、そしてとくに芳香族サブストレー
トのアルキル化に対して適することが報告されている。
ルミノシリケート型のゼオライト触媒は最近炭化水素転
化プロセスに対して、そしてとくに芳香族サブストレー
トのアルキル化に対して適することが報告されている。
しかしながら、これらの触媒についての１つのｗａｉは
、それらがごく少曇の水の存在においてさえ急速に失活
することである。したがって、そのような触媒を用いる
とき、供給原料を転化領域に導入する前に時に塙それら
の含水量を減少させる必要がある。さらにそのような物
質が異性体選択性プロセス（たとえば米［ｉ許１１１４
０８６２８７号、米国特許１４１１７２０４号、米国特
許第４１１７０２６８、米国特許１４１２７６１６号、
米国特許第４１２８５９２＠で明らかにされているｐ−
選択性プロセスおよび米国特許第４０９４９２１号で明
らかにされている〇−抑制プロセス）において有用であ
ることが明らかにされるまで、これらのアルミノシリケ
ートゼオライトは、異性体選択性触媒物質として有用で
あるためには化学的にあるいは予備的な水熱気気処理も
しくはコーキングによって改質せねばならない。したが
って、ジアルキル芳香族を得るための芳香族サブストレ
ートのアルキル化において、特殊な改質を必要とせず、
＾水準の転化率を示す触媒物質を使用することにより〇
−員性体の生成が抑制される方法が望ましいであろう。
、それらがごく少曇の水の存在においてさえ急速に失活
することである。したがって、そのような触媒を用いる
とき、供給原料を転化領域に導入する前に時に塙それら
の含水量を減少させる必要がある。さらにそのような物
質が異性体選択性プロセス（たとえば米［ｉ許１１１４
０８６２８７号、米国特許１４１１７２０４号、米国特
許第４１１７０２６８、米国特許１４１２７６１６号、
米国特許第４１２８５９２＠で明らかにされているｐ−
選択性プロセスおよび米国特許第４０９４９２１号で明
らかにされている〇−抑制プロセス）において有用であ
ることが明らかにされるまで、これらのアルミノシリケ
ートゼオライトは、異性体選択性触媒物質として有用で
あるためには化学的にあるいは予備的な水熱気気処理も
しくはコーキングによって改質せねばならない。したが
って、ジアルキル芳香族を得るための芳香族サブストレ
ートのアルキル化において、特殊な改質を必要とせず、
＾水準の転化率を示す触媒物質を使用することにより〇
−員性体の生成が抑制される方法が望ましいであろう。
トルエン、エチルベンゼンまたはそれらの混合物をアル
キル化剤とアルキル化条件下で結晶性シリカ多形シリカ
ライト触媒の存在で接触させることによりｏ−ｊｌ性体
の凶がかなり減少したジアルキル置換ベンゼン類の異性
体混合物を製造できることがここに発見された。シリカ
ライト触媒物質はいかなる特殊な方法によっても化学的
または熱的に改質せず、米国特許第４０６１７２４号の
明細−にしたがって事実上顎造したままで使用する。
キル化剤とアルキル化条件下で結晶性シリカ多形シリカ
ライト触媒の存在で接触させることによりｏ−ｊｌ性体
の凶がかなり減少したジアルキル置換ベンゼン類の異性
体混合物を製造できることがここに発見された。シリカ
ライト触媒物質はいかなる特殊な方法によっても化学的
または熱的に改質せず、米国特許第４０６１７２４号の
明細−にしたがって事実上顎造したままで使用する。
その全明細は参照して具体化されている。出願者はこれ
らの独特の触媒が、熱力学的に期待される平衡（３１，
５，’５０．２．／１８．３＞異性体混合物に比べて０
−ｐ性体よりもｐ−および−一真性体の２造に有利な異
性体選択性を本質的に与えることを発見した。
らの独特の触媒が、熱力学的に期待される平衡（３１，
５，’５０．２．／１８．３＞異性体混合物に比べて０
−ｐ性体よりもｐ−および−一真性体の２造に有利な異
性体選択性を本質的に与えることを発見した。
一般に、トルエンおよびエチルベンゼンのようなモノア
ルキル習換ベンゼン類はそれをたとえばエチレンのよう
なアルキル化剤とシリカライト触媒物質の存在で約３５
０〜約５００℃の反応領域導入濃度からなる反応条件下
で反応させることによってアルキル化することができる
。約大気圧〜約２５気圧の圧力、約１０〜約２００の芳
香族供給原料の■層毎時空間速度および約２：１〜約２
０＝１の芳香族：アルケンモル供給比もまたアルキル化
の間に用いることができる。
ルキル習換ベンゼン類はそれをたとえばエチレンのよう
なアルキル化剤とシリカライト触媒物質の存在で約３５
０〜約５００℃の反応領域導入濃度からなる反応条件下
で反応させることによってアルキル化することができる
。約大気圧〜約２５気圧の圧力、約１０〜約２００の芳
香族供給原料の■層毎時空間速度および約２：１〜約２
０＝１の芳香族：アルケンモル供給比もまたアルキル化
の間に用いることができる。
シリカラ、イト物質は水蒸気に安定なので、反応そして
多くの場合に望ましくない生成物の生成を減少させ、触
