JPH02174747A - フツ素置換ビフエニル誘導体並びに液晶組成物 - Google Patents
フツ素置換ビフエニル誘導体並びに液晶組成物Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は新規な液晶性化合物゛並びにこれらの液晶性化
合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶
組成物に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液
晶に関し、実用的な強誘電性液晶組成物作製の際、その
組成成分として有用で且つ化学的安定性に優れた新規な
フッ素置換ビフェニル誘導体並びにこれらめ新規なフッ
素置換ビフェニル誘導体の少なくとも1種を含有する液
晶組成物に関する。
合物の少なくとも1種を含有することを特徴とする液晶
組成物に関する。更に詳しく言えば本発明は強誘電性液
晶に関し、実用的な強誘電性液晶組成物作製の際、その
組成成分として有用で且つ化学的安定性に優れた新規な
フッ素置換ビフェニル誘導体並びにこれらめ新規なフッ
素置換ビフェニル誘導体の少なくとも1種を含有する液
晶組成物に関する。
[背景技術]
時計、電卓、パーソナルワープロ、ポケットテレビ用等
の表示素子として、液晶表示素子は広く用いられている
。これは受光型で目が疲れない、消費電力が少ない、薄
型である等の優れた特徴を有しているためであるが、一
方においては応答速度が遅い、メモリー性がない等から
応用面において制限があった。応用面の拡大を図るため
、従来用いられていたツィステッドネマチック(IN)
型表示方式を改良したスーパーツィステッドネマチック
(STN)型表示方式等も見いだされている。しかし、
これらは大画面表示或いはグラフィック表示用としては
充分ではなく、これらに代わる液晶表示素子の研究も種
々行なわれている。
の表示素子として、液晶表示素子は広く用いられている
。これは受光型で目が疲れない、消費電力が少ない、薄
型である等の優れた特徴を有しているためであるが、一
方においては応答速度が遅い、メモリー性がない等から
応用面において制限があった。応用面の拡大を図るため
、従来用いられていたツィステッドネマチック(IN)
型表示方式を改良したスーパーツィステッドネマチック
(STN)型表示方式等も見いだされている。しかし、
これらは大画面表示或いはグラフィック表示用としては
充分ではなく、これらに代わる液晶表示素子の研究も種
々行なわれている。
その1つに強誘電性液晶[R,8,Heyerら;Ph
ysique、36L −69(1975) ]を利用
した表示方式[N、A、C1arkら:^oplied
Phys、1ett、、 36゜899 (198
G) ]がある。
ysique、36L −69(1975) ]を利用
した表示方式[N、A、C1arkら:^oplied
Phys、1ett、、 36゜899 (198
G) ]がある。
この方式は従来方式に比べて100倍もの高速応答であ
ること、及びメモリー性があること等の優れた特徴を有
しているため、液晶表示素子の用途拡大が期待されてい
る6強誘電性液晶は液晶分子長軸が層法線方向とある角
度を有する一連のスメクチック液晶を差すが、実用的に
はカイラルスメクチックC(SIIc” )相が用いら
れる。 実際の表示素子用としては、種々の強誘電性液
晶化合物から成る液晶組成物として、又は種々のスメチ
ツク(Sac)相を有する化合物と強誘電性液晶化合物
とから成る液晶組成物として用いられるが、それは現在
汎用されているネマチック液晶表示素子作製の場合と同
様であり、実用面において要求される種々の特性(動作
温度範囲、応答速度、自発分極、ラセンピッチ、化学的
安定性等)を満足させる為には、多成分を混合すること
は必要となる。
ること、及びメモリー性があること等の優れた特徴を有
しているため、液晶表示素子の用途拡大が期待されてい
る6強誘電性液晶は液晶分子長軸が層法線方向とある角
度を有する一連のスメクチック液晶を差すが、実用的に
はカイラルスメクチックC(SIIc” )相が用いら
れる。 実際の表示素子用としては、種々の強誘電性液
晶化合物から成る液晶組成物として、又は種々のスメチ
ツク(Sac)相を有する化合物と強誘電性液晶化合物
とから成る液晶組成物として用いられるが、それは現在
汎用されているネマチック液晶表示素子作製の場合と同
様であり、実用面において要求される種々の特性(動作
温度範囲、応答速度、自発分極、ラセンピッチ、化学的
安定性等)を満足させる為には、多成分を混合すること
は必要となる。
しかしながら、末だ実用に供し得るほどの化合物は提供
されておらず、強誘電性液晶組成物作製の際に、有用な
成分となりうる種々の新規化合物の開発が望まれている
現状にある。
されておらず、強誘電性液晶組成物作製の際に、有用な
成分となりうる種々の新規化合物の開発が望まれている
現状にある。
本発明者らは、特に強誘電性を示す温度範囲並びに応答
速度に視点を置き、種々の新規構造を有する化合物をデ
ザインし、合成評価し、鋭意研究を重ねた結果、化学的
に安定でSaC’相或いはSacの相温度範囲の広い新
規化冶物或いは応答速度の遠い新規化合物を提供するこ
とに成功した。
速度に視点を置き、種々の新規構造を有する化合物をデ
ザインし、合成評価し、鋭意研究を重ねた結果、化学的
に安定でSaC’相或いはSacの相温度範囲の広い新
規化冶物或いは応答速度の遠い新規化合物を提供するこ
とに成功した。
〔発明の開示コ
本発明は、一般式、
(RL及びRは炭素原子数1〜18の直鎖状または分枝
鎖状アルキル基を表しYはC00またはOCOを表し、
Zは単結合、o 、cooまたはOCOを表し、xl及
びX、はいずれか一方がフッ素原子で他方が水素原子で
あることを表し、X、及びx4はそれぞれ水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表す)で表される
フッ素置換ビフェニル誘導体化合物並びにそれらの少な
くとも一種を含有することを特徴とする液晶組成物を提
供するものである。
鎖状アルキル基を表しYはC00またはOCOを表し、
Zは単結合、o 、cooまたはOCOを表し、xl及
びX、はいずれか一方がフッ素原子で他方が水素原子で
あることを表し、X、及びx4はそれぞれ水素原子、フ
ッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表す)で表される
フッ素置換ビフェニル誘導体化合物並びにそれらの少な
くとも一種を含有することを特徴とする液晶組成物を提
供するものである。
本発明に係わる新規な液晶化合物は、それ自身単独でS
IC’相或いはSnC相を有する化合物である場合は、
もちろん、強誘電性液晶組成物の成分として有効に利用
し得るが、単独でこれらの相を有しない化合物であって
も強誘電性液晶組成物作製時の緒特性を調製するために
有効に利用できる化合物である。
IC’相或いはSnC相を有する化合物である場合は、
もちろん、強誘電性液晶組成物の成分として有効に利用
し得るが、単独でこれらの相を有しない化合物であって
も強誘電性液晶組成物作製時の緒特性を調製するために
有効に利用できる化合物である。
以下に合成経路実施例等により更に詳しく説明する。
[合成経路図2]
「
Acはアセチル基、aZはベンジル基を示す[合成経路
図1の説明] (1−a)から(1−e)に示した化合物は、フェノー
ル誘導体(X、及びX、がそれぞれHlF、Cjを表す
)を出発原料として合成できる。
図1の説明] (1−a)から(1−e)に示した化合物は、フェノー
ル誘導体(X、及びX、がそれぞれHlF、Cjを表す
)を出発原料として合成できる。
即ち、p−アルコキシフェノール誘導体(1−a)は、
原料のフェノール体をアルキルブロマイド(またはアル
キルトシレート)でエーテル化し、これを8「2で臭素
化し、次いでマグネシウムと反応させてグリニヤール試
薬を作製した後、硼酸トリアルキルエステルとの反応、
酸加水分解及び過酸化水素を用いた酸化分解を順次行う
ことにより得られる。p−アルキルフェノール誘導体(
1−b)は、原料のフェノール体を脂肪酸クロライド、
AIα、を用いてアシル化し、次いでトリエチルシラン
、CF3COOHを用いて還元反応を行うことにより得
られる。
原料のフェノール体をアルキルブロマイド(またはアル
キルトシレート)でエーテル化し、これを8「2で臭素
化し、次いでマグネシウムと反応させてグリニヤール試
薬を作製した後、硼酸トリアルキルエステルとの反応、
酸加水分解及び過酸化水素を用いた酸化分解を順次行う
ことにより得られる。p−アルキルフェノール誘導体(
1−b)は、原料のフェノール体を脂肪酸クロライド、
AIα、を用いてアシル化し、次いでトリエチルシラン
、CF3COOHを用いて還元反応を行うことにより得
られる。
p−アルコキシ安息香酸誘導体<1−c)は、(1−a
)の合成中間体であるρ−アルコキシブロモベンゼン誘
導体をシアン化銅でシアノ化し、次いでシアノ基を加水
分解することにより得られる。
)の合成中間体であるρ−アルコキシブロモベンゼン誘
導体をシアン化銅でシアノ化し、次いでシアノ基を加水
分解することにより得られる。
ρ−アシルオキシ安息香酸誘導体(1−d)は、原料の
フェノール体をアルキルブロマイド(またはアルキルト
シし−ト)でエーテル化し、これをaF2で臭素化し、
次いでシアン化銅でシアノ化して得られるアルコキシベ
ンゾニトリル誘導体を/J Cl! sまたはHBrを
用いてエーテル開裂反応させた後、アルカリ加水分解す
ることによりしドロキジ安息香酸誘導体に変換し、これ
を脂肪族酸クロライドでエステル化することにより得ら
れる。
フェノール体をアルキルブロマイド(またはアルキルト
シし−ト)でエーテル化し、これをaF2で臭素化し、
次いでシアン化銅でシアノ化して得られるアルコキシベ
ンゾニトリル誘導体を/J Cl! sまたはHBrを
用いてエーテル開裂反応させた後、アルカリ加水分解す
ることによりしドロキジ安息香酸誘導体に変換し、これ
を脂肪族酸クロライドでエステル化することにより得ら
れる。
p−アルコキシカルボニルフェノール誘導体(1−e)
は、(1−d)の合成中間体であるヒドロキシ安息香酸
誘導体を脂肪族アルコール及び酸触蝶を用いてエステル
化することにより得られる。
は、(1−d)の合成中間体であるヒドロキシ安息香酸
誘導体を脂肪族アルコール及び酸触蝶を用いてエステル
化することにより得られる。
(1−f)及び(1−g)はモノブロモ置換アニソール
を出発原料として合成できる。即ち、モノブロム置換ア
ニソールを1L及びアセチルクロライドでア七チル化し
た後、HBrを用いてエーテル開裂反応を行い、次いで
アルキルブロマイド(またはアルキルトシレート)で再
びエーテル化し、これをシアン化銅を用いてシアノ化し
て得られるモノシアノ置換p−アルコキシアセトフェノ
ンについてバイヤービリガー酸化、加水分解を順次行う
ことによりモノシアノ置換p−アルコキシフェノール(
1−f)が得られる。また前記モノシアノ置換p−アル
コキシアセトフェノンのハロホルム反応によりモノジア
ノ置換p−アルコキシ安息香酸が得られる。
を出発原料として合成できる。即ち、モノブロム置換ア
ニソールを1L及びアセチルクロライドでア七チル化し
た後、HBrを用いてエーテル開裂反応を行い、次いで
アルキルブロマイド(またはアルキルトシレート)で再
びエーテル化し、これをシアン化銅を用いてシアノ化し
て得られるモノシアノ置換p−アルコキシアセトフェノ
ンについてバイヤービリガー酸化、加水分解を順次行う
ことによりモノシアノ置換p−アルコキシフェノール(
1−f)が得られる。また前記モノシアノ置換p−アル
コキシアセトフェノンのハロホルム反応によりモノジア
ノ置換p−アルコキシ安息香酸が得られる。
[合成経路図2の説明]
(2−a)、(2−b)、(2c)および(2−d)の
各化合物は2−フルオロ−4−ブロムビフェニルを出発
原料として合成できる。
各化合物は2−フルオロ−4−ブロムビフェニルを出発
原料として合成できる。
2°−フルオロ−4゛−ヒドロキシ−4−アルコキシビ
フェニル<2−a)は、原料のビフェニル体をAj!
(J 3及びアセチルクロライドを用いてア七チル化し
、これについてバイヤービリガー酸化、加水分解を行い
、2°−フルオロ−4゛ブロム−4−ヒドロキシビフェ
ニルとした後、アルキルブロマイド(またはアルキルト
シレート)でエーテル化し、次いでこれをマグネシウム
と反応させてグリニヤール試薬を作製した後、硼酸トリ
ブチルアルキルエステルと反応させ、酸加水分解、酸化
分解を順次行うことにより得られる。
フェニル<2−a)は、原料のビフェニル体をAj!
