JPS5816124A - フレ−ムセンサ− - Google Patents

フレ−ムセンサ−

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JPS5816124A
JPS5816124A JP11496181A JP11496181A JPS5816124A JP S5816124 A JPS5816124 A JP S5816124A JP 11496181 A JP11496181 A JP 11496181A JP 11496181 A JP11496181 A JP 11496181A JP S5816124 A JPS5816124 A JP S5816124A
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JP
Japan
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film
sensor
flame
perovskite
oxide film
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JP11496181A
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JPH0227619B2 (ja
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Naomasa Sunano
砂野 尚正
Naotatsu Asahi
朝日 直達
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Hitachi Ltd
Shinei KK
Original Assignee
Hitachi Ltd
Shinei KK
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Publication date
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Priority to US06/399,858 priority patent/US4608232A/en
Priority to CA000407632A priority patent/CA1191897A/en
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Publication of JPH0227619B2 publication Critical patent/JPH0227619B2/ja
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23NREGULATING OR CONTROLLING COMBUSTION
    • F23N5/00Systems for controlling combustion
    • F23N5/003Systems for controlling combustion using detectors sensitive to combustion gas properties

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Regulation And Control Of Combustion (AREA)
  • Control Of Combustion (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は燃焼機器に装着された燃焼室内の燃焼状態(完
全、不完全、失火)を可逆的に検出感応するだめの焔内
ガス(主として酸素濃度)感応体と温度感応体の複合機
能によってガスセンサーの出力補正をすることができる
フレームセンサーに関する。
従来より、ガス、石油等のりp;焼機器の不完全燃焼及
び失火検知にはジルコニア酸素濃淡電池方式が多く提案
され又電気抵抗方式もN型、P型の両方が提茶されてい
る。前者は酸素分圧の差による起電力を発生させる方式
であるため基亭酸素圧設定が必要でそのため焔内への設
置に特別の工夫が必要で且つ価格高になった。又後者で
はペロプスカイト型酸化物(P型、USP−39516
03、特開50−110385、特開55−13294
1等)及びN型(OX id、 Me/、 USAI2
巻2号183〜1901978年:z、 phys、 
Chem、 NetIe、、 17”olge 103
巻115〜1241976年:J、E、 Chem、 
SOC,。
USA、、pI)1443〜1446.1977年度)
が周知であ本発明の目的は、同−基体上にガスセンサー