媒の安定性と選択性を増加させることによって実際に本
方法を利することができる。
多くの場合に望ましくない生成物の生成を減少させ、触
媒の安定性と選択性を増加させることによって実際に本
方法を利することができる。
詳細については、特許出願第０６．’２５５８８２号を
参照されたい。水蒸気の同時供給、すなわち、アルキル
化の闇特定の量の水の反応領域への導入は反応領域で使
用する前の触媒物質の水蒸気前処理または改質と混同す
べきでない。
参照されたい。水蒸気の同時供給、すなわち、アルキル
化の闇特定の量の水の反応領域への導入は反応領域で使
用する前の触媒物質の水蒸気前処理または改質と混同す
べきでない。
本発明の方法は〇−興異性の生成を抑制し、その結果生
成したジアルキルベンゼン異性体混合物は熱力学的な予
想から期待されるよりもかなり低いＯ−異性体を有する
であろう。たとえばエチルトルエンを生成させるとき、
熱力学的に期待される１８％よりもかなり低い〇−興異
性が生成する。
成したジアルキルベンゼン異性体混合物は熱力学的な予
想から期待されるよりもかなり低いＯ−異性体を有する
であろう。たとえばエチルトルエンを生成させるとき、
熱力学的に期待される１８％よりもかなり低い〇−興異
性が生成する。
本方法は生成物の５１１量％以下、そしである場合には
０．０２％という〇−真真性製濃度有する異性体漬合物
を生成させるために利用することができる。
０．０２％という〇−真真性製濃度有する異性体漬合物
を生成させるために利用することができる。
本発明の方法は芳香族サブストレートとアルキル化剤を
結晶性シリカ多形シリカライト型触媒を含む転化領域に
供給することにより、反応物質は触媒に調節した転化濃
度、圧力と滞留時開で接触させる、トルエンまたはエチ
ルベンゼンの接触アルキル化の閏の〇−興異性の生成の
抑制からなる。
結晶性シリカ多形シリカライト型触媒を含む転化領域に
供給することにより、反応物質は触媒に調節した転化濃
度、圧力と滞留時開で接触させる、トルエンまたはエチ
ルベンゼンの接触アルキル化の閏の〇−興異性の生成の
抑制からなる。
本方法はシリカライト触媒物質を含んでいるアルキル化
鋼域を限定する反応容器を含めて、さまざまな処理ｉ＊
＊を用いて行う、ことができる。一層または多層の触媒
床を反応領域で用いることができる。芳香族サブストレ
ートとしてトルエンまたはエチルベンゼン、アルキル化
剤としてエチレンまたはメタノールを含むのが好ましい
炭化水素反応物質は、以下でさらに特定する反応条件下
でそれらが触媒床に接触する反応領域に導入する前に混
合し、予熱してもよい。芳香族サブストレート対アルキ
ル化剤のモル比は目的の反応生成物にしたがって調節さ
れるであろう。もし望ましいならば、水蒸気は反応領域
に導入する直前に反応物質と混合してもよい。反応領域
内の調節されたＳ回時間の後で、転化した炭化水素の仕
込みは反応器から出て、冷却またはほかの標準的な回収
技術によって集められる。
鋼域を限定する反応容器を含めて、さまざまな処理ｉ＊
＊を用いて行う、ことができる。一層または多層の触媒
床を反応領域で用いることができる。芳香族サブストレ
ートとしてトルエンまたはエチルベンゼン、アルキル化
剤としてエチレンまたはメタノールを含むのが好ましい
炭化水素反応物質は、以下でさらに特定する反応条件下
でそれらが触媒床に接触する反応領域に導入する前に混
合し、予熱してもよい。芳香族サブストレート対アルキ
ル化剤のモル比は目的の反応生成物にしたがって調節さ
れるであろう。もし望ましいならば、水蒸気は反応領域
に導入する直前に反応物質と混合してもよい。反応領域
内の調節されたＳ回時間の後で、転化した炭化水素の仕
込みは反応器から出て、冷却またはほかの標準的な回収
技術によって集められる。
反応条件には約３５０〜約５００℃の範囲の導入濃度が
含まれねばならず、約３５０〜約４７５℃の範囲がとく
に好ましい。反応物質のモル供給比は一般に芳香族対ア
ルキル化剤が約２：１〜約２０：１になるであろう。圧
力は大気圧〜２５気圧で変えることができ、約１０〜約
１５気圧の範囲の圧力が好ましい。芳香族サブストレー
トの重―毎時空間速度は約５０〜約２００が好ましく、
約７５〜約１５０の範囲がとくに好ましい。本方法のよ
り大きな動力学的な調節を生ずる、より高い膿量毎時空
闇速度もまた用いることができる。
含まれねばならず、約３５０〜約４７５℃の範囲がとく
に好ましい。反応物質のモル供給比は一般に芳香族対ア
ルキル化剤が約２：１〜約２０：１になるであろう。圧
力は大気圧〜２５気圧で変えることができ、約１０〜約
１５気圧の範囲の圧力が好ましい。芳香族サブストレー
トの重―毎時空間速度は約５０〜約２００が好ましく、
約７５〜約１５０の範囲がとくに好ましい。本方法のよ
り大きな動力学的な調節を生ずる、より高い膿量毎時空
闇速度もまた用いることができる。
水蒸気の同時供給を利用するどき、芳香族の供給に対し
て約２００００〜約６００．０ＯＤＤ−の範囲が好まし