(J 3及びアセチルクロライドを用いてア七チル化し
、これについてバイヤービリガー酸化、加水分解を行い
、2°−フルオロ−4゛ブロム−4−ヒドロキシビフェ
ニルとした後、アルキルブロマイド(またはアルキルト
シレート)でエーテル化し、次いでこれをマグネシウム
と反応させてグリニヤール試薬を作製した後、硼酸トリ
ブチルアルキルエステルと反応させ、酸加水分解、酸化
分解を順次行うことにより得られる。
4−アルコキシ−2°−フルオロビフェニル4°−カル
ボン酸(2−L+>は、<2−a)の合成における中間
体2′−フルオロ−4′−ブロム−4−アルコキシビフ
ェニルをシアノ化し、次いでアルカリ加水分解すること
により得られる。
ボン酸(2−L+>は、<2−a)の合成における中間
体2′−フルオロ−4′−ブロム−4−アルコキシビフ
ェニルをシアノ化し、次いでアルカリ加水分解すること
により得られる。
また、2−フルオロ−4−アルコキシビフェニル−4°
−カルボンH(2−c )は、原料のビフェニル体をC
j2CHOCH9及びAICJ13を用いてホルミル化
し、次いで(C)R208)2、aF、を用いてアセタ
ール保護した後、これをマグネシウムと反応させて得ら
れるグリニヤール試薬と硼酸トリブチルと反応させ、次
いでアルキルブロマイド(またはアルキルトシレート)
でエーテル化し、保護基の開裂、CrO3を用いた酸化
反応を順次行うことにより得ることができる。
−カルボンH(2−c )は、原料のビフェニル体をC
j2CHOCH9及びAICJ13を用いてホルミル化
し、次いで(C)R208)2、aF、を用いてアセタ
ール保護した後、これをマグネシウムと反応させて得ら
れるグリニヤール試薬と硼酸トリブチルと反応させ、次
いでアルキルブロマイド(またはアルキルトシレート)
でエーテル化し、保護基の開裂、CrO3を用いた酸化
反応を順次行うことにより得ることができる。
2−フルオロ−4−アルコキシ−4°−ヒドロキシビフ
ェニル(2−d)は、(2−a)の合成中間体2°−フ
ルオロ−4゛−ブロム−4−ヒドロキシビフェニルをベ
ンジル保護し、前記したaaトリブチルエステルを用い
る反応により2゛−フルオロ−4′−ヒドロキシ−4−
ベンジルオキシビフェニルとした後、エーテル化、ベン
ジル保護基の開裂により得ることができる。
ェニル(2−d)は、(2−a)の合成中間体2°−フ
ルオロ−4゛−ブロム−4−ヒドロキシビフェニルをベ
ンジル保護し、前記したaaトリブチルエステルを用い
る反応により2゛−フルオロ−4′−ヒドロキシ−4−
ベンジルオキシビフェニルとした後、エーテル化、ベン
ジル保護基の開裂により得ることができる。
本発明の種々の新規化合物は、前記方法にて得られる(
1−a)〜(1−g)及び(2−a)〜(2−d) 、
あるいは市販のカルボン酸誘導体とフェノール誘導体を
各々組み合わせ、常法のエステル化により得ることがで
きる。
1−a)〜(1−g)及び(2−a)〜(2−d) 、
あるいは市販のカルボン酸誘導体とフェノール誘導体を
各々組み合わせ、常法のエステル化により得ることがで
きる。
以下に実施例により本発明を説明するが、使用されてい
る略記号は下記の意味を表わす。
る略記号は下記の意味を表わす。
GLCガスクロマトグラフィー
1(PLO高速液体クロマトグラフィーIR赤外線吸収
スペクトル Mass 1.p x S。
スペクトル Mass 1.p x S。
SiC,Sc
SmC”+ Sc’
A
h
?
実施例1
質量分析
融点
結晶
同定出来なかったスメクチック相
スメクチックB相
スメクチックC相
カイラルスメクチックC相
スメクチックA相
コレステリック相
等方性液体
温度不明
反応器に無水塩化アルミニウム113g及び塩化メチレ
ン600 aeを仕込み0℃以下で撹拌下にアセチルク
ロライド113gを滴下し、次いで4ブロム−2−フル
オロビフェニル100tの塩化メチレン400d溶液を
滴下後、徐々に室温に戻しながら7時間撹拌反応した1
反応液を氷と希塩酸中に注加し、塩化メチレン層を水洗
、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水洗し、芒硝で脱水
11 忍Kを留去し、残留分をアセトンで再結晶して4
−アセチル−2゛−フルオロ−4°−ブロムビフェニル
96g (82,2%)を得た。
ン600 aeを仕込み0℃以下で撹拌下にアセチルク
ロライド113gを滴下し、次いで4ブロム−2−フル
オロビフェニル100tの塩化メチレン400d溶液を
滴下後、徐々に室温に戻しながら7時間撹拌反応した1
反応液を氷と希塩酸中に注加し、塩化メチレン層を水洗
、炭酸水素ナトリウム水溶液洗浄、水洗し、芒硝で脱水
11 忍Kを留去し、残留分をアセトンで再結晶して4
−アセチル−2゛−フルオロ−4°−ブロムビフェニル
96g (82,2%)を得た。
GLC100%
反応器に(a)で得た4−アセチル−2°−フルオロ−
4°−ブロムビフェニル65g及び塩化メチレン300
meを仕込み、10℃で撹拌下に88%ギ酸500
me、無水酢酸48011tを滴下し、さらに濃硫酸1
.5ml!を加えた後、35%過酸化水素水150 r
atを3時間を要して浦下し、滴下後徐々に昇温しで4
5〜50℃で30時間撹拌反応した0反応液を氷水に注
加し、ベンゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄、水洗、芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得
た。この残留分とエチルアルコール21を別の反応器に
仕込み、これに25%苛性カリ水溶液を加え、8時間還
流撹拌した0反応液を水と希塩酸中に注加しベンゼンで
抽出、食塩水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残
留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(aMIk
ベンゼン)にて精製し、4ヒドロキシ−2゛−フルオロ
−4゛−ブロムフェニル28.1g (47,5%)を
得た。
4°−ブロムビフェニル65g及び塩化メチレン300
meを仕込み、10℃で撹拌下に88%ギ酸500
me、無水酢酸48011tを滴下し、さらに濃硫酸1
.5ml!を加えた後、35%過酸化水素水150 r
atを3時間を要して浦下し、滴下後徐々に昇温しで4
5〜50℃で30時間撹拌反応した0反応液を氷水に注
加し、ベンゼンで抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄、水洗、芒硝脱水を行い、溶媒を留去し、残留分を得
た。この残留分とエチルアルコール21を別の反応器に
仕込み、これに25%苛性カリ水溶液を加え、8時間還
流撹拌した0反応液を水と希塩酸中に注加しベンゼンで
抽出、食塩水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残
留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(aMIk
ベンゼン)にて精製し、4ヒドロキシ−2゛−フルオロ
−4゛−ブロムフェニル28.1g (47,5%)を
得た。
反応器に(b)で得た4−ヒドロキシ−2°−フルオロ
−4゛−ブロムフェニル5g、(S)−4−メチルヘキ
シルブロマイドa、Ot、炭酸カリウム4 g 及U
2 2 タ/ ン(HEK) Someを仕込み、撹拌
還流下に8時間反応後、反応液を希塩酸に注加し、ベン
ゼンで抽出、水洗、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留
分をガラスチューブオーブン(GTO)にて蒸留して得
られる留分(GTO設定温度165℃7’ 0.25m
1h )をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶j
[ヘキサンニベンゼン=4;1)で精製し、(S)−4
−(4−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4
゛−ブロムビフェニル4.47g (65,4%)を得
た。 TLCモノスポット 反応器に(C)で得た(S)−4−(4−メチルヘキシ
ル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル
11.7.−シアン化第−#I (CuCN)3 を及
びジメチルホルムアミド(DHF) 50meを仕込み
、150〜155℃で54時間加熱撹拌した6反応液を
塩化第二鉄6水和物(FeCl! 3 ・f3HJ)R
3g 、 Jl塩酸2−及び水100−からなる水溶液
にて処理し、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後
、溶媒を留去し、残留分(粗(S)−4−<4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−シアノビフ
ェニル)9.8.を得た。
−4゛−ブロムフェニル5g、(S)−4−メチルヘキ
シルブロマイドa、Ot、炭酸カリウム4 g 及U
2 2 タ/ ン(HEK) Someを仕込み、撹拌
還流下に8時間反応後、反応液を希塩酸に注加し、ベン
ゼンで抽出、水洗、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留
分をガラスチューブオーブン(GTO)にて蒸留して得
られる留分(GTO設定温度165℃7’ 0.25m
1h )をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶j
[ヘキサンニベンゼン=4;1)で精製し、(S)−4
−(4−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4
゛−ブロムビフェニル4.47g (65,4%)を得
た。 TLCモノスポット 反応器に(C)で得た(S)−4−(4−メチルヘキシ
ル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル
11.7.−シアン化第−#I (CuCN)3 を及
びジメチルホルムアミド(DHF) 50meを仕込み
、150〜155℃で54時間加熱撹拌した6反応液を
塩化第二鉄6水和物(FeCl! 3 ・f3HJ)R
3g 、 Jl塩酸2−及び水100−からなる水溶液
にて処理し、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後
、溶媒を留去し、残留分(粗(S)−4−<4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−シアノビフ
ェニル)9.8.を得た。
反応器に(C)で得た残留分(粗(S)−4(4−メチ
ルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ4°−シアノビフ
ェニル)9.8f、15%苛性ソ−ダ水溶液10G−、
テトラヒドロフラン(THE)R00ml!及びメ9
/ −ル50tmeを仕込み、32時間tjl拌還流し
た0反応液を氷冷水に注加し、濃塩酸を加えて酸性とし
、析出物をP取し、これをメタノール/′2−ブタノン
で再結晶して(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキ
シ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボン酸6.
6gを得た。
ルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ4°−シアノビフ
ェニル)9.8f、15%苛性ソ−ダ水溶液10G−、
テトラヒドロフラン(THE)R00ml!及びメ9
/ −ル50tmeを仕込み、32時間tjl拌還流し
た0反応液を氷冷水に注加し、濃塩酸を加えて酸性とし
、析出物をP取し、これをメタノール/′2−ブタノン
で再結晶して(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキ
シ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボン酸6.
6gを得た。
の合成
反応器に(e)で得た(S)−4−(4−メチルヘキシ
ル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボ
ン酸0.3 t、 N、N−ジシクロへキシルカルボジ
イミド(DCC) 0.22 t、4−(ジメチルアミ
ノ)ピリジン0.11f、4−オクチルオキシフェノー
ル0.21.及び塩化メチレン30−を仕込み、10時
間室温で撹拌反応した0反応液を濾過し、炉液を水洗し
、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液へキサン/′ベンゼン
= 1 /’ 1 )で精製し、さらにメタノール/′
アセトンで再結晶して、(S)−4−オクチルオキシフ
ェニル≧4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2“−フ
ルオロビフェニル−4°−カルボキシレート0.34g
(70,0%)を得た。
ル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボ
ン酸0.3 t、 N、N−ジシクロへキシルカルボジ
イミド(DCC) 0.22 t、4−(ジメチルアミ
ノ)ピリジン0.11f、4−オクチルオキシフェノー
ル0.21.及び塩化メチレン30−を仕込み、10時
間室温で撹拌反応した0反応液を濾過し、炉液を水洗し
、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(溶離液へキサン/′ベンゼン
= 1 /’ 1 )で精製し、さらにメタノール/′
アセトンで再結晶して、(S)−4−オクチルオキシフ
ェニル≧4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2“−フ
ルオロビフェニル−4°−カルボキシレート0.34g
(70,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで98%以上であった。またI
R及びMass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例2
*
の合成
実施例1(【)における4−オクチルオキシフェノール
0.21.に替えて4−デシルオキシフェノール0.2
5gを用い、他は実施例11f)と同様に操作して(S
)−4−デシルオキシフェノルユ4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4゛−カル
ボキシレートQ、 39゜(76,5%)を得た。
0.21.に替えて4−デシルオキシフェノール0.2
5gを用い、他は実施例11f)と同様に操作して(S
)−4−デシルオキシフェノルユ4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4゛−カル
ボキシレートQ、 39゜(76,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例3
の合成
実施例1(t)における4−オクチルオキシフェノール
0.21.に替えて4−ドデシルオキシフェノール0.
24.を用い、他は実施例1(f)と同様に操作して(
S)−4−ドデシルオキシフェニルさ4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−
カルボキシレート0.42 g(77、7%)を得た。
0.21.に替えて4−ドデシルオキシフェノール0.
