JPH0393741A

JPH0393741A - 液晶用キラルドーピング剤として用いられる光学活性化合物及びその製法

Info

Publication number: JPH0393741A
Application number: JP2226825A
Authority: JP
Inventors: Stephen Kelly; ステファン・ケリー; Frans Leenhouts; フランス・レーンホウツ
Original assignee: F Hoffmann La Roche AG
Current assignee: F Hoffmann La Roche AG
Priority date: 1989-09-01
Filing date: 1990-08-30
Publication date: 1991-04-18
Anticipated expiration: 2013-04-15
Also published as: EP0415220A2; EP0415220B1; KR910006204A; DE59004491D1; KR100197449B1; EP0415220A3; US5093027A; HK206496A; US5411676A; JP2740347B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は液晶のための新規なキラルなドーピング剤及び
その製造方法に関し、またこのようなドーピング剤を含
有する液晶混合物と、それらの光学的及び電気光学的目
的への使用に関するものである。電気光学的表示器のための液晶物質は、キラルな構造を
誘導するために、１種又はそれ以上の光学活性添加剤を
しばしば含有する。たとえば、ねじれネマチック構造を
有する表示装置に用いるには、ネマチック液は、たとえ
ばＴＮ（ねじれネマチック）セルでねじれ方向の逆転（
逆ねじれ）を避けるため、又はＳＴＮ　（超ねじれネマ
チツク）セル．ＳＢＥ　（超複屈折効果）セル又はＯＭ
Ｉ（光学モード干渉）セルのように高度にねじれたネマ
チック構造で適度のねじれを得るために、好ましくは光
学活性添加剤でドーブする．さらに、相変換セル用のコ
レステリック液晶は好ましくはネマチックなベース物質
と１種又はそれ以上の光学活性ドーピング剤からなるこ
とができ、キラルなチルトスメクチック相に基づく表示
装置用の強誘電性液晶は、好ましくはチルトスメクチツ
ク相を有する物質と１種又はそれ以上の光学活性ドーピ
ング剤からなることができる。液晶表示装置の電気光学的特性は温度依存性であり、こ
のことは複合的な操作を行う場合にはとくに厄介である
。しかし、この温度依存性は、温度の上昇とともにピッ
チの減少をもたらすキラルなドーピング剤を加えること
によって、少なくとも部分的には補償できることが知ら
れている。このような逆温度依存性は、わずかの化合物
についてのみ見出されている。しかし、このことは、異
なる相対的温度依存性を有し、異なるねじれ方向をもた
らす少なくとも２種のキラルなドーピング剤を用いるこ
とによってもまた、到達することができる．（西独公開
特許２８２７４７　１号）。もちろん、通常、これには
比較的多量のキラルなドーピング剤が必要である。コレステリック液晶は、波長が分子のらせん構造のピッ
チとほぼ同じ波長範囲の光のみをとくに反射する。この
反射光のスペクトルの幅は、適する液晶を選択すること
によって変えることができる。反射光は完全に円偏光し
ている。反射光の回転方向はコレステリックならせん構
造の方向に依存する．逆の円偏光は減衰しないで伝送さ
れる．これらの性質は光学フィルター、偏光器、分析器
などの製造に利用される。さらに、コレステリック液晶
もまた熱変色性の応用や化粧品の製造にいろいろと用い
ることができる．上記の応用のためのコレステリック液晶は、好ましくは
ネマチック又はコレステリックなベース物質と、所望の
らせんピッチへの手軽な調節を可能にする１種又は２種
以上のキラルなドーピング剤とからなることができる．可視光の波長の範囲のピッチを有するコレステリックな
混合物を得るには、キラルなドーピング剤はできるだけ
高いねじれ容量と、通常の液晶物質への良好な溶解性を
もたねばならない．そのうえ、キラルなドーじング剤は
適度の安定性を有さねばならず、中間相タイプの液晶物
質と良好な適合性をもたねばならず、中間相の範囲をあ
まり強く制約してはならない．このような性質は、液晶
物質の性質がほんの取るに足らない影響しか受けないよ
う、ドーピング剤の量を低く保つことができるように、
早く４から注目されたねじれネマチツク構造を生み出す
キラルなドーピング剤にも望まれるであろう。本発明は、一般式（式中、Ａは１．１’−ビナフチル−２．２′ジイル、
−ＣＨＲ’−ＣＨＲ”一又は−ＣＨ（Ｃ　Ｏ　Ｏ　Ｒ”
）−　Ｃ　Ｈ　（Ｃ　０　０　Ｒ’）−カラ選ハｈタ光
学活性基を表し：Ｚは−（ＣＨ．）４−　　−０（　Ｃ
’　Ｈ　ｉ）　ｓ一又はトランス形の−ＯＣＨ２−ＣＨ
＝ＣＨ一基を表し，Ｒｌは水素、メチル、フエニル又は
シクロヘキシルを表し，Ｈｚはメチル、フエニル又はシ
クロヘキシルを表し；Ｒ３及びＲ４はアルキル基を表し
；Ｙは一〇〇一又は−ＣＨ．一を表し；環Ｂは１．４−
フエニレン又゛はトランス−１，４−シクロヘキシレン
を表し；Ｒは水素、アルキル、アルコキシ又はシアノを
表す）で示される光学活性化合物に関する。式工の化合物は、通常の液晶物質の中で、良好な溶解性
と高いねじれ容量で特徴づけられる。基−Ｏ−Ｙ一及び
とくに４個の鎖原子を有する橋かけ基Ｚは、光学活性基
Ａに結合した環状の残基に柔軟性を与える。しかし驚い
たことに、この高い柔軟性は澄明点の強い降下をもたら
さない。すなわち式Ｉのキラルなドーピング剤の添加に
よって、液晶の中間相領域は制約されないか、比較的わ
ずかに制約されるに過ぎない。そのうえ、式工の化合物
は容易に製造でき、化学的な影響に対して、また電場や
磁場の影響に対して適切に安定である。それゆえ、それ
らは先に言及した要求を最適のあり方で満たすのである
。前述の“アルキル”及び“アルコキシ”は本発明におい
て、直鎖状又は分岐状の、好ましくは炭素数が最大１２
の、メチル、エチル、プロビル、ブチル、イソブチル、
２−メチルブチル、ペンチル、３−メチルペンチル、ヘ
キシル、ヘブチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシ？、メトキシ、エトキシ、プロビルオキシ
、プチルオキシ、イソブチルオキシ、２−メチルブチル
オキシ、ペンチルオキシ、３−メチルペンチルオキシ、
ヘキシルオキシ、ヘブチルオキシ、オクチルオキシ、ノ
ニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシ
ルオキシなどのような範囲を表す。直鎖状の残基が一般
に好ましい。好ましいアルキル及びアルコキシ残基Ｒは
Ｃ，〜Ｃｌ■アルキル及びＣｌ〜Ｃ．アルコキシであり
、とくにＣ，〜Ｃ，アルキル及びＣ１〜Ｃ，アルコキシ
である。好ましいアルキル残基Ｒ３及びＲ４はＣ１〜Ｃ
，アルキルであり、とくにメチル、エチル、プロビル及
びブチルのようなＣＩＮＣ４アルキルである。光学活性基Ａは光学活性ジオールＨＯ−Ａ−ＯＨの２官
