JPS58154570A - クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 - Google Patents
クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物Info
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- JPS58154570A JPS58154570A JP3773682A JP3773682A JPS58154570A JP S58154570 A JPS58154570 A JP S58154570A JP 3773682 A JP3773682 A JP 3773682A JP 3773682 A JP3773682 A JP 3773682A JP S58154570 A JPS58154570 A JP S58154570A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はクマリニル・エステル誘導体およびその製造方
法およびこれを用いた液晶組成物に関するものである。
法およびこれを用いた液晶組成物に関するものである。
ネマチックまたはネマチック−コレステリック液晶物質
は電場の影響下で光散乱、複屈折２反射能または色など
の光学的性質が著しく変化する特性を示すことで、電気
光学的表示素子として広く利用されている。この様な表
示機能は、例えばねじれセル（ｔｗｉｓｔｅｄ ｃｅｌ
ｌ）中のシャット−へルフリッヒ効果、整列相の歪、動
的散乱現象またはコレステリック−ネマチック相転移な
どに基づいている。
は電場の影響下で光散乱、複屈折２反射能または色など
の光学的性質が著しく変化する特性を示すことで、電気
光学的表示素子として広く利用されている。この様な表
示機能は、例えばねじれセル（ｔｗｉｓｔｅｄ ｃｅｌ
ｌ）中のシャット−へルフリッヒ効果、整列相の歪、動
的散乱現象またはコレステリック−ネマチック相転移な
どに基づいている。
これらの効果を電気光学的表示素子として工業的に利用
するためには、種々の要求に応じ得る液晶組成物が必要
となる。ここで特に重要とされるのは湿気や空気および
物理的影響（例えば熱、赤外。
するためには、種々の要求に応じ得る液晶組成物が必要
となる。ここで特に重要とされるのは湿気や空気および
物理的影響（例えば熱、赤外。
可視または紫外部領域の光の輻射、および直流または交
流電場）に対する化学的安定性である。更に工業的に使
用し得る液晶組成物としては、少なくとも０℃〜５０’
Ｃの温度範囲、好ましくは一３０℃〜８６℃以上の温度
範囲において液晶メゾフェイズ状態として存在し、使用
温度範囲内での粘度が低いものが要求される。しかし公
知の化合物中には、要求される温度範囲で液晶メゾフェ
イズを示す単一化合物は今のところ見当らない。従って
、一般には２種またはそれ以上の化合物を混合した液晶
組成物として用いられている。この目的のために、通常
低融点かつ低透明点の化合物をそれよりかなり高い透明
点を有する化合物と混合する。
流電場）に対する化学的安定性である。更に工業的に使
用し得る液晶組成物としては、少なくとも０℃〜５０’
Ｃの温度範囲、好ましくは一３０℃〜８６℃以上の温度
範囲において液晶メゾフェイズ状態として存在し、使用
温度範囲内での粘度が低いものが要求される。しかし公
知の化合物中には、要求される温度範囲で液晶メゾフェ
イズを示す単一化合物は今のところ見当らない。従って
、一般には２種またはそれ以上の化合物を混合した液晶
組成物として用いられている。この目的のために、通常
低融点かつ低透明点の化合物をそれよりかなり高い透明
点を有する化合物と混合する。
これにより、融点の低い方の成分より低い融点を有し、
透明点は両成分の透明点の中間にある液晶組成物が得ら
れる。
透明点は両成分の透明点の中間にある液晶組成物が得ら
れる。
本発明の目的は、ネマチック温度範囲を拡げるのに有用
々新規な液晶化合物を提供することにある０ 本発明者らは、一般式（１） 〔式中ＸはＣｎ Ｈ２ｎ ＋ １ ’）：たはＣｎＨ
２ｎ＋１０−で示される基てあり、ＹはＣｎＨ２ｎ＋１
’ ＦＳ−基まだは氷水される基である。なお、ｎは
正の整数。〕で示される新規なりマリニル・エステル誘
導体が液晶組□成物製造用の基礎材料として極めて有用
であることを見出した。
々新規な液晶化合物を提供することにある０ 本発明者らは、一般式（１） 〔式中ＸはＣｎ Ｈ２ｎ ＋ １ ’）：たはＣｎＨ
２ｎ＋１０−で示される基てあり、ＹはＣｎＨ２ｎ＋１
’ ＦＳ−基まだは氷水される基である。なお、ｎは
正の整数。〕で示される新規なりマリニル・エステル誘
導体が液晶組□成物製造用の基礎材料として極めて有用
であることを見出した。
一般式（１）で示される本発明のクマリニル・エステル
誘導体の合成は、一般式（ＩＩ） ｘ ０２１（ＩＩ） されるカルボン酸誘導体を示す・なお、ｎは正の整数。
誘導体の合成は、一般式（ＩＩ） ｘ ０２１（ＩＩ） されるカルボン酸誘導体を示す・なお、ｎは正の整数。
〕で示される化合物に約６倍モルの塩化チオニルを加え
て約２時間還流する。次いで過剰の塩化チオニルを減圧
留去し、残渣にベンゼンを加えた後、一般式（［１１） 〔式中２２は−ＯＨで示される７−ヒドロキシクマリン
誘導体を示す。なお、ｎは正の整数。〕で示される化合
物を化合物（ＩＩ）と等モルのピリジン溶液を加え、約
８時間還流する。その後反応溶液を希塩酸水溶液中に入
れ、エーテルで抽出する・エーテル抽出層は希塩酸水溶
液２食塩水で洗浄後、エーテルを減圧留去し、目的の粗
化合物を製造する。粗化合物はカラムクロマトグラフィ
ー（吸着剤としてシリカゲル、展開溶媒としてクロロホ
ルム）による精製を経てエタノールとベンゼンとの等重
量混合溶媒中での再結晶を繰り返し、一定の融点になる
まで行ない精製される。
て約２時間還流する。次いで過剰の塩化チオニルを減圧
留去し、残渣にベンゼンを加えた後、一般式（［１１） 〔式中２２は−ＯＨで示される７−ヒドロキシクマリン
誘導体を示す。なお、ｎは正の整数。〕で示される化合
物を化合物（ＩＩ）と等モルのピリジン溶液を加え、約
８時間還流する。その後反応溶液を希塩酸水溶液中に入
れ、エーテルで抽出する・エーテル抽出層は希塩酸水溶
液２食塩水で洗浄後、エーテルを減圧留去し、目的の粗
化合物を製造する。粗化合物はカラムクロマトグラフィ
ー（吸着剤としてシリカゲル、展開溶媒としてクロロホ
ルム）による精製を経てエタノールとベンゼンとの等重
量混合溶媒中での再結晶を繰り返し、一定の融点になる
まで行ない精製される。
以下に本発明を更に具体的なものとするために実施例を
挙げて詳細に説明する。実施例中、ｍ、ｐ。