24.を用い、他は実施例1(f)と同様に操作して(
S)−4−ドデシルオキシフェニルさ4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−
カルボキシレート0.42 g(77、7%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で590に分”子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で590に分”子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例4
の合成
実施例1(t)における4−オクチルオキシフェノール
0.21.に替えて4−オクチルフェノール0.21t
を用い、他は実施例1(t)と同様に操作して(S)−
4−オクチルフェニル=4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−2°−フルオロビフェニル−4′−カルボキシレ
ート0.3g、 (80,9%)を得た。
0.21.に替えて4−オクチルフェノール0.21t
を用い、他は実施例1(t)と同様に操作して(S)−
4−オクチルフェニル=4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−2°−フルオロビフェニル−4′−カルボキシレ
ート0.3g、 (80,9%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で518に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で518に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例5
の合成
実施例1([)における4−オクチルオキシフェノール
0.21gに替えて4−デシルフェノール0、23 f
を用い、他は実施例1(f)と同様に、操作して(S)
−4−デシルフェニルご4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボキシレ
ートO,48g (96,8%)を得た。
0.21gに替えて4−デシルフェノール0、23 f
を用い、他は実施例1(f)と同様に、操作して(S)
−4−デシルフェニルご4−(4−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボキシレ
ートO,48g (96,8%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及び5ass分析で546に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及び5ass分析で546に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
閤光顕w1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
閤光顕w1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例6
(a) F
c、t+、−o−8つ+Br の合成反応器に2−フ
ルオロフェノール15f、オクチルブロマイド25.9
g、水酸化カリウム46.2 g並びにシクロヘキサノ
ン150−を仕込み、120〜130℃で12時間撹拌
した0反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン抽出、水洗、
芒硝で脱水後溶媒を留去した。残留分並びにクロロホル
ム10〇−を別の容器に仕込み、室温撹拌上臭素44f
を滴下し、さらに同温度で6時間撹拌後、希苛性ソーダ
水落液に注加し撹拌した6クロロホルム層を水洗、芒硝
で脱水し、溶媒を留去した残留分を減圧蒸留して、4−
オクチルオキシ−3フルオロブロムベンゼン32ir(
713,8%)を得た。
ルオロフェノール15f、オクチルブロマイド25.9
g、水酸化カリウム46.2 g並びにシクロヘキサノ
ン150−を仕込み、120〜130℃で12時間撹拌
した0反応液を希塩酸に注加し、ベンゼン抽出、水洗、
芒硝で脱水後溶媒を留去した。残留分並びにクロロホル
ム10〇−を別の容器に仕込み、室温撹拌上臭素44f
を滴下し、さらに同温度で6時間撹拌後、希苛性ソーダ
水落液に注加し撹拌した6クロロホルム層を水洗、芒硝
で脱水し、溶媒を留去した残留分を減圧蒸留して、4−
オクチルオキシ−3フルオロブロムベンゼン32ir(
713,8%)を得た。
b、p 122〜130℃10.3nIIHg反応器に
マグネシウム0.87g及びヨウ素の少量を仕込み、(
a)で得た4−オクチルオキシ3 フルオO”joム
ヘ> セン9 t (’)TH)30 J’18液の少
量を加えて加熱し、反応開始陳列りのTHF忍液を滴下
した0滴下終了後3時間還流し、グリニヤール試薬を作
成した。別の反応器に硼酸トリブチルエステル10.2
irを仕込み、これに先に作成したグリニヤール試薬を
撹拌下に40℃で滴下し、滴下後1時間同温度で撹拌し
た。放冷後、撹拌下に10%硫酸水溶液を滴下し、反応
液にベンゼン100 tleを加えて抽出した。別の反
応器にこのベンゼン抽出液を仕込み、40〜50″Cで
撹拌下に35%過酸化水素水30tseを滴下し、さら
に2時間撹拌反応した8反応液を水に注加し、ベンゼン
層を亜硫酸水素ナトリウム水7g液で処理し、水洗し、
芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガラスチューブ
オーブン(GTO)を用いて蒸留(b、p、125−1
40℃/’0.15imH(1) L、その留分をヘキ
サンで再結晶して4−オクチルオキシ−3−フルオロフ
ェノール2.6 、 (36,5%)を得た。
マグネシウム0.87g及びヨウ素の少量を仕込み、(
a)で得た4−オクチルオキシ3 フルオO”joム
ヘ> セン9 t (’)TH)30 J’18液の少
量を加えて加熱し、反応開始陳列りのTHF忍液を滴下
した0滴下終了後3時間還流し、グリニヤール試薬を作
成した。別の反応器に硼酸トリブチルエステル10.2
irを仕込み、これに先に作成したグリニヤール試薬を
撹拌下に40℃で滴下し、滴下後1時間同温度で撹拌し
た。放冷後、撹拌下に10%硫酸水溶液を滴下し、反応
液にベンゼン100 tleを加えて抽出した。別の反
応器にこのベンゼン抽出液を仕込み、40〜50″Cで
撹拌下に35%過酸化水素水30tseを滴下し、さら
に2時間撹拌反応した8反応液を水に注加し、ベンゼン
層を亜硫酸水素ナトリウム水7g液で処理し、水洗し、
芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をガラスチューブ
オーブン(GTO)を用いて蒸留(b、p、125−1
40℃/’0.15imH(1) L、その留分をヘキ
サンで再結晶して4−オクチルオキシ−3−フルオロフ
ェノール2.6 、 (36,5%)を得た。
の合成
実施例1(f)における4−オクチルオキシフェノール
0.21 gに替えて(b)で得られた4−オクチルオ
キシ−3−フルオロフェノール0.24gを用い、他は
実施例1 (f)と同様に操作してfs)−4−オクチ
ルオキシ−3−フルオロフェニル=4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−カ
ルボキシレート0.34g(68,0%)を得た。
0.21 gに替えて(b)で得られた4−オクチルオ
キシ−3−フルオロフェノール0.24gを用い、他は
実施例1 (f)と同様に操作してfs)−4−オクチ
ルオキシ−3−フルオロフェニル=4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−カ
ルボキシレート0.34g(68,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で552に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で552に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
迩光顕FR錘下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
迩光顕FR錘下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例7
実施例6(a)におけるオクチルブロマイド25.9.
に替えてデシルブロマイド29.6gを用い、他は実施
例6(a)と同様に操作して4−デシルオキシ−3−フ
ルオロブロムベンセン30.4t(68,5%)を得た
。
に替えてデシルブロマイド29.6gを用い、他は実施
例6(a)と同様に操作して4−デシルオキシ−3−フ
ルオロブロムベンセン30.4t(68,5%)を得た
。
b、 p、 125〜b
実施例6 (b)における4−オクチルオキシ−3−フ
ルオロブロムベンゼン9gに替えて(a)で得られた4
−デシルオキシ−3−フルオロブロムベンゼン9.8
trを用い、他は実施例6(b)と同様に操作して4−
デシルオキシ−3−フルオロフェノール0.57t (
7,1%)を得た。
ルオロブロムベンゼン9gに替えて(a)で得られた4
−デシルオキシ−3−フルオロブロムベンゼン9.8
trを用い、他は実施例6(b)と同様に操作して4−
デシルオキシ−3−フルオロフェノール0.57t (
7,1%)を得た。
b、p、130〜160℃/’ 0.3sn+Hg (
Gro設定温度)の合成 実施例1(f)における4−オクチルオキシフェノール
0.21.に替えて(b)で得られた4−デシルオキシ
−3−フルオロフェノール0.26 Kを用い、他は実
施例1(f)と同様に操作して(S)−4−デシルオキ
シ−3−フルオロフェニル≧4−(4−メチルヘキシル
)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−カルボキ
シレート0.39t(74,0%)を得た。
Gro設定温度)の合成 実施例1(f)における4−オクチルオキシフェノール
0.21.に替えて(b)で得られた4−デシルオキシ
−3−フルオロフェノール0.26 Kを用い、他は実
施例1(f)と同様に操作して(S)−4−デシルオキ
シ−3−フルオロフェニル≧4−(4−メチルヘキシル
)オキシ−2°−フルオロビフェニル−4°−カルボキ
シレート0.39t(74,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
漏光類@鏡下で相変化をa察した。その結果を表−1に
示す。
漏光類@鏡下で相変化をa察した。その結果を表−1に
示す。
実施例8
反応器に2−フルオロフェノール10.並びに塩化メチ
レン50αeを仕込み、氷水冷撹拌下に、無水塩化アル
ミニウム17.8tを徐々に加え、次いで、0℃以下で
ペンタノイルクロライド11.8gを滴下し、1時間同
温度で、2時間室温で反応した0反応液を水に注加し、
希塩酸を加え、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水
後、溶媒を留去し、残留分を減圧蒸溜して3−フルオロ
−4−ペンタノイルフェノール14g (80,0%)
を得た。
レン50αeを仕込み、氷水冷撹拌下に、無水塩化アル
ミニウム17.8tを徐々に加え、次いで、0℃以下で
ペンタノイルクロライド11.8gを滴下し、1時間同
温度で、2時間室温で反応した0反応液を水に注加し、
希塩酸を加え、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水
後、溶媒を留去し、残留分を減圧蒸溜して3−フルオロ
−4−ペンタノイルフェノール14g (80,0%)
を得た。
b、9113〜121℃/’0.31111HfJ(b
)。
)。
HO−とフトC5H,□ の合成
反応器に(a)で得られた3−フルオロ−4ペンタノイ
ルフ工ノール14g並びにトリフルオロ酢酸50m1!
を仕込み、室温撹拌下にトリ二チルシラン2G、3gを
滴下し、20時間同温度で反応した0反応液を希苛性ソ
ータ水溶液に注加し、塩酸酸性とした後、ベンゼンで抽
出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分を
減圧蒸留して3−フルオロ−4−ペンチルフェノール1
1.9r (91,5%)を得f、;、b、967−6
8℃10.3mHg の合成 実施例1 (f)における4−オクチルオキシフェノー
ル0.21.に替えて(b)で得られた3−フルオロ−
4−ペンチルフェノール0.32 、を用い、他は実施
例1 (f)と同様に操作して(S)−4−ペンチルー
2−フルオロフェニルΣ4− <4−メチルヘキシル)
オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボキシ
レート0.29K (64,6%)を得た。
ルフ工ノール14g並びにトリフルオロ酢酸50m1!
を仕込み、室温撹拌下にトリ二チルシラン2G、3gを
滴下し、20時間同温度で反応した0反応液を希苛性ソ
ータ水溶液に注加し、塩酸酸性とした後、ベンゼンで抽
出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分を
減圧蒸留して3−フルオロ−4−ペンチルフェノール1
1.9r (91,5%)を得f、;、b、967−6
8℃10.3mHg の合成 実施例1 (f)における4−オクチルオキシフェノー
ル0.21.に替えて(b)で得られた3−フルオロ−
4−ペンチルフェノール0.32 、を用い、他は実施
例1 (f)と同様に操作して(S)−4−ペンチルー
2−フルオロフェニルΣ4− <4−メチルヘキシル)
オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−カルボキシ
レート0.29K (64,6%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で494に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がち、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で494に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がち、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
漏光類y!Ls下で相変化を観察した。その結果を表−
1に示す。
漏光類y!Ls下で相変化を観察した。その結果を表−
1に示す。
実施例9
(a) C)Rg
Cs H,、CH−0べ)() B r の合成実施
例1(C)において、(S)−4−メチルヘキシルブロ
マイド8.0 gに替えて(R)−1−メチルへキシル
トシレート2.11を用い、他は実施例1(C)と同様
に操作して(S) −7l −(1メチルヘキシル)オ
キシ−2°−フルオロ−4ブロムビフェニル4.9 、
(71,7%)を得た。
例1(C)において、(S)−4−メチルヘキシルブロ
マイド8.0 gに替えて(R)−1−メチルへキシル
トシレート2.11を用い、他は実施例1(C)と同様
に操作して(S) −7l −(1メチルヘキシル)オ
キシ−2°−フルオロ−4ブロムビフェニル4.9 、
(71,7%)を得た。
4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−
4“−シアノビフェニル9.5gを得た。
4“−シアノビフェニル9.5gを得た。
実施例1(e)において、1s)−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4−シアノビフェニ
ル9.82に替えて、(b)で得られたfs)−4−(
1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−
シアノビフェニル9.5gを用い、他は実施例1(e)
と同様に操作して(S)4−(l−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロ−4゛−ビフェニルカルボン酸6
.2gを得た。
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4−シアノビフェニ
ル9.82に替えて、(b)で得られたfs)−4−(
1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−
シアノビフェニル9.5gを用い、他は実施例1(e)
と同様に操作して(S)4−(l−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロ−4゛−ビフェニルカルボン酸6
.2gを得た。
実施例1(d)において、(S)−4−<4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル11.7fに替えて、fa)て得られた(S)−4
−(1−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4
°−ブロムビフェニル11.7fを用い、他は実施例1
(d)と同様に操作して粗(S)反応器に(S)−4
−<1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4
°−ビフェニルカルボンB0.3t、4−オクチルオキ
シフェノール0.22sr = DCC0,22ir、
4−ピロリジノピリジンo、 is r及び塩化メチレ
ン30aeを仕込み、7時間室温撹拌した0反応液を濾
過し、Fi液を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、
残留分をヘキサン/′ベンゼン= 1 、’ 1を溶離
液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
し、さらにアセトン/′メタノール混合溶媒で再結晶し
て(S)−4−オクチルオキシフェニル=4−(1メチ
ルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4ビフェニルカ
ルボキシレート0.28r (57,7%)を得た。
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル11.7fに替えて、fa)て得られた(S)−4
−(1−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4
°−ブロムビフェニル11.7fを用い、他は実施例1
(d)と同様に操作して粗(S)反応器に(S)−4
−<1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4
°−ビフェニルカルボンB0.3t、4−オクチルオキ
シフェノール0.22sr = DCC0,22ir、
4−ピロリジノピリジンo、 is r及び塩化メチレ
ン30aeを仕込み、7時間室温撹拌した0反応液を濾
過し、Fi液を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、
残留分をヘキサン/′ベンゼン= 1 、’ 1を溶離
液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製
し、さらにアセトン/′メタノール混合溶媒で再結晶し
て(S)−4−オクチルオキシフェニル=4−(1メチ
ルヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4ビフェニルカ
ルボキシレート0.28r (57,7%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で534に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で534に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類m鏡上で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光類m鏡上で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例10
のき成
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22gに替えて4−デシルオキシフェノール0.
25Kを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(
S)−4−デシルオキシフェニル=4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.35、(68,6%)を得た。
ル0.22gに替えて4−デシルオキシフェノール0.