能性基（水酸基を開裂した後）である。基Ａはとくに（
Ｒ）一形及び（Ｓ）一形の１．１′−ビナフチル−２．
２′−ジイル及び−ＣＨＲ’−ＣＨＲ”一を包含し（こ
こでＲ′は水素を表し）、あるいは（Ｒ，Ｒ）一形及び
（Ｓ，Ｓ）一形の一ＣＨ　（ＧＯＯＲ”）−ＣＨ（ＣＯ
ＯＲ’）一及び一ＣＨＲ’−ＣＨＲ”−を包含する（こ
こでＲは水素と異なる）．光学活性基Ａ及びそれぞれの橋かけ基２の種類によって
、式Ｉは下記の一般式の光学活性化合物を包含する。（式中、Ａ，Ｒ，Ｒ’，Ｒ”、Ｒ”，Ｒ’、Ｙ、Ｚ及び
環Ｂは上述の定義を有する）。上記の式において、Ｒ１は好ましくは水素又はＲ２と同
じ残基である。Ｒ３とＲ４は同じ種類又は異なる種類であって、好まし
くはＣ，−Ｃ．，アルキル，とくに好ましくはＣ１〜Ｃ
，アルキルである。Ｒ３とＲ４は好ましくは同じ種類で
ある。好ましい光学活性基Ａの例は、（Ｒ）−１，１′−ビナ
フチル−２．２′−ジイル、（Ｒ）−１．２−ブロビレ
ン、（Ｒ）−１−フェニルー１．２−エチレン、（Ｒ）
−１−シクロヘキシル−１，２−エチレン、（２Ｒ．３
Ｒ）−２．３−ブチレン、（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ジ
フェニル−１．２−エチレン及びこれらの化合物の鏡像
体（すなわち、対応する（Ｓ）一型及びそれぞれの（Ｓ
，Ｓ）一形）である。さらに好ましい基Ａは（Ｓ．Ｓ）一形及び（Ｒ，Ｒ）一
形の一ＣＨ　（ＣＯＯＲ”）−ＣＨ（ＣＯＯＲ’）一で
あり、ここでＲ３及びＲ４はＣ，〜Ｃ４アルキルである
。一般に、上記の式で好ましい化合物は、Ｒが０１〜ＣＩ
２アルキル又はシアノである化合物である。好ましくは、環Ｂが１．４−フェニレンを表し、及び／
又はＹがーＣＯ−を表す。般にこれらのうち好ましい化合物は、Ｚが−　Ｏ　（　
Ｃ　Ｈ−）ｓ−を表し、Ｙが一〇〇一を表し、環Ｂが１
．４−フェニレンである。式Ｉの化合物は、本発明によれば次のようにして製造で
きる。すなわち、ａ）Ｙが一〇〇一を表す式Ｉの化合物の製造のために、
一般式０■ ／ＡＩＴ＼０１１（式中、Ａは上述の定義を表す）で示される光学活性ジ
才一ルを、一般式（式中、Ｒ．Ｚ及びｆｆｌＢは上述の定義を表す）で示
されるカルボン酸又はその適当な誘導体でエステル化す
る、又はｂ）Ｙが一ＣＨ．一を表す式Ｉの化合物の製造のために
、一般式０Ｍ／Ａ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　ＩＶ＼０＆４（式中、Ａは上述の定義を表し、Ｍはアルカリ金属を表
す）で示される光学活性ジ才ラートを、般式（式中、Ｒ．Ｚ及び環Ｂは上述の定義を表し、Ｌは放出
基を表す）で示される化合物でエーテル化する。式Ｈのジオールの、式ＩＩＩのカルボン酸又は適当な誘
導体（たとえば酸クロリド又は酸無水物）によるエステ
ル化は、それ自身公知の方法で行うことができる。好ま
しい方法は、ジオールとカルボン酸の反応を不活性の有
機溶媒（たとえば塩化メチレンのようなハロゲン化炭化
水素）中で、４一（ジメチルアミノ）ビリジン及びＮ，
Ｎ’−ジシクロへキシル力ルポジイミドの存在下に行う
ことである。式■のジオラートを式Ｖの化合物でエーテル化すること
は、それ自身公知の方法で，たとえばトルエン、ベンゼ
ン、ヘキサンなどの不活性有機溶媒中で、高温で反応さ
せることで行うことができる。Ｍは好ましくはリチウム
、ナトリウム又はカリウムであり、とくにナトリウムで
ある。ジオラートは式Ｈのジオールから公知の方法で、
たとえばそれぞれのアルカリ金属又はアルカリ金属水素
化物との反応で得ることができる。Ｌは通常のＳＮ２反
応で放出する基、たとえば塩素、臭素又はヨウ素のよう
なハロゲン原子；ｐ一トルエンスルホニルオキシのよう
なスルホニルオキシ基などを表す。式■の光学活性ジオールは公知であるか、公知の化合物
の類似体である。そのうえ、これらのジオールの多くは
商業的に入手しつる，式■とＶの化合物の製造は、公知
の方法によって、たとえば実施例に示した手順によって
促進することができる。本発明はまた液晶担体物質と１種又はそれ以上の式■の
光学活性物質を含有する液晶混合物に関する。好適な担
体物質は、基本的には適切な中間相の範囲のねじれ液晶
相を有するすべての液晶物質である。式Ｉの化合物はマ
ネチック又はコレステリック担体物質のためのキラルな
ドーピング剤としてとくに適している。液晶担体物質は
、澄明点が約６０℃以上、とくに約８０℃以上の単一化
合物又は混合物が好ましい。式Ｉのキラルなドーピング剤の量は、本質的にそのねじ
れ容量及び所望のピッチによって決定される。それゆえ
、キラルなドーピング剤の量は用途に応じて、たとえば
約０．１〜３０重量％の広い範囲で変えることができる
。ねじれネマチック構造を有する液晶に基づく表示装置
には、セルの型とセルの厚さに応じて通常約３〜４０Ｐ
のピッチが要求され、それゆえ、相当する少ない量で十
分である。一方、コレステリック層による可視光の反射
に基づく用途には、約０．４〜０．６Ｐのピッチが要求
され、相当する多量のキラルなドーピング剤を必要とす
る。好適な液晶担体物質は多くのものが公知であり、商業的
に入手しうる。一般に、２種又はそれ以上の成分を含有
する液晶混合物が、担体物質として好ましい。しかし基
本的には、十分に広い中間相を有するときは、１個の液
晶化合物を担体物質として用いることができる。下記の一般式の化合物が、液晶担体物質の成分として適
している。？式中、ｎはＯ又は１の数を表し；Ｒｌ１はアルキル、
アルコキシ、アルケニル又はアルケニルオキシを表し；
Ｒｌｌはシアノ、アルキル、アルコキシ、アルケニル又
はアルケニルオキシを表し；Ｒ？及びＲ８はおのおの独
立してアルキル又はアルケニルを表し；環Ｃは１，４−
フエニレン又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを
表し；ｚ’は共有一重結合、−ＣＯＯ一又は一Ｃ　Ｈ　
ｓＣＨ．一を表し；そしてＺ３は共有一重結合又は−　
Ｃ　Ｈ■ＣＨ．一を表す。）Ｒ’　　Ｒ’、Ｒ’及びＲ＠はおのおの好ましくは最大
ｌ２個の炭素原子、とくに好ましくは最大７個の炭素原
子を有する．好ましいアルケニル基はＩＥ−アルケニル
、３Ｅ−アルケニル及び４Ｚ−アルケニルである。好ま
しいアルケニルオキシ基は２Ｅ−アルケニルオキシ及び
３Ｚ−アルケニルオキシである。以下の実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。液晶相と相転移に関連して、Ｃは結晶相、Ｎはネマチッ
ク相、Ｎ１はコレステリック相、モして工はイソトロピ
ック相を示す。らせんピッチはｐで表す。光学的対掌体
はおのおのの場合“鏡像性”、すなわち、同じ融点など
を有するが、回転方向が逆のらせん構造と、反射光の逆
の円偏光をもたらす。実施例１０．５ｇの４−［４−　Ｄランスー４−ペンチルシクロ
ヘキシル）一１−ブチル１安息香酸、０．１ｇのＲ　（
＋）　−１．　１　’−ジー２−ナフトール及び０．０
４ｇの４−（ジメチルアミノ）ビリジンを５０−の塩化
メチレンに溶解し、撹拌しながら０．３ｇのＮ，Ｎ”−
ジシクロへキシル力ルポジイミドを少しずつ１０分かけ
て加えた。混合物を室温で一夜撹拌し、それから炉過し