く、４０００ ｏ、ｐｐ−がとくに好ましい。
て約２００００〜約６００．０ＯＤＤ−の範囲が好まし
く、４０００ ｏ、ｐｐ−がとくに好ましい。
本発明の方法によって用いられる触媒物質は、定義によ
ってアルミニウムおよびナトリウムまたはカルシウムあ
るいは両方のケイ酸塩であり、イオン交換能力を示す、
ゼオライト物質と興なって興の結晶性シリカである。本
発明において触媒として用いられる結晶性シリカ物質は
その構造が「シリカライト」と名付けられているシリカ
多形である。これらの物質はアルミノシリカライトゼオ
ライトと興なって、ＡＩＯ″″４四面体が結晶性シリカ
骨格の１部を含まないので、ｌ１ｌｉＩＩなイオン交換
性を示さな゛い。これらのシリカライト触媒物質中にア
ルミニウムが存在してもよいが、その存在はその物質を
２造するために用いられるシリカ資源中の不純物の結果
であり、そのようなアルミナまたはほかの金属酸化物不
純物を含んでいるシリカライトは決して金属ケイ酸塩で
あるとは考えられない。この先の説明およびシリカライ
ト型触蝿の製造法は上鮎の米国特許第４０６１７２４号
に示されている。
ってアルミニウムおよびナトリウムまたはカルシウムあ
るいは両方のケイ酸塩であり、イオン交換能力を示す、
ゼオライト物質と興なって興の結晶性シリカである。本
発明において触媒として用いられる結晶性シリカ物質は
その構造が「シリカライト」と名付けられているシリカ
多形である。これらの物質はアルミノシリカライトゼオ
ライトと興なって、ＡＩＯ″″４四面体が結晶性シリカ
骨格の１部を含まないので、ｌ１ｌｉＩＩなイオン交換
性を示さな゛い。これらのシリカライト触媒物質中にア
ルミニウムが存在してもよいが、その存在はその物質を
２造するために用いられるシリカ資源中の不純物の結果
であり、そのようなアルミナまたはほかの金属酸化物不
純物を含んでいるシリカライトは決して金属ケイ酸塩で
あるとは考えられない。この先の説明およびシリカライ
ト型触蝿の製造法は上鮎の米国特許第４０６１７２４号
に示されている。
結晶性シリカ多形シリカライト型触媒とアルミノケイｌ
Ｉ場ゼオライトの闇の物理的および化学的な差異に加え
て、アルキル化触媒としてのこれらの物質の利用に関し
ていくつかの官能的な差異もまた明らかである。たとえ
ば、現在アルキル化芳書族法において用いられるＺ Ｓ
Ｍ −５型アルミノシリカライトゼオライトは９最の
水の存在でさえも触媒活性を急速に失うことが報告され
ている。
Ｉ場ゼオライトの闇の物理的および化学的な差異に加え
て、アルキル化触媒としてのこれらの物質の利用に関し
ていくつかの官能的な差異もまた明らかである。たとえ
ば、現在アルキル化芳書族法において用いられるＺ Ｓ
Ｍ −５型アルミノシリカライトゼオライトは９最の
水の存在でさえも触媒活性を急速に失うことが報告され
ている。
上に示したように、本発明の結晶性シリカ多形シリカラ
イト物質は水蒸気の存在においてさえ炭化水素転化触媒
として有用であり、ある場合には水蒸気同時供給の利用
によって性能が＾められたアルキル化法を得ることがで
きる。
イト物質は水蒸気の存在においてさえ炭化水素転化触媒
として有用であり、ある場合には水蒸気同時供給の利用
によって性能が＾められたアルキル化法を得ることがで
きる。
シリカラ、イト触媒物質を用いるアルキル化反応の間に
〇−興異性が抑制される正確な機構はわがっていないが
、この能力は明らかに触媒物質のこれらの特定のタイプ
の本来の性質のためであり、いかなる改質処理のためで
も、加工の間で起こりうるコーキングのためでもない。
〇−興異性が抑制される正確な機構はわがっていないが
、この能力は明らかに触媒物質のこれらの特定のタイプ
の本来の性質のためであり、いかなる改質処理のためで
も、加工の間で起こりうるコーキングのためでもない。
これは比較的若い（０〜１０時間）および古い（３００
時間以上）触媒の熟成の両方でシリカライト触媒がエチ
ルトルエンの１造の間〇−興異性の生成を抑制する能力
を示したという事実によって示される。さらに、０−の
抑制は、通常触媒物質の内部の孔のコーキングをさまた
げると考えられる、水蒸気同時供給の存在においてさえ
もＷｌ＊することができる。
時間以上）触媒の熟成の両方でシリカライト触媒がエチ
ルトルエンの１造の間〇−興異性の生成を抑制する能力
を示したという事実によって示される。さらに、０−の
抑制は、通常触媒物質の内部の孔のコーキングをさまた
げると考えられる、水蒸気同時供給の存在においてさえ
もＷｌ＊することができる。
好ましい具体例において、トルエンはそれをエチレンと
シリカライト触媒物質の存在で約３５０〜約５００℃の
導入濃度からなる反応条件下で接触させることによって
アルキル化する。これらの特定のｔＩＡ度条件は本方法
で用いる触媒に対して安定性を向上させること、すなわ
ち時間による活性の保持がみい出されている。水蒸気を
用いると好ましい量はトルエンの供給に対して約２００
