JP2740347B2 - 液晶用キラルドーピング剤として用いられる光学活性化合物及びその製法 - Google Patents

液晶用キラルドーピング剤として用いられる光学活性化合物及びその製法

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶のための新規なキラルなドーピング剤及
びその製造方法に関し、またこのようなドーピング剤を
含有する液晶混合物と、それらの光学的及び電気光学的
目的への使用に関するものである。
電気光学的表示器のための液晶物質は、キラルな構造
を誘導するために、１種又はそれ以上の光学活性添加剤
をしばしば含有する。たとえば、ねじれネマチック構造
を有する表示装置に用いるには、ネマチック液は、たと
えばTN（ねじれネマチック）セルでねじれ方向の逆転
（逆ねじれ）を避けるため、又はSTN（超ねじれネマチ
ック）セル、SBE（超複屈折効果）セル又はOMI（光学モ
ード干渉）セルのように高度にねじれたネマチック構造
で適度のねじれを得るために、好ましくは光学活性添加
剤でドープする。さらに、相変換セル用のコレステリッ
ク液晶は好ましくはネマチックなベース物質と１種又は
それ以上の光学活性ドーピング剤からなることができ、
キラルなチルトスメクチック相に基づく表示装置用の強
誘電性液晶は、好ましくはチルトスメクチック相を有す
る物質と１種又はそれ以上の光学活性ドーピング剤から
なることができる。
液晶表示装置の電気光学的特性は温度依存性であり、
このことは複合的な操作を行う場合にはとくに厄介であ
る。しかし、この温度依存性は、温度の上昇とともにピ
ッチの減少をもたらすキラルなドーピング剤を加えるこ
とによって、少なくとも部分的には補償できることが知
られている。このような逆温度依存性は、わずかの化合
物についてのみ見出されている。しかし、このことは、
異なる相対的温度依存性を有し、異なるねじれ方向をも
たらす少なくとも２種のキラルなドーピング剤を用いる
ことによってもまた、到達することができる。（西独公
開特許2827471号）。もちろん、通常、これには比較的
多量のキラルなドーピング剤が必要である。
コレステリック液晶は、波長が分子のらせん構造のピ
ッチとほぼ同じ波長範囲の光のみをとくに反射する。こ
の反射光のスペクトルの幅は、適する液晶を選択するこ
とによって変えることができる。反射光は完全に円偏光
している。反射光の回転方向はコレステリックならせん
構造の方向に依存する。逆の円偏光は減衰しないで伝送
される。これらの性質は光学フィルター、偏光器、分析
器などの製造に利用される。さらに、コレステリック液
晶もまた熱変色性の応用や化粧品の製造にいろいろと用
いることができる。
上記の応用のためのコレステリック液晶は、好ましく
はネマチック又はコレステリックなベース物質と、所望
のらせんピッチへの手軽な調節を可能にする１種又は２
種以上のキラルなドーピング剤とからなることができ
る。
可視光の波長の範囲のピッチを有するコレステリック
な混合物を得るには、キラルなドーピング剤はできるだ
け高いねじれ容量と、通常の液晶物質への良好な溶解性
をもたねばならない。そのうえ、キラルなドーピング剤
は適度の安定性を有さねばならず、中間相タイプの液晶
物質と良好な適合性をもたねばならず、中間相の範囲を
あまり強く制約してはならない。このような性質は、液
晶物質の性質がほんの取るに足らない影響しか受けない
よう、ドーピング剤の量を低く保つことができるよう
に、先に述べたねじれネマチック構造を生み出すキラル
なドーピング剤にも望まれるであろう。
本発明は、一般式 （式中、Ａは1,1′−ビナフチル−2,2′−ジイル、−CH
R1−CHR2−又はーCH(COOR3)−CH(COOR4)−から選ばれた
光学活性基を表し;Zは−(CH2)4−、−O(CH2)3−又はト
ランス形の−OCH2−CH＝CH−基を表し；R1は水素、メチ
ル、フェニル又はシクロヘキシルを表し；R2はメチル、
フェニル又はシクロヘキシルを表し；R3及びR4はアルキ
ル基を表し;Yは−CO−又は−CH2−を表し；環Ｂは1,4−
フェニレン又はトランス−1,4−シクロヘキシレンを表
し;Rは水素、アルキル、アルコキシ又はシアノを表す）
で示される光学活性化合物に関する。
式Ｉの化合物は、通常の液晶物質の中で、良好な溶解
性と高いねじれ容量で特徴づけられる。基−Ｏ−Ｙ−及
びとくに４個の鎖原子を有する橋かけ基Ｚは、光学活性
基Ａに結合した環状の残基に柔軟性を与える。しかし驚
いたことに、この高い柔軟性は澄明点の強い降下をもた
らさない。すなわち式Ｉのキラルなドーピング剤の添加
によって、液晶の中間相領域は制約されないか、比較的
わずかに制約されるに過ぎない。そのうえ、式Ｉの化合
物は容易に製造でき、化学的な影響に対して、また電場
や磁場の影響に対して適切に安定である。それゆえ、そ
れらは先に言及した要求を最適のあり方で満たすのであ
る。
前述の“アルキル”及び“アルコキシ”は本発明にお
いて、直鎖状又は分岐状の、好ましくは炭素数が最大12
の、メチル、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、
２−メチルブチル、ペンチル、３−メチルペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、メトキシ、エトキシ、プロピルオキ
シ、ブチルオキシ、イソブチルオキシ、２−メチルブチ
ルオキシ、ペンチルオキシ、３−メチルペンチルオキ
シ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキ
シ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、
