JPS58155754A - Ｉｃメモリ - Google Patents
ＩｃメモリInfo
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- JPS58155754A JPS58155754A JP58025683A JP2568383A JPS58155754A JP S58155754 A JPS58155754 A JP S58155754A JP 58025683 A JP58025683 A JP 58025683A JP 2568383 A JP2568383 A JP 2568383A JP S58155754 A JPS58155754 A JP S58155754A
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- JP
- Japan
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- coated
- film
- memory
- films
- capacitance element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 235000009508 confectionery Nutrition 0.000 claims description 4
- 108091027981 Response element Proteins 0.000 claims 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N Iodofenphos Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC(Cl)=C(I)C=C1Cl LFVLUOAHQIVABZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001580 bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N nff 1 Chemical group C([C@H](NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@@H]1CCCN1C(=O)CC=1C2=CC=C(C=C2OC(=O)C=1)OC)C(=O)N[C@@H](CC=1C=CC=CC=1)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCCCNC=1C(=CC(=CC=1)[N+]([O-])=O)[N+]([O-])=O)C(=O)NCC(O)=O)C1=CC=CC=C1 NBJBFKVCPBJQMR-APKOLTMOSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明μ大容量のメモリとして好適なＩＣメモリに係
り、４１に小さな平面形状で大きな容量を有する容量菓
子を備え７ｊＩＣメモリに関する。
り、４１に小さな平面形状で大きな容量を有する容量菓
子を備え７ｊＩＣメモリに関する。
ＭＯ８集積回路は高密度大規模化に好適でＴｏｐ。
大容量ＩＣメモリ【実現することがで叢る。とくｒｃｌ
トランジスタ溢のＩＣメモリにトランジスタと容量素子
とを各−個用いて記憶作用ｔもたらすため素子占有面積
が小さく、高密匿記憶果槓回路として注目されているｏ
しかしな力！ら、このような容量素子を用い次１）ラン
ジスタ型のＩＣメモリぼ、情報を保持するために必要な
容量値の限界があり、シたがって、あまり容量素子を小
形に小米なかった。
トランジスタ溢のＩＣメモリにトランジスタと容量素子
とを各−個用いて記憶作用ｔもたらすため素子占有面積
が小さく、高密匿記憶果槓回路として注目されているｏ
しかしな力！ら、このような容量素子を用い次１）ラン
ジスタ型のＩＣメモリぼ、情報を保持するために必要な
容量値の限界があり、シたがって、あまり容量素子を小
形に小米なかった。
この発明の目的は、各素子を十分に小さくしてもなお十
分な蓄積容量を確保できる容量菓子を備えたＩＣメモリ
を提供することＩＩＣＴｏる〇この発明の％黴は、絶縁
ゲート型電界効果トランジスタと容量菓子との直列体を
メモリセルとするＩＣメモリにおいて、この答量累子ｒ
ｃμ酵電体として窒化膜が用いられているＩＣメモリに
ある。
分な蓄積容量を確保できる容量菓子を備えたＩＣメモリ
を提供することＩＩＣＴｏる〇この発明の％黴は、絶縁
ゲート型電界効果トランジスタと容量菓子との直列体を
メモリセルとするＩＣメモリにおいて、この答量累子ｒ
ｃμ酵電体として窒化膜が用いられているＩＣメモリに
ある。
なお、＃電体に酸化膜と窒化膜との２層構造が用いられ
ることも好ましい。
ることも好ましい。
この発明に１れば、小ざな菌種で大きな容量の容量菓子
が実現できるので、小型でかつ安定度の高いＩＣメモリ
が得られる。
が実現できるので、小型でかつ安定度の高いＩＣメモリ
が得られる。
次にこの発明の％徴【１９良く理解するために。
この発明の実施例につき図ｔ−用いて説明する。
＃Ｉ１図〜第４図μこの発明の一実施例の王たる製造工
程における断面図である。
程における断面図である。
この冥施例のＩＣメモリは、比抵抗１−のＰ型シリコン
単結晶基体ｌの一表面に厚さ３００人のシリコン酸化物
のゲート絶縁膜２ｔ、熱酸化成長し。
単結晶基体ｌの一表面に厚さ３００人のシリコン酸化物
のゲート絶縁膜２ｔ、熱酸化成長し。
更にこの上１＋ｒｃ燐添加の多結晶シリコンのゲート電
極３．４を選択的に形成する（第１図）。
極３．４を選択的に形成する（第１図）。
ゲート電極３． ４ｔｌ！１００ＡＩｉ［のシリコン酸
化膜５，６ｔ−介して、活性領域を形成するシリコン窒
化ｊｉ［７，８で被徨され、基体【熱酸化処理して活性
領域周囲に１．０細根度の厚いシリコン酸化膜９【形成
する。なお、ζＯシリ；ン輩化膜７．８を選択酸化用マ
スクとした厚ｉシリコン酸化１［９の形成に先だって、
シリコン窒化膜７．８をマスクとして予め不活性領域Ｒ
ｒｋｒｃ寄生効果防止用の不純物導入が行なわれ、 １
１６ａｆＰＩＩ領域１０が形成される（［２図）０ 次に、活性領域全区画形成し九シリコン輩化膜７．８の
上１ｉＩｒｃ燐添加の多結晶シリコンの容量素子電極１
１’を形成し、さらにこの電極上に厚盲５０００Ａ！度