挙げて詳細に説明する。実施例中、ｍ、ｐ。
およびＣ，ｐ、は各々融点および透明点を意味し、特に
指摘しないかきりｍ、ｐ、からＣ，ｐ、 までの温度
領域ではネマチック相を示す。
指摘しないかきりｍ、ｐ、からＣ，ｐ、 までの温度
領域ではネマチック相を示す。
（実施例１）
ｐ−ヒドロキシ安息香酸０．１４５モルとヨウ化ｎ−ヘ
プチル０．１４５４５モルトラエタノール３０に溶解せ
しめ、これに水酸化カリウム０ 、２９３モルを溶解し
だ水３０ ｔｉｅを加えた後、８時間還流する。反応終
了後水を加え、さらに塩酸酸性溶液とした後析出した結
晶を沖過して集め、メタノール溶液から再結晶を行ない
、ｎ−へブチルオキシ安息香酸を得る。
プチル０．１４５４５モルトラエタノール３０に溶解せ
しめ、これに水酸化カリウム０ 、２９３モルを溶解し
だ水３０ ｔｉｅを加えた後、８時間還流する。反応終
了後水を加え、さらに塩酸酸性溶液とした後析出した結
晶を沖過して集め、メタノール溶液から再結晶を行ない
、ｎ−へブチルオキシ安息香酸を得る。
一方、２−４−ジヒドロキシベンズアルデヒド０．０３
６モルおよびマロン酸−ジ−ｎ−ブチル０．０４０モル
とを脱水エタノール１６Ｍｔに溶解すせ、これにピペリ
ジン０ 、４ｙｘｌと氷酢酸０．１ｆｆ／を加え４時間
還流する。熱反応溶液に熱水（６０℃）２４ｍｌを加え
放冷する。析出物を吸引濾過し、メタノールとベンゼン
との等量混合溶媒から再結晶して、３−ｎ−フ）キシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリンを得る。この様にし
て得たｎ−へブチルオキシ安息香酸６，８８Ｘ１０”モ
ルと約６倍モルの塩化チオニルを入れ、１時間還流する
。過剰の塩化チオニルは減圧留去し、残渣にベンゼンを
加える。それに３− ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒ
ドロキシクマリン５ 、８８Ｘ１０＝モルのピリジン溶
液を加え８時間還流する。その後反応液を希塩酸水溶液
に投入し、エーテルで抽出を行う。
６モルおよびマロン酸−ジ−ｎ−ブチル０．０４０モル
とを脱水エタノール１６Ｍｔに溶解すせ、これにピペリ
ジン０ 、４ｙｘｌと氷酢酸０．１ｆｆ／を加え４時間
還流する。熱反応溶液に熱水（６０℃）２４ｍｌを加え
放冷する。析出物を吸引濾過し、メタノールとベンゼン
との等量混合溶媒から再結晶して、３−ｎ−フ）キシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリンを得る。この様にし
て得たｎ−へブチルオキシ安息香酸６，８８Ｘ１０”モ
ルと約６倍モルの塩化チオニルを入れ、１時間還流する
。過剰の塩化チオニルは減圧留去し、残渣にベンゼンを
加える。それに３− ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒ
ドロキシクマリン５ 、８８Ｘ１０＝モルのピリジン溶
液を加え８時間還流する。その後反応液を希塩酸水溶液
に投入し、エーテルで抽出を行う。
エーテル抽出層は希塩酸水溶液９食塩水の順で洗浄した
後、エーテルを減圧留去し、３−ｎ−ブトキシカルボニ
ル−７−クマリニルー４／ ｎ−へブチルオキシベン
ゾエート り の粗品を得る。これを前述のカラムクロマトグラフィー
により精製し、さらにエタノールとベンゼンの等重量混
合溶媒中で再結晶を行う。得られた化合物のｍ 、ｐ
、は８ｏ、４℃、Ｃ，ｐ、は１０１．１℃（ただしスメ
クチック相）であった。
後、エーテルを減圧留去し、３−ｎ−ブトキシカルボニ
ル−７−クマリニルー４／ ｎ−へブチルオキシベン
ゾエート り の粗品を得る。これを前述のカラムクロマトグラフィー
により精製し、さらにエタノールとベンゼンの等重量混
合溶媒中で再結晶を行う。得られた化合物のｍ 、ｐ
、は８ｏ、４℃、Ｃ，ｐ、は１０１．１℃（ただしスメ
クチック相）であった。
同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル−７−Ｊ
マリニル−４′−アルコキシベンゾエート誘導体を製造
、精製することが出来る０３−メトキシカルボニル−７
−クツリニル−４＋ｎ−ブトキシベンゾエート ｍ、ｐ、１５９．０℃ ３−−’−） キシカルボニル−７−クツリニル−４′
−ｎ−ブトキンベンゾエート ｍ、ｐ、１２８．６℃ ３− ｎ−７”ロボキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−− ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニル
ー４′−ブトキシベンゾエート ｍ、ｐ、８９．１℃、ｃ＋ｐ＋８１．５℃（ただしモノ
トロピックなスメクチック相） ３− ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クツリニル
−４’−ｎ−フ’トキシベンゾエート３−ｎ−へキシル
オキシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−ブトキ
シベンゾエート３− ｎ−ヘプチルオキシカルボキシル
−７−クツリニル−４’−フトキシベンゾエート ３−メ）キシカルボニル−７−クマリニルー４−ｎ−へ
キシルオキシベンゾエート ３−−［−）＃ジカルボニルー７−クマリニルー４′−
ｎ−へキシルオキシベンゾエート ３− ｎ −グロボキシ力ルボニル−７−クマリニル−
４’ −ｎ−へキシルオキシベンゾエート３− ｎ −
フ）キシカルボニル−７−クマリニルー４′−ｎ−へキ
シルオキシベンゾエートｍ、ｐ、８１．１℃、ｃ、ｐ、
９５．１ ℃（ただしスメクチック相） ３− ｎ−ペンチルオキ７カルボニルー７−クマリニル
ー４’−ｎ−へキシルオキシベンゾートーート３− ｎ
−へキシルオキシカルボニル−７−クマリニルー４’−
ｎ−へキシルオキシベンゾエート３−ｎ−へブチルオキ
シカルボニル−７−クマリニルー４’ −ｎ−へキシル
オキシベンゾエート３−メトキシカルボニル−７呻クマ
リニルー４′−ｎ−へブチルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−
ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−プ）＊ジカルボニルー７−クマリニルー４／
ｎ−へプチルオキシベンゾエートＯ ｍ、ｐ、８０．４℃、ｃ、ｐ、１０１．１℃（ただしス
メクチック相）３− ｎ−ヘンチルオキシカルボニル−
７−クマリニルー４／ ｎ−へブチルオキシベンゾエ
ート３−ｎ−ヘキンルオキシカルボニル−７−＃−２＋