た．ｆｐ液を塩化メチレンで希釈し、毎回５０Ｍｉの飽
和炭酸ナトリウム溶液で２回洗浄し、それから水で洗浄
して、硫酸マグネシウム上で乾燥し、炉過し、ついで濃
縮した．溶離剤としてトルエンを用いて、得られた粗生
成物をシリカゲル上でクロマトグラフィーによって精製
した．エタノールより再結晶を行い、油状物として（Ｒ
）−２．２　’ービス［４−　［４−　（トランス−４
−ベンチルシクロヘキシル）−１−プチル］ベンゾイル
才キシ］−１．１’−ビナフチル（融点く２５℃）を得
た．出発物質として使用した４−［４−　（トランスー４−
ベンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］安息香酸は、
次のようにして合成した．（ａ）２０ｇの３−（トラン
ス−４−ベンチルシクロヘキシル）−１−プロパナール
、６６ｇの４−シアノペンジルートリフエニルホスホニ
ウムブロミド及び５００−のｔｅｒｔ−プチルメチルエ
ーテルの混合物に、Ｏ℃でアルゴンガスを通しながら１
６ｇのカリウムーｔｅｒｔ−ブチラートを加えた．反応
混合物を室温で２時間撹拌してから、水を加えた。反応
混合物を毎回５０一のジエチルエーテルで３回抽出した
．集めた有機相を水で洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾
燥し、炉過して、ついで濃縮した．残渣をヘキサンで数
回処理した．集めた有機相を数回濃縮した．溶離剤とし
てヘキサンを用い、得られた粗生成物をシリカゲル上で
クロマトグラフィーによって精製した．これによって４
０ｇの４−［４−　（トランス−４一ペンチルシクロヘ
キシル）−１−ブテニル］ベンゾニトリル（シス／トラ
ンス混合物）を得た．（ｂ）４０ｇの４−　［４−　（｝ランスー４−ベンチ
ルシクロヘキシル）−１−ブテニル］ベンゾニトリル、
２ｇのカーボン担持パラジウム（５％）及び２５０−の
酢酸エチルの混合物を、水素ガスを通しながら撹拌した
．ついで、無機物を炉別して、枦液を濃縮した．溶離剤
としてトルエン／酢酸エチル混液（容量９：１）を用い
て、−残渣をシリカゲル上でクロマトグラフィーによっ
て精製した。エタノールから再結晶によって純粋な４−
　［４−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−ブチル］ベンゾニトリルを得た。融点は５１℃で
あった。（ｃ）３６ｇの４−［４−　Ｄランスー４−ベンチルシ
クロヘキシル）−１−ブチル１ベンゾニトリル、３００
１ｄｌの濃硫酸、３００−の氷酢酸及び３００−の水の
混合物を１２０℃の温度に一夜加熱した。冷却した反応
混合物を氷水に注加して、白色の沈澱を枦別した。枦液
を水で洗浄し、それからエタノールより再結晶した。２
８ｇの４−　［４−　（｝ランスー４−ペンチルシクロ
ヘキシル）−１−ブチル］安息香酸な得た。融点（Ｃ−
Ｎ）は１９５℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）は１９９℃であった
。以下の化合物を、同様な方法で製造することができた。（Ｒ）’−２．２’−ビス［４−　（４−　（｝−ラン
スー４−プロビルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペン
ゾイルオキシ］−１．１’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［４−　（トランス−
４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペンゾイ
ルオキシ］−１．１’−ビナフチル；（Ｒ）−１．２−ビスＥ４−　［４−　（｝ランスー４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プチル］ベンゾイル
オキシ］−１−フェニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス
［４−　［４−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキ
シル）−１−プチル］ベンゾイルオキシ］−１−フェニ
ルエタン、融点１０３℃；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　（トランス−４
−へプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペンゾイル
オキシ］−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス
［４−　［４−　（｝ランスー４−プロビルシクロヘキ
シル）一１−プチル］ベンゾイルオキシ］プロパン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）−１−プチル］ベンゾイル
オキシ］プロパン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　（トランス−４
−ヘブチルシクロヘキシル）−１−プチル］ベンゾイル
オキシ］ブロバン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［４−（トランス
−４−プロビルシクロヘキシル）−１一ブチル】ベンゾ
イルオキシ］ブタン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［
４−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１一ブチル］ベンゾイルオキシ］ブタン；（２Ｒ，３
Ｒ）−２．３−ビス［４−　［４−（トランス−４−へ
プチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペンゾイルオキ
シ］ブタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［４
−（トランス−４−プロビルシクロヘキシル）−１−ブ
チル］ベンゾイルオキシ］−１．２−ジフェニルエタン
；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１一ブチル］ベン
ゾイルオキシ］−１．２−ジフェニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−（トラン
ス−４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ゾイルオキシ］−１．２−ジフェニルエタン；ジメチル（２Ｒ，３Ｒ）　−２．３−ビス［４−［４−
（｝−ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブ
チル］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［４−（
トランス−４−ベンチルシクロヘキシル）−１−ブチル
］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブ
チル］ベンゾイルオキシ］ブタンジオアート；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一Ｅ４−　
（トランス−４−ベンチルシクロヘキシル）−１−ブチ
ル］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート；これらの化合物の光学的対車体についても、同様に製造
できた。実施例２２．０ｇのＲ　（＋）−１．　１′−ジー２−ナフトー
ル、５．０ｇの４−　［３−　（トランス−４−ベンチ
ルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ〕安息香酸、
３．０ｇのＮ，Ｎ’　−ジシクロへキシルカルボジイミ
ド、０．１ｇの４−（ジメチルアミノ）ビリジン及び５
００ｗＩの塩化メチレンを実施例１と類似の方法で反応
させて、６．５ｇの（Ｒ）−２．２’−ビスＥ４−　１
３−　Ｄランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
プロビルオキシ］ペンゾイルオキシ］−１，ｌ’　−ビ
ナフチルを得た。融点は５０℃であった。出発物質として使用した４−　［３−　（トランス−４
−ベンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］安
息香酸は、次のようにして合成した。（ａ）１．９ｇの４−ヒドロキシベンズアルデヒド、５
．０ｇの３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−１−プロビルブロミド、８．３ｇの炭酸カリウム及
び５０ｍｔ’のメチルエチルケトンを還流下に一夜加熱
した。ついで、冷却した反応混合物を水中に注加し、毎
回５０ｔｔ’のジエチルエーテルで３回抽出した。集め
た有機相を５００ｍｔ’の水で洗浄し、硫酸マグネシウ
ム上で乾燥し、枦過して濃縮した。溶離剤としてトルエ
ンを用い、残渣をシリカゲル上でクロマトグラフィーに
かけ、エタノールから再結晶して、６．０ｇの純粋な４
−　［３−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）−１−プロビルオキシ］ベンズアルデヒドを得た。（ｂ）５ｇの４−　［３−　（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ベンズアルデ
ヒドを１００ｍｌのアセトンに溶解し、１０ｍ！！のジ
ョーンズ試薬を滴下した。混合物を室温で１時間撹拌し
、それから１００１ｆｄ！の水中に注加した。その結果
生じた沈澱をｉ戸別し、水で何度も洗浄して、真空で乾
燥した。粗生成物をエタノールから再結晶して、２．２
ｇの純粋な４−［３−　（トランス−４−ペンチルシク
ロヘキシル）−１−プロビルオキシ】安息香酸を得た。融点（Ｃ−Ｎ）は２０４℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）は２１５
℃であった。下記の化合物を、同様な方法で製造することができた。（Ｒ）−２．２’−ビス［４−［３−　（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］一
ペンゾイルオキシ］−１．１’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［３−　Ｄランスー４
−ヘブチルシクロヘキシル）一１−プロビルオキシ］一
ベンゾイルオキシ］−１．１’　−ビナフチル；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−（トランス
−４−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ
］ベンゾイルオキシ］ブタン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−（トランス
−４−ベンチルシクロヘキシル）−１−プロピルオキシ
］ペンゾイルオキシ］ブタン、融点１０９℃；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−（トランス
−４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ
］ベンゾイルオキシ］ブタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−（トラン
ス−４−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］−１，２−ジフエニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）一ｌ−プロビルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］−１，２−ジフェニルエタン、
融点７５℃；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３一（トラン
ス−４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキ
シ］ベンゾイルオキシ］一ｌ，２−ジフェニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ベ
ンゾイルオキシ］−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−ベンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ペ
ンゾイルオキシ］−１−フエニルエタン、融点１１５℃
；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−へプチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ベ
ンゾイルオキシ］−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ベ
ンゾイルオキシ】プロパン：（Ｒ）−１．２−ビス［４
−　［３−　（｝−ランスー４−ペンチルシクロヘキシ
ル）−１−プロビルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブロバ
ン；（Ｒ）−．１．２−ビス［４−　［３−　（トラン
ス−４−へプチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキ
シーペンゾイル才キシ】ブロバン：ジメチル（２Ｒ，３
Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−　（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ペンゾ
イルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−（
｝ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロビ
ルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート、融点