25Kを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(
S)−4−デシルオキシフェニル=4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.35、(68,6%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類rR錘下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
偏光類rR錘下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例11
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22.に替えて4−ドデシルオキシフェノール0
28gを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(
S)−4−ドデシルオキシフェニル≧4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4°−ビフェニル
カルボキシレート0.44g (82,1%)を得た。
ル0.22.に替えて4−ドデシルオキシフェノール0
28gを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(
S)−4−ドデシルオキシフェニル≧4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2′−フルオロ−4°−ビフェニル
カルボキシレート0.44g (82,1%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で590に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で590に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をW4察した。その結果を表−1
に示す。
偏光顕微鏡下で相変化をW4察した。その結果を表−1
に示す。
実施例12
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22.に替えて4−オクチルフェノール0.21
tを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)
−4−オクチルフェニル≧4−(1−メチルヘキシル)
オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.36゜(76,4%)を得た。
ル0.22.に替えて4−オクチルフェノール0.21
tを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)
−4−オクチルフェニル≧4−(1−メチルヘキシル)
オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.36゜(76,4%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及び14ass分析で518に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
R及び14ass分析で518に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化なI!察した。その結果を表−1
に示す。
偏光顕微鏡下で相変化なI!察した。その結果を表−1
に示す。
実施例13
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22 Kに替えて4−デシルフェノール0.23
gを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)
−4−デシルフェノルユ4−(1−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシレ
ート0.33g (6G、5%)を得た。
ル0.22 Kに替えて4−デシルフェノール0.23
gを用い、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)
−4−デシルフェノルユ4−(1−メチルヘキシル)オ
キシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシレ
ート0.33g (6G、5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で546に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で546に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例14
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22 tに替えて4−オクチルオキシ−3−フル
オロフェノール0.24.を用い、他は実施例9(d)
と同様に操作して(S)−,1−才クチルオキシ−3−
フルオロフェニル=4−<1−メチルヘキシル)オキシ
−2°−フルオロ−4゜−ビフェニルカルボキシレート
0.35 g (70,0%)を得た。
ル0.22 tに替えて4−オクチルオキシ−3−フル
オロフェノール0.24.を用い、他は実施例9(d)
と同様に操作して(S)−,1−才クチルオキシ−3−
フルオロフェニル=4−<1−メチルヘキシル)オキシ
−2°−フルオロ−4゜−ビフェニルカルボキシレート
0.35 g (70,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例15
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22.に替えて実施例7(c)で得られる4−デ
シルオキシ−3−フルオロフェノール0.26gを用い
、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)−4−デ
シルオキシ−3−フルオロフェニル=4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニル
カルボキシレート0.41g (77,8%)を得た。
ル0.22.に替えて実施例7(c)で得られる4−デ
シルオキシ−3−フルオロフェノール0.26gを用い
、他は実施例9(d)と同様に操作して(S)−4−デ
シルオキシ−3−フルオロフェニル=4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニル
カルボキシレート0.41g (77,8%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係がら、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例16
実施例9(d)において24−オクチルオキシフェノー
ル0.22gに替えて実施例8(b)で得られる2−フ
ルオロ−4−ペンチルフェノール0.26gを用い、他
は実施例9(d)と同様に操作して[5)−2−フルオ
ロ−4−ベンチルフェニルユ4−(1−メチルヘキシル
)オキシ−2°−フルオロー4°−ビフェニルカルボキ
シレート0.33t (73,5%)を得た。
ル0.22gに替えて実施例8(b)で得られる2−フ
ルオロ−4−ペンチルフェノール0.26gを用い、他
は実施例9(d)と同様に操作して[5)−2−フルオ
ロ−4−ベンチルフェニルユ4−(1−メチルヘキシル
)オキシ−2°−フルオロー4°−ビフェニルカルボキ
シレート0.33t (73,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで9995以上であった。また
IR及びMass分析で494に分子イオンと−クが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
IR及びMass分析で494に分子イオンと−クが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をa察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化をa察した。その結果を表−1に
示す。
実施例17
実施例9(d)において、4−オクチルオキシフェノー
ル0.22trに替えて2.3−ジシアノ−4−へキシ
ルオキシフェノール0.24fを用い、他は実施例9(
d)と同様に操作して(S) −2,3−ジシアノ−4
−ヘキシルオキシフェニルユ4(1−メチルヘキシル)
オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.16 t(31,7%)を得た。
ル0.22trに替えて2.3−ジシアノ−4−へキシ
ルオキシフェノール0.24fを用い、他は実施例9(
d)と同様に操作して(S) −2,3−ジシアノ−4
−ヘキシルオキシフェニルユ4(1−メチルヘキシル)
オキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.16 t(31,7%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で556に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で556に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例18
実施例1(C)における、(S)−4−メチルヘキシル
ブロマイド8.0 irに替えてデシルブロマイド10
.1gを用い、他は実施例1(C)と同様に操作して4
−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゜ブロムビフェニ
ル6.2 g (81,4%)を得た。
ブロマイド8.0 irに替えてデシルブロマイド10
.1gを用い、他は実施例1(C)と同様に操作して4
−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゜ブロムビフェニ
ル6.2 g (81,4%)を得た。
シアノビフェニル9.8 trに替えて、(b)で得ら
れた粗4−デシルオキシー2゛−フルオロ−4°−シア
ノビフェニル5.4tを用い、他は実施例1(e)と同
様に操作し、再結晶をア七トンで行うことにより4−デ
シルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボ
ンn5.5trを得た。
れた粗4−デシルオキシー2゛−フルオロ−4°−シア
ノビフェニル5.4tを用い、他は実施例1(e)と同
様に操作し、再結晶をア七トンで行うことにより4−デ
シルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボ
ンn5.5trを得た。
実施例1(d)における、(S)−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェ
ニル11.7.に替えて、(a)で得られた4−デシル
オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル7、
Ofを用い、他は実施例1(d)と同様に操作して粗4
−デシルオキシー2°−フルオロ−4°−シアノビフェ
ニルを得、これをメタノールで再結晶して粗4−デシル
オキシー2°−フルオロ−4°−シアノビフェニル5.
4gを得た。
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェ
ニル11.7.に替えて、(a)で得られた4−デシル
オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル7、
Ofを用い、他は実施例1(d)と同様に操作して粗4
−デシルオキシー2°−フルオロ−4°−シアノビフェ
ニルを得、これをメタノールで再結晶して粗4−デシル
オキシー2°−フルオロ−4°−シアノビフェニル5.
4gを得た。
実施例1(e)における、粗(S)−4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−の合成 反応器に(C)で得られた4−デシルオキシ−2°−フ
ルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸0.3t 、DC
CO,19g、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0.1
0 t、(S)−4−(2−メチルブチル)オキシフェ
ノール0.16 f及び塩化メチレン30weを仕込み
、18時間室温で撹拌反応した6反応液を濾過し、P液
を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーCmM液ヘキサン/′
ベンゼン=1/1)にて精製し、次いでメタノール/′
アセトン混合忍蝶で再結晶して(S)−4−(2−メチ
ルブチル)オキシフェニルご4−デシルオキシ−2°−
フルオロ−4°−カルボキシレート0.31g(72,
1%)を得た。
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−の合成 反応器に(C)で得られた4−デシルオキシ−2°−フ
ルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸0.3t 、DC
CO,19g、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0.1
0 t、(S)−4−(2−メチルブチル)オキシフェ
ノール0.16 f及び塩化メチレン30weを仕込み
、18時間室温で撹拌反応した6反応液を濾過し、P液
を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーCmM液ヘキサン/′
ベンゼン=1/1)にて精製し、次いでメタノール/′
アセトン混合忍蝶で再結晶して(S)−4−(2−メチ
ルブチル)オキシフェニルご4−デシルオキシ−2°−
フルオロ−4°−カルボキシレート0.31g(72,
1%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びHass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びHass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例19
の合成
実施例18fd)におけるfs)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 gに替えて、(S)
−4−(4−メチルヘキシル)オキシフェノール0.1
8.を用い、他は実施例18(d)と同様に操作して(
S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシフェニル上4
−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ビフェニルカ
ルボキシレート0.33t(73,3%)を得た。
チル)オキシフェノール0.16 gに替えて、(S)
−4−(4−メチルヘキシル)オキシフェノール0.1
8.を用い、他は実施例18(d)と同様に操作して(
S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシフェニル上4
−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ビフェニルカ
ルボキシレート0.33t(73,3%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及び)4aSS分析で562に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
R及び)4aSS分析で562に分子イオンピークが認
められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた
物質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP、−82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例20
*
実施例18(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 gに替えて、(S)
−4−(1−メチルヘプチル)オキシフェノール0.2
0.を用い、他は実施例18(d)と同様に操作して(
S)−4−(1−メチルへグチル)オキシフェニル上4
〜デシルオキシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.29t(63,0%)を得た。
チル)オキシフェノール0.16 gに替えて、(S)
−4−(1−メチルヘプチル)オキシフェノール0.2
0.を用い、他は実施例18(d)と同様に操作して(
S)−4−(1−メチルへグチル)オキシフェニル上4
〜デシルオキシ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.29t(63,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類W!1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−
1に示す。
偏光類W!1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−
1に示す。
実施例21
反応器に2−フルオロフェノール37f及び−硫化炭素
100−を仕込み、水水冷撹拌下に無水塩化アルミニウ
ム59fを加え、0℃以下で無水酢#M33gを滴下し
、1時間同温度で反応した。
100−を仕込み、水水冷撹拌下に無水塩化アルミニウ
ム59fを加え、0℃以下で無水酢#M33gを滴下し
、1時間同温度で反応した。
反応液を希塩酸に注加し、塩化メチレンで抽出し、水洗
し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をメタノール
で再結晶して3−フルオロ−4−メトキシアセトフェノ
ン33g (66,9%)を得た。
し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をメタノール
で再結晶して3−フルオロ−4−メトキシアセトフェノ
ン33g (66,9%)を得た。
反応器に(a)で得られた3−フルオロ−4−メトキシ
アセトフェノン25+r、48%臭化水素酸300 t
ie並びに酢酸15(1m(を仕込み、17時間撹拌還
流した0反応液を水に注加し、塩化メチレンで抽出し、
水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液塩化メチレン)
にて精製し3−フルオロ−4−しドロキシアセトフェノ
ン8.8g(’38.4%)を得た。
アセトフェノン25+r、48%臭化水素酸300 t
ie並びに酢酸15(1m(を仕込み、17時間撹拌還
流した0反応液を水に注加し、塩化メチレンで抽出し、
水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液塩化メチレン)
にて精製し3−フルオロ−4−しドロキシアセトフェノ
ン8.8g(’38.4%)を得た。
反応器に(S)−1−メチルへキシルトシレート6.4
g、(b)で得られた3−フルオロ−4ヒドロキシア
七トフェノン2.9g、炭酸カリウム4.1g及び2−
ブタ/ ン(HEに)3G tseを仕込み、5時間還
流撹拌した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し、
水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカ
ゲルカラム20マトグラフィー(溶離液ヘキサン/酢酸
エチル−107′1)にて精製し、(R)−3−フルオ
ロ−4(1−メチルヘキシル)オキシアセトフェノン3
.0 g (63,2%)を得た。
g、(b)で得られた3−フルオロ−4ヒドロキシア
七トフェノン2.9g、炭酸カリウム4.1g及び2−
ブタ/ ン(HEに)3G tseを仕込み、5時間還
流撹拌した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し、
水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をシリカ
ゲルカラム20マトグラフィー(溶離液ヘキサン/酢酸
エチル−107′1)にて精製し、(R)−3−フルオ
ロ−4(1−メチルヘキシル)オキシアセトフェノン3
.0 g (63,2%)を得た。
し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶
離液塩化メチレン)にて精製し、(R)−3−フルオロ
−4−(1−メチルヘキシル)オキシフェノール1.3
3g (78,2%)を得た。
離液塩化メチレン)にて精製し、(R)−3−フルオロ
−4−(1−メチルヘキシル)オキシフェノール1.3
3g (78,2%)を得た。
反応器に(C)で得た(R)−3−フルオロ−4−(1
−メチルヘキシル)オキシアセトフェノン1,9g及び
塩化メチレン30I、leを仕込み、10°Cで撹拌下
に88%ギ酸20Ile、無水酢酸10weを浦下し、
さらに濃硫酸1−を加えた後、35%過酸化水素水20
−を滴下し、滴下稜線々に昇温して45〜50℃で9時
間撹拌反応した0反応液を氷水に注加し、ベンゼンで抽
出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗、芒硝脱水
を行い、溶媒を留去し、残留分を得た。この残留分とメ
チルアルコール30rseを別の反応器に仕込み、これ
に25%苛性カリ水溶液を加え、4時間還流撹拌した。
−メチルヘキシル)オキシアセトフェノン1,9g及び
塩化メチレン30I、leを仕込み、10°Cで撹拌下
に88%ギ酸20Ile、無水酢酸10weを浦下し、
さらに濃硫酸1−を加えた後、35%過酸化水素水20
−を滴下し、滴下稜線々に昇温して45〜50℃で9時
間撹拌反応した0反応液を氷水に注加し、ベンゼンで抽
出、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄、水洗、芒硝脱水
を行い、溶媒を留去し、残留分を得た。この残留分とメ
チルアルコール30rseを別の反応器に仕込み、これ
に25%苛性カリ水溶液を加え、4時間還流撹拌した。
反応液を氷と希塩酸中に注加し、ベンゼンで抽出、食塩
水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去の合成 実施例1s(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 tに替えて、(d)
で得られた(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシフェノール0.18 gを用い、他は実
施例18(d)と同様に操作して(R)3−フルオロ−
4−(1−メチルヘキシル)オキシフェニルユ4−デシ
ルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキ
シレート0.23f(50,0%)を得た。
水で洗浄、芒硝で脱水後、溶媒を留去の合成 実施例1s(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 tに替えて、(d)
で得られた(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシフェノール0.18 gを用い、他は実
施例18(d)と同様に操作して(R)3−フルオロ−
4−(1−メチルヘキシル)オキシフェニルユ4−デシ
ルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキ
シレート0.23f(50,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例22
キサン/′酢酸エチル=10/’I)にて精製しく5)
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオロフェ
ノール3−2 ir (47,4%)を得た。
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオロフェ
ノール3−2 ir (47,4%)を得た。
実施例6(a)におけるオクチルブロマイド25.9t
rに替えて、(S)−4−メチルヘキシルブロマイド2
5.0+rを用い、他は実施例6(a)と同様に操作し
て(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フ
ルオロブロムベンゼン25.9 g(66,9%)を得
た。
rに替えて、(S)−4−メチルヘキシルブロマイド2
5.0+rを用い、他は実施例6(a)と同様に操作し
て(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フ
ルオロブロムベンゼン25.9 g(66,9%)を得
た。
実施例6(b)における4−オクチルオキシ−3−フル
オロブロムベンゼン9gに替えて、(a)で得られた(
S)−4−<4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオ
ロブロムベンゼン8.6tを用い、他は実施例6(b)
と同様に操作して、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(忍だ液への合成 実施例18((1)における(S) −4−(−2−メ
チルブチル)オキシフェノール0.16gに替えて、(
b)で得られた(S)−4−(4−メチルヘキシル)オ
キシフェノールo、iatを用い、他は実施P118(
d)と同様に操作して(S)−4−(Ll−メチルヘキ
シル)オキシ−3−フルオロフェニルご4−デシルオキ
シ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシレー
ト0.25g (53,5%)を得た。
オロブロムベンゼン9gに替えて、(a)で得られた(
S)−4−<4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオ
ロブロムベンゼン8.6tを用い、他は実施例6(b)
と同様に操作して、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(忍だ液への合成 実施例18((1)における(S) −4−(−2−メ
チルブチル)オキシフェノール0.16gに替えて、(
b)で得られた(S)−4−(4−メチルヘキシル)オ
キシフェノールo、iatを用い、他は実施P118(
d)と同様に操作して(S)−4−(Ll−メチルヘキ
シル)オキシ−3−フルオロフェニルご4−デシルオキ
シ−2゛−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシレー
ト0.25g (53,5%)を得た。
この物の純度は)IPLCで99%以上であった。また
IR及び)lass分析で580に分子イオンピークが
認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られ
た物質が目的物であることを確認した。
IR及び)lass分析で580に分子イオンピークが
認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得られ
た物質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類y&鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
偏光類y&鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例23
反応器に(S)−1−メチルへブチルトシレート22.