）（） ３− ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４′−ｎ−へブチルオキシベンゾエート７−クマリニ
ル−４’ −ｎ −ブトキシベンゾエートｍ、ｐ、１２
６．２℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰
属される３本の吸収スペクトルが１６８０〜１７６０ｃ
ｒｎ に認められた。
マリニル−４′−アルコキシベンゾエート誘導体を製造
、精製することが出来る０３−メトキシカルボニル−７
−クツリニル−４＋ｎ−ブトキシベンゾエート ｍ、ｐ、１５９．０℃ ３−−’−） キシカルボニル−７−クツリニル−４′
−ｎ−ブトキンベンゾエート ｍ、ｐ、１２８．６℃ ３− ｎ−７”ロボキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４′−ｎ−ブトキシベンゾエート ３−− ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニル
ー４′−ブトキシベンゾエート ｍ、ｐ、８９．１℃、ｃ＋ｐ＋８１．５℃（ただしモノ
トロピックなスメクチック相） ３− ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クツリニル
−４’−ｎ−フ’トキシベンゾエート３−ｎ−へキシル
オキシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−ブトキ
シベンゾエート３− ｎ−ヘプチルオキシカルボキシル
−７−クツリニル−４’−フトキシベンゾエート ３−メ）キシカルボニル−７−クマリニルー４−ｎ−へ
キシルオキシベンゾエート ３−−［−）＃ジカルボニルー７−クマリニルー４′−
ｎ−へキシルオキシベンゾエート ３− ｎ −グロボキシ力ルボニル−７−クマリニル−
４’ −ｎ−へキシルオキシベンゾエート３− ｎ −
フ）キシカルボニル−７−クマリニルー４′−ｎ−へキ
シルオキシベンゾエートｍ、ｐ、８１．１℃、ｃ、ｐ、
９５．１ ℃（ただしスメクチック相） ３− ｎ−ペンチルオキ７カルボニルー７−クマリニル
ー４’−ｎ−へキシルオキシベンゾートーート３− ｎ
−へキシルオキシカルボニル−７−クマリニルー４’−
ｎ−へキシルオキシベンゾエート３−ｎ−へブチルオキ
シカルボニル−７−クマリニルー４’ −ｎ−へキシル
オキシベンゾエート３−メトキシカルボニル−７呻クマ
リニルー４′−ｎ−へブチルオキシベンゾエート ３−エトキシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−
ヘプチルオキシベンゾエート ３−ｎ−プ）＊ジカルボニルー７−クマリニルー４／
ｎ−へプチルオキシベンゾエートＯ ｍ、ｐ、８０．４℃、ｃ、ｐ、１０１．１℃（ただしス
メクチック相）３− ｎ−ヘンチルオキシカルボニル−
７−クマリニルー４／ ｎ−へブチルオキシベンゾエ
ート３−ｎ−ヘキンルオキシカルボニル−７−＃−２＋
）（） ３− ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４′−ｎ−へブチルオキシベンゾエート７−クマリニ
ル−４’ −ｎ −ブトキシベンゾエートｍ、ｐ、１２
６．２℃ これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰
属される３本の吸収スペクトルが１６８０〜１７６０ｃ
ｒｎ に認められた。
＃だり、７−クツリニル−４′−アルコキシベンゾエー
ト に関しては、Ｃ−０結合の伸縮振動に帰属される吸収ス
ペクトルが１７２０ｃｍ に１本認められた。
ト に関しては、Ｃ−０結合の伸縮振動に帰属される吸収ス
ペクトルが１７２０ｃｍ に１本認められた。
また、これら製造、精製した化合物の元素分析結果の一
例を示すと、 ３−メ）キシカルボニル−７−ツマリニル−４′−ｎ−
ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ： ６８．６８％（理論値；ｅｅ、ｅｅ％）
。
例を示すと、 ３−メ）キシカルボニル−７−ツマリニル−４′−ｎ−
ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ： ６８．６８％（理論値；ｅｅ、ｅｅ％）
。
Ｈ：４．８６係（理論値：５．０９％）であり、３−エ
トキシカルボニル−７−クツリニル−４フーｎ−ブトキ
シベンゾエート の場合、Ｃ： ６７．３８チ（理論値：６７，３１％）
。
トキシカルボニル−７−クツリニル−４フーｎ−ブトキ
シベンゾエート の場合、Ｃ： ６７．３８チ（理論値：６７，３１％）
。
Ｈ：５．２６％（理論値６．４０％）であり、７−クマ
リニルー４／ ｎ−ブトキシベンゾエートの場合、Ｃ
ニア０．７６％（理論値ニア１．００％）。
リニルー４／ ｎ−ブトキシベンゾエートの場合、Ｃ
ニア０．７６％（理論値ニア１．００％）。
Ｈ：６．２０％（理論値：５．３６％）であり、３−
ｎ−フ゛トキシカルボニル−了−クマリニル−４′−ｎ
−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：６Ｂ、３７％（理論値６８ 、４８チ）。
ｎ−フ゛トキシカルボニル−了−クマリニル−４′−ｎ
−ブトキシベンゾエート の場合、Ｃ：６Ｂ、３７％（理論値６８ 、４８チ）。
Ｈ：５．８６％（理論値６．９８％）であり、３−ｎ−
７１キシカルボニル−７−クマリニルー４′−ｎ−へキ
シルオキシベンゾエートの場合、Ｃ： ６９．４１％（
理論値６９．５１％）。
７１キシカルボニル−７−クマリニルー４′−ｎ−へキ
シルオキシベンゾエートの場合、Ｃ： ６９．４１％（
理論値６９．５１％）。
Ｈ：６．３６％（理論値６．４８チ）であり、はぼ一致
した結果であった。
した結果であった。
（実施例２）
ｎ−プロピル安息香酸５．８８Ｘ１０ モルと前述
の実施例１と同様の方法′にて製造、精製した３−ｎ
−フ）キシカルボニル−７−ヒドロキシクマリン５ 、
８８Ｘ１０ モルとから同様の方法にて３− ｎ
−フ）キシカルボニル−７−クツリニル−４フーｎ−プ
ロピルベンゾエート ｍ、ｐ、１０９．９℃ を製造、精製して得た。
の実施例１と同様の方法′にて製造、精製した３−ｎ
−フ）キシカルボニル−７−ヒドロキシクマリン５ 、
８８Ｘ１０ モルとから同様の方法にて３− ｎ
−フ）キシカルボニル−７−クツリニル−４フーｎ−プ
ロピルベンゾエート ｍ、ｐ、１０９．９℃ を製造、精製して得た。
同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル−７−ク
ツリニル−４′−アルキルベンゾエート誘導体を製造、
精製することが出来る。
ツリニル−４′−アルキルベンゾエート誘導体を製造、