ドデシルオキシなどのような範囲を表す。直鎖状の残基
が一般に好ましい。好ましいアルキル及びアルコキシ残
基ＲはC1〜C12アルキル及びC1〜C12アルコキシであり、
とくにC1〜C7アルキル及びC1〜C7アルコキシである。好
ましいアルキル残基R3及びR4はC1〜C7アルキルであり、
とくにメチル、エチル、プロピル及びブチルのようなC1
〜C4アルキルである。
光学活性基Ａは光学活性ジオールHO−Ａ−OHの２官能
性基（水酸基を開裂した後）である。基Ａはとくに
（Ｒ）−形及び（Ｓ）−形の1,1′−ビナフチル−2,2′
−ジイル及び−CHR1−CHR2−を包含し（ここでR1は水素
を表し）、あるいは（R,R）−形及び（S,S）−形の−CH
(COOR3)−CH(COOR4)−及び−CHR1−CHR2−を包含する
（ここでR1は水素と異なる）。
光学活性基Ａ及びそれぞれの橋かけ基Ｚの種類によっ
て、式Ｉは下記の一般式の光学活性化合物を包含する。
（式中、Ａ、Ｒ、R1、R2、R3、R4、Ｙ、Ｚ及び環Ｂは上
述の定義を有する）。
上記の式において、R1は好ましくは水素又はR2と同じ
残基である。
R3とR4は同じ種類又は異なる種類であって、好ましく
はC1〜C7アルキル、とくに好ましくはC1〜C4アルキルで
ある。R3とR4は好ましくは同じ種類である。
好ましい光学活性基Ａの例は、（Ｒ）−1,1′−ビナ
フチル−2,2′−ジイル、（Ｒ）−1,2−プロピレン、
（Ｒ）−１−フェニル−1,2−エチレン、（Ｒ）−１−
シクロヘキシル−1,2−エチレン、（2R,3R）−2,3−ブ
チレン、（1R,2R）−1,2−ジフェニル−1,2−エチレン
及びこれらの化合物の鏡像体（すなわち、対応する
（Ｓ）−型及びそれぞれの（S,S）−形）である。
さらに好ましい基Ａは（S,S）−形及び（R,R）−形の
−CH(COOR3)−CH(COOR4)−であり、ここでR3及びR4はC1
〜C4アルキルである。
一般に、上記の式の好ましい化合物は、ＲがC1〜C12
アルキル又はシアノである化合物である。
好ましくは、環Ｂが1,4−フェニレンを表し、及び／
又はＹが−CO−を表す。一般にこれらのうち好ましい化
合物は、Ｚが−O(CH2)3−を表し、Ｙが−CO−を表し、
環Ｂが1,4−フェニレンである。
式Ｉの化合物は、本発明によれば次のようにして製造
できる。すなわち、 ａ）Ｙが−CO−を表す式Ｉの化合物の製造のために、一
般式 （式中、Ａは上述の定義を表す）で示される光学活性ジ
オールを、一般式 （式中、Ｒ、Ｚ及び環Ｂは上述の定義を表す）で示され
るカルボン酸又はその適当な誘導体でエステル化する、
又は ｂ）Ｙが−CH2−を表す式Ｉの化合物の製造のために、
一般式 （式中、Ａは上述の定義を表し、Ｍはアルカリ金属を表
す）で示される光学活性ジオラートを、一般式 （式中、Ｒ、Ｚ及び環Ｂは上述の定義を表し、Ｌは放出
基を表す）で示される化合物でエーテル化する。
式IIのジオールの、式IIIのカルボン酸又は適当な誘
導体（たとえば酸クロリド又は酸無水物）によるエステ
ル化は、それ自身公知の方法で行うことができる。好ま
しい方法は、ジオールとカルボン酸の反応を不活性の有
機溶媒（たとえば塩化メチレンのようなハロゲン化炭化
水素）中で、４−（ジメチルアミノ）ピリジン及びN,
N′−ジシクロヘキシルカルボジイミドの存在下に行う
ことである。
式IVのジオラートを式Ｖの化合物でエーテル化するこ
とは、それ自身公知の方法で、たとえばトルエン、ベン
ゼン、ヘキサンなどの不活性有機溶媒中で、高温で反応
させることで行うことができる。Ｍは好ましくはリチウ
ム、ナトリウム又はカリウムであり、とくにナトリウム
である。ジオラートは式IIのジオールから公知の方法
で、たとえばそれぞれのアルカリ金属又はアルカリ金属
水素化物との反応で得ることができる。Ｌは通常のSN2
反応で放出する基、たとえば塩素、臭素又はヨウ素のよ
うなハロゲン原子;p−トルエンスルホニルオキシのよう
なスルホニルオキシ基などを表す。
式IIの光学活性ジオールは公知であるか、公知の化合
物の類似体である。そのうえ、これらのジオールの多く
は商業的に入手しうる。式IIIとＶの化合物の製造は、
公知の方法によって、たとえば実施例に示した手順によ
って実施することができる。
本発明はまた液晶担体物質と１種又はそれ以上の式Ｉ
の光学活性物質を含有する液晶混合物に関する。好適な
担体物質は、基本的には適切な中間相の範囲のねじれ液
晶相を有するすべての液晶物質である。式Ｉの化合物は
マネチック又はコレステリック担体物質のためのキラル
なドーピング剤としてとくに適している。液晶担体物質
は、澄明点が約60℃以上、とくに約80℃以上の単一化合
物又は混合物が好ましい。
式Ｉのキラルなドーピング剤の量は、本質的にそのね
じれ容量及び所望のピッチによって決定される。それゆ
え、キラルなドーピング剤の量は用途に応じて、たとえ
ば約0.1〜30重量％の広い範囲で変えることができる。
ねじれネマチック構造を有する液晶に基づく表示装置に
は、セルの型とセルの厚さに応じて通常約３〜40μｍの
ピッチが要求され、それゆえ、相当する少ない量で十分
である。一方、コレステリック層による可視光の反射に
基づく用途には、約0.4〜0.6μｍのピッチが要求され、
相当する多量のキラルなドーピング剤を必要とする。
好適な液晶担体物質は多くのものが公知であり、商業
的に入手しうる。一般に、２種又はそれ以上の成分を含
有する液晶混合物が、担体物質として好ましい。しかし
基本的には、十分に広い中間相を有するときは、１個の
液晶化合物を担体物質として用いることができる。
下記の一般式の化合物が、液晶担体物質の成分として
適している。
