JPS58163615A - ウエ−ハ切削方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （−発明の技術会費 本磯明はウェーハ切削方法、４１１Ｋダイシング・ブレ
ード管帛いるウェーハ切削方法の改ｊＬＫ関する◎ （ｂ）　　技術の背景 素子形成の終った半導体基板をチップ状に切断切削溝を
形成するブレード・ダイサがある。該ブレード・ダイサ
によるウェー／Ｘ切削方法に於ては、切削部の温度上昇
を避ける、切削部の潤滑性音高める、切削粉を除去する
、等のためにブレードσ）切削部近傍に冷却ＩＩ（一般
に祉冷却水）が注ぎかけられる。

（ｅ）　　従来技術と問題点 体ウェーハ２が固着畜れ、Ｘ方向の連続移動及びＹ方向
の間欠移動がなされる移動ステージ３の上方に、高速回
転するブレード保持フランジ４で固持てれたダイシング
−ブレード５と、ダイシング・ブレード５に於ける半導
体ウェーへの切削部に冷却水６會注ぎかける冷却液吠射
ノズ少７とを設向上させるために、回転するダイシング
・ブレードに圧接してＸ方向に連続移動する半導体ウェ
ーへの往きと＃Ｉ＃）の両方でウェーハ面に切削溝８の
形成がなされる。従って溝の切削は、第２図イ）Ｋ示す
タウンカット方式と＠２図（ａｔに示すアップカッ下方
式の二重式でなされる。なお第２図イ）及び（Ｃ４に於
て、２け半導体ウェーハ、５はダイシング・ブレード、
８は切！！１溝、９はダイシング・ブレードｌ１１１ｉ
方向矢印し、１０は半導体ウェーハ移動方向矢印し、１
１は堆積切削粉を示している。

第ｉｌｌに示した従来のブレード・ｒイサに於てｗＩｚ
図（ｃ１１Ｌ７）よろにアップ・カット方式で形成され
た切削溝８は、その内面に切削粉の付着が少ない清浄な
壽となる。しかしながら第２図（イ）のように−ラン・
カット方式で形成された切削溝８の場合は冷却水６によ
る切削粉の除去が充分になされないために、溝内に切削
１）ｌｌが堆積残留する。そしてこの切削粉１１は切削
溝８内に乾燥固着した場合、通常の洗浄処理で除去する
ことが因難なため、半導体チップに付着したまま組立１
椙に送られる。そして組立工種に於て切削粉が脱落して
ボンヂイゲ・パ、ドヒを汚染して、ポンディンＩ不良を
発生せしめた）、又脱落切削粉のかたまりがパターン間
を−７１”ＩＪッゾして電気的特性不良を発生せしめる
といろ問題があった。

ｆｄｌ　　発明の目的 本発明の目的は、切削溝内に付着する切・削粉を除去す
るために切削溝内へ冷却ｆ［を流し込む冷却液誘導手段
を具備せしめたウェーハ切削方法１ｍ供し、上記問題点
を除去することにある。

（ｅｌ　　発明の構成 本発明は、ウェーへ切削方法に於て回転するタ１イシン
戸・ブレード會つェーへに圧接し、且つ該テレード圧接
部に冷却液体上注ぎかけなからウェーハの切削を行ろに
際して、回転するダイシング・ブレードの遠心力により
はじき出される冷却液体ｔ１冷却液体誘導手段で受は止
めてウェーハの切削溝内に流し込み、切削溝内の洗浄を
行うことｔＩＩ＃徽とする。

げ）発明の実施例 以下本発明を実施例について、図を用いて詳細に説明す
る・ １１３図は本発明の一実施例に用いたウェーハ切＊装置
の＊＊正置模式図（イ）及び要部側面模式１１ｔｔｃ４
、第４図は一実施例に１にける冷却液−動手段の上面ｌ
１ｆ４）、ＩＩｆｌｆｆｌＰｌ、下１１図ＰｉヒＡ−ｈ
ｐ矢視断ｍｓ。

に）である。

本発明の方法に用いたウェーハ切削装置は、例えば第３
図（梢及（四に示すように、矢印９で表わす方向に高速
で回転するダイシング・ブレード５に吹會付けられ、ダ
イシング・ブレード５の遠心力で冷却水６′がはじき出
される方向のダイシング・ブレード６近傍で、且つ被切
断ウェーハである憫勢い嵐く流し込む機能を有する冷却
液誘導手段１２が基台１６に固定されて配設される。そ
してこの冷却液誘導手段１２線、該手ｆｆ１２にブレー
ド５の遠心力によって注ぎかけられる冷却水ｓ／を受け
とめて、矢印１３に示す方向に勢い嵐（注下して、切削
１１ｓ内へ急速度で注入し、該切削によって生じた切削
粉（実施例の場合半導体粉）ｔ＠削溝８内へ堆積させず
に流し出す。なお図中、３はブレードに対して移動する
移動ステージ、４はブレード保持フランジ、６は冷却水
、７は冷却液噴射ノズヤ、１０はステージ移動方向矢印
し、１４は１転軸、１５ａ、１５ｂは支持腕、１６は基
台管示す。