精製することが出来る。
３− ｎ−ブトキシカルボニル−７−クツリニル−４′
−メチルベンゾエート ３＋ｉｌ−ブトキシカルボニル−７−クツリニル−４′
−エチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−ツマリニル−４フー
ｎ−ブチルベンゾエート ３− ｎ −フ）キシカルボニル−７−クツリニル−４
′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３＋ｎ＋ブトキンカルボニル＋７−クツリニル−４′−
ｎ−ペンチルベンゾエート ３− ｎ−フ゛トキシカルボニル−了−クマリニル−４
７−ｎ−へキシルベンゾエート ３− ｎ −フ）キシカルボニル−７−クマリニルー４
′−ｎ−へブチルベンゾエート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰
属される３本の吸収スペクトルが１６８０〜１７６０ｃ
ｍ−’に認められた。
−メチルベンゾエート ３＋ｉｌ−ブトキシカルボニル−７−クツリニル−４′
−エチルベンゾエート ３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−ツマリニル−４フー
ｎ−ブチルベンゾエート ３− ｎ −フ）キシカルボニル−７−クツリニル−４
′−ｎ−ペンチルベンゾエート ３＋ｎ＋ブトキンカルボニル＋７−クツリニル−４′−
ｎ−ペンチルベンゾエート ３− ｎ−フ゛トキシカルボニル−了−クマリニル−４
７−ｎ−へキシルベンゾエート ３− ｎ −フ）キシカルボニル−７−クマリニルー４
′−ｎ−へブチルベンゾエート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、各々Ｃ＝Ｏ結合の伸縮振動に帰
属される３本の吸収スペクトルが１６８０〜１７６０ｃ
ｍ−’に認められた。
壕だこれら製造、精製した化合物の元素分析結果の一例
を示すと、 ３−ブ）キシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−
プロピルベンゾエート の場合、Ｃ： ７０．３３％（理論値ニア０．５８％）
。
を示すと、 ３−ブ）キシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−
プロピルベンゾエート の場合、Ｃ： ７０．３３％（理論値ニア０．５８％）
。
Ｈ：５．８２チ（理論値：５．９２チ）であり、はぼ一
致した結果であった。
致した結果であった。
（実施例３）
実施例１と同様の方法で製造、精製したｐ−ｎ−ブトキ
シ安息香酸０．０５５５モルを約３倍モルの塩化チオニ
ルに入れ、約１時間還流する。その後過剰の塩化チオニ
ルを減圧留去し、その残渣をベンゼンに溶解させる。そ
のベンゼン溶液にｐ −ヒドロキシ安息香酸０．０６５
６モルを溶解したピリジン溶液を加え、８時間還流する
。冷却後、反応溶液を希塩酸水溶液中に投入し、エーテ
ルで抽出する。その抽出液を希塩酸水溶液９食塩水の順
で洗浄後、エーテルを減圧留去する。得られた粗４−（
４’−ｎブトキシベンゾイルオキシ）安息香酸をベンゼ
、ンにて再結晶を繰り返し、精製する。
シ安息香酸０．０５５５モルを約３倍モルの塩化チオニ
ルに入れ、約１時間還流する。その後過剰の塩化チオニ
ルを減圧留去し、その残渣をベンゼンに溶解させる。そ
のベンゼン溶液にｐ −ヒドロキシ安息香酸０．０６５
６モルを溶解したピリジン溶液を加え、８時間還流する
。冷却後、反応溶液を希塩酸水溶液中に投入し、エーテ
ルで抽出する。その抽出液を希塩酸水溶液９食塩水の順
で洗浄後、エーテルを減圧留去する。得られた粗４−（
４’−ｎブトキシベンゾイルオキシ）安息香酸をベンゼ
、ンにて再結晶を繰り返し、精製する。
このようにして得た４−（４’−ｎ−ブトキシベンゾイ
ルオキシ）安息香酸５．８８Ｘ１０−３ モルと実施例
１と同様の方法で製造、精製した３ −ｎ−ブトキシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリン５．８８Ｘ１０−５
モルとから同様の方法で製造、精製して ３− ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニルー
４”−ｎ−ブ）キシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエ
ート ｍ、ｐ、１３２．５℃、ｃ、ｐｍ２６６ｍ７℃を得た。
ルオキシ）安息香酸５．８８Ｘ１０−３ モルと実施例
１と同様の方法で製造、精製した３ −ｎ−ブトキシカ
ルボニル−７−ヒドロキシクマリン５．８８Ｘ１０−５
モルとから同様の方法で製造、精製して ３− ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニルー
４”−ｎ−ブ）キシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエ
ート ｍ、ｐ、１３２．５℃、ｃ、ｐｍ２６６ｍ７℃を得た。
同様にして、以下の３−アルコキシカルボニル＝７−ク
マリニルー４“−アルコキシベンゾイルオキシ−４′−
ベンゾエート誘導体を製造、精製することが出来る。
マリニルー４“−アルコキシベンゾイルオキシ−４′−
ベンゾエート誘導体を製造、精製することが出来る。
３−メ）キシカルボニル−７−クマリニルー４”−ｎ
−ブトキシベンゾイルオキシ−４フーベンゾエート し ｍ、ｐ、１９２．６℃、ｃ、ｐ、３３６．５℃３−エト
キシカルボニル−７−クマリニルー４”−ｎ−ブトキシ
ベンゾイルオキソ−４′−ベンゾエート ｍ、ｐ、１６１．２℃、ｃ、ｐ、３３１．８℃３− ｎ
−グロポキシカルボニル−７−クマリニルー４ｌ−ｐ
−フトキシペンゾイルオキシー４′−ベンゾエート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−り７１Ｊニル
−４′−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾ
エート ○ ３− ｎ−へキ／ルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４” −ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベン
ゾエート ｏ 。
−ブトキシベンゾイルオキシ−４フーベンゾエート し ｍ、ｐ、１９２．６℃、ｃ、ｐ、３３６．５℃３−エト
キシカルボニル−７−クマリニルー４”−ｎ−ブトキシ
ベンゾイルオキソ−４′−ベンゾエート ｍ、ｐ、１６１．２℃、ｃ、ｐ、３３１．８℃３− ｎ
