JPS58155764A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58155764A JPS58155764A JP3842182A JP3842182A JPS58155764A JP S58155764 A JPS58155764 A JP S58155764A JP 3842182 A JP3842182 A JP 3842182A JP 3842182 A JP3842182 A JP 3842182A JP S58155764 A JPS58155764 A JP S58155764A
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
従来、バイポーラトランジスタの半導体装置の製造法と
して、エミッタ・ベース間耐圧を高くするために、不純
物導入量を抑制して全体としてのベース不純物濃度を低
くする方法が一般に用いられていた。しかし前記の方法
では、ベース抵抗が高くなりトランジスタの利得や雑音
指数等の電気的緒特性を劣化させるという問題があった
。
して、エミッタ・ベース間耐圧を高くするために、不純
物導入量を抑制して全体としてのベース不純物濃度を低
くする方法が一般に用いられていた。しかし前記の方法
では、ベース抵抗が高くなりトランジスタの利得や雑音
指数等の電気的緒特性を劣化させるという問題があった
。
本発明は上記欠点に鑑み、ベースエミッタ間の耐圧を維
持しつつ、ベース抵抗の小さなバイボー力 ラトランジスタを製作する、半導体装置の製菱沃を提供
するものである。
持しつつ、ベース抵抗の小さなバイボー力 ラトランジスタを製作する、半導体装置の製菱沃を提供
するものである。
以下本発明の一実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図(a)〜(j)は、本発明の一実施例における半
導体装置の製造工程を示すトランジスタの断面図である
。以下図面の順序にしたがって各工程を説明する。
導体装置の製造工程を示すトランジスタの断面図である
。以下図面の順序にしたがって各工程を説明する。
(a) 所望の厚さと比抵抗とを有するN型シリコ/
ウェハ1を熱酸化し、6000A 〜10000Aの厚
さの二酸化シリコン膜2を絶縁膜としてシリコン表面に
形成する。(第1図(a))(−写真食刻法により二酸
化シリコン膜2を窓開けし、ベース用開口窓3を開ける
。(第1図(b)) (e) 通常の拡散技術を用いベース用開口窓3及び
その周辺に不純物含有二酸化シリコン膜4を設け、シリ
コン膜4を通じて不純物導入を行い高不純物濃度(I
X 1019/l:nl 〜I X 1020/ca
)のベース層6を形成する。(第1図(C))(d)
不純物含有シリコン膜40表面上に窒化シリコン膜6
(1000A 〜1500A)を形成する。
ウェハ1を熱酸化し、6000A 〜10000Aの厚
さの二酸化シリコン膜2を絶縁膜としてシリコン表面に
形成する。(第1図(a))(−写真食刻法により二酸
化シリコン膜2を窓開けし、ベース用開口窓3を開ける
。(第1図(b)) (e) 通常の拡散技術を用いベース用開口窓3及び
その周辺に不純物含有二酸化シリコン膜4を設け、シリ
コン膜4を通じて不純物導入を行い高不純物濃度(I
X 1019/l:nl 〜I X 1020/ca
)のベース層6を形成する。(第1図(C))(d)
不純物含有シリコン膜40表面上に窒化シリコン膜6
(1000A 〜1500A)を形成する。
(第1図(d))
(e) 写真食刻法によりベース用開口窓3より小さ
いエミッタ用開口窓7を膜4,6に開ける。
いエミッタ用開口窓7を膜4,6に開ける。
(第1図(e))
(f)900″C〜1200″Cの温度で酸素または螺
気酸素雰囲気にて熱処理することにより窒化シリコン膜
6とベース層5のエミッタ用開口窓7により露出した部
分8との表面に二酸化シリコン膜9を形成する。またベ
ース層6の露出部分8及びその周辺部分中の不純物を外
部に抜き取る、いわゆる外部拡散を行なうことによりベ
ース層6の露出部分8とその周辺部分に不純物濃1 度
の低い(1×10 /cd〜1×1o /洲)ベ−ス領
域1oを形成する。(第1図(f))(g) 二酸化
シリコン膜9を弗酸と水若しくは弗化アンモンの混合液
によりエッチし、再びエミッタ用開口窓7を開ける。(
第1図(g))(h) 通常の拡散技術を用いてエミ
ッタ領域11を形成する。(第1図(h)) (i) 写真食刻法によってベースコンタクト窓12
を開ける。(第1図(i)) (J)電極用金属を蒸着し、写真食刻法によってエミッ
タ電極13及びベース電極14を形成する。(第1図(
J)) 以上のように、二酸化シリコン膜41の表面に窒化シリ
コン膜9を設け、外部拡散を行い、不純物濃度の高いベ
ース層6の中のベース用開口窓付近に不純物濃度の低い
ベース領域1oを設け、拡散によってベース領域1oの
中にエミッタ領域11を形成する半導体装置の製造方法
により、不純物濃度の低いベース領域1oとエミッタ1
1との間の耐圧を維持しつつ、不純物濃度の高いベース
層6を設え、利得や雑音指数等の電気的緒特性の優れた
トランジスタを製造することができる。
気酸素雰囲気にて熱処理することにより窒化シリコン膜
6とベース層5のエミッタ用開口窓7により露出した部
分8との表面に二酸化シリコン膜9を形成する。またベ
ース層6の露出部分8及びその周辺部分中の不純物を外
部に抜き取る、いわゆる外部拡散を行なうことによりベ
ース層6の露出部分8とその周辺部分に不純物濃1 度
の低い(1×10 /cd〜1×1o /洲)ベ−ス領
域1oを形成する。(第1図(f))(g) 二酸化
シリコン膜9を弗酸と水若しくは弗化アンモンの混合液
によりエッチし、再びエミッタ用開口窓7を開ける。(
第1図(g))(h) 通常の拡散技術を用いてエミ
ッタ領域11を形成する。(第1図(h)) (i) 写真食刻法によってベースコンタクト窓12
を開ける。(第1図(i)) (J)電極用金属を蒸着し、写真食刻法によってエミッ
タ電極13及びベース電極14を形成する。(第1図(
J)) 以上のように、二酸化シリコン膜41の表面に窒化シリ
コン膜9を設け、外部拡散を行い、不純物濃度の高いベ
ース層6の中のベース用開口窓付近に不純物濃度の低い
ベース領域1oを設け、拡散によってベース領域1oの
中にエミッタ領域11を形成する半導体装置の製造方法
により、不純物濃度の低いベース領域1oとエミッタ1
1との間の耐圧を維持しつつ、不純物濃度の高いベース
層6を設え、利得や雑音指数等の電気的緒特性の優れた
トランジスタを製造することができる。
なお、前記を実施例に不純物の高い(1×1020〜I
X 10 /cyil)ベースコンタクト層(図示
しない)を形成する工程を付加しベースコンタクトの抵
抗を下げることができる。まだ前記実施例ではシリコン
半導体を用いてなされたが、本発明の利用範囲はこれに
限定されるものではなく、ゲルマニウムあるいは、化合