００〜約６００００ ｐｐｍであり、４００００ｐｐ−
の水蒸気の同時供給がとくに好象しい。好ましい反応物
質の比（トルエン、／エチレン）は約７：１へ約２０＝
１であり、好ましいトルエン供給のＷＨ８Ｖは約５０〜
約２００の範囲に入る。さらに約大気圧と２５気圧の間
の操作圧力を用いることができ、約１０〜約１５の範囲
が好ましい。いろいろなシリカライト触媒物質を用いる
ことができるが、シリカライト結晶に対して好ましい物
理的な形は約８μ以下の結晶の大きさと少なくとも約２
００の８１．／ＡＩ比を有するものである。
シリカライト触媒物質の存在で約３５０〜約５００℃の
導入濃度からなる反応条件下で接触させることによって
アルキル化する。これらの特定のｔＩＡ度条件は本方法
で用いる触媒に対して安定性を向上させること、すなわ
ち時間による活性の保持がみい出されている。水蒸気を
用いると好ましい量はトルエンの供給に対して約２００
００〜約６００００ ｐｐｍであり、４００００ｐｐ−
の水蒸気の同時供給がとくに好象しい。好ましい反応物
質の比（トルエン、／エチレン）は約７：１へ約２０＝
１であり、好ましいトルエン供給のＷＨ８Ｖは約５０〜
約２００の範囲に入る。さらに約大気圧と２５気圧の間
の操作圧力を用いることができ、約１０〜約１５の範囲
が好ましい。いろいろなシリカライト触媒物質を用いる
ことができるが、シリカライト結晶に対して好ましい物
理的な形は約８μ以下の結晶の大きさと少なくとも約２
００の８１．／ＡＩ比を有するものである。
本発明の方法はさらに次の実施例の研究によって例示す
ることができる。それは本発明を決して制限しようとす
るものではない。
ることができる。それは本発明を決して制限しようとす
るものではない。
次の第１表に示す実施例の各々において、トルエンは約
８，２５０＠の深さの触媒床で約１２〜約２０メツシユ
の粒子径を有するシリカラ、イ型の触媒を用いて特定の
反応条件下で・エチレンによってアルキル化する。第１
表に示した温度と圧力は反応器導入口での測定である。
８，２５０＠の深さの触媒床で約１２〜約２０メツシユ
の粒子径を有するシリカラ、イ型の触媒を用いて特定の
反応条件下で・エチレンによってアルキル化する。第１
表に示した温度と圧力は反応器導入口での測定である。
各々の場合にアルキル化反応器から出てくる生成物はガ
スクロマトグラフィーで分析する。触媒物質の活性は反
応器を通ったエチレンの％転化率として測定する。選択
性は全生成物の重量中に存在するエチルトルエンの−量
％とじて求める。
スクロマトグラフィーで分析する。触媒物質の活性は反
応器を通ったエチレンの％転化率として測定する。選択
性は全生成物の重量中に存在するエチルトルエンの−量
％とじて求める。
特開昭５８−１６４５２６ （５）
触 媒
実施例 結晶の大きさ 濃 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ ｌ−ルエン： Δｍ； （
Ｓｉ 、’ＡＩ ） ’Ｃ−旦ＳＩＧ （ｔ
−ルエン） エチレン１ ８
４７４ １５０ １２７
１７．８（２３４） ２ ４６２ １４
５ １２５ １７．６６ ４１３
４５５ １４５
１２６ １７．８ ４４
１−２ ４９０ １５０
１２７ １５．４４ ４１（３２
０） ５ ４８３ １５
１ １２７ １５．９ ４・８
４８６ １５０
１２７ １５ ４７
４８６ １５１
１２７ １５．３４ ４８
４５０ １５５
１２７ １５．４ ４９
４４７ １５０ １２
７ １５．９８ ４１０
４３６ １５２ １２６
１５．６ ４１１
４１７ １５０ １２７
１５．５ ４１２
３９４ １５２ １２６
１５．８９ ４１３
４８５ １５５ １２７
８．４ ４１４
４％ １５５ １２５
１８．７ ｔｃとくにことわらない限りＡｈ
Ｏ３バインダーを用いた触媒 に蒸気 熟 成 転化率 選択性
真 性 休 比１）、０００ ２４−４９ ８
９．７→８２．３ ９７．１ ８２．／１６．’２
０．０１＞０ ４９−７１ ７９．４→７８
．０ ９７．９ ａｓ、４．’１３．／ １．６［
）、０００ ０−２４．５ ９６．７
９１．６ ４１．４２．１５７．５．／ １．０８
０．０００ ＋９７−２２０ ９７．１
９３．２ ４９．４．’５０，２．／、４０．
０００ ３３７−３４６ ９２．１ ９
４，４ ５８．１−１１．７５ 、／ ０，１５０
．０００ ２６−４９ ９７．８ ９３
．８ ４６，７．′５２．９．／４０．０００
５２−９８１００．４ ９［ｉ、１３ ５０
．４ ’４９，４．／、２０．０００ ３１４−３
２１．５ ９７．５ ９６．９８ ５９．９
’３９．９ ／ ０．２０．０００ １０６−１
４１１．５ ９９．５ ９８．７ ５４，４
．’４５．４．／、２０．０００ １５２−１９４
９８．９２ ９７．２ ６０．１２ 、
’３９．７８ ／、１０．０００ ２２３−２９８
８８．５４ ９７，１５ ７３′２６．９５．
／、Ｏ５０，０（ト）−３２６−４７３８８→４３９５