−グロポキシカルボニル−７−クマリニルー４ｌ−ｐ
−フトキシペンゾイルオキシー４′−ベンゾエート ３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−り７１Ｊニル
−４′−ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾ
エート ○ ３− ｎ−へキ／ルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４” −ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベン
ゾエート ｏ 。
３− ｎ−へブチルオキシカルボニル−７−クツニル−
４＊−ｎ−ブトキシベンゾイルオキ／−４７−ベンゾエ
ート 了−クマリニル−４’−ｎ−フ゛トキシベンソイルオキ
シ−４′−ベンゾエート ｍ、ｐ、１７８．４℃、 （２、ｐ ｍ ２２４ ｍ
６℃これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクト
ルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝ｏ結合の伸縮振動
に帰属される２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７
０ｍ に認められた。ただし、７−ツマリニル−４″
−アルコキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエート に関してはＣ−〇結合の伸縮振動に帰属される吸収スペ
クトルが１７３０ｃＩｎ に１本認められた。
４＊−ｎ−ブトキシベンゾイルオキ／−４７−ベンゾエ
ート 了−クマリニル−４’−ｎ−フ゛トキシベンソイルオキ
シ−４′−ベンゾエート ｍ、ｐ、１７８．４℃、 （２、ｐ ｍ ２２４ ｍ
６℃これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクト
ルの測定により同定を行い、各々Ｃ＝ｏ結合の伸縮振動
に帰属される２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７
０ｍ に認められた。ただし、７−ツマリニル−４″
−アルコキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエート に関してはＣ−〇結合の伸縮振動に帰属される吸収スペ
クトルが１７３０ｃＩｎ に１本認められた。
また、これら製造、精製した化合物の元素分析結果の一
例を示すと、 ３−メ）キシカルボニル−７−ツマリニル−４″−ｎ−
ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエート の場合、Ｃ： ６７．３３チ（理論値６７．４４チ）。
例を示すと、 ３−メ）キシカルボニル−７−ツマリニル−４″−ｎ−
ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ベンゾエート の場合、Ｃ： ６７．３３チ（理論値６７．４４チ）。
Ｈ：４．４６チ（理論値４．６８％）であり。
３−エトキシカルボニル−７−ツマリニル−４″−ｎ−
ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ヘンシェード の場合、Ｃ： ６７、ｑ３チ（理論値６７．９２チ）。
ブトキシベンゾイルオキシ−４′−ヘンシェード の場合、Ｃ： ６７、ｑ３チ（理論値６７．９２チ）。
Ｈ： ４．６６％（理論値４．９４％）であり、３−
ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニルー４”−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４７−ベンゾエート の場合、Ｃ：６８．７２チ（理論値６８．８１ ％ ）
ｔＨ： ５．３９％（理論値６．４１％）であり、７
−り−？ｌＪ＝ルー４“−ｎ −ブトキシベンゾイルオ
キ／−４′−ベンゾエート の場合、Ｃ： ７０．７１係（理論値７０．７３チ）。
ｎ −フ） キシカルボニル−７−クマリニルー４”−
ｎ−ブトキシベンゾイルオキシ−４７−ベンゾエート の場合、Ｃ：６８．７２チ（理論値６８．８１ ％ ）
ｔＨ： ５．３９％（理論値６．４１％）であり、７
−り−？ｌＪ＝ルー４“−ｎ −ブトキシベンゾイルオ
キ／−４′−ベンゾエート の場合、Ｃ： ７０．７１係（理論値７０．７３チ）。
Ｈ：４．６６％（理論値４．８４％）であり、はぼ一致
した結果であった。
した結果であった。
（実施例４）
アセチルクロライド０．１２７モル、無水塩化アルミニ
ウム０．１２７モルとを塩化メチレンに加え、約１時間
氷冷しながら攪拌する。その中にｐ−ヒドロキシビフェ
ニルと臭化−ｎ−ブチルとから実施例１と同様の方法に
て製造、精製したｐ −ｎ −ブトキソビフェニルＱ、
１０６モルを溶解させた塩化メチレン溶液を徐々に滴下
する。滴下後、約３時間攪拌を行い、反応液を氷を入れ
た希塩酸水溶液中に入れ、有機層のみを分離する。分離
した有機層を希塩酸水溶液、炭酸す） Ｉ）ラム水溶液
９食塩水の順で洗浄し、溶媒を減圧留去して得られた残
渣をエタノールから再結晶して４−アセチル−４′−ｎ
−ブトキシビフェニルを得る。この様にして得た４−ア
セチル−４′−ｎ−ブトキシビフェニルを用いてモレキ
ュラークリスタルスアンドリキッドクリスタルス（Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄＬｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｇ）第３８巻、３４６ページ。
ウム０．１２７モルとを塩化メチレンに加え、約１時間
氷冷しながら攪拌する。その中にｐ−ヒドロキシビフェ
ニルと臭化−ｎ−ブチルとから実施例１と同様の方法に
て製造、精製したｐ −ｎ −ブトキソビフェニルＱ、
１０６モルを溶解させた塩化メチレン溶液を徐々に滴下
する。滴下後、約３時間攪拌を行い、反応液を氷を入れ
た希塩酸水溶液中に入れ、有機層のみを分離する。分離
した有機層を希塩酸水溶液、炭酸す） Ｉ）ラム水溶液
９食塩水の順で洗浄し、溶媒を減圧留去して得られた残
渣をエタノールから再結晶して４−アセチル−４′−ｎ
−ブトキシビフェニルを得る。この様にして得た４−ア
セチル−４′−ｎ−ブトキシビフェニルを用いてモレキ
ュラークリスタルスアンドリキッドクリスタルス（Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ Ｃｒｙｓｔａｌｓ ａｎｄＬｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｇ）第３８巻、３４６ページ。