５９℃；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［３
−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
プロビルオキシ］ペンゾイルオキシ】ブタンジオアート
；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［３−（
トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロビ
ルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート、融点
６６℃；これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製造
できた。実施例３１，ＯｇのＲ　（＋）−１．１’−ジー２−ナフトール
、２．５ｇの４−　［　（Ｅ）−３−（｝−ランスー４
−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］安息香酸、
１．３ｇのＮ，Ｎ’−ジシクロへキシルカルボジイミド
、０．０４ｇの４−（ジメチルアミノ）ビリジン及び２
５０ｇの塩化メチレンを実施例１と類似の方法で反応さ
せて、２．２ｇの（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［　
（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル
）アリルオキシ］ペンゾイルオキシ］一１．１’　−ビ
ナフチルを得た．融点は９３℃であった。出発物質として使用した４−　［　（Ｅ）−３−（トラ
ンス−４−ベンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］安
息香酸は、次のようにして合成した。（ａ）１３．５ｇのエチル（Ｅ）−３−　（トランス−
４−ベンチルシクロヘキシル）アクリラートを１００−
の塩化メチレンに溶解した溶液に、−７８℃で窒素ガス
を通しながら、水素化ジイソプロビルアルミニウムのヘ
キサン２０％溶液を滴下した。添加が終了したのち、微
黄色の溶液をさらに１時間撹拌し、それから１０−の２
Ｓ％塩酸を注意深く添加した．反応混合物を１００１ｎ
Ｉの水中に注加し、有機相を分離した８水相を毎回１０
０１！ｄｌの塩化メチレンで２回、逆抽出した．集めた
有機相を５００−の水、５００−の濃重炭酸カリウム溶
液、そして再び５００−の水で洗浄した．ついで硫酸マ
グネシウム上で乾燥し、枦過して？ｌ縮した．蒸留残渣
として１０ｇの（Ｅ）−３−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）アリルアルコールを得た．沸点は１７
４〜１７５”Ｃ　／　１　５　ｍｒｎＨｇであった．（
ｂ）５．０ｇの（Ｅ）−３−　（｝ランスー４−ペンチ
ルシクロヘキシル）フリルアルコール、２．９ｇの４−
ヒドロキシベンズアルデヒド、４．１ｇのアゾジカルボ
ン酸ジエチル、６．２ｇのトリフエニルホスフィン及び
１００ｍｔ’のテトラヒドロフランの混合物を室温で一
夜撹拌し、それからｉｌＩｔａシた．残渣を３００ｍｌ
のヘキサン中にけん濁させ、炉過して再びｓｔａシた．
溶離剤としてトルエンを用いて、残渣をシリカゲル上で
クロマトグラフィーにかけ、ヘキサンからの再結晶によ
って、４．５ｇの純粋な４−　［　（Ｅ）−３−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシベン
ズアルデヒドを得た。融点は５５℃であった。（ｃ）４．０ｇの４−　［（Ｅ）−３−　（｝ランスー
４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベンズア
ルデヒド、１０−のジョーンズ試薬及び１００−のアセ
トンを、実施例２（ｂ｝と類似の方法で反応させて、２
．６ｇの４−［　（Ｅ）−３−　（｝ランスー４−ペン
チルシクロヘキシル）アリルオキシ］安息香酸を得た。融点は２１５℃であった。下記の化合物を、同様な方法で製造することができた。（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［　（Ｅ）−３−
　（トランス−４−プロビルシクロヘキシル）アリルオ
キシ］ベンゾイルオキシ］ブタン：（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［　（Ｅ）−３
−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリル
才キシ］ペンゾイルオキシ］ブタン：（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［　（Ｅ）−３
−　（トランス−４−へプチルシクロヘキシル）アリル
才キシ］ベンゾイル才キシ］ブタン：（ＩＲ．２Ｒ）−１．２−ビス［４−［　（Ｅ）−３−
　（トランス−４−プロビルシクロヘキシル）アリルオ
キシ］ペンゾイル才キシ］−１．２−ジフェニルエタン
；（ＩＲ．２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［　（Ｅ）−３
−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリル
オキシ］ペンゾイルオキシ］−１．２−ジフエニルエタ
ン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［　（Ｅ）−３−
　（｝−ランスー４−へプチルシクロヘキシル）アリル
オキシ］ベンゾイルオキシ］−１．２−ジフエニルエタ
ン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−［　（Ｅ）−３−（トラン
ス−４−プロビルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベン
ゾイルオキシ］−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［　（Ｅ）−３−（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ペ
ンゾイルオキシ］−１−フエニルエタン、融点１０１℃
；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［　（Ｅ）−３−（トラ
ンス−４−ヘブチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベ
ンゾイルオキシ］−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［　（Ｅ）−３−（トラ
ンス−４−プロビルシクロヘキシル）アリルオキシ］ベ
ンゾイルオキシ］プロパン；（Ｒ）　−１．２−ビス［
４−　［　（Ｅ）−３−（トランス−４−ベンチルシク
ロヘキシル）アリルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブロバ
ン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［（Ｅ）−３−（ト
ランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）アリルオキシ］
ペンゾイルオキシ］ブロバン；ジメチル（２Ｒ，３Ｒ）
−２．３−ビス［４−［　（Ｅ）−３−　（トランス−
４−ベンチルシクロヘキシル）アリルオキシ］ペンゾイ
ルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［　（Ｅ
）−３−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
アリルオキシ〕ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［　
（Ｅ）−３−　（トランス−４−ベンチルシクロヘキシ
ル）アリルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアー
ト；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一（　（Ｅ
）−３−　（｝ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）
アリルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブタンジオアート；これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製造
できた。実施例４０．５ｇのナトリウムーＲ（−）−１−フェニルー１．
２−エタンジオラート、２ｇのｐ−トルエンスルホン酸
−４−　［４−　（トランス−４−ベンチルシクロヘキ
シル）−１−ブチル］ベンジル及び１００−のトルエン
を還流下に４８時間加熱し、それから枦過を行った。炉
液を濃縮し、残渣をトルエンとともにシリカゲルによる
クロマトグラフィーによって精製した．エタノールより
再結晶して、　（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチ
ル］ペンゾイル才キシ】−１−フエニルエタンを得た。出発物質として使用したｐ−トルエンスルホン酸−４−
　［４−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
−１−ブチル］ベンジルは、次のようにして合成した。（ａ）３．８ｇの水素化リチウムアルミニウムを、アル
ゴンガスな通しながら１００−の純テトラヒドロフラン
中に入れ、１０ｇの４−　［４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）−１−ブチル］安息香酸を１００
−の純テトラヒドロフランに溶かした溶液を３０分で加
えた。添加し終った後、反応混合物を加熱して１時間還
流し、それから２００−の２Ｎ塩酸に注意しながら注加
し、毎回１００−のジエチルエーテルで３回抽出した。有機相を１００−の飽和炭酸ナトリウム溶液で洗浄し、
硫酸マグネシウム上で乾燥して、濃縮した。このように
して９．２ｇの４−　［４一（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）−１−ブチル］ペンジルアルコールを
得た．（ｂ）９ｇの４−　［４−　（トランス−４−ベ
ンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルアルコ
ールを５０−のビリジンに溶か″した溶液に、アルゴン
ガスを通しながら室温で１０ｇの塩化−ｐ−トシルを少
しずつ加えた。室温で２４時間撹拌した後（白色沈澱を
形成〉、Ｏ℃まで冷却した反応混合物に２０一の水を加
え（わずかに発熱），５０１Ｌｌの２５％塩酸で酸性（
ｐＨ１）として、毎回１００ｍ１ｌのジエチルエーテル
で３回抽出した。集めた有機相を５００）！１’の水、
５００１ｄｌの希炭酸ナトリウム溶液、そして再び５０
０Ｗ１ｌの水で洗浄し、それから硫酸マグネシウム上で
乾燥して濃縮した．このようにして１５ｇのｐ−トルエ
ンスルホン酸・−４−［４−　（トランス−４−ペンチ
ルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペンジルを得た．下記の化合物を、同様の方法で製造することができた．（Ｒ）−１．２−ビス［４−　ｒ４−　（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）一１−ブチル］ベンジルオ
キシ１−１−フエニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビスＣ
４−　Ｃ４−　（｝ランスー４−ヘプチルシクロヘキシ
ル）−１−プチル］ペンジルオキシ］−１−フェニルエ
タン：（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペン
ジルオキシ］プロパン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　Ｄランスー４−
ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオキ
シ］プロパン：（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−　（｝ランス−４
−へプチルシクロヘキシル）−１−プチル］ベンジルオ
キシ】プロパン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［４−（トランス
−４−プロビルシクロヘキシル）−１一ブチル］ペンジ
ルオキシ］ブタン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジ
ルオキシ］ブタン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［４−（トラ，ン
スー４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ジルオキシ】ブタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−　［４−（トラン
ス−４−プロビルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベン
ジルオキシ］−１．２−ジフエニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジ
ルオキシ］−１．２−ジフェニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［４−（トランス
−４−へプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジ
ルオキシ］−１．２−ジフェニルエタン：（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［４−　（トランス−
４−プロビルシクロヘキシル）−１−ブチル１ベンジル