゜１ 簡、４．／３１．４．／ ０．２Ｄ、０００
±８
＋ｇ ＋ＢｉＬ ０−２４ ９７．９ ８８５
２．９〆４６．９・０．２触 媒 実施例 結晶の大きさ 温 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエンｍ； （Ｓｉ ／Ａ
Ｉ ） ’ＣＰＳＩＧ （トルｘ＞＞
ｘチレン１５ １−２ ４９４
１４５ １２５ １８．０（
３２０） １６ ４７３ １
５５ １２５ １８．７１７
４５５ １５５
１２５ １８．７１８
４３７ １５５ １２５
１８１９ ４
２５ １５５ １２５ １８２
０ ５０１ １５
５ １２６ １８．３２１
４５３ １５５
１２０ １１．６４２２
４５３ １５５ １２０
１１．６４２３
４５０ １５５ １２９ １θ
２４ ４５０−
１５５ ６４ １６．ｆ００ ２５ ４９２ １
５５ １２９ １５．２２６
４７９ １５５
１２９ １５．２２７
４６５ １５５ １２９
１５．１２８ ４
５４ １５５ １２９ １５．
２触媒 ： 水蒸気 熟 成 転化率 選択
性 真 性 体 比なし ２４−４８ １００．
５ ９４．３ ５９．３／４０，６．’０．１３なし
４８−７２ １０１．７ ９８，３ ６４，６．
／３５，３．／ ０．１なし ７２−９０．５ １０３
９４．７ ８８．１．／３１．８／、１なＬ １
１６−１３２ ９５．９ ９７．２ ７３．ｉ／２６
．１．１０４なし （）−１０１００，６８８，４４５
３，７／’４５．９．／、４なし １（）−７０９４，
８９５，１２９，５，／７０，３．／、２なし １０−
７０ ９４．８ ９５．１ ４６．９．１５２．９
．／、１６なし ０−９ ８３→６８ ９１，４
６５．８．’３２．８．／１．３２４０．０００
１３−７２ ７９．９−４４．６ 象、４
Ｂ９，５．／２９．７ ／、７８４０．０００
０−２４ ９４，５ ８８．８ ６０
／３９，７．／、３４０．０００ ２４−４８
９８．５ ９３，４ ６４，８．／３４，９
．／、３４０．０００ ４８−７４ １０１
９５．３ ６８．２．／３１，７．／、１
４０．０００ ７２−９８ １００
９６．４ ７１，３．／２ｇ、５．／、２触
媒 寅繍例 結晶の大きさ ８１ 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエン＝（３２０） ３０ ４９２ １
５５ １２９ １５．１３１
４５８ １５５
１２９ ７３２ ＜ ２
４７３ １５５ １２９
７（２２０） ３３ １−２″ ４４６
１８５ １３０ ７（３２０） 調 ＜ １ ４４６ １
５５ １’！Ｉ） ７（２２０＞ ３５ ４５３ １
５５ １３０ ７３Ｑ
４９１ １６４ １
３０ １６３７
４９４ １６３ １３０ １
Ｂ３８ ４８７
１６１ １３０ １６３９
４７４ １６４
１３０ １６４０
４５９ １６４ １３０
１６＊＊５ｉＯｔバインダー 融層 水蒸気 熟 成 転化率 選択性 輿
性 体 比４０．０００ １２１→１４１
ＢＢ、７ ９４ ６６．９．４３．／、
３なし ←７４ ９３．５→２２ ８９，４→％、８
−ナシ←８２ ９５．０３→８１ ８９−１９４
．９８１ ３５．８．’６０，３．’３．９なシ（）−
１１２８９−５２９２，３−＋９７．６ ８８．４５
、’１Ｌ５３ 、’、０２なＬ ０−１１００ ９８
．９−１３９ ８９．２→９５ ４７．２．１５０．９
．／ １．９４０．０００ ｏ−２ａ３ ｔ
ａｒ、４→５８ ８９−４９６ ４３．３．１５
５，８．／ ０Ｊ４０．０００ ０−．２４
１００．４ ８３，３ ３４．８．／６
７．１７．／３，０３４０．０００ １２４→１４
４ ９４．６ ９１ ４３，３９．１
５５．９１．／、７４０．０００ １９４−＋２１
６ ６８→８７ ９１３４Ｂ、５３，１５０，８
？、／、６４０．０００ ２４→４Ｂ １０２
９０．３ ３９．３７．．１５９．６
９．／、９８４０、（Ｋ）０ ４８ →７２
１０３ ９３．３ ４２，８７，１５６
．５．／、６３触 媒 鮒施例 結晶の大きざ 温 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエン： 水蒸気ｍ；
（Ｓｉ ／Ａｌ ） ’ＣＰＳＩＧ （トル
エン） エチレン ２旦Ｍ４１ ＜
１ ４５７ １６１ １３
０ １６ ４０．０００（２２０） ４２ ４５０ １
５０ １３０ １６ ４０．
０００４３ ４３４
１６３ １３０ １６
４０．０００４４ ４０
３ １６０ １３０ １６
４０．０００触媒 熟 成 転化率 選択性 異 性 体
比７２−９６ １００ ９３．３ ４５，８
４．１５３．５９ 、／、５７９８−１２（１１０４，
９９４，７４１１，５２，１５１，１４，’、３４１４
６−１６８ ８４→７４ ９７．７ ５８
．２６．／４１．５８．／、１６上記のデータから明ら
かなように、いくつかの異なったシリカラ、イト触媒が
いろいろ異なった反応条件下でエチルトルエンのｏ−ｇ
性体の生成を抑制する本質的な能力を示す。水蒸気同時