と高温度抵抗センサーとを形成し、ガスセンサーの出力
を同一条件下で測定した温度センサーの出力で補正する
とどのできるフレームセンサーヲ提供することである。
本発明の他の目的は、従来のペロブスカイト型酸化物膜
の欠点をカバーするために、新たな複合酸化物膜を重ね
て定着する事によって、長期耐久力を持たせることであ
る。本発明において高温抵抗センサーの機能を性力した
場合でも、その機能を利用するか否かは使用者の任意で
あって、少なくともフレームセンサーとして火焔中の0
2 、CO,HCに基づくペロブスカイト型酸化物の抵
抗値変化を測定すれば本発明の目的を達成する。
ガスセンサーと高温度センサーはそれぞれ別々の機能素
子として考えられていた。これ等を一体に結合し複数の
機能を持たせれば、それだけ無駄が無く低価格につなが
る。又受は入れ側に於ても簡単化されコストダウンにな
る。所が、フレーム焔内では高温高湿高化学活性のため
、(rYE来の斗\では面1久力のある実用センツーを
、l、B供する事は困難であった。例えばペロブスカイ
I・!(す酸化物膜を例に取ると膜面を露出する必要性
のだめ、又その融点の高い事等から、基盤に強く471
着ぜす、膜が容易に剥れ、これをカバーする/こめに種
々な不活性ガラスが提案されている。膜が強力に句着す
る事は出来ても、その電気的性質の大[IJな変化又は
長期安定性、耐久力等カバーし得なかった。又高温用セ
ンサーに例を取ってみても同イーエ)<で、露出しだま
\で焔内に長期間さらすと、その電気抵抗値に経時変化
を起こし、密封しなければならなかった。ペロブスカイ
ト酸化物膜の剥れをなくするだめに、又その電気抵抗の
安定性と経時変化を少くするだめに、新だに作ったガラ
ス粉末[s ’ 02(80%)、 B2O3(12,
7%) 、 Na、、o3(3,4%)、At203(
2,3%)、 ?2o3(o、o:3%)+ N20(
0,0,1%))を良く水洗して、ペロブスカイト粉末
と混合し、これを既に定着しているペロブスカイト膜(
巾計のガラス粉末を含む)上に重ねて定着保設コートす
れば、安定で耐久力のある経時変化の認められないし 皮膜が形成できる事が判明さ紅だ。上記新らしく形成さ
れた皮膜の性質は第5図に示す様に二つの抵抗急変ゾー
ンが存在する事が見出され、センサー機能アップにつな
がった。
以下本発明を図面を用いて説明する。
第1図は本発明に」=るフレームセンサーの図面で、(
a)はガス(主として酸素濃度)に感応する側のセンサ
一平面(基体の一方面)、(1))は温度に感応する側
のセンサ一平面(基盤の他の面)を示す。
第2図は第1図(a)のト]に沿った側面断面図、第3
図は第2図の■−■に沿つた感応体近傍の拡大断面図で
ある。図に於て1は耐熱磁器体、2゜2′は固定ピン挿
入穴、3.3’、3“はリードピン挿入穴、4.4’、
4”、4Mは白金電極膜、5はペロブスカイト型酸化物
主成分膜、8はそのペロブカイト膜化物と不活性ガラス
の混合膜、6+ 6.’+6“、6″は銀を含む耐熱金
属膜リード、7はサーミスター膜、9,10,1.1は
耐熱金属リードピン、9’A、 9’B、 10’ 、
 11”はロウ付は半田材である。
第1図ないし第3図には示していないが、本発明によれ
ばペロブスカイト型酸化物j漠を絶縁基体上の電極間に
形成したフレームセンサーを提供することができること
は明らかである。
第4図は本発明のフレームセンサーの応用例で、5.7
,9,10.11は第1図の通りで、Aはそのフレムセ
ンサー素体、丁3は耐熱金属ケース、Dは耐熱金属ピン
、■(は耐熱セメン1−1Kは耐熱磁器絶縁支持体、N
1、N2は取り付け(他の装置へ)穴、Sは耐熱金属ネ
ット、Rは空間である。
第5図は本発明のペロブスカイト型酸化物膜の焔中(7
00C〜800C)に於ける特性を示すもので、横軸に
空燃比Aを取り縦軸にその電気抵抗値Rpを取り、X、
 Yはその急変ゾーンを示す。
第6図は本発明のペロブスカイト型酸化物膜の焔中に於
ける性質を示すもので、横軸に焔温度(C)を取り縦軸
にその電気抵抗R1pを取った場合、その空燃比Aをパ
ラメターとした結果で、曲線a 〜にはそれぞれA=1
.0.1.2.1.24.1.25゜1、255.1.
26.1.27.1..30.1.35.1.40  
及び空気中又はA〈10を示す。
第7図は酸化物サーミスター膜の一特性例を示すもので
、横軸に温度0す数−一韮占轄縦軸に酸化物サーミスタ
ー膜の電気抵抗値を取った場合を示す。
第8図は本発明のフレームセンサーの応用電気定抵抗、
ICは変換回路ザーキッl’、TJI、L2は負荷、9
,10.11は第1図のリードピン延長」−の位置を示
すものである。
第1図に於てアルミナ磁器体1の表面に二対の白金電極
膜4.4’、4” 4 ///を約135Orで焼着し
た後、4“、4″間には重量%でL a 203 (2