8..3−ブロム−4−ヒドロキシアセトフェノン11
.5g、炭酸カリウム14.8.並びに2−ブタノン1
00 calを仕込み、16時間還流撹拌した。
8..3−ブロム−4−ヒドロキシアセトフェノン11
.5g、炭酸カリウム14.8.並びに2−ブタノン1
00 calを仕込み、16時間還流撹拌した。
反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し、10%苛性ソ
ーダ水溶液で洗浄し、次いで水洗し、芒硝で脱水後、溶
媒を留去し1、$1(R)−3−ブロム−4−(1−メ
チルへブチル)オキシアセトフェノン12.6trを得
た。
ーダ水溶液で洗浄し、次いで水洗し、芒硝で脱水後、溶
媒を留去し1、$1(R)−3−ブロム−4−(1−メ
チルへブチル)オキシアセトフェノン12.6trを得
た。
反応器に(a)で得た租(R)−3−ブロム−4=(1
−メチルへブチル)オキシアセトフェノン5g、87%
ギ酸40−1無水酢酸20−並びに塩化メチレン30m
1!を仕込み、水冷撹拌下に、濃硫酸I J、次いで3
5%過酸化水素水100m1!を滴下し、24時間撹拌
反応した0反応液を水に注加し、塩化メチレンで抽出後
、水洗し、芒硝で脱水し、溶媒を留去して、粗(R)−
3−ブロム−4−(l−メチルヘプチル)オキシ−1−
アセチルオキシベンゼンS、Orを得た。別の反応器に
この残留分S、O、、シアン化第−銅1.57を並びに
N−メチル−2−ピロリジノン30meを仕込み、14
0〜160℃で26時間撹拌した0反応液を塩化第二鉄
5 t 、 BFi#!i2 d並びに水3olleカ
ラナル水溶液にて処理し、クロロホルムで抽出し、水洗
し、芒硝で脱水し、溶媒を留去後、GTO(ガラスチュ
ーブオーブン)にて減圧蒸溜して(R)−3−シアノ−
4−(1−メチルへブチル)オキシフェノールi、o
gを得な。
−メチルへブチル)オキシアセトフェノン5g、87%
ギ酸40−1無水酢酸20−並びに塩化メチレン30m
1!を仕込み、水冷撹拌下に、濃硫酸I J、次いで3
5%過酸化水素水100m1!を滴下し、24時間撹拌
反応した0反応液を水に注加し、塩化メチレンで抽出後
、水洗し、芒硝で脱水し、溶媒を留去して、粗(R)−
3−ブロム−4−(l−メチルヘプチル)オキシ−1−
アセチルオキシベンゼンS、Orを得た。別の反応器に
この残留分S、O、、シアン化第−銅1.57を並びに
N−メチル−2−ピロリジノン30meを仕込み、14
0〜160℃で26時間撹拌した0反応液を塩化第二鉄
5 t 、 BFi#!i2 d並びに水3olleカ
ラナル水溶液にて処理し、クロロホルムで抽出し、水洗
し、芒硝で脱水し、溶媒を留去後、GTO(ガラスチュ
ーブオーブン)にて減圧蒸溜して(R)−3−シアノ−
4−(1−メチルへブチル)オキシフェノールi、o
gを得な。
の合成
実施例18(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16.に替えて、(b)で
得られた(R)−3−シアノ−4−(1−メチルへ1チ
ル)オキシフェノール0.20 Kを用い、他は実施例
18(d)と同様に操作して(R) =3−シアノ−4
−(1−メチルヘプチル)オキシフェニルユ4−デシル
オキシ−2“−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.24g (49,5%)を得た。
チル)オキシフェノール0.16.に替えて、(b)で
得られた(R)−3−シアノ−4−(1−メチルへ1チ
ル)オキシフェノール0.20 Kを用い、他は実施例
18(d)と同様に操作して(R) =3−シアノ−4
−(1−メチルヘプチル)オキシフェニルユ4−デシル
オキシ−2“−フルオロ−4°−ビフェニルカルボキシ
レート0.24g (49,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で601に分子イオンと−りが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で601に分子イオンと−りが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例24
反応器に3−フルオロ−4−シアノフェノール1g、1
5%苛性ソーダ水溶120a+e並びにメタノール30
−を仕込み、10時間撹拌還流した0反応液を氷冷水に
注加し、濃塩酸を加えて酸性とし、析出物をP取し、水
洗後、ヘキサンで再結晶して2−フルオロ−4−ヒドロ
キシ安息香酸0.97 g (85,1%)を得た。
5%苛性ソーダ水溶120a+e並びにメタノール30
−を仕込み、10時間撹拌還流した0反応液を氷冷水に
注加し、濃塩酸を加えて酸性とし、析出物をP取し、水
洗後、ヘキサンで再結晶して2−フルオロ−4−ヒドロ
キシ安息香酸0.97 g (85,1%)を得た。
反応器に(a)で得られた2−フルオロ−4−ヒドロキ
シ安息香酸0.97.、(S)−2−メチルブタノール
10m1!並びに触媒量の濃F7A酸を仕込み、5時間
撹拌還流した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し
、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をヘキ
サンで再結晶して(S)−3−フルオロ−4−(2−メ
チルブチル)オキシカルボニルフェノール1.1 g
(78%)を得た。
シ安息香酸0.97.、(S)−2−メチルブタノール
10m1!並びに触媒量の濃F7A酸を仕込み、5時間
撹拌還流した0反応液を水に注加し、ベンゼンで抽出し
、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を留去し、残留分をヘキ
サンで再結晶して(S)−3−フルオロ−4−(2−メ
チルブチル)オキシカルボニルフェノール1.1 g
(78%)を得た。
の合成
実施例18(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16.に替えて、(b)で
得られた(S)−3−フルオロ−4−(2メチルブチル
)オキシカルボニルフェノール0.20 gを用い、他
は実施例1g(d)と同様に操作して(S)−3−フル
オロ−4−(2−メチルブチル)オキシカルボニルフェ
ニルご4−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ビフ
ェニルカルボキシレート0.18 t (38,3%)
を得た。
チル)オキシフェノール0.16.に替えて、(b)で
得られた(S)−3−フルオロ−4−(2メチルブチル
)オキシカルボニルフェノール0.20 gを用い、他
は実施例1g(d)と同様に操作して(S)−3−フル
オロ−4−(2−メチルブチル)オキシカルボニルフェ
ニルご4−デシルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ビフ
ェニルカルボキシレート0.18 t (38,3%)
を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
閤光顕FR鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
閤光顕FR鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1
に示す。
実施例25
ニルフェノール0.18 gを用い、他は実施例18(
d)と同様に操作して(S)−4−(2−メチルブチル
)オキシカルボニルフェニルご4−デシルオキシ−2°
−フルオロ−4゛−ビフェニルカルボキシレート0.2
9g (64,0%)を得た。
d)と同様に操作して(S)−4−(2−メチルブチル
)オキシカルボニルフェニルご4−デシルオキシ−2°
−フルオロ−4゛−ビフェニルカルボキシレート0.2
9g (64,0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトラーホットステージFP−82にはさみ、
開光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
開光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例26
の合成
実施例1g(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 tに替えて、(S)
−4−<2−メチルブチル)オキシカルボ実施例1 (
C)における、(S)−4−メチルヘキシルブロマイド
8.Ofに替えてオクチルブロマイド8.8gを用い、
他は実施例1(C)と同様に操作して4−オクチルオキ
シ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル6.0
、 (84,5%)を得た。
チル)オキシフェノール0.16 tに替えて、(S)
−4−<2−メチルブチル)オキシカルボ実施例1 (
C)における、(S)−4−メチルヘキシルブロマイド
8.Ofに替えてオクチルブロマイド8.8gを用い、
他は実施例1(C)と同様に操作して4−オクチルオキ
シ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル6.0
、 (84,5%)を得た。
実施例1(d)における、(s) −4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4゛−ブロムビフ
ェニル11.7tに替えて、(a)で得られた4−オク
チルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル
12.1 gを用い他は実施例1(d)と同様に操作し
て粗4−オクチルオキシ−2“−フルオロ−4°−シア
ノビフェニル10.1 gを得な。
ヘキシル)オキシ−2゛−フルオロ−4゛−ブロムビフ
ェニル11.7tに替えて、(a)で得られた4−オク
チルオキシ−2°−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル
12.1 gを用い他は実施例1(d)と同様に操作し
て粗4−オクチルオキシ−2“−フルオロ−4°−シア
ノビフェニル10.1 gを得な。
実施例1(e)における、粗(S)−4−(4メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4シアノビフェニル
9.8gに替えて、(b)で得られた′@i4−オクチ
ルオキシー2°−フルオロ−4゜−シアノビフェニル1
0.1 tを用い他は実施例1(e)と同様に操作し、
再結晶をアセトンで行うことにより4−オクチルオキシ
−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸6.4
t (60,3%)を得た。
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4シアノビフェニル
9.8gに替えて、(b)で得られた′@i4−オクチ
ルオキシー2°−フルオロ−4゜−シアノビフェニル1
0.1 tを用い他は実施例1(e)と同様に操作し、
再結晶をアセトンで行うことにより4−オクチルオキシ
−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸6.4
t (60,3%)を得た。
反応器にfc)で得られた4−オクチルオキシ2°−フ
ルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸0.4 t 、
DCC0,25g、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0
.15g、(S)−4−(1−メチルへブチル)オキシ
フェノール0.28 g及び塩化メチレン3Qo+eを
仕込み、18時間室温で撹拌反応しな。
ルオロ−4°−ビフェニルカルボン酸0.4 t 、
DCC0,25g、4−(ジメチルアミノ)ピリジン0
.15g、(S)−4−(1−メチルへブチル)オキシ
フェノール0.28 g及び塩化メチレン3Qo+eを
仕込み、18時間室温で撹拌反応しな。
反応液を一過し、cHを水洗し、芒硝で脱水後、温媒を
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(78MHヘキサン/′ベンゼンー1/’1)にて精製
し、次いでメタノール/′アセトン混合温媒で再結晶し
て(S)−4−(1−メ・l 、&・\lチル)オキシ
フェニル上4−オクチルオキシ−2°−フルオロ−4°
−ビフェニルカルボキシレート0.43g (67,5
%)を得た。
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(78MHヘキサン/′ベンゼンー1/’1)にて精製
し、次いでメタノール/′アセトン混合温媒で再結晶し
て(S)−4−(1−メ・l 、&・\lチル)オキシ
フェニル上4−オクチルオキシ−2°−フルオロ−4°
−ビフェニルカルボキシレート0.43g (67,5
%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で548に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で548に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例27
さみ、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表
−1に示す。
−1に示す。
実施例28
実施例26(d)における(S)−4−(1−メチルヘ
プチル)オキシフェノール0.28 tに替えて実施例
23(b)で得られる(S)−3−シアノ−4−(1−
メチルヘプチル)オキシフェノール0、28 gを用い
、池は実施例26(d)と同様に操作して(S)−3−
シアノ−4−(1−メチルへグチル)オキシフェニル上
4−オクチルオキシ−2゛−フルオロ−イービフェニル
カルボキシレート0.42g (63,6%)を得た。
プチル)オキシフェノール0.28 tに替えて実施例
23(b)で得られる(S)−3−シアノ−4−(1−
メチルヘプチル)オキシフェノール0、28 gを用い
、池は実施例26(d)と同様に操作して(S)−3−
シアノ−4−(1−メチルへグチル)オキシフェニル上
4−オクチルオキシ−2゛−フルオロ−イービフェニル
カルボキシレート0.42g (63,6%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で574に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で574に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82には実施例
26(d)における、(S)−4−(1−メチルヘプチ
ル)オキシフェノール0.28fに替えて実施例21(
C)で得られる(R)−3−フルオロ−4−(1−メチ
ルヘキシル)オキシフェノール0.28tを用い、他は
実施例2θ(d)と同様に操作して(S)−3−フルオ
ロ−4−(1−メチルヘキシル)オキシフェニル上4−
オクチルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.41g (64,1%)を得た。
26(d)における、(S)−4−(1−メチルヘプチ
ル)オキシフェノール0.28fに替えて実施例21(
C)で得られる(R)−3−フルオロ−4−(1−メチ
ルヘキシル)オキシフェノール0.28tを用い、他は
実施例2θ(d)と同様に操作して(S)−3−フルオ
ロ−4−(1−メチルヘキシル)オキシフェニル上4−
オクチルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカ
ルボキシレート0.41g (64,1%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−1に
示す。
実施例29
CIo 821−o(Σ七)coo−ぐ> 0−Cm
HI3 の合成実施例18(d)における+5)−4−
(2−メチルブチル)オキシフェノール0.16.に替
えて、4〜オクチルオキシフェノール0.19 K−を
用い、池は実施例18(d)と同様に操作して、4−オ
クナルオキシフェニルユ4−デシルオキシ−2゛フルオ
ロ−4゛−ビフェニルカルボキシレート0.36t (
77,4%)を得た。
HI3 の合成実施例18(d)における+5)−4−
(2−メチルブチル)オキシフェノール0.16.に替
えて、4〜オクチルオキシフェノール0.19 K−を
用い、池は実施例18(d)と同様に操作して、4−オ
クナルオキシフェニルユ4−デシルオキシ−2゛フルオ
ロ−4゛−ビフェニルカルボキシレート0.36t (
77,4%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またT
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類@鏡下で相変化をi察しな、その結果を表−2に
示す。
偏光類@鏡下で相変化をi察しな、その結果を表−2に
示す。
実施例30
C□。821−0ぐFとツーCOト<)Cm Hzりの
合成実施gAJ18(d)における(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシフェノール0.16+rに替えて
、4−オクチルフェノール0.18 gを用い、池は実
施例18(d)と同様に操作して、4−オクチルフェニ
ル上4−デシルオキシ−2゛−フルオロ−4゛ビフエニ
ルカルボキシレート0.30t (66,7%)を得た
。
合成実施gAJ18(d)における(S)−4−(2−
メチルブチル)オキシフェノール0.16+rに替えて