供給の利用はシリカライト物質が〇−異性体の生成を抑
制する能力に影響をおよぼさず、ある橋台には明らかに
そのような抑制を助ける。たとえば、４０ｏ ｏ ｏ
ｐｐｍの水蒸気の同時供給を実施例３５において用いる
という事実を除いてはエチルトルエンを生成させるため
に本質的に同じ反応条件下で同じ触媒を用いる、実施例
３４と実施例３５の比較は、転化率の延長と選択性値の
増加に加えて、水蒸気の使用はまた水蒸気の存在なして
の本質的に同じ条件と比べて〇−異性体の量を半分にし
たことを示している。
力 ＷＨ８Ｖ ｌ−ルエン： Δｍ； （
Ｓｉ 、’ＡＩ ） ’Ｃ−旦ＳＩＧ （ｔ
−ルエン） エチレン１ ８
４７４ １５０ １２７
１７．８（２３４） ２ ４６２ １４
５ １２５ １７．６６ ４１３
４５５ １４５
１２６ １７．８ ４４
１−２ ４９０ １５０
１２７ １５．４４ ４１（３２
０） ５ ４８３ １５
１ １２７ １５．９ ４・８
４８６ １５０
１２７ １５ ４７
４８６ １５１
１２７ １５．３４ ４８
４５０ １５５
１２７ １５．４ ４９
４４７ １５０ １２
７ １５．９８ ４１０
４３６ １５２ １２６
１５．６ ４１１
４１７ １５０ １２７
１５．５ ４１２
３９４ １５２ １２６
１５．８９ ４１３
４８５ １５５ １２７
８．４ ４１４
４％ １５５ １２５
１８．７ ｔｃとくにことわらない限りＡｈ
Ｏ３バインダーを用いた触媒 に蒸気 熟 成 転化率 選択性
真 性 休 比１）、０００ ２４−４９ ８
９．７→８２．３ ９７．１ ８２．／１６．’２
０．０１＞０ ４９−７１ ７９．４→７８
．０ ９７．９ ａｓ、４．’１３．／ １．６［
）、０００ ０−２４．５ ９６．７
９１．６ ４１．４２．１５７．５．／ １．０８
０．０００ ＋９７−２２０ ９７．１
９３．２ ４９．４．’５０，２．／、４０．
０００ ３３７−３４６ ９２．１ ９
４，４ ５８．１−１１．７５ 、／ ０，１５０
．０００ ２６−４９ ９７．８ ９３
．８ ４６，７．′５２．９．／４０．０００
５２−９８１００．４ ９［ｉ、１３ ５０
．４ ’４９，４．／、２０．０００ ３１４−３
２１．５ ９７．５ ９６．９８ ５９．９
’３９．９ ／ ０．２０．０００ １０６−１
４１１．５ ９９．５ ９８．７ ５４，４
．’４５．４．／、２０．０００ １５２−１９４
９８．９２ ９７．２ ６０．１２ 、
’３９．７８ ／、１０．０００ ２２３−２９８
８８．５４ ９７，１５ ７３′２６．９５．
／、Ｏ５０，０（ト）−３２６−４７３８８→４３９５
゜１ 簡、４．／３１．４．／ ０．２Ｄ、０００
±８
＋ｇ ＋ＢｉＬ ０−２４ ９７．９ ８８５
２．９〆４６．９・０．２触 媒 実施例 結晶の大きさ 温 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエンｍ； （Ｓｉ ／Ａ
Ｉ ） ’ＣＰＳＩＧ （トルｘ＞＞
ｘチレン１５ １−２ ４９４
１４５ １２５ １８．０（
３２０） １６ ４７３ １
５５ １２５ １８．７１７
４５５ １５５
１２５ １８．７１８
４３７ １５５ １２５
１８１９ ４
２５ １５５ １２５ １８２
０ ５０１ １５
５ １２６ １８．３２１
４５３ １５５
１２０ １１．６４２２
４５３ １５５ １２０
１１．６４２３
４５０ １５５ １２９ １θ
２４ ４５０−
１５５ ６４ １６．ｆ００ ２５ ４９２ １
５５ １２９ １５．２２６
４７９ １５５
１２９ １５．２２７
４６５ １５５ １２９
１５．１２８ ４
５４ １５５ １２９ １５．
２触媒 ： 水蒸気 熟 成 転化率 選択
性 真 性 体 比なし ２４−４８ １００．
５ ９４．３ ５９．３／４０，６．’０．１３なし
４８−７２ １０１．７ ９８，３ ６４，６．
／３５，３．／ ０．１なし ７２−９０．５ １０３
９４．７ ８８．１．／３１．８／、１なＬ １
１６−１３２ ９５．９ ９７．２ ７３．ｉ／２６
．１．１０４なし （）−１０１００，６８８，４４５
３，７／’４５．９．／、４なし １（）−７０９４，
８９５，１２９，５，／７０，３．／、２なし １０−
７０ ９４．８ ９５．１ ４６．９．１５２．９
．／、１６なし ０−９ ８３→６８ ９１，４
６５．８．’３２．８．／１．３２４０．０００
１３−７２ ７９．９−４４．６ 象、４
Ｂ９，５．／２９．７ ／、７８４０．０００
０−２４ ９４，５ ８８．８ ６０
／３９，７．／、３４０．０００ ２４−４８
９８．５ ９３，４ ６４，８．／３４，９
．／、３４０．０００ ４８−７４ １０１
９５．３ ６８．２．／３１，７．／、１
４０．０００ ７２−９８ １００
９６．４ ７１，３．／２ｇ、５．／、２触
媒 寅繍例 結晶の大きさ ８１ 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエン＝（３２０） ３０ ４９２ １
５５ １２９ １５．１３１