6,5%)、Cr2O3(1,0,4%)、5n02(
21,5%社H%>、Tho、。
(1,]、、88%、cuO(9,1%)、B1203
(2%)、5IO2(63%)、CaC03(82%)
 、A、t20s (4,3%)から成る焼成物の微粉
末を良く洗滌しだ後1300tZ’〜1.350Cで空
気中で焼着させ高温サーミスター特性を有する酸化物サ
ーミスター膜7を形成させる(酸化物サーミスターの代
りに白金焼着抵抗膜7であっても良い)。この様な膜の
智度感応物は露出したま\の状態で焔中(1100C以
丁)にさらしても、その経時変化は認められる程起こら
ない。
次に白金電極膜4,4′間には先ず初めに重量%から成
る良く水洗されたガラス粉末と良く水洗されたペロブス
カイト酸化物(例えばLaNiO3)粉末とを良く混合
し、その重量%比は、ガラス粉末の方で3%〜10%が
良好で、これを大気圧下で1150C〜1200Uで焼
着し、ペロブスカイト型酸化物膜5を定着した後、更に
その膜−4二に重ねて(重量%でガラス粉末の方で20
%〜30%が良好)複合物を大気圧下で1.150t:
’〜1200Cで焼着し保護膜8を形成させる。この様
に1〜で形成したフレーム感応物は1osor以下の焔
内で長期間安定でその性質にほとんど変化を起さない。
酸化物サーミスター膜7の特性は第7図に示す様であり
、又ペロブスカイト型酸化物膜5の特性は第5図、第6
図に示す様である。具体的なフレームセンサーに組み立
てるだめに、リード引出しが必要でその実施例として、
パラジウム銀膜6,6’、6’。
6 /lを焼着形成し、この一端を耐熱金属リードピン
9,10.11とロウ付は半田(水素焔中)9’ A、
 9’B、 10’ 、 11’する。こ\まで出来上
ったものをセンサー素体と呼ぶ事にすると、第4図の様
に素体Aは耐熱磁器絶縁支持体Kをはさんで耐熱金属ピ
ンDによって金属ケースBに挿入固定され、更に耐熱セ
メントI]で充填固化(常温同化)密着する事ができる
この様に実施されたフレームセンサーの動作実測例を示
す。プロパン燃焼焔中に於てそのペロブスカイト型酸化
物膜5の特性は第5図に示す様に空燃比1.2近傍でそ
の電気抵抗値は約3桁急増加し、完全燃焼域で徐々に最
高値に達するが、空燃比が更に小さくなって、0.95
近傍になるとその値は再び逆に急転(約3桁)シ、不完
全燃焼カーボンを検知する事を示すものでありその応答
は可逆的で、X点での応答速度はミ’)秒単位であるが
、(9) 7点のそれは分単位である。一方更にもう一つの別の機
能を持つ酸化物サーミスター膜7の特性は第7図に示す
様に空燃比とは全く関係無く焔内温度のみに依存し、そ
の特性は温度の逆数に対し指数1雨数で表わされる。
効果として、一体になった2つのセンサーである事は、
先ず取付は容易簡単で低価格の他にガスセンサーの2つ
の急変ゾーンの空気過剰が不足かのどちらのゾーンであ
るかという判別ができる。
ペロブスカイト酸化物膜上に更に重ねてペロブスカイト
酸化物と不活性ガラスの混合膜を形成させる事は次の第
1表に示す様に寿命(耐久カ)向上の効果をもたらす。
(10) (11) ペロブスカイト型酸化物の特性t」、第5図に示す様に
、空燃比0.95近傍でN型の抵抗急変点が存在するの
で、ガスセンサーのIJ(接値の高いゾーンだけに於て
完全燃焼しているという情報になり、燃焼効率向上に重
要々役割を果すことができる。
従って、この様なセンサーを例えば第8図に示す様な等
価回路で応用制御装置を考えていけば、その応用範囲は
極めて広い。同図に於てEは電源、R,、R,2は固定
抵抗、ICは変換回路機能、LIL2は負荷、RPはペ
ロブスカイト型酸化物膜の電気抵抗値で、フレーム焔内
に設置されておるもので、その燃焼状態に対応して第5
図、第6図の様な特性でその電気抵抗値が可逆的に変化
し、R+sは酸化物サーミスター膜の電気抵抗値で、第
7図の様に温度の逆数に対応して直線で可逆的に変化し
、従ってRs、Rp変化に対応したプログラムからL 
l 、L 2を作動せしめる事ができる。
本発明によれば、新しい機能、フレームの温度と燃焼状
態(主として酸素濃度)を同時に検出でき、ガス感応部
電気抵抗値の高いゾーンに於ての(12) み完全燃焼している事がそのま\検出できる。抵抗急変
ゾーンが低空燃比域か又は高空燃比域かの判定はもう一
つの感温センサーの値(燃焼焔温度の変化を伴う)で容
易に判別できる。
ペロブスカイト酸化物膜上に不活性ガラス−ペロブスカ
イト酸物膜を形成すると、第1表に示す様に、焔内にお
ける耐久寿命の性能は格段φアップする。なお第1表の
数字は初期抵抗値を100とした場合の変化割合を示す
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、 (b)は本発明の一実施例によるフレ