（式中、ｎは０又は１の数を表し；R5はアルキル、アル
コキシ、アルケニル又はアルケニルオキシを表し；R6は
シアノ、アルキル、アルコキシ、アルケニル又はアルケ
ニルオキシを表し；R7及びR8はおのおの独立してアルキ
ル又はアルケニルを表し；環Ｃは1,4−フェニレン又は
トランス−1,4−シクロヘキシレンを表し；Z1は共有一
重結合、−COO−又は−CH2CH2−を表し；そしてZ2は共
有一重結合又は−CH2CH2−を表す。） R5、R6、R7及びR8はおのおの好ましくは最大12個の炭
素原子、とくに好ましくは最大７個の炭素原子を有す
る。好ましいアルケニル基は1E−アルケニル、3E−アル
ケニル及び4Z−アルケニルである。好ましいアルケニル
オキシ基は2E−アルケニルオキシ及び3Z−アルケニルオ
キシである。
以下の実施例により、本発明をさらに詳細に説明す
る。液晶相と相転移に関連して、Ｃは結晶相、Ｎはネマ
チック相、N*はコレステリック相、そしてＩはイソトロ
ピック相を示す。らせんピッチはｐで表す。光学的対掌
体はおのおのの場合“鏡像性”、すなわち、同じ融点な
どを有するが、回転方向が逆のらせん構造と、反射光の
逆の円偏光をもたらす。
実施例１ 0.5gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）−１−ブチル］安息香酸、0.1gのＲ（＋）−1,
1′−ジ−２−ナフトール及び0.04gの４−（ジメチルア
ミノ）ピリジンを50mlの塩化メチレンに溶解し、撹拌し
ながら0.3gのN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド
を少しずつ10分かけて加えた。混合物を室温で一夜撹拌
し、それから過した。液を塩化メチレンで希釈し、
毎回50mlの飽和炭酸ナトリウム溶液で２回洗浄し、それ
から水で洗浄して、硫酸マグネシウム上で乾燥し、過
し、ついで濃縮した。溶離剤としてトルエンを用いて、
得られた粗生成物をシリカゲル上でクロマトグラフィー
によって精製した。エタノールより再結晶を行い、油状
物として（Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾ
イルオキシ］−1,1′−ビナフチル（融点＜25℃）を得
た。
出発物質として使用した４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］安息香酸は、
次のようにして合成した。
（ａ）20gの３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−プロパナール、66gの４−シアノベンジル
−トリフェニルホスホニウムブロミド及び500mlのtert
−ブチルメチルエーテルの混合物に、０℃でアルゴンガ
スを通しながら16gのカリウム−tert−ブチラートを加
えた。反応混合物を室温で２時間撹拌してから、水を加
えた。反応混合物を毎回50mlのジエチルエーテルで３回
抽出した。集めた有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、過して、ついで濃縮した。残渣をヘキ
サンで数回処理した。集めた有機相を数回濃縮した。溶
離剤としてヘキサンを用い、得られた粗生成物をシリカ
ゲル上でクロマトグラフィーによって精製した。これに
よって40gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−１−ブテニル］ベンゾニトリル（シス／
トランス混合物）を得た。
（ｂ）40gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−１−ブテニル］ベンゾニトリル、2gのカ
ーボン担持パラジウム（５％）及び250mlの酢酸エチル
の混合物を、水素ガスを通しながら撹拌した。ついで、
無機物を別して、液を濃縮した。溶離剤としてトル
エン／酢酸エチル混液（容量9:1）を用いて、残渣をシ
リカゲル上でクロマトグラフィーによって精製した。エ
タノールから再結晶によって純粋な４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ゾニトリルを得た。融点は51℃であった。
（ｃ）36gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾニトリル、300mlの
濃硫酸、300mlの氷酢酸及び300mlの水の混合物を120℃
の温度に一夜加熱した。冷却した反応混合物を氷水に注
加して、白色の沈澱を別した。液を水で洗浄し、そ
れからエタノールより再結晶した。28gの４−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチ
ル］安息香酸を得た。融点（Ｃ−Ｎ）は195℃、澄明点
（Ｎ−Ｉ）は199℃であった。
以下の化合物を、同様な方法で製造することができ
た。
（Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］−１−フェニルエタン、融点103℃； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］プロパン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］ブタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオ
キシ］−1,2−ジフェニルエタン； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベ
ンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ゾイルオキシ］ブタンジオアート； これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製
造できた。
実施例２ 2.0gのＲ（＋）−1,1′−ジ−２−ナフトール、5.0g
の４−［３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−プロピルオキシ］安息香酸、3.0gのN,N′−
ジシクロヘキシルカルボジイミド、0.1gの４−（ジメチ
ルアミノ）ピリジン及び500mlの塩化メチレンを実施例
１と類似の方法で反応させて、6.5gの（Ｒ）−2,2′−
ビス［４−［３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−プロピルオキシ］ベンゾイルオキシ］−1,
1′−ビナフチルを得た。融点は50℃であった。
出発物質として使用した４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］安息
香酸は、次のようにして合成した。
（ａ）1.9gの４−ヒドロキシベンズアルデヒド、5.0gの
３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
プロピルブロミド、8.3gの炭酸カリウム及び50mlのメチ
ルエチルケトンを還流下に一夜加熱した。ついで、冷却
した反応混合物を水中に注加し、毎回50mlのジエチルエ
ーテルで３回抽出した。集めた有機相を500mlの水で洗
浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、過して濃縮し
た。溶離剤としてトルエンを用い、残渣をシリカゲル上
でクロマトグラフィーにかけ、エタノールから再結晶し
て、6.0gの純粋な４−［３−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンズアルデ
ヒドを得た。
（ｂ）5gの４−［３−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンズアルデヒドを
100mlのアセトンに溶解し、10mlのジョーンズ試薬を滴
下した。混合物を室温で一時間撹拌し、それから100ml
の水中に注加した。その結果生じた沈澱を別し、水で
何度も洗浄して、真空で乾燥した。粗生成物をエタノー
ルから再結晶して、2.2gの純粋な４−［３−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］安息香酸を得た。融点（C-N）は204℃、澄明点（N-
I）は215℃であった。
下記の化合物を、同様な方法で製造することができ
た。
（Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］−ベ
ンゾイルオキシ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］−ベ
ンゾイルオキシ］−1,1′−ビナフチル； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン、融点109℃； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン、融点75℃； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン、融点115℃； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ−ベンゾ
イルオキシ］プロパン； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート、融点59℃； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオ
キシ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート、融点66℃； これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製
造できた。
実施例３ 1.0gのＲ（＋）−1,1′−ジ−２−ナフトール、2.5g
の４−［（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）アリルオキシ］安息香酸、1.3gのN,N′−ジ
シクロヘキシルカルボジイミド、0.04gの４−（ジメチ
ルアミノ）ピリジン及び250gの塩化メチレンを実施例１
と類似の方法で反応させて、2.2gの（Ｒ）−2,2′−ビ
ス［４−［（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾイルオキシ］−1,
1′−ビナフチルを得た。融点は93℃であった。
出発物質として使用した４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］安息
香酸は、次のようにして合成した。
（ａ）13.5gのエチル（Ｅ）−３−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）アクリラートを100mlの塩化メ
チレンに溶解した溶液に、−78℃で窒素ガスを通しなが
ら、水素化ジイソプロピルアルミニウムのヘキサン20％
溶液を滴下した。添加が終了したのち、微黄色の溶液を
さらに一時間撹拌し、それから10mlの25％塩酸を注意深
く添加した。反応混合物を100mlの水中に注加し、有機
相を分離した。水相を毎回100mlの塩化メチレンで２