４５８ １５５
１２９ ７３２ ＜ ２
４７３ １５５ １２９
７（２２０） ３３ １−２″ ４４６
１８５ １３０ ７（３２０） 調 ＜ １ ４４６ １
５５ １’！Ｉ） ７（２２０＞ ３５ ４５３ １
５５ １３０ ７３Ｑ
４９１ １６４ １
３０ １６３７
４９４ １６３ １３０ １
Ｂ３８ ４８７
１６１ １３０ １６３９
４７４ １６４
１３０ １６４０
４５９ １６４ １３０
１６＊＊５ｉＯｔバインダー 融層 水蒸気 熟 成 転化率 選択性 輿
性 体 比４０．０００ １２１→１４１
ＢＢ、７ ９４ ６６．９．４３．／、
３なし ←７４ ９３．５→２２ ８９，４→％、８
−ナシ←８２ ９５．０３→８１ ８９−１９４
．９８１ ３５．８．’６０，３．’３．９なシ（）−
１１２８９−５２９２，３−＋９７．６ ８８．４５
、’１Ｌ５３ 、’、０２なＬ ０−１１００ ９８
．９−１３９ ８９．２→９５ ４７．２．１５０．９
．／ １．９４０．０００ ｏ−２ａ３ ｔ
ａｒ、４→５８ ８９−４９６ ４３．３．１５
５，８．／ ０Ｊ４０．０００ ０−．２４
１００．４ ８３，３ ３４．８．／６
７．１７．／３，０３４０．０００ １２４→１４
４ ９４．６ ９１ ４３，３９．１
５５．９１．／、７４０．０００ １９４−＋２１
６ ６８→８７ ９１３４Ｂ、５３，１５０，８
？、／、６４０．０００ ２４→４Ｂ １０２
９０．３ ３９．３７．．１５９．６
９．／、９８４０、（Ｋ）０ ４８ →７２
１０３ ９３．３ ４２，８７，１５６
．５．／、６３触 媒 鮒施例 結晶の大きざ 温 度 圧
力 ＷＨ８Ｖ トルエン： 水蒸気ｍ；
（Ｓｉ ／Ａｌ ） ’ＣＰＳＩＧ （トル
エン） エチレン ２旦Ｍ４１ ＜
１ ４５７ １６１ １３
０ １６ ４０．０００（２２０） ４２ ４５０ １
５０ １３０ １６ ４０．
０００４３ ４３４
１６３ １３０ １６
４０．０００４４ ４０
３ １６０ １３０ １６
４０．０００触媒 熟 成 転化率 選択性 異 性 体
比７２−９６ １００ ９３．３ ４５，８
４．１５３．５９ 、／、５７９８−１２（１１０４，
９９４，７４１１，５２，１５１，１４，’、３４１４
６−１６８ ８４→７４ ９７．７ ５８
．２６．／４１．５８．／、１６上記のデータから明ら
かなように、いくつかの異なったシリカラ、イト触媒が
いろいろ異なった反応条件下でエチルトルエンのｏ−ｇ
性体の生成を抑制する本質的な能力を示す。水蒸気同時
供給の利用はシリカライト物質が〇−異性体の生成を抑
制する能力に影響をおよぼさず、ある橋台には明らかに
そのような抑制を助ける。たとえば、４０ｏ ｏ ｏ
ｐｐｍの水蒸気の同時供給を実施例３５において用いる
という事実を除いてはエチルトルエンを生成させるため
に本質的に同じ反応条件下で同じ触媒を用いる、実施例
３４と実施例３５の比較は、転化率の延長と選択性値の
増加に加えて、水蒸気の使用はまた水蒸気の存在なして
の本質的に同じ条件と比べて〇−異性体の量を半分にし
たことを示している。
特許出願人 コスデン・テクノロジー・インコーホレ
ーテッド 第１頁の続き ＠発明者シエームズ・エム・ワトソン アメリカ合衆国テキサス州７９７２ ０ビッグスプリング・セラトル ズ２１００ ０発 明 者 ゲイリー・ディー・ブラナムアメリカ合
衆国テキサス州７９７２ ０ビッグスプリング・ジョンソ ン１１１０
ーテッド 第１頁の続き ＠発明者シエームズ・エム・ワトソン アメリカ合衆国テキサス州７９７２ ０ビッグスプリング・セラトル ズ２１００ ０発 明 者 ゲイリー・ディー・ブラナムアメリカ合
衆国テキサス州７９７２ ０ビッグスプリング・ジョンソ ン１１１０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、熱力学的平衡量以下の〇−興性体を有するジアルキ
ル１換ベンゼン異性体混合物の２造において、トルエン
またはエチルベンゼンをアルキル化剤とアルキル化条件
で結晶性シリカ多形シリカライト触媒の存在で接触させ
ることからなる方法。 ２、アルキル化の間に調節された最の水蒸気を一緒に供
給する、特許請求の範ｅｌｌｌＩ項記載の方法。 ３、上記のアルキル化条件が約３５０℃〜約５００℃の
導入濃度からなる、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４、トルエンをエチレンでアルキル化する、特許請求の
範囲第１項記載の方法。 ５、トルエンの接触アルキル化における〇−興性体の生
成を抑制するための、トルエンとアルキル化剤をアルキ
ル化条件下で結晶性シリカ多形シリカライト触媒の存在
で接触させることからなる方法。 ６、上記のアルキル化条件がトルエンの供給に対し、ｒ
Ｆ＋２００００ｐｐ−〜Ｊ６００００ｐｐｍ の水蒸気
を同時に供給することからなる、特許請求の範囲＃１５
項記載の方法。 １、上記のアルキル化条件が約３５０’Ｃ〜約５゜０℃