１９７７年出版に記載のビー、ケー、サダシバ他（Ｂ、
に、５ａｄａｓｈｉｖａ ｅｔ ａｌ）の方法に従って
４′−ｎ−ブトキシビフェニル−４−カルボン酸を得ル
ｏ４’−ｎ−フ）キシビフェニル−４−カルボン酸６．
３６Ｘ１０ モルと前述の実施例１と同様の方法で
得た３ −ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシク
マリン６．３６Ｘ１０ モルとから同様の方法にて
３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クツリニル−４ＩＩ
−ｎ−ブトキシビフエニル−４′−カルポキシレート ｍ、ｐ、１３３．４℃、ｃ、ｐ、２３５．９℃（ただし
スメクチック相） を製造、精製して得た。
に、５ａｄａｓｈｉｖａ ｅｔ ａｌ）の方法に従って
４′−ｎ−ブトキシビフェニル−４−カルボン酸を得ル
ｏ４’−ｎ−フ）キシビフェニル−４−カルボン酸６．
３６Ｘ１０ モルと前述の実施例１と同様の方法で
得た３ −ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロキシク
マリン６．３６Ｘ１０ モルとから同様の方法にて
３−ｎ−ブトキシカルボニル−７−クツリニル−４ＩＩ
−ｎ−ブトキシビフエニル−４′−カルポキシレート ｍ、ｐ、１３３．４℃、ｃ、ｐ、２３５．９℃（ただし
スメクチック相） を製造、精製して得た。
同様にして以下の３−アルコキシカルボニル＝７−クマ
リニルー４！１ ｙルコキシビフェニル−４′−カル
ボキシレート誘導体を製造、精製することが出来る。
リニルー４！１ ｙルコキシビフェニル−４′−カル
ボキシレート誘導体を製造、精製することが出来る。
３−メトキシカルボニル−７−クマリニルー４１−ｎ
−フ）キシビフェニル−４′−カルボキシレート ３−エトキシカルボニル−７−ツマリニル−イーｎ−ブ
トキシビフェニル−４′−カルボキシレート ３− ｎ −フロポキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４ＩＩ ｎ−ブトキシビフェニル−４′−カルボキシ
レート ○ ○ ノチルオキシカルボニル−７−クマリ ニルー４１１−ｎ−ブトキシビフェニル−４′−カルボ
キシレート ３−ｎ−へキシルオキシカルボニル−７−クマリ＝ ／
ｌ／ −４！’ −ｎ −フ）キシビフェニル−４′〒
カルボキシレート ３− ｎ−へフチルオキシ力ルボニル−７−クマリ＝
ルー ４！’ −ｎ −フ）キシビフェニル−４’ −
カルボキシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、Ｃ−ｏ結合の伸縮振動に帰属さ
れる２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７０ｃｒｎ
に認められた。
−フ）キシビフェニル−４′−カルボキシレート ３−エトキシカルボニル−７−ツマリニル−イーｎ−ブ
トキシビフェニル−４′−カルボキシレート ３− ｎ −フロポキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４ＩＩ ｎ−ブトキシビフェニル−４′−カルボキシ
レート ○ ○ ノチルオキシカルボニル−７−クマリ ニルー４１１−ｎ−ブトキシビフェニル−４′−カルボ
キシレート ３−ｎ−へキシルオキシカルボニル−７−クマリ＝ ／
ｌ／ −４！’ −ｎ −フ）キシビフェニル−４′〒
カルボキシレート ３− ｎ−へフチルオキシ力ルボニル−７−クマリ＝
ルー ４！’ −ｎ −フ）キシビフェニル−４’ −
カルボキシレート これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、Ｃ−ｏ結合の伸縮振動に帰属さ
れる２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７０ｃｒｎ
に認められた。
（実施例５）
ｐ−ｎ−プロピルビフェニルを用いて実施例４と同様の
方法により４−アセチル−４′−ｎ−プロピルビフェニ
ルを経て４′−ｎ−プロピルビフェニル−４−カルボン
酸を得る。４′―ｎ−プロピルビフェニル−４−カルボ
ン酸６．３６×１０ モルと実施例１と同様の方法で
得だ３− ｎ−メトキシカルボニル−７−ヒドロキシク
マリン６ 、３６Ｘ１０−３モルとから同様の方法にて
３−メトキシカルボニル−了−クマリニル−イーｎ−フ
゛ロピルビフェニル−４′−カルボキシレート Ｏ ｍ、ｐ、１７９．６℃、ｃ、ｐ、２７８．４℃（たたし
冷却時に１６０．２℃以下てモノトロピックなスメクチ
ック相を示す。） を製造、精製して得だ。
方法により４−アセチル−４′−ｎ−プロピルビフェニ
ルを経て４′−ｎ−プロピルビフェニル−４−カルボン
酸を得る。４′―ｎ−プロピルビフェニル−４−カルボ
ン酸６．３６×１０ モルと実施例１と同様の方法で
得だ３− ｎ−メトキシカルボニル−７−ヒドロキシク
マリン６ 、３６Ｘ１０−３モルとから同様の方法にて
３−メトキシカルボニル−了−クマリニル−イーｎ−フ
゛ロピルビフェニル−４′−カルボキシレート Ｏ ｍ、ｐ、１７９．６℃、ｃ、ｐ、２７８．４℃（たたし
冷却時に１６０．２℃以下てモノトロピックなスメクチ
ック相を示す。） を製造、精製して得だ。
同様にして以下の３−アルコギシカルｆニル−７−クマ
リ、＝ルー４１−アルキルビフェニル−４′−カルボキ
ンレート誘導体を製造、精製することが出来る。
リ、＝ルー４１−アルキルビフェニル−４′−カルボキ
ンレート誘導体を製造、精製することが出来る。
３−ｘ’ｐキシカルボニル−７−クマリニルー４１ｎ−
プロピルビフェニル−４′−カルボキシレ−１・ ｍ、ｐ、１６６、○℃、 ｃ、ｐ、２４９．７℃（ただ
し、１６６．０℃〜１９４ 、２℃の範囲はスメクチッ
ク相）３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
ー ４” −ｎ −７’ロビルビフェニル−４′−カル
ボキシレート ｍ、ｐ、１４０．４℃、ｃ、ｐ、２３４．７℃（ただし
、１４０．４℃〜２０４．１℃の範囲はスメクチック相
）ｓ −ｎ −フトキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４１ 、 ７’ロビルビフェニル−４′−カルボキシ
レート ｍ、ｐ、１２３．７℃、ｃ、ｐ、２１３．６℃（ただし
、１２３．７℃〜２０４．１℃の範囲はスメクチック相
）３− ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クツリニ
ル−４−ｎ−プロピルビフェニル−４′−カルボキシレ