オキシ］−１．１’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ベンジルオ
キシ］−１，ｌ’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［４−　（トランス−
４−へプチルシクロヘキシル）−１−ブチル］ペンジル
オキシ］一１，ｌ’　−ビナフチル；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３一（トランス
−４−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ
〕ペンジルオキシ〕ブタン；（２Ｒ，３Ｒ）　−２．３
−ビス［４−　［３−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）一１一ブロビルオキシ］ベンジルオキシ］ブ
タン；（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−（ト
ランス−４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−プロビル
オキシ］ペンジルオキシ］ブタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１
．２−ビス［４−［３−（トランス−４−プロビルシク
ロヘキシル）−１−プロビルオキシ〕ベンジルオキシ］
−１．２−ジフェニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［３−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ
］ペンジルオキシ］一１．２−ジフェニルエタン；（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス［４−［３−（トランス
−４−へプチルシクロヘキシル）−１一ブロビルオキシ
］ペンジルオキシ］−１，２一ジフェニルエタン；（Ｒ）　−１．２−ビス［４−　［３−（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ】ベ
ンジルオキシ］一１−フェニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−［３−　（トランス−４−
ベンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ペン
ジルオキシ］−１−フェニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−へプチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ペ
ンジルオキシ】−１−フェニルエタン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（｝ランスー４
−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］ベ
ンジルオキシ］プロパン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（トランス−４
−ベンチルシクロヘキシル）一１−プロビルオキシ］ペ
ンジルオキシ］ブロバン；（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−　（｝ランスー４
−へプチルシクロヘキシル）一１−プロビルオキシ］ペ
ンジルオキシＪブロバン；（Ｒ）−２．２’　−ビス［４−　［３−　Ｄランスー
４−プロビルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ】
ペンジルオキシ］−１．１’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［３−　（｝ランスー
４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］
ペンジルオキシ］−１，ｌ’　−ビナフチル；（Ｒ）−２．２’−ビス［４−　［３−　（トランス−
４−ヘブチルシクロヘキシル）−１−プロビルオキシ］
ベンジルオキシ］−１，ｌ’　−ビナフチル；ジメチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［４−（
トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル
］ベンジルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［４−（
ｈランスー４−ベンチルシクロヘキシル）−１−ブチル
］ベンジルオキシ］ブタンジオアート；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）　−２．３−ビス［４［４−
Ｄランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−ブチル
］ベンジルオキシ］ブタンジオアート；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス

【４一［４−（
｝ランスー４−ベンチルシクロヘキシル）−１−ブチル
】ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジメチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス

【４一［３−（
｝−ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロ
ビルオキシ】ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［３−（
ｈランスー４−ベンチルシクロヘキシル）一１−プロビ
ルオキシ］ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　（３
−　（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−
プロビルオキシ］ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−［３−　
（トランス−４−ベンチルシクロヘキシル）−１−プロ
ビルオキシ】ペンジルオキシＪブタンジオアート；ジメチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［　（Ｅ
）−３−．（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
アリルオキシ］ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジエチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［　（Ｅ
）−３−　（｝ランスー４−ペンチルシクロヘキシル）