回、逆抽出した。集めた有機相を500mlの水、500mlの濃
重炭酸カリウム溶液、そして再び500mlの水で洗浄し
た。ついで硫酸マグネシウム上で乾燥し、過して濃縮
した。蒸留残渣として10gの（Ｅ）−３−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）アリルアルコールを得
た。沸点は174〜175℃/15mmHgであった。
（ｂ）5.0gの（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）アリルアルコール、2.9gの４−ヒドロキ
シベンズアルデヒド、4.1gのアゾジカルボン酸ジエチ
ル、6.2gのトリフェニルホスフィン及び100mlのテトラ
ヒドロフランの混合物を室温で一夜撹拌し、それから濃
縮した。残渣を300mlのヘキサン中にけん濁させ、過
して再び濃縮した。溶離剤としてトルエンを用いて、残
渣をシリカゲル上でクロマトグラフィーにかけ、ヘキサ
ンからの再結晶によって、4.5gの純粋な４−［（Ｅ）−
３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリル
オキシベンズアルデヒドを得た。融点は55℃であった。
（ｃ）4.0gの４−［（Ｅ）−３−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンズアルデヒ
ド、10mlのジョーンズ試薬及び100mlのアセトンを、実
施例２（ｂ）と類似の方法で反応させて、2.6gの４−
［（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）アリルオキシ］安息香酸を得た。融点は215℃であ
った。
下記の化合物を、同様な方法で製造することができ
た。
（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−ヘプチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］ブタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−ヘプチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン、融点101℃； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−ヘプチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［（Ｅ）−３−（トランス
−４−ヘプチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンゾ
イルオキシ］プロパン； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオ
キシ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート； これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製
造できた。
実施例４ 0.5gのナトリウム−Ｒ（−）−１−フェニル−1,2−
エタンジオラート、2gのｐ−トルエンスルホン酸−４−
［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１
−ブチル］ベンジル及び100mlのトルエンを還流下に48
時間加熱し、それから過を行った。液を濃縮し、残
渣をトルエンとともにシリカゲルによるクロマトグラフ
ィーによって精製した。エタノールより再結晶して、
（Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンゾイルオキ
シ］−１−フェニルエタンを得た。
出発物質として使用したｐ−トルエンスルホン酸−４
−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−
１−ブチル］ベンジルは、次のようにして合成した。
（ａ）3.8gの水素化リチウムアルミニウムを、アルゴン
ガスを通しながら100mlの純テトラヒドロフラン中に入
れ、10gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−１−ブチル］安息香酸を100mlの純テトラ
ヒドロフランに溶かした溶液を30分で加えた。添加し終
った後、反応混合物を加熱して１時間還流し、それから
200mlの2N塩酸に注意しながら注加し、毎回100mlのジエ
チルエーテルで３回抽出した。有機相を100mlの飽和炭
酸ナトリウム溶液で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥
して、濃縮した。このようにして9.2gの４−［４−（ト
ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］
ベンジルアルコールを得た。
（ｂ）9gの４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−１−ブチル］ベンジルアルコールを50mlの
ピリジンに溶かした溶液に、アルゴンガスを通しながら
室温で10gの塩化−ｐ−トシルを少しずつ加えた。室温
で24時間撹拌した後（白色沈澱を形成）、０℃まで冷却
した反応混合物に20mlの水を加え（わずかに発熱）、50
mlの25％塩酸で酸性（pH1）として、毎回100mlのジエチ
ルエーテルで３回抽出した。集めた有機相を500mlの
水、500mlの希炭酸ナトリウム溶液、そして再び500mlの
水で洗浄し、それから硫酸マグネシウム上で乾燥して濃