ート ｍ、ｐ、１３３．５℃＋ Ｃ＊ ｐ −２１０ｔ−１℃
（ただ［ッ、１３３．５℃〜２０４．９℃の範囲はスメ
クチック相）３− ｎ−へキシルオキシカルボニル−７
−ツマリニル−４１１−ｎフ０ピルビフエニル−４′−
カルボキシレート ｍ、ｐ、１２３．２℃、ｃ、ｐ、２０４＋１℃（たたし
スメクチック相） ３− ｎ−へフチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４−ｎ−プロピルビフェニル−４′−カルボキシレー
ト これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、Ｃ−０結合の伸縮振動に帰属さ
れる２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７０ｆｆｉ
に認められた。
プロピルビフェニル−４′−カルボキシレ−１・ ｍ、ｐ、１６６、○℃、 ｃ、ｐ、２４９．７℃（ただ
し、１６６．０℃〜１９４ 、２℃の範囲はスメクチッ
ク相）３−ｎ−プロポキシカルボニル−７−クマリニル
ー ４” −ｎ −７’ロビルビフェニル−４′−カル
ボキシレート ｍ、ｐ、１４０．４℃、ｃ、ｐ、２３４．７℃（ただし
、１４０．４℃〜２０４．１℃の範囲はスメクチック相
）ｓ −ｎ −フトキシ力ルボニル−７−クマリニルー
４１ 、 ７’ロビルビフェニル−４′−カルボキシ
レート ｍ、ｐ、１２３．７℃、ｃ、ｐ、２１３．６℃（ただし
、１２３．７℃〜２０４．１℃の範囲はスメクチック相
）３− ｎ−ペンチルオキシカルボニル−７−クツリニ
ル−４−ｎ−プロピルビフェニル−４′−カルボキシレ
ート ｍ、ｐ、１３３．５℃＋ Ｃ＊ ｐ −２１０ｔ−１℃
（ただ［ッ、１３３．５℃〜２０４．９℃の範囲はスメ
クチック相）３− ｎ−へキシルオキシカルボニル−７
−ツマリニル−４１１−ｎフ０ピルビフエニル−４′−
カルボキシレート ｍ、ｐ、１２３．２℃、ｃ、ｐ、２０４＋１℃（たたし
スメクチック相） ３− ｎ−へフチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４−ｎ−プロピルビフェニル−４′−カルボキシレー
ト これら製造、精製した化合物は赤外線吸収スペクトルの
測定により同定を行い、Ｃ−０結合の伸縮振動に帰属さ
れる２本の吸収スペクトルが１７３０〜１７７０ｆｆｉ
に認められた。
（実施例ら）
ｐ −−ｎ−ブトキシベンズアルデヒド０．０８４モル
とマロン酸０．１２６モルおよヒヒペリジン０．４ｒｔ
ｒｌとを溶解させたピリジン溶液を１００℃に３時間加
熱し、その後反応溶液を氷冷した希塩酸水溶液に投入し
て析出した結晶を】戸別して集める。集めた結晶を希塩
酸水溶液、水の順で洗浄した後、氷酢酸から再結晶を繰
り返して、ｐ−ｎ−ブトキシケイ皮酸を得る。この様に
して得たｐ −ｎ−ブトキンケイ皮酸５．８８’Ｘ１０
モルと実施例１と同様の方法で製造、精製した３−
ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロギシクマリン６＋
８８×１０−６モルとから同様の方法で製造、精製して
３− ｎ −フトキシ力ルボニル−７−クマリニルー４
′−ｎ−ブトキシシンナメート ｍ、ｐ、９７．５℃、ｃ、ｐ、１２９．０℃（たたしス
メクック相） を製造、精製して得だ。
とマロン酸０．１２６モルおよヒヒペリジン０．４ｒｔ
ｒｌとを溶解させたピリジン溶液を１００℃に３時間加
熱し、その後反応溶液を氷冷した希塩酸水溶液に投入し
て析出した結晶を】戸別して集める。集めた結晶を希塩
酸水溶液、水の順で洗浄した後、氷酢酸から再結晶を繰
り返して、ｐ−ｎ−ブトキシケイ皮酸を得る。この様に
して得たｐ −ｎ−ブトキンケイ皮酸５．８８’Ｘ１０
モルと実施例１と同様の方法で製造、精製した３−
ｎ−ブトキシカルボニル−７−ヒドロギシクマリン６＋
８８×１０−６モルとから同様の方法で製造、精製して
３− ｎ −フトキシ力ルボニル−７−クマリニルー４
′−ｎ−ブトキシシンナメート ｍ、ｐ、９７．５℃、ｃ、ｐ、１２９．０℃（たたしス
メクック相） を製造、精製して得だ。
同様にして以下の３−アルコキシカルボニル−７−ツマ
リニル−４フーアルコキシ／ンナメート誘導体を製造、
精製することが出来る。
リニル−４フーアルコキシ／ンナメート誘導体を製造、
精製することが出来る。
３−メトキシカルボニル−７−クツリニル−４′−ｎ−
ブトキシシンナメイト ３−エトキシカルボニル−７−ツマリニル−４′−ｎ−
ブトギンシンナメイト ｍ、ｐ、１５１．７℃、ｃ、ｐ、１５８．６℃３− ｎ
−プロポキシカルボニル−７−クマリニルー ４’
−ｎ−ブトキシシンナメイト○ ３− ｎ −ヘンチルオキシカルボニル−７−クツリニ
ル−４’−ｎ−ブトキシシンナメイト３−ｎ−へキシル
オキシカルボニル−７−クマリニルー４／ ｎ−ブト
キシシンナメイトｍ 、 ｐ 、 １０４．１℃、ｃ、
ｐ、１３２．１℃（だだしスメクチック相） ３− ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４／ ｎ−ブトキシシンナメイト次に、このように
して製造、精製した本発明のクマリニル・エステル誘導
体は液晶組成物製造用の基礎材料として極めて有用であ
り、特に低融点。
ブトキシシンナメイト ３−エトキシカルボニル−７−ツマリニル−４′−ｎ−
ブトギンシンナメイト ｍ、ｐ、１５１．７℃、ｃ、ｐ、１５８．６℃３− ｎ
−プロポキシカルボニル−７−クマリニルー ４’
−ｎ−ブトキシシンナメイト○ ３− ｎ −ヘンチルオキシカルボニル−７−クツリニ
ル−４’−ｎ−ブトキシシンナメイト３−ｎ−へキシル
オキシカルボニル−７−クマリニルー４／ ｎ−ブト
キシシンナメイトｍ 、 ｐ 、 １０４．１℃、ｃ、
ｐ、１３２．１℃（だだしスメクチック相） ３− ｎ−ヘプチルオキシカルボニル−７−クマリニル
ー４／ ｎ−ブトキシシンナメイト次に、このように
して製造、精製した本発明のクマリニル・エステル誘導
体は液晶組成物製造用の基礎材料として極めて有用であ
り、特に低融点。
低透面点を示す液晶誘電体と混合して用いることにより
、ネマチックメゾフェイズを示す温度範囲、特に透明点
を高め、かつあまり粘度を高くしないという点で極めて
有用であることを見出した。
、ネマチックメゾフェイズを示す温度範囲、特に透明点
を高め、かつあまり粘度を高くしないという点で極めて
有用であることを見出した。
本発明に係るクマリニル・エステル誘導体の有用性を一
層具体化するためにその一例の特性を次表に示す。なお
、低融点、低透明点を示す液晶誘電体として ｃＨ３（０（２）３８８０＜）１−ＯＣ２Ｈ５６ｏ重量
弼の混合物（以下、液晶誘電体Ａと記す）を用いた。