、4−オクチルフェノール0.18 gを用い、池は実
施例18(d)と同様に操作して、4−オクチルフェニ
ル上4−デシルオキシ−2゛−フルオロ−4゛ビフエニ
ルカルボキシレート0.30t (66,7%)を得た
。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で560に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で560に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をi察した。その結果を表−2に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化をi察した。その結果を表−2に
示す。
実施例31
実施例18(d)における(S)−4−(2−メチルブ
チル)オキシフェノール0.16 fに替えて、実施例
8(b)で得られる2−フルオロ−4−ペンチルフェノ
ール0.23 gを用い、曲は¥施例18fd)と同様
に操作して2−フルオロ−4−ベンチルフェニル上4−
デシルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカル
ボキシレート0.21g(4L8%)を得た。
チル)オキシフェノール0.16 fに替えて、実施例
8(b)で得られる2−フルオロ−4−ペンチルフェノ
ール0.23 gを用い、曲は¥施例18fd)と同様
に操作して2−フルオロ−4−ベンチルフェニル上4−
デシルオキシ−2°−フルオロ−4°−ビフェニルカル
ボキシレート0.21g(4L8%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で536に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で536に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をi察しな、その結果を表−2に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化をi察しな、その結果を表−2に
示す。
実施例32
F F
C1o H2N −0−こ)−ンフーCOOb O−C
8HI3 のき成実施例18(d)における(S)−4
−(2−メチルブチル)オキシフェノール0.16fに
替えて、実施例6(b)で得られる3−フルオロ−4〜
オクチルオキシフェノール0.19gを用い、曲は実施
例18(d)と同様に操作して3−フルオロ−4オクチ
ルオキシフエニルご4−デシルオキシ−2゛−フルオロ
−4゛−ビフェニル力ルポキシレ−ト0.22g <
45.8%)を得た。
8HI3 のき成実施例18(d)における(S)−4
−(2−メチルブチル)オキシフェノール0.16fに
替えて、実施例6(b)で得られる3−フルオロ−4〜
オクチルオキシフェノール0.19gを用い、曲は実施
例18(d)と同様に操作して3−フルオロ−4オクチ
ルオキシフエニルご4−デシルオキシ−2゛−フルオロ
−4゛−ビフェニル力ルポキシレ−ト0.22g <
45.8%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で594に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で594に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−2に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−2に
示す。
実施例33
反応器にマグネシウム片1.03sr並びに少量のヨウ
素を仕込み、これに実施例1(C)で得られる[5)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ2°−フルオロ−4
゛−ブロムビフェニル14trのTHE 20ni!J
M力少量を加え、加温して反応を開始させた後、残りの
THE溶液を撹拌下に滴下し、更に2時間撹拌還流し、
グリニヤール試薬を作成した。
素を仕込み、これに実施例1(C)で得られる[5)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ2°−フルオロ−4
゛−ブロムビフェニル14trのTHE 20ni!J
M力少量を加え、加温して反応を開始させた後、残りの
THE溶液を撹拌下に滴下し、更に2時間撹拌還流し、
グリニヤール試薬を作成した。
別の容器に硼酸トリブチルエステル13.2gを仕込み
、40〜48°Cで先に作成したグリニヤール試薬を撹
拌下に滴下し、さらに2時間同温度で撹拌した0次いで
、30゛C以下で10%硫酸40−を滴下後、ベンゼン
100−を加えて抽出した。有機層を分取して別の反応
器に仕込み、これに35%過酸化水素水30−を40゛
Cで撹拌下に滴下し、同温度で2時間反応した0反応液
を水に注油し、有機層を亜硫酸水素ナトリウムで処理し
、水洗し、芒硝で脱水後、残留分をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(:容MMヘキサン/ 西[酸エチル
=10/’1)にて精製しく5)−4−(4メチルヘキ
シル)オキシ−2°−フルオロ−4゛ヒドロキシビフエ
ニル6.08+r (52,4%)を得た。
、40〜48°Cで先に作成したグリニヤール試薬を撹
拌下に滴下し、さらに2時間同温度で撹拌した0次いで
、30゛C以下で10%硫酸40−を滴下後、ベンゼン
100−を加えて抽出した。有機層を分取して別の反応
器に仕込み、これに35%過酸化水素水30−を40゛
Cで撹拌下に滴下し、同温度で2時間反応した0反応液
を水に注油し、有機層を亜硫酸水素ナトリウムで処理し
、水洗し、芒硝で脱水後、残留分をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィー(:容MMヘキサン/ 西[酸エチル
=10/’1)にて精製しく5)−4−(4メチルヘキ
シル)オキシ−2°−フルオロ−4゛ヒドロキシビフエ
ニル6.08+r (52,4%)を得た。
のき成
反応器に(a)で得た(S)−4−(4−メチルヘキシ
ル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ヒドロキシビフェ
ニル0.25g、4−オクチルオキシ安息香酸0.21
g 、 DCC0,20g、4−(ジメチルアミノ)ピ
リジン0.09.及び塩化メチレン30ai!を仕込み
、11時間室温で撹拌反応した。
ル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ヒドロキシビフェ
ニル0.25g、4−オクチルオキシ安息香酸0.21
g 、 DCC0,20g、4−(ジメチルアミノ)ピ
リジン0.09.及び塩化メチレン30ai!を仕込み
、11時間室温で撹拌反応した。
反応液を濾過し、P液を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン/′ベンゼン−2/ l )にて精製
し、次いでメタノール、′ア七トン混合溶楳で再結晶し
て(S)−4−<4メチルヘキシル)オキシ−2°−フ
ルオロビフェニル−4°−イル上4−オクチルオキジベ
ンゾエート0.27t (61,5%)を得た。
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン/′ベンゼン−2/ l )にて精製
し、次いでメタノール、′ア七トン混合溶楳で再結晶し
て(S)−4−<4メチルヘキシル)オキシ−2°−フ
ルオロビフェニル−4°−イル上4−オクチルオキジベ
ンゾエート0.27t (61,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で534に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で534に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例34
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.21.に替えて4−ウンデシル安息香酸0、24.
を用い、池は実施例33(b)と同様に操作して(S)
−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
ビフェニル−4゛−イルユ4−ウンデシルベンゾエート
0.45g (94,3%)を得た。
0.21.に替えて4−ウンデシル安息香酸0、24.
を用い、池は実施例33(b)と同様に操作して(S)
−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
ビフェニル−4゛−イルユ4−ウンデシルベンゾエート
0.45g (94,3%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP −82にはさみ
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
、偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
実施例35
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
G、21.に替えて4−オクチル安息香酸0.19.を
用い、他は実施例33(b)と同様に操作して(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロビ
フェニル−4°−イル≧4−オクチルベンゾエート0.
19sr (44,2%)を得た。
G、21.に替えて4−オクチル安息香酸0.19.を
用い、他は実施例33(b)と同様に操作して(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロビ
フェニル−4°−イル≧4−オクチルベンゾエート0.
19sr (44,2%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で518に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で518に分子イオンと−クが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
開光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
開光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例36
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.21.に替えて4−デシル安息香酸0,22gを用
い、他は実施例33(b)と同様に操作して(S)−4
−(4−メチルヘキシル)オキシ−2゜フルオロビフェ
ニル−4゛−イル上4−デシルベンゾエート0.26s
r (57,8%)を得た。
0.21.に替えて4−デシル安息香酸0,22gを用
い、他は実施例33(b)と同様に操作して(S)−4
−(4−メチルヘキシル)オキシ−2゜フルオロビフェ
ニル−4゛−イル上4−デシルベンゾエート0.26s
r (57,8%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で546に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で546に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察しな、その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察しな、その結果を表−3に
示す。
実施例37
(a) 。
CaH□ヮー0−とツーCM の合成実施例1(d)
における(S)−4−(・1−メチルヘキシル)オキシ
−2−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル11.7.に
替えて、実施例0(a)で得られた4−オクチルオキシ
−3−フルオロブロムベンゼン8.8tを用い、他は実
施例1 (d)と同様に操作して、粗4−オクチルオキ
シー3−フルオロベンゾニトリル4.7tを得た。
における(S)−4−(・1−メチルヘキシル)オキシ
−2−フルオロ−4゛−ブロムビフェニル11.7.に
替えて、実施例0(a)で得られた4−オクチルオキシ
−3−フルオロブロムベンゼン8.8tを用い、他は実
施例1 (d)と同様に操作して、粗4−オクチルオキ
シー3−フルオロベンゾニトリル4.7tを得た。
実施5l(e)における租(S) −4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−シアノビフ
ェニル9.8gに替えて、(a)で得られた¥114−
オクチルオキシー3−フルオロベンゾニトリル4.7
、を用い、他は同様に操作して、4−オクチルオキシ−
3−フルオロ安息香酸3.5g (69,2%)を得た
。
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−シアノビフ
ェニル9.8gに替えて、(a)で得られた¥114−
オクチルオキシー3−フルオロベンゾニトリル4.7
、を用い、他は同様に操作して、4−オクチルオキシ−
3−フルオロ安息香酸3.5g (69,2%)を得た
。
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.21fに替えて、(b)で得た4−オクチルオキシ
−3−フルオロ安息香io、31.を用い、他は実施例
33(b)と同様に操作することにより(S)−4−(
4−メチルヘキシル)オキシ−2゜−フルオロビフェニ
ルー4゛−イルご4−オクチルオキシ−3−フルオロベ
ンゾエート0.3g(54,5%)を得た。
0.21fに替えて、(b)で得た4−オクチルオキシ
−3−フルオロ安息香io、31.を用い、他は実施例
33(b)と同様に操作することにより(S)−4−(
4−メチルヘキシル)オキシ−2゜−フルオロビフェニ
ルー4゛−イルご4−オクチルオキシ−3−フルオロベ
ンゾエート0.3g(54,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。まなI
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
閤光顕m鏡下で相変化をII!察した。その結果を表−
3に示す。
閤光顕m鏡下で相変化をII!察した。その結果を表−
3に示す。
実施例38
実施例1(d)における(S)−4−(・1−メチルヘ
キシル)オキシ−2−フルオロ−4°−ブロムビフェニ
ル11.7gに替えて、実施例7(a)で得られた4−
デシルオキシ−3−フルオロブロムベンゼン9.7gを
用い、池は実施例1(d)と同様に操作して、粗4−デ
シルオキシー3−フルオロベンゾニトリル7.8gを得
た。
キシル)オキシ−2−フルオロ−4°−ブロムビフェニ
ル11.7gに替えて、実施例7(a)で得られた4−
デシルオキシ−3−フルオロブロムベンゼン9.7gを
用い、池は実施例1(d)と同様に操作して、粗4−デ
シルオキシー3−フルオロベンゾニトリル7.8gを得
た。
実施例1(e)における租(S)−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−シアノビフェ
ニル9.8gに替えて、(a)で得られた$14−デシ
ルオキシー3−フルオロベンゾニトリル7.8Kを用い
、他は同様に操作して、4デシルオキシ−3−フルオロ
安息香11fi5.o 。
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−シアノビフェ
ニル9.8gに替えて、(a)で得られた$14−デシ
ルオキシー3−フルオロベンゾニトリル7.8Kを用い
、他は同様に操作して、4デシルオキシ−3−フルオロ
安息香11fi5.o 。
(60,2%)を得た。
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香#
IiO,21,に替えて、(b)で得た4−デシルオキ
シ−3−フルオロ安息香酸0.30gを用い、他は実施
例33(b)と同様に操作することにより(S)−4−
<4−メチルヘキシル)オキシ−2フルオロビフェニル
−4°−イルご4−デシルオキシ−3−フルオロベンゾ
エート0.3g(62,5%)を得た。
IiO,21,に替えて、(b)で得た4−デシルオキ
シ−3−フルオロ安息香酸0.30gを用い、他は実施
例33(b)と同様に操作することにより(S)−4−
<4−メチルヘキシル)オキシ−2フルオロビフェニル
−4°−イルご4−デシルオキシ−3−フルオロベンゾ
エート0.3g(62,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の間隔から、得られた物
質が目的物であることを!認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の間隔から、得られた物
質が目的物であることを!認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類W1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
偏光類W1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
実施例39
の合成
実施例33(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.21gに替えて、4−デカノイルオキシ安息香#!