のシリコン酸化膜１２を熱酸化に↓ｐ影形成る。このシ
リコン酸化膜１２ｔＺ・ シリコン窒化膜７．８の蝕刻
マスクとして轡いられるＯすなわち、それぞれの活性領
域の一端側で容量素子電極１１およびシリコン窒化膜７
．８【保映して他端側のゲート電極３．４の一部表向お
よび基体！Ｉ！面からシリコン窒化膜を除去することを
可能にする（第３図）０ シリコン窒化膜が除去された基体！ｉＮ面ＩＣハ多結晶
シリコンゲート電極３．４ｔマスクとして燐が談合＃！
署１１５１１．表ＥＩ＋＃１度１０″−一１程度にイオ
ン注入され、活性領域他ｍにそれぞれＮｆｆ１領域１３
゜１４が形成され、ゲート電極３．４の露呈１＋にアル
ミニウムの配線電極１５が導電結合して１１４図の如く
完成される０この完成されたＩＣメモリはそれぞれの活
性領域にゲート電極と容量素子電極とＮｆＩｉ、領域と
から成る最少素子占有面積のメモリセルを形成する。
化膜５，６ｔ−介して、活性領域を形成するシリコン窒
化ｊｉ［７，８で被徨され、基体【熱酸化処理して活性
領域周囲に１．０細根度の厚いシリコン酸化膜９【形成
する。なお、ζＯシリ；ン輩化膜７．８を選択酸化用マ
スクとした厚ｉシリコン酸化１［９の形成に先だって、
シリコン窒化膜７．８をマスクとして予め不活性領域Ｒ
ｒｋｒｃ寄生効果防止用の不純物導入が行なわれ、 １
１６ａｆＰＩＩ領域１０が形成される（［２図）０ 次に、活性領域全区画形成し九シリコン輩化膜７．８の
上１ｉＩｒｃ燐添加の多結晶シリコンの容量素子電極１
１’を形成し、さらにこの電極上に厚盲５０００Ａ！度
のシリコン酸化膜１２を熱酸化に↓ｐ影形成る。このシ
リコン酸化膜１２ｔＺ・ シリコン窒化膜７．８の蝕刻
マスクとして轡いられるＯすなわち、それぞれの活性領
域の一端側で容量素子電極１１およびシリコン窒化膜７
．８【保映して他端側のゲート電極３．４の一部表向お
よび基体！Ｉ！面からシリコン窒化膜を除去することを
可能にする（第３図）０ シリコン窒化膜が除去された基体！ｉＮ面ＩＣハ多結晶
シリコンゲート電極３．４ｔマスクとして燐が談合＃！
署１１５１１．表ＥＩ＋＃１度１０″−一１程度にイオ
ン注入され、活性領域他ｍにそれぞれＮｆｆ１領域１３
゜１４が形成され、ゲート電極３．４の露呈１＋にアル
ミニウムの配線電極１５が導電結合して１１４図の如く
完成される０この完成されたＩＣメモリはそれぞれの活
性領域にゲート電極と容量素子電極とＮｆＩｉ、領域と
から成る最少素子占有面積のメモリセルを形成する。
ｇＳ図は第４図の完成されたＩＣメモリの４ビット！ト
リクスＳ分【水す一部上面図である。この図に示すよう
ｒｃ、各メモリセルの容量重子が形成される部分は各々
フィールド絶縁膜とゲート電極とで凹まれた小面積の部
分であるが、この容量素子は銹電体として窒化膜を含む
ので小面積でも十分大容量が得られる。
リクスＳ分【水す一部上面図である。この図に示すよう
ｒｃ、各メモリセルの容量重子が形成される部分は各々
フィールド絶縁膜とゲート電極とで凹まれた小面積の部
分であるが、この容量素子は銹電体として窒化膜を含む
ので小面積でも十分大容量が得られる。
以上にこの発明の一実施例ｔ−ａ明し友が、用いた導電
型、電極材料、絶縁物等は必ｌ！に応じて変更され得る
０
型、電極材料、絶縁物等は必ｌ！に応じて変更され得る
０
第１ｗＪ−第４図りこの発明の一冥施例の主たる製造工
程におけるそれぞれ断面図、第５図にこの発明の一１！
施例の上面図である〇 なお図において、ｌ・・・Ｐ１ｉシリコン単結晶基板。 ２・・・ゲート絶縁膜、３．４・・・ゲート電極、５，
６・・・シリコン酸化膜、７．８・・・シリコン窒化膜
、９・・・シリコン酸化膜、１０・・・高濃ｆｐＨ領域
、１１・・・容量素子電極、１２・・・シリコン酸化膜
、１３゜１４・・・ＮＷ領領域１５・・・配線電極、で
ある。
程におけるそれぞれ断面図、第５図にこの発明の一１！
施例の上面図である〇 なお図において、ｌ・・・Ｐ１ｉシリコン単結晶基板。 ２・・・ゲート絶縁膜、３．４・・・ゲート電極、５，
６・・・シリコン酸化膜、７．８・・・シリコン窒化膜
、９・・・シリコン酸化膜、１０・・・高濃ｆｐＨ領域
、１１・・・容量素子電極、１２・・・シリコン酸化膜
、１３゜１４・・・ＮＷ領領域１５・・・配線電極、で
ある。
Claims (1)
- 絶縁ゲート型電界効果トランジスタと容量菓子との直列
体をメモリセルとするＩＣメモリにおいて、１［ｒ記答
量素子には誘電体として窒化膜が用いられていることを
４１黴とするＩＣメモリ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025683A JPS58155754A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Ｉｃメモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025683A JPS58155754A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Ｉｃメモリ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51016703A Division JPS5838939B2 (ja) | 1976-02-18 | 1976-02-18 | 集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58155754A true JPS58155754A (ja) | 1983-09-16 |
Family
ID=12172582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025683A Pending JPS58155754A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | Ｉｃメモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58155754A (ja) |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58025683A patent/JPS58155754A/ja active Pending
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