の導入濃度からなる、特許請求の範囲１５項記載の方法
。 ８、上記のアルキル化剤がエチレンである、特許請求の
範囲第５項記載の方法。 ９、熱力学的平衡量以下の〇−輿性体を有するエチルト
ルエン異性体混合物の２造において、ａ）約２〜約２０
のモル比のトルエンとエチレンをアルキル化領域に入れ
、 ｂ）上記のトルエンとエチレンをアルキル化条件下で結
晶性シリカ多形シリカライト触媒と接触させ、 ｃ）＋１られたエチルトルエン異性体混合物を回収する
、 ことからなる方法。 １０、さらにトルエンに対して約４００００１００ｍ〜
約６００００ ｐＩ）Ｉの水蒸気を上記反応領域に同時
に供給することからなる、特許請求の範囲１９１１記載
の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US353448 | 1982-03-01 | ||
| US06/353,448 US4489214A (en) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | Production of ortho-suppressed dialkyl benzenes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164526A true JPS58164526A (ja) | 1983-09-29 |
Family
ID=23389139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58028670A Pending JPS58164526A (ja) | 1982-03-01 | 1983-02-24 | ｏ−を抑制されたジアルキルベンゼン類の製造法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4489214A (ja) |
| JP (1) | JPS58164526A (ja) |
| AU (1) | AU552693B2 (ja) |
| CA (1) | CA1198742A (ja) |
| DE (1) | DE3306982A1 (ja) |
| FR (1) | FR2522321A1 (ja) |
| GB (1) | GB2116204B (ja) |
| IT (1) | IT1160199B (ja) |
| NL (1) | NL8300735A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US4587371A (en) * | 1984-08-27 | 1986-05-06 | Cosden Technology, Inc. | Hydrocarbon conversion of sulfur contaminated feed stock |
| US4670617A (en) * | 1985-12-30 | 1987-06-02 | Amoco Corporation | Propylation of toluene with a high surface area, zinc-modified, crystalline silica molecular sieve |
| US4774379A (en) * | 1987-06-09 | 1988-09-27 | Cosden Technology, Inc. | Aromatic alkylation process |
| CA2132532A1 (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-23 | Cynthia T-W. Chu | Production of ethyltoluene |
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| US6090991A (en) * | 1999-02-27 | 2000-07-18 | Fina Technology, Inc. | Gas phase alkylation method and catalyst |
| US6222084B1 (en) | 1999-04-09 | 2001-04-24 | Fina Technology, Inc. | Gas phase alkylation-liquid phase transalkylation process |
| US6268542B1 (en) | 1999-08-23 | 2001-07-31 | Fina Technology, Inc. | Multi-phase alkylation-transalkylation process |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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