縮した。このようにして15gのｐ−トルエンスルホン酸
−４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−ブチル］ベンジルを得た。
下記の化合物を、同様の方法で製造することができ
た。
（Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］プロパン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］ブタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,2−ジフェニルエタン； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［４−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］−1,1′−ビナフチル； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］ブタン； （2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］ブタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］−１−フェニルエタン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］プロパン； （Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス−４−ヘ
プチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベンジ
ルオキシ］プロパン； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,1′−ビナフチル； （Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トランス−４−
ヘプチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ］ベン
ジルオキシ］−1,1′−ビナフチル； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ジルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ジルオキシ］ブタンジオアート； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベ
ンジルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ジルオキシ］ブタンジオアート； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオ
キシ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジメチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジエチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジプロピル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオ
キシ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； ジブチル（2R,3R）−2,3−ビス［４−［（Ｅ）−３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキ
シ］ベンジルオキシ］ブタンジオアート； これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製
造できた。
実施例５ 下記の液晶ベース混合物BM-1を用いて、液晶物質に誘
導されたピッチと、その温度依存性を測定した。
5.36重量％ ４′−エチル−４−シアノビフェニル、 3.18重量％ ４′−プロピル−４−シアノビフェニ
ル、 6.08重量％ ４′−ブチル−４−シアノビフェニル、 6.53重量％ ４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）ベンゾニトリル、 14.67重量％ ４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）ベンゾニトリル、 5.21重量％ ４−エチル−１−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）ベンゼン、 16.54重量％ ４−エトキシ−１−［２−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］ベンゼン、 5.60重量％ ４″−ペンチル−４−シアノ−ｐ−ター
フェニル、 5.71重量％ ４′−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−４−シアノビフェニル、 15.95重量％ １−［２−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル］−４−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）ベンゼン、 4.74重量％４−［２−（トランス−４−ブチルシクロ