i0.24.を用い、他は実施例33(b)と同様に操
作することにより(S)−4−(4−メチルヘキシル)
オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−イル上4−
デカノイルオキシベンゾエート0.29g (60,4
%)を得た。
0.21gに替えて、4−デカノイルオキシ安息香#!
i0.24.を用い、他は実施例33(b)と同様に操
作することにより(S)−4−(4−メチルヘキシル)
オキシ−2゛−フルオロビフェニル−4°−イル上4−
デカノイルオキシベンゾエート0.29g (60,4
%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認しな。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例40
実施例33(a)における(S)−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル14tに替えて、実施例9(a)で得られる(R)
−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
−4°−ブロムビフェニル14gを用い、他は実施例3
3(a)と同様に操作して、(R)−4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2−フルオロ−4“−ヒドロキシビ
フェニル2.7g(23,3%)を得た。
キシル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル14tに替えて、実施例9(a)で得られる(R)
−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
−4°−ブロムビフェニル14gを用い、他は実施例3
3(a)と同様に操作して、(R)−4−(1−メチル
ヘキシル)オキシ−2−フルオロ−4“−ヒドロキシビ
フェニル2.7g(23,3%)を得た。
反応器に(a)で得た(R)−4−(1−メチル・\キ
シル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ヒドロキシビフ
ェニル0.30g、4−才クチルオキシ安息香酸0.2
5g 、 DCC0,20sr、4−(ジメチルアミノ
)ピリジン0.12 g及び塩化メチレン30−を仕込
み、11時間室温で撹拌反応した。
シル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ヒドロキシビフ
ェニル0.30g、4−才クチルオキシ安息香酸0.2
5g 、 DCC0,20sr、4−(ジメチルアミノ
)ピリジン0.12 g及び塩化メチレン30−を仕込
み、11時間室温で撹拌反応した。
反応液を濾過し、P液を水洗し、芒梢で脱水後、溶媒を
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン、′ベンゼン=2/’1)にて精製し
、次いでメタノール/′アセトン混合溶媒で再結晶して
[R)−・1−(1メチルヘキシル)オキシ−2゛−フ
ルオロビフェニル−4゛−イル上4−オクチルオキシベ
ンゾエート0.40t (75,5%)を得た。
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン、′ベンゼン=2/’1)にて精製し
、次いでメタノール/′アセトン混合溶媒で再結晶して
[R)−・1−(1メチルヘキシル)オキシ−2゛−フ
ルオロビフェニル−4゛−イル上4−オクチルオキシベ
ンゾエート0.40t (75,5%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で534に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をIll察した。その結果を表−
3に示す。
偏光顕微鏡下で相変化をIll察した。その結果を表−
3に示す。
実施例41
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香i
o、25tに替えて、4−ウンデシルオキシ安息香酸0
.29.を用い、他は実施例40(b)と同様に操作し
て、(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°
−フルオロビフェニル−4°−イル上4−ウンデシルオ
キシベンゾエート0.35g (61,4%)を得た。
o、25tに替えて、4−ウンデシルオキシ安息香酸0
.29.を用い、他は実施例40(b)と同様に操作し
て、(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°
−フルオロビフェニル−4°−イル上4−ウンデシルオ
キシベンゾエート0.35g (61,4%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びHaSS分析で576に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びHaSS分析で576に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例42
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.25Kに替えて、4−オクチル安息香酸0.23g
を用い、eは実施例40(b)と同様に操作して、(R
)−4−<1−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオ
ロビフェニル−4°−イル上4−オクチルベンゾエート
0.23. (45,1%)を得た。
0.25Kに替えて、4−オクチル安息香酸0.23g
を用い、eは実施例40(b)と同様に操作して、(R
)−4−<1−メチルヘキシル)オキシ−2゛−フルオ
ロビフェニル−4°−イル上4−オクチルベンゾエート
0.23. (45,1%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で518に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることをN認した。
R及びMass分析で518に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることをN認した。
この物をメトツーホットステージIP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化をlIl察した。その結果を表−
3に示す。
偏光顕微鏡下で相変化をlIl察した。その結果を表−
3に示す。
実施例43
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.25fに替えて、4−デシル安息香酸0.29gを
用い、他は実施例40(b)と同様に操作して、(R)
−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
ビフェニル−4°−イル上4−デシルベンゾエート0.
39g (72,2%)を得た。
0.25fに替えて、4−デシル安息香酸0.29gを
用い、他は実施例40(b)と同様に操作して、(R)
−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロ
ビフェニル−4°−イル上4−デシルベンゾエート0.
39g (72,2%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で546に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で546に分子イオンビークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例44
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.25gに替えて、実施例37(b)で得られる3−
フルオロ−4−オクチル安息香io、31゜を用い、他
は実施例40(b)と同様に操作して、(R)−4−(
1−メチルヘキシル)オキシ−2゜−フルオロビフェニ
ル−4゛−イル上3−フルオロ−4−オクチルオキシベ
ンゾエート0.33 g<60.0%)を得た。
0.25gに替えて、実施例37(b)で得られる3−
フルオロ−4−オクチル安息香io、31゜を用い、他
は実施例40(b)と同様に操作して、(R)−4−(
1−メチルヘキシル)オキシ−2゜−フルオロビフェニ
ル−4゛−イル上3−フルオロ−4−オクチルオキシベ
ンゾエート0.33 g<60.0%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及び5ass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及び5ass分析で552に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例45
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香酸
0.25fに替えて、実施例38(b)で得られる3−
フルオロ−4−デシルオキシ安息香酸0.3gを用い、
他は実施例40(b)と同様に操作して、(R)−4−
(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロビフェ
ニル−4°−イルご3−フルオロ−4−デシルオキシベ
ンゾエート0.39g(67,2%)を得な。
0.25fに替えて、実施例38(b)で得られる3−
フルオロ−4−デシルオキシ安息香酸0.3gを用い、
他は実施例40(b)と同様に操作して、(R)−4−
(1−メチルヘキシル)オキシ−2°−フルオロビフェ
ニル−4°−イルご3−フルオロ−4−デシルオキシベ
ンゾエート0.39g(67,2%)を得な。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類rR鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
偏光類rR鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
実施例46
実施例40(b)における4−オクチルオキシ安息香1
[0,25gに替えて、4−デカノイルオキシ安息香酸
0.29gを用い、他は実施例40(b)と同様に操作
して、(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2
°−フルオロビフェニル−4°−イル上4−デカノイル
オキシベンゾエート0.29f(50,9%)を得た。
[0,25gに替えて、4−デカノイルオキシ安息香酸
0.29gを用い、他は実施例40(b)と同様に操作
して、(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−2
°−フルオロビフェニル−4°−イル上4−デカノイル
オキシベンゾエート0.29f(50,9%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で576に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光類v1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
偏光類v1鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3
に示す。
実施例47
(a) F
CION21−0→Cンー七フトB「 の合成実施例1
(C)における(S)−4−メチルヘキシルブロマイ
ド8.0gに替え、デシルブロマイド4,7tを用い、
他は実施例1(C)と同様に操作して、4−デシルオキ
シ−2°−フルオロ−4−ブロムビフェニル6.2 g
(81,4%)を号な。
(C)における(S)−4−メチルヘキシルブロマイ
ド8.0gに替え、デシルブロマイド4,7tを用い、
他は実施例1(C)と同様に操作して、4−デシルオキ
シ−2°−フルオロ−4−ブロムビフェニル6.2 g
(81,4%)を号な。
実施例33(a)における(S)−4−(4−メチルヘ
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル14trに替えて(a)で得られた4−デシルオキ
シ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル1s、e
gを用い、他は実施例33(a)と同様に操作して4−
デシルオキシ−2”−フルオロ4゛−ヒドロキシフェニ
ル2L7tr (22,5%)を得た。
キシル)オキシ−2゛−フルオロ−4°−ブロムビフェ
ニル14trに替えて(a)で得られた4−デシルオキ
シ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニル1s、e
gを用い、他は実施例33(a)と同様に操作して4−
デシルオキシ−2”−フルオロ4゛−ヒドロキシフェニ
ル2L7tr (22,5%)を得た。
反応器に(b)で得た4−デシルオキシ−2°−フルオ
ロ−4゛−ヒドロキシビフェニル0.30g、(R)−
4−(1−メチルヘキシル)オキシ安息香酸0.22g
、 DCC0,21g、4−(ジメチルアミノ)ピリ
ジン0.10 g及び塩化メチレン30w1!を仕込み
、11時間室温で撹拌反応した。
ロ−4゛−ヒドロキシビフェニル0.30g、(R)−
4−(1−メチルヘキシル)オキシ安息香酸0.22g
、 DCC0,21g、4−(ジメチルアミノ)ピリ
ジン0.10 g及び塩化メチレン30w1!を仕込み
、11時間室温で撹拌反応した。
反応液を濾過し、P液を水洗し、芒硝で脱水後、溶媒を
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン/′ベンゼン=27’l)にて精製し
、次いでメタノール/アセトン混合温媒で再結晶して、
(R)−4−デシルオキシ−2°−フルオロビフェニル
−4°−イル≧4−(1−メチルヘキシル)オギシベン
ゾ工−ト0.39. (79,6%)を得た。
留去し、残留分をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液ヘキサン/′ベンゼン=27’l)にて精製し
、次いでメタノール/アセトン混合温媒で再結晶して、
(R)−4−デシルオキシ−2°−フルオロビフェニル
−4°−イル≧4−(1−メチルヘキシル)オギシベン
ゾ工−ト0.39. (79,6%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びHaSS分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びHaSS分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例48
の合成
実施例47(C)における(R)−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香酸0.22fに替えて、(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸o、2ig
を用い、他は実施例47(c)と同様に操作して(S)
−4−デシルオキシ−2°−フルオロビフェニル−4°
−イル=4−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエー
トo、29sr (59,2%)を得た。
キシル)オキシ安息香酸0.22fに替えて、(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ安息香酸o、2ig
を用い、他は実施例47(c)と同様に操作して(S)
−4−デシルオキシ−2°−フルオロビフェニル−4°
−イル=4−(4−メチルヘキシル)オキシベンゾエー
トo、29sr (59,2%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で562に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例49
牢
実施例1(d)における(S)−4−(4−メチルヘキ
シル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニ
ル11.7tに替えて、実施例22(a)で得られる(
S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオ
ロブロムベンゼン8.50.を用い、他は実施例1 (
d)と同様に操作して、¥It(S)−4−(4−メチ
ルヘキシル)オキシ−3−フルオロベンゾニトリル5.
2gを得た。
シル)オキシ−2°−フルオロ−4°−ブロムビフェニ
ル11.7tに替えて、実施例22(a)で得られる(
S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオ
ロブロムベンゼン8.50.を用い、他は実施例1 (
d)と同様に操作して、¥It(S)−4−(4−メチ
ルヘキシル)オキシ−3−フルオロベンゾニトリル5.