ームセンサーの主要部の上下平面図、第2図は第1図(
a)のII−II断面図、第3図は第2図の■−■断面
図、第4図は本発明の一実施例によるフレームセンサー
の全体構造を示す断面図、第5図はペロブスカイト型酸
化物の膜の焔中特性を示すグラフ、第6図は種々の空燃
比におけるペロブスカイト型酸化物の焔温度と抵抗値の
関係を示すグラフ、第7図はサーミスタの焔中特性を示
すグラフ、第8図は本発明のフレームセンサーの応用例
を示す電(13) 気回路図である。 ■・・・絶縁基体’14.4’、 4“ 4 /I/・
・・白金電極、6゜6 / 、 6 +1”、 6 /
//・・・導体、5・・・ペロブスカイト型酸化物膜、
7・・・サーミスタ膜、8・・・ペロブスカイト−不活
性ガラス膜。 代理人 弁理士 高橋明夫 (14)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一つの絶縁基体上に形成した二対の耐熱金属電極膜
    を有し、一方の対電極間にペロブスカイト型酸化物膜、
    もう一方の対電極間にサーミスター特性を有する抵抗膜
    をそれぞれ形成したことを特徴とするフレームセンサー
    。 2、一つの絶縁基体上に形成した二対の耐熱金属!極膜
    に対し、一方の対電極間に形成されたペロブスカイト型
    酸化物膜の上にペロブスカイト型酸化物粉末と不活性ガ
    ラス粉末との混合物を重ねて形成したガスセンサー、も
    う一方の対電極上には高温用サーミスター特性を有する
    抵抗膜を形成したことを特徴とするフレームセンサー。 3、一対の金属電極膜の定設した耐熱絶縁基体上の電極
    膜間に形成したペロブスカイト型酸化物膜と、その上に
    形成したペロブスカイト型酸化物粉末と不活性ガラス粉
    末との混合物を重ねて定着しフレーヘヤ〉サー たことを特徴とする酸素感応1も
JP11496181A 1981-07-21 1981-07-21 フレ−ムセンサ− Granted JPS5816124A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11496181A JPS5816124A (ja) 1981-07-21 1981-07-21 フレ−ムセンサ−
DE8282106505T DE3275409D1 (en) 1981-07-21 1982-07-19 Method of manufacturing a gas sensor
EP82106505A EP0070551B1 (en) 1981-07-21 1982-07-19 Method of manufacturing a gas sensor
US06/399,858 US4608232A (en) 1981-07-21 1982-07-19 Gas sensor
CA000407632A CA1191897A (en) 1981-07-21 1982-07-20 Gas sensor

Applications Claiming Priority (1)

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JP11496181A JPS5816124A (ja) 1981-07-21 1981-07-21 フレ−ムセンサ−

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JPS5816124A true JPS5816124A (ja) 1983-01-29
JPH0227619B2 JPH0227619B2 (ja) 1990-06-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103308560A (zh) * 2013-06-04 2013-09-18 中国科学院微电子研究所 一种室温检测nh3的气体传感器的制作方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821758U (ja) * 1981-07-28 1983-02-10 フイガロ技研株式会社 燃焼状態検出装置

Family Cites Families (1)

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JPS5821758B2 (ja) * 1976-08-27 1983-05-02 タケダ理研工業株式会社 多チヤネル選択装置

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JPH0227619B2 (ja) 1990-06-19

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