ヘキシル）エチル］−４′−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）ビフェニル、 7.59重量％ ４−［２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル］−４′−（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−1,1′−エチレンジベンゼン、 2.84重量％ トランス−４−［２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）エチル］シクロヘキサンカル
ボキシル酸−４−シアノフェニルエステル； 融点＜−30℃、澄明点（N-I）90℃；Δε＝8.5、Δｎ
＝0.139、粘度22mPa・ｓ（22℃） 液晶ベース混合物BM-1に、下記の光学活性ドーピング
剤を添加した。
Ｄ−１＝（Ｒ）−2,2′−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］−1,1′−ビナフチル、 Ｄ−２＝（1R,2R）−1,2−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］−1,2−ジフェニルエタン、 Ｄ−３＝（2R,3R）−2,3−ビス［４−［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］ブタン、 Ｄ−４＝（Ｒ）−1,2−ビス［４−［３−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］−１−フェニルエタン。
キラルなドーピング混合物について得られた結果を表
１にまとめた。ここで、Ａ、Ｂ及びＣは逐次級数のパラ
メーターを表し、 ｐ、ｃ及びT1は次の定義を有する。
T1＝Ｔ−22℃ Ｔ＝温度（℃） ｐ＝ピッチ（μｍ）（正の値は時計回りのらせん構造を
示し、負の値は反時計回りのらせん構造を示す） ｃ＝光学活性ドーピング剤の濃度（重量％） 実施例６ 表２に記された混合物M-5及びM-6は、可視領域で選択
的に光反射を行うコレステリック混合物を示す。D-1とD
-4は、実施例５に記した光学活性ドーピング剤である。
濃度は重量％で記す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 69/708 Ｃ０７Ｃ 69/708 Ｚ 69/757 69/757 Ｃ 69/94 69/94 255/46 255/46 Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｂ // Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式： （式中、 Ａは、1,1′−ビナフチル−2,2′−ジイル、−CHR1−CH
    R2−又は−CH(COOR3)−CH(COOR4)−から選ばれた光学活
    性基を表し； Ｚは、−(CH2)4−、−O(CH2)3−又はトランス形の−OCH
    2−CH＝CH−基を表し； R1は、水素、メチル、フェニル又はシクロヘキシルを表
    し； R2は、メチル、フェニル又はシクロヘキシルを表し； R3及びR4は、アルキル基を表し； Ｙは、−CO−又は−CH2−を表し； 環Ｂは、1,4−フェニレン又はトランス−1,4−シクロヘ
    キシレンを表し； Ｒは、水素、アルキル、アルコキシ又はシアノを表す） で示される光学活性化合物。
  2. 【請求項２】Ａが（Ｒ）−1,1′−ビナフチル−2,2′−
    ジイル、（Ｒ）−1,2−プロピレン、（Ｒ）−１−フェ
    ニル−1,2−エチレン、（Ｒ）−１−シクロヘキシル−
    1,2−エチレン、（2R,3R）−2,3−ブチレン若しくは（1
    R,2R）−1,2−ジフェニル−1,2−エチレン、又はそれら
    の鏡像体である、請求項１に記載の光学活性化合物。
  3. 【請求項３】Ａが、（S,S）形又は（R,R）形の−CH(COO
    R3)−CH(COOR4)−を表し、R3及びR4が、C1〜C4アルキル
    を表す、請求項１に記載の光学活性化合物。
  4. 【請求項４】Ｒが、C1〜C12アルキル又はシアノを表
    す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学活性化合
    物。
  5. 【請求項５】Ｚが、−O(CH2)3−を表し、Ｙが−CO−を
    表し、環Ｂが1,4−フェニレンを表す、請求項１〜４の
    いずれか１項に記載の光学活性化合物。
  6. 【請求項６】液晶担体物質及び請求項（１）に定義した
    １種以上の式Ｉの光学活性化合物を含有する液晶混合
    物。
  7. 【請求項７】ａ）Ｙが−CO−を表す式Ｉの化合物の製造
    のために、一般式： （式中、 Ａは、請求項１に記載と同義である） で示される光学活性ジオールを、一般式： （式中、 Ｒ、Ｚ及び環Ｂは、請求項１に記載と同義である） で示されるカルボン酸又はその適当な誘導体でエステル
    化するか、又は ｂ）Ｙが−CH2−を表す式Ｉの化合物の製造のために、
    一般式： （式中、 Ａは、請求項１に記載と同義であり、Ｍは、アルカリ金
    属を表す） で示される光学活性ジオラートを、一般式： （式中、 Ｒ、Ｚ及び環Ｂは、請求項１に記載と同義であり、Ｌ
    は、放出基を表す） で示される化合物でエーテル化する、 ことからなる、請求項１に定義した式Ｉの化合物の製造
    方法。
  8. 【請求項８】請求項６記載の液晶混合物を含む、光学用
    又は電気光学用液晶混合物。
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