2gを得た。
実施例1 (e)における粗(S)−4−(4−メチル
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−シアノビフ
ェニル9.8gに替えて、(a)で得られた租(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオロベン
ゾニトリル5.2gを用い、他は実施例1(e)と同様
に操作して(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ
−3−フルオロ安息香酸4.9gを得た。
ヘキシル)オキシ−2°−フルオロ−4゛−シアノビフ
ェニル9.8gに替えて、(a)で得られた租(S)−
4−(4−メチルヘキシル)オキシ−3−フルオロベン
ゾニトリル5.2gを用い、他は実施例1(e)と同様
に操作して(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ
−3−フルオロ安息香酸4.9gを得た。
の合成
実施例47(c)における(R)−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香i10.22gに替えて、(b)
で得られた(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ
−3−フルオロ安息香酸0.28 trを用い、他は実
施例47(c)と同様に操作して(S)−4−デシルオ
キシ−2°−フルオロビフェニル4°−イルご4−メチ
ルヘキシル)オキシ−3−フルオロベンゾエート0.3
7g (73,3%)を得た。
キシル)オキシ安息香i10.22gに替えて、(b)
で得られた(S)−4−(4−メチルヘキシル)オキシ
−3−フルオロ安息香酸0.28 trを用い、他は実
施例47(c)と同様に操作して(S)−4−デシルオ
キシ−2°−フルオロビフェニル4°−イルご4−メチ
ルヘキシル)オキシ−3−フルオロベンゾエート0.3
7g (73,3%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
R及びMass分析で580に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関係から、得られた物
質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕微鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例50
反応器に苛性ソーダ3.9g並びに水30−eを仕込み
、水冷撹拌下に0℃にて臭素8gを滴下し、次亜臭素酸
ソーダ水溶液を調製した。別の容器に実施例2Hb)で
得られる(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘキ
シル)オキシアセトフェノン1.19.並びに1.4−
ジオキサン30−を仕込み、先に調製した次亜臭素酸ソ
ーダ水溶液を室温にて滴下し、50℃にて1時間加熱撹
拌した。
、水冷撹拌下に0℃にて臭素8gを滴下し、次亜臭素酸
ソーダ水溶液を調製した。別の容器に実施例2Hb)で
得られる(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘキ
シル)オキシアセトフェノン1.19.並びに1.4−
ジオキサン30−を仕込み、先に調製した次亜臭素酸ソ
ーダ水溶液を室温にて滴下し、50℃にて1時間加熱撹
拌した。
反応液を希塩酸に産前し、次いで重亜硫酸ソーダにて処
理後、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒
を留去し、(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香酸i、o tを得た。
理後、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒
を留去し、(R)−3−フルオロ−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香酸i、o tを得た。
実施例47(c)における(R)−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香酸0.22gに替えて、(a)で
得られた(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−
3−フルオロ安、巷、香酸Q、39gを用い、他は実線
例47(C)と同様に操作して(R)4−デシルオキシ
−2°−フルオロビフェニル4゛−イル≧4−(1−メ
チルヘキシル)オキシ3−フルオロベンゾエート0.3
3g (6G、0%)を得た。
キシル)オキシ安息香酸0.22gに替えて、(a)で
得られた(R)−4−(1−メチルヘキシル)オキシ−
3−フルオロ安、巷、香酸Q、39gを用い、他は実線
例47(C)と同様に操作して(R)4−デシルオキシ
−2°−フルオロビフェニル4゛−イル≧4−(1−メ
チルヘキシル)オキシ3−フルオロベンゾエート0.3
3g (6G、0%)を得た。
この物の純度はHP L Cで99%以上であった。ま
たIR及びMass分析で580に分子イオンビーフカ
(認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得ら
れた物質が目的物であることを確認した。
たIR及びMass分析で580に分子イオンビーフカ
(認められたこと、並びに用いた原料の関係から、得ら
れた物質が目的物であることを確認した。
この物をメトツーホットステージFP−82にはさみ、
偏光顕m鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
偏光顕m鏡下で相変化を観察した。その結果を表−3に
示す。
実施例51
反応器に実施例23fa)で得られる1ll)−3−ブ
ロム−4−(1−メチルヘプチル)オキシアセトフェノ
ン6.0 g、シアン化第−jf12.46g並びにN
−メチル−2−ピロリジノン30meを仕込み、140
〜150°Cで28時間加熱撹拌した0反応液を塩化第
二鉄8tr、濃塩酸2d及び水20−からなる水溶液に
て処理し、クロロホルムで抽出し、水洗し、芒硝で脱水
後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルクロマトグラフ
ィー(溶離液へキサン/ベンゼン=3/1)て精製し、
(R)−3−シアノ−4−(1−メチルヘプチル)オキ
シアセトフェノン1.28g (25,7%)を得た。
ロム−4−(1−メチルヘプチル)オキシアセトフェノ
ン6.0 g、シアン化第−jf12.46g並びにN
−メチル−2−ピロリジノン30meを仕込み、140
〜150°Cで28時間加熱撹拌した0反応液を塩化第
二鉄8tr、濃塩酸2d及び水20−からなる水溶液に
て処理し、クロロホルムで抽出し、水洗し、芒硝で脱水
後、溶媒を留去し、残留分をシリカゲルクロマトグラフ
ィー(溶離液へキサン/ベンゼン=3/1)て精製し、
(R)−3−シアノ−4−(1−メチルヘプチル)オキ
シアセトフェノン1.28g (25,7%)を得た。
反応器に苛性ソーダ4.4g並びに水30自eを仕込み
、水冷撹拌下に0゛Cにて臭素5gを滴下し、次亜臭素
酸ソーダ水溶液を調製した。別の容器に[a)で得られ
た(R) −3−シアノ−4−(1−メチルヘプチル)
オキシアセトフェノン1.281並びに1.4−ジオキ
サン20−を仕込み、先に調製した次亜臭素酸ソーダ水
溶液を室温にて滴下し、40℃にて1時間加熱撹拌した
。
、水冷撹拌下に0゛Cにて臭素5gを滴下し、次亜臭素
酸ソーダ水溶液を調製した。別の容器に[a)で得られ
た(R) −3−シアノ−4−(1−メチルヘプチル)
オキシアセトフェノン1.281並びに1.4−ジオキ
サン20−を仕込み、先に調製した次亜臭素酸ソーダ水
溶液を室温にて滴下し、40℃にて1時間加熱撹拌した
。
反応液を希塩酸に産前し、次いで重亜硫酸ソーダにて処
理後、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒
を留去し、残留分をヘキサンで再結晶して(R)−3−
シアノ−4−(1メチルヘプチル)オキレ安磨、香酸0
.81 g < 62.8%)を得た。
理後、ベンゼンで抽出し、水洗し、芒硝で脱水後、溶媒
を留去し、残留分をヘキサンで再結晶して(R)−3−
シアノ−4−(1メチルヘプチル)オキレ安磨、香酸0
.81 g < 62.8%)を得た。
の合成
実施例47(c)における(R)−4−(1−メチルヘ
キシル)オキシ安息香酸0.22.に件えて、(blで
得られた(R)−3−シアノ−4−(1メチルへブチル
)オキシ安息香酸0.24gを用い、池は実施例47(
c)と同様に操作してfR)−4−デシルオキシ−2゛
−フルオロビフェニル−4゜イル上3−シアノ−4−(
l−メチルヘプチル)オキシベンゾエート0.21g
(40,4%)を得た。
キシル)オキシ安息香酸0.22.に件えて、(blで
得られた(R)−3−シアノ−4−(1メチルへブチル
)オキシ安息香酸0.24gを用い、池は実施例47(
c)と同様に操作してfR)−4−デシルオキシ−2゛
−フルオロビフェニル−4゜イル上3−シアノ−4−(
l−メチルヘプチル)オキシベンゾエート0.21g
(40,4%)を得た。
この物の純度はHPLCで99%以上であった。またI
R及びMass分析で601に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関1系から、得られた
1勿質が目的1勿て゛あることを確認した。
R及びMass分析で601に分子イオンピークが認め
られたこと、並びに用いた原料の関1系から、得られた
1勿質が目的1勿て゛あることを確認した。
この1勿をメトツーホ“ソトステーシ゛FP−82には
さみ、閤光顕y&鏡下で相変化を観察しな、その結果を
表−3に示す。
さみ、閤光顕y&鏡下で相変化を観察しな、その結果を
表−3に示す。
実施例52
表面にポリビニルアルコール(Pν八)を塗布し、その
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備
えたセル厚3μlの液晶セルを作製し、この液晶セルに
実施例14,41.45の化合物をそれぞれ封入し、等
方性液体からSIC’相まで徐冷して液晶素子を作製し
た。この液晶素子を2枚の偏光板に挾み、±25V、2
00 t(zの矩形波を印加し、透過光強度の変化から
応答時間をそれぞれ求めた。その結果を下に示す。
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電極を備
えたセル厚3μlの液晶セルを作製し、この液晶セルに
実施例14,41.45の化合物をそれぞれ封入し、等
方性液体からSIC’相まで徐冷して液晶素子を作製し
た。この液晶素子を2枚の偏光板に挾み、±25V、2
00 t(zの矩形波を印加し、透過光強度の変化から
応答時間をそれぞれ求めた。その結果を下に示す。
実施例番号 応答時間(μsec ) 測定温度f℃
+41 240 75.645
225 60.2実施例53 実施例13並びに実施例23で得られた化合物をそれぞ
れ下記に示すピリミジン液晶組成物と重量比10:90
の割合で混合し、新たに液晶組成物を調製した。これら
液晶組成物の応答時間(τ)を実施例52に示した手順
に従って測定した。その結果を下に示す。
+41 240 75.645
225 60.2実施例53 実施例13並びに実施例23で得られた化合物をそれぞ
れ下記に示すピリミジン液晶組成物と重量比10:90
の割合で混合し、新たに液晶組成物を調製した。これら
液晶組成物の応答時間(τ)を実施例52に示した手順
に従って測定した。その結果を下に示す。
内は測定温度を示す
Claims (10)
- (1)一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (R^1及びR^2は炭素原子数1〜18の直鎖状また
は分枝鎖状アルキル基を表しYはCOOまたはOCOを
表し、Zは単結合、O、COOまたはOCOを表し、X
_1及びX_2はいずれか一方がフッ素原子で他方が水
素原子であることを表し、X_3及びX_4はそれぞれ
水素原子、フッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表す
)で表されるフッ素置換ビフェニル誘導体化合物。 - (2)前記一般式( I )におけるR^1及び(又は)
R^2が不斉炭素原子を有するアルキル基である請求項
1記載の化合物。 - (3)前記一般式( I )におけるX_1が水素原子で
X_2がフッ素原子である請求項1又は2に記載の化合
物。 - (4)前記の化合物が光学活性を有する化合物である請
求項2記載の化合物。 - (5)前記の化合物が光学活性を有しない化合物である
請求項1記載の化合物。 - (6)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (R^1及びR^2は炭素原子数1〜18の直鎖状また
は分枝鎖状アルキル基を表し、YはCOOまたはOCO
を表し、Zは単結合、O、COOまたはOCOを表し、
X_1及びX_2はいずれか一方がフッ素原子で他方が
水素原子であることを表し、X_3及びX_4はそれぞ
れ水素原子、フッ素原子、塩素原子またはシアノ基を表
す)で表されるフッ素置換ビフェニル誘導体化合物の少
なくとも一種を含有することを特徴とする液晶組成物。 - (7)前記化合物として、前記一般式( I )における
R^1及び(又は)R^2が不斉炭素原子を有するアル
キル基である化合物を含有する請求項6記載の液晶組成
物。 - (8)前記化合物として、前記一般式( I )における
X_1が水素原子でX_2がフッ素原子である化合物を
含有する請求項6又は7に記載の液晶組成物。 - (9)前記一般式( I )の化合物が光学活性を有する
化合物である請求項7記載の液晶組成物。 - (10)前記一般式( I )の化合物が光学活性を有し
ない化合物である請求項6記載の液晶組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32775588A JPH0776195B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | フツ素置換ビフエニル誘導体並びに液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32775588A JPH0776195B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | フツ素置換ビフエニル誘導体並びに液晶組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02174747A true JPH02174747A (ja) | 1990-07-06 |
JPH0776195B2 JPH0776195B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=18202625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32775588A Expired - Lifetime JPH0776195B2 (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | フツ素置換ビフエニル誘導体並びに液晶組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0776195B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545747A (en) * | 1990-08-16 | 1996-08-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Cyclobutanecarboxylic acid derivatives and liquid crystalline compositions containing them |
JP2007291046A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Adeka Corp | 新規化合物及び該化合物を含有してなる液晶組成物 |
JP2011202155A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Nippon A&L Inc | 熱可塑性樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32775588A patent/JPH0776195B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5545747A (en) * | 1990-08-16 | 1996-08-13 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Cyclobutanecarboxylic acid derivatives and liquid crystalline compositions containing them |
JP2007291046A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Adeka Corp | 新規化合物及び該化合物を含有してなる液晶組成物 |
JP2011202155A (ja) * | 2010-03-03 | 2011-10-13 | Nippon A&L Inc | 熱可塑性樹脂組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0776195B2 (ja) | 1995-08-16 |
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