第４図（イ）＊　ｔ’ｓ　、Ｇ’ｉ　＊に）は上記実施
例に用いた冷却液誘導手段に於ける一実施例の上面図、
側面図。

下面図、Ａ−Ｎ矢視断面図ｔそれぞれ示したものである
。

該冷却液誘導手段１２は、図に示すよろに冷却＊＊導“
溝１６ｔ−有する例えば５〔■φ〕程度のステンレス等
からなる棒状体１７で形成されている。

そして該棒状体１７は、できるだけタイシングーブレー
ドに接近して配設し得るように、その先端部上面が斜め
に切り落されている（１８は切」落し部）。又前記冷却
液−―溝１６社例えば０．５〜ｌ〔１１１度の溝幅１有
し、棒状体１丁下面の中心１１ｓｃ＋ｃ＊から両側面の
中心１１ＣｓＣａまでを結ぶ直馨状に例えば２〜３〔■
〕程度のピッチで形成される。モして皺誘導溝１６の形
成角度ａは棒状体１７＠端側に崗って４５〜ｇｏ（ｔ）
１度の角度とし、溝の鷹ｍ１ｌｅ性例えば平面状に形成
される（＠中ｔｅａは支持腕）。

このような冷却液誘導手段に於ては、ダイシング・ブレ
ードの遠心力によってはじきｍ１れ諌誘導手段に於ける
棒状体１７の表１１ｔＫ勢いよ（注がれた冷却水は、棒
状体＊２に形成されている冷却液幹導溝１６で受けとめ
集められ、鋏溝１６に沿っテ勢い曳くウェーハの切削溝
内に注ぎ込まれるので、切１ｌｌｌ肴は切削溝内に堆積
されることな（つニーへの外ＩＩＫ流出せしめられる。

Ｉｇ＋　　発明の効果 以上実施例に示したようなウェーハ切削装置を用いる本
発明のウェーハ切削方法によれば、ウェーハの切削粉！
切削溝内Ｋｊｌｋｌｌ残留させずにつ工−ハのダイシン
グがなされる。

従って半導体１ＩＩｔの製造工１等に於て、ウェーハ切
ｍｓが耐着した半導体チップが組立工場へ渡されること
がなくなるので、組立工程に於けるポンディング不良や
パターン間の短絡不良等が防止される。

なお本発明のウェーハ切削方法は、半導体以外のファイ
ン・デバイス基板管切断する際にも勿論有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のウェーハ切削装置の１ｌｆｆｉ図、第２
図（イ）はダウン−カット方式説明図、第２図（ＣＩＩ
Ｆｉアップ・カット方式説明図、第３図は本発明の一実
施例に用いるウェー八切ＰＡｉ装置の要部正面図（４及
び要部側面図（嗜、第４図は一実施例に於ける冷却液誘
導手段の上面図（イ）、側面図ｔａｂ下面図し１及びＡ
−Ａ’矢視断面図に）である。 図に於て、ｌはウェーハ切削方法、２は半導体ウェーハ
、３は多動ステージ、４はブレード保持フランジ、５＃
ｉタイシング・ブレード、６及び６′は冷却水、７は冷
却液噴射ノズル、８＃ｉ切削溝、９はダイシング・ブレ
ード回転方向矢印し、１Ｇは半導体ウェーハ移動方向矢
印し、１１は堆積切削粉、１２は冷却涼鱒一手段、１３
は冷却水注下方向矢印し、１４は回転軸、１５ｍ及び１
５ｂＲ支持腕、１６は冷却筐−導溝、ＩＴは棒状体、１
Ｂは切ヤ落し部、１９祉冷却液誘導溝の底面、　Ｃ，Ｃ
は棒状体下画の中心線Ｃ，Ｃ，は棒状体測置の中心ａｔ
示す。 Ｊｌ　　口 第　２　図 （イン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ロ）
え　３１！１ ５ （ロ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｉ１１転するダイシング・ブレードｔウェーへに圧接し
   、且つ鋏ブレード圧ＩＩ部に冷却液体を注Ｉかけながら
   ウェーハの切ＷＪ！行うに際して、１吸するダイシング
   ・ブレードの遠心力によりはじ会出される冷却液体管、
   冷却液体誘導手段で受は止めτウェーへの切削溝内に流
   し込み、切削溝内の洗浄管行うことｔ轡黴とするウェー
   ハ切削方法。 １　前記冷却液体誘導手段が、ダイシング・ブレードの
   ウェーハ切削方法傍で、且つウェー八表面に近接して設
   けられた冷却液体誘導溝を有する棒状体からなることｔ
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェーハ切削方
   法。