層具体化するためにその一例の特性を次表に示す。なお
、低融点、低透明点を示す液晶誘電体として ｃＨ３（０（２）３８８０＜）１−ＯＣ２Ｈ５６ｏ重量
弼の混合物（以下、液晶誘電体Ａと記す）を用いた。
表では、全ての混合物について透明点（ｃ、ｐ、）のみ
を記載し、融点（ｍ、ｐ、）については記載しなかった
。その理由は全ての混合物は過冷却された溶融体を形成
する傾向が強いことで再現性のある融点を測定する事が
困難であった。しかし、これらの融点は一般に室温より
低く、一部は０℃以下であると考えられる。まだ表中の
Δεは誘電率の異方性を示している。
を記載し、融点（ｍ、ｐ、）については記載しなかった
。その理由は全ての混合物は過冷却された溶融体を形成
する傾向が強いことで再現性のある融点を測定する事が
困難であった。しかし、これらの融点は一般に室温より
低く、一部は０℃以下であると考えられる。まだ表中の
Δεは誘電率の異方性を示している。
（以 下 余 白）
表中には液晶誘電体Ａと混合した例を示したが、その他
の好ましい液晶誘電体としては、アゾベンゼン類、アゾ
キシベンゼン類、ビフェニル類、シッフ塩基、特にベン
ジリデン誘導体、フェニルベンゾエート類、フェニルシ
クロヘキサン類、シクロへキシルベンゾエート類、ヒリ
ミジン類、ピペラジン類、チオエステル類からなる群か
ら選ばれる液晶化合物または液晶組成物がある。
の好ましい液晶誘電体としては、アゾベンゼン類、アゾ
キシベンゼン類、ビフェニル類、シッフ塩基、特にベン
ジリデン誘導体、フェニルベンゾエート類、フェニルシ
クロヘキサン類、シクロへキシルベンゾエート類、ヒリ
ミジン類、ピペラジン類、チオエステル類からなる群か
ら選ばれる液晶化合物または液晶組成物がある。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る新規なり
マリニル・エステル誘導体は、液晶組成物製造用の基礎
材料として極めて有用であり、得られた液晶組成物のネ
マチックメゾフェイズを示す温度範囲も広く、工業的価
値の犬なるものである。
マリニル・エステル誘導体は、液晶組成物製造用の基礎
材料として極めて有用であり、得られた液晶組成物のネ
マチックメゾフェイズを示す温度範囲も広く、工業的価
値の犬なるものである。
Claims (3)
- （１）一般式（１） 〔式中ＸけＣｎＨ２ｎ＋１−捷たはｃ。Ｈ２、Ｏ”’Ｃ
示すで示される基である。なお、ｎは正の整数。〕で示
されることを特徴とするクマリニル・エステル誘導体。 - （２）一般式 〔式中ＸはＣｎＨ２ｎ＋１−またはＣｎＨ２ｎ＋１０−
で示される基であり、ＹはＣｎＨ２ｎ＋１−〇−Ｃ−基
または水で示される基である。なお、ｎは正の整数。〕
で示されるクマリニル・エステル誘導体を製造するに際
し、 一般式（■） ｘＯＺ、（■） 〔式中２１ は−ＣＯＯＨ４たはその反応性誘導体〔式
中２２は−ＯＨまたはその反応性誘導体を示す。〕で示
される化合物とを等モル混合し、塩化チオニルの存在下
で反応せしめることを特徴とするクマリニル・エステル
誘導体の製造方法。 - （３）少なくとも２種の液晶成分からなり、その１種は
一般式（１） 〔式中ＸはＣｎＨ２ｎ＋１−またはＣｎＨ２ｎや、〇−
で示１ される基であり、ＹはＣｎＨ２ｎ＋１−〇−Ｃ−基また
はで示される基である。なお、ｎは正の整数。〕で示さ
れる化合物群から選ばれることを特徴とする液晶組成物
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3773682A JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3773682A JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154570A true JPS58154570A (ja) | 1983-09-14 |
| JPH0314033B2 JPH0314033B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=12505767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3773682A Granted JPS58154570A (ja) | 1982-03-09 | 1982-03-09 | クマリニル・エステル誘導体およびその製造方法および液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154570A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0611815A1 (en) * | 1993-02-15 | 1994-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compounds, liquid crystal composition, liquid crystal device, display apparatus and display method |
| JP2006232727A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Chisso Corp | クマリン誘導体、この化合物を含有する液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子 |
-
1982
- 1982-03-09 JP JP3773682A patent/JPS58154570A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0611815A1 (en) * | 1993-02-15 | 1994-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compounds, liquid crystal composition, liquid crystal device, display apparatus and display method |
| JP2006232727A (ja) * | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Chisso Corp | クマリン誘導体、この化合物を含有する液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314033B2 (ja) | 1991-02-25 |
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