アリルオキシ〕ペンジルオキシ］ブタンジオアート；ジブロビル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４−　［　
（Ｅ）−３−　（トランス−４−ベンチルシクロヘキシ
ル）アリルオキジ］ペンジルオキシ］ブタンジオアート
；ジブチル（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス［４一［　（Ｅ
）−３−　（トランス−４−ベンチルシクロヘキシル）
アリルオキシ］ペンジルオキシ］ブタンジオアート；これらの化合物の光学的対掌体についても、同様に製造
できた。実施例５下記の液晶ベース混合物ＢＭ−１を用いて、液晶物質に
誘導されたピッチと、その温度依存性を測定した。５．３６重量％　４′一エチル−４−シアノビフエニル
、３．１８重量％　４゛−ブロビル−４−シアノビフェニ
ル、６．０８重量％　４′−ブチルー４−シアノビフエニル
、６．５３重量％　４−（トランス−４−プロビルシクロ
ヘキシル）ペンゾニトリル、１４．６７重量％　４−（
トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリ
ル、５．２１重量％　４−エチルーｌ一（トランス−４
−プロビルシクロヘキシル）ベンゼン、１６．５４重量
％　４−エトキシ−１−［２−（トランス−４−プロビ
ルシクロヘキシル）エチル］ベンゼン、５．６０重量％　４“−ペンチルー４−シアノーｐ一タ
ーフェニル、５．７１重量％　４’　−　（１−ランスー４−べンチ
ルシクロヘキシル）−４−シアノビフエニル、１５．９５重量％　ｌ−　［２−　（ｈランスー４−プ
チルシクロヘキシル）エチル］　−４−　（｝ランスー
４−ベンチルシクロヘキシル）ベンゼン、４．７４重量％　４−　［２−　Ｄランスー４−プチル
シクロヘキシル）エチル］−４’−（トランス−４−ペ
ンチルシクロヘキシル）ビフエニル、７，５９重量％　４−　［２−　（｝ランスー４−プチ
ルシクロヘキシル）エチル］−４’−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）−１，１′一エチレンジベン
ゼン、２．８４重量％　トランス−４−　［２−（トランス−
４−プロビルシクロヘキシル）エチル１シクロヘキサン
力ルボキシル酸−４−シアノフェニルエステル；融点く−３０℃、澄明点（Ｎ−Ｉ）９０℃；△ｔ．＝８
．５、Δｎ＝０．１３９、粘度２２ｍＰａ−ｓ　（２　
２℃）液晶ベース混合物ＢＭ−１に、下記の光学活性ドーピン
グ剤を添加した。Ｄ−１＝　（Ｒ）−２．２’−ビス［４−［３一（トラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロビルオ
キシ］ペンゾイルオキシ］−１，１′−ビナフチル、Ｄ−２＝　（ＩＲ，２Ｒ）−１．２−ビス【４一［３−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロ
ビルオキシ］ペンゾイルオキシ］−１．２−ジフェニル
エタン、Ｄ−３＝　（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス【４−［３−
（ｈランスー４−ペンチルシクロヘキシル）−１−プロ
ビルオキシ］ペンゾイルオキシ］ブタン、Ｄ−４＝　（Ｒ）−１．２−ビス［４−　［３−（トラ
ンス−４−ベンチルシクロヘギシル）−１−プロビルオ
キシ］ペンゾイルオキシ〕−１一フェニルエタン。キラルなドーピング混合物について得られた結果を表ｌ
にまとめた．ここで、Ａ．Ｂ及びＣは逐次級数のパラメ
ーターを表し、１ −＝Ａ＋　ＢＴ　ｌ＋ＣＴｔ” ｐ　ｃｐ，ｃ及びＴＩは次の定義を有する．Ｔ，＝Ｔ−２２℃ Ｔ　＝温度（’Ｃ）ｐ　＝ピッチ（Ｐ）（正の値は時計回りのらせん構造を
示し、負の値は反時計回りのらせん構造を示す）Ｃ　＝光学活性ドーピング剤の濃度（重量％）実施例６表２に記された混合物Ｍ−５及びＭ−６は、可視領域で
選択的に光反射を行うコレステリック混合物を示す。Ｄ
−１とＤ−４は、実施例５に記した光学活性ドーピング
剤である．濃度は重量％で記す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ I （式中、Ａは１，１′−ビナフチル−２，２′−ジイル
、−ＣＨＲ＾１−ＣＨＲ＾２−又は−ＣＨ（ＣＯＯＲ＾
３）−ＣＨ（ＣＯＯＲ＾４）−から選ばれた光学活性基
を表し；Ｚは−（ＣＨ＿２）＿４−、−Ｏ（ＣＨ＿２）
＿３−又はトランス形の−ＯＣＨ＿２−ＣＨ＝ＣＨ−基
を表し；Ｒ＾１は水素、メチル、フェニル又はシクロヘ
キシルを表し；Ｒ＾２はメチル、フェニル又はシクロヘ
キシルを表し；Ｒ＾３及びＲ＾４はアルキル基を表し；
Ｙは−ＣＯ−又は−ＣＨ＿２−を表し；環Ｂは１，４−
フェニレン又はトランス−１，４−シクロヘキシレンを
表し；Ｒは水素、アルキル、アルコキシ又はシアノを表
す）で示される光学活性化合物。
（２）Ａが（Ｒ）−１，１′−ビフェニル−２，２′−
ジイル、（Ｒ）−１，２−プロピレン、（Ｒ）−１−フ
ェニル−１，２−エチレン、（Ｒ）−１−シクロヘキシ
ル−１，２−エチレン、（２Ｒ、３Ｒ）−２，３−ブチ
レン、（１Ｒ、２Ｒ）−１，２−ジフェニル−１，２−
エチレン又はこれらの基の１種の鏡像体である請求項１
に記載の光学活性化合物。
（３）Ａが（Ｓ、Ｓ）形又は（Ｒ、Ｒ）形の−ＣＨ（Ｃ
ＯＯＲ＾３）−ＣＨ（ＣＯＯＲ＾４）−を表し、Ｒ＾３
及びＲ＾４がＣ＿１〜Ｃ＿４アルキルを表す請求項１に
記載の光学活性化合物。
（４）ＲがＣ＿１〜Ｃ＿１＿２アルキル又はシアノを表
す請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学活性化合物
。
（５）Ｚが−Ｏ（ＣＨ＿２）＿３−を表し、Ｙが−ＣＯ
−を表し、環Ｂが１，４−フェニレンを表す請求項１〜
４のいずれか１項に記載の光学活性化合物。
（６）液晶担体物質と請求項（１）に規定された式 I
の光学活性化合物の１種又はそれ以上とを含有する液晶
混合物。
（７）ａ）Ｙが−ＣＯ−を表す式 I の化合物の製造の
ために、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼II （式中、Ａは請求項１に記載した定義を表す）で示され
る光学活性ジオールを、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼III （式中、Ｒ、Ｚ及び環Ｂは請求項１に記載した定義を表
す）で示されるカルボン酸又はその適当な誘導体でエス
テル化する、又はｂ）Ｙが−ＣＨ＿２−を表す式 I の化合物の製造のた
めに、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼IV （式中、Ａは請求項１に記載した定義を表し、Ｍはアル
カリ金属を表す）で示される光学活性ジオラートを、一
般式 ▲数式、化学式、表等があります▼Ｖ（式中、Ｒ、Ｚ及び環Ｂは請求項１に記載した定義を表
し、Ｌは放出基を表す）で示される化合物でエーテル化
する、ことからなる、請求項１に規定された式 I の化合物の
製造方法。
（８）光学的及び電気光学的目的に対する請求項６に記
載の液晶混合物の使用。