物半一体を用いたものにも適用される。そして前記実施
例ではトランジスタの製造方法であったが、本発明はP
N接合の耐圧向上の一方法としても利用できるほかPN
を反転した構造の半導体装置の製造もできる。
X 10 /cyil)ベースコンタクト層(図示
しない)を形成する工程を付加しベースコンタクトの抵
抗を下げることができる。まだ前記実施例ではシリコン
半導体を用いてなされたが、本発明の利用範囲はこれに
限定されるものではなく、ゲルマニウムあるいは、化合
物半一体を用いたものにも適用される。そして前記実施
例ではトランジスタの製造方法であったが、本発明はP
N接合の耐圧向上の一方法としても利用できるほかPN
を反転した構造の半導体装置の製造もできる。
以上のように、本発明は、半導体基板上に前記半導体基
板′に対して不活性であり、かつ不純物の拡散透過に対
して遮断効果のある窒化シリコン膜を設け、前記窒化シ
リコン膜に所定の開口窓を形成した後、熱処理をするこ
とにより、前記シリコン膜などのある部分においては不
純物濃度の変化が少ない領域を残し前記開口窓付近には
他の部分より不純物濃度の低い領域を設け、ベース抵抗
が小さく、かつエミッタベース間耐圧の高いトラン1
ジスタの製作ができる。
板′に対して不活性であり、かつ不純物の拡散透過に対
して遮断効果のある窒化シリコン膜を設け、前記窒化シ
リコン膜に所定の開口窓を形成した後、熱処理をするこ
とにより、前記シリコン膜などのある部分においては不
純物濃度の変化が少ない領域を残し前記開口窓付近には
他の部分より不純物濃度の低い領域を設け、ベース抵抗
が小さく、かつエミッタベース間耐圧の高いトラン1
ジスタの製作ができる。
第1図(a)ないしくj)は本発明の一実施例における
半導体装置の製造工程を示すトランジスタの断面図であ
る。 1・・・…シリコン基板、2.4.9・・e・・・二酸
化シリコン膜、3,7,12 ・・・・・・開口窓、
6,10゜11・・・・・・不純物拡散層、6・・・・
・・窒化シリコン膜、8・・・・・・不純物拡散層露出
部、13・・・・・・エミッタ電極、14・・・・・・
ベース電極。
半導体装置の製造工程を示すトランジスタの断面図であ
る。 1・・・…シリコン基板、2.4.9・・e・・・二酸
化シリコン膜、3,7,12 ・・・・・・開口窓、
6,10゜11・・・・・・不純物拡散層、6・・・・
・・窒化シリコン膜、8・・・・・・不純物拡散層露出
部、13・・・・・・エミッタ電極、14・・・・・・
ベース電極。
Claims (1)
- 半導体基板上に、前記半導体基板に対して不活性であり
、かつ不純物の拡散透過に対して遮断効果のある膜を設
け、その後、前記膜に所定の開口窓を形成して前記半導
体基板の一部を露出した後、熱処理し前記露出部分の不
純物濃度を、非露出部分の不純物濃度に比べて低濃度に
し、1つの半導体領域の中に他より不純物濃度の低い領
域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3842182A JPS58155764A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3842182A JPS58155764A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58155764A true JPS58155764A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12524847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3842182A Pending JPS58155764A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58155764A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001006551A1 (de) * | 1999-07-20 | 2001-01-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung zweier unterschiedlich dotierter benachbarter gebiete in einem integrierten halbleiter |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141573A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS52156573A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
JPS5419370A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor devices |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP3842182A patent/JPS58155764A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52141573A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS52156573A (en) * | 1976-06-23 | 1977-12-27 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor device |
JPS5419370A (en) * | 1977-07-13 | 1979-02-14 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor devices |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001006551A1 (de) * | 1999-07-20 | 2001-01-25 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung zweier unterschiedlich dotierter benachbarter gebiete in einem integrierten halbleiter |
US6716712B2 (en) | 1999-07-20 | 2004-04-06 | Infineon Technologies Ag | Process for producing two differently doped adjacent regions in an integrated semiconductor |
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