JP6717291B2

JP6717291B2 - 液晶性化合物、液晶組成物、液晶内包複合材料およびそれらをもちいた液晶表示素子

Info

Publication number: JP6717291B2
Application number: JP2017505008A
Authority: JP
Inventors: 道子澤田; 笹田　康幸; 康幸笹田
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2015-03-12
Filing date: 2016-03-02
Publication date: 2020-07-01
Anticipated expiration: 2036-03-02
Also published as: WO2016143634A1; US10570334B2; JPWO2016143634A1; CN107428651A; CN107428651B; KR20170126869A; US20180051210A1

Description

本発明は、バイメソゲン液晶化合物、液晶組成物、液晶複合体および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはバイメソゲン液晶化合物、前記化合物を含有し、ネマチック相、コレステリックを有する液晶組成物、前期液晶組成物を含む複合材料および前記組成物または複合材料を含む液晶表示素子、特にフレクソエレクトリック効果を利用した液晶表示素子、に関する。

液晶表示パネル、液晶表示モジュール等に代表される液晶表示素子は、液晶性化合物が有する誘電率異方性、光学異方性等を利用した素子である。この液晶表示素子の動作モードとしては、ＰＣ（phase change）モード、ＴＮ（twisted nematic）モード、ＳＴＮ（super twisted nematic）モード、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）モード、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード、ＯＣＢ（optically compensated bend）モード、ＩＰＳ（in-plane switching）モード、ＶＡ（vertical alignment）モード
、ＭＶＡ（multi-domain vertical alignment）モード、ＰＳＡ（polymer sustained alignment）等の様々なモードが知られている。

これらのディスプレイに加えて、比較的短いピッチを有するコレステリック液晶を使用する新たな表示モードとして、「フレクソエレクトリック(flexo-electric)」効果を利用するディスプレイとして提案されている。これらのディスプレイにおいて、コレステリック液晶は、「基板に対してらせん軸が平行且つ均一に配向しているらせん構造」配置（Uniformed Lying Helix;ＵＬＨ）に配向しており、この表示モードの名称としても用いられている。しかしこのモードにおいては例えば、均一な配向を得ることが難しい、駆動電圧が高い、コントラスト比が十分ではないおよび電気光学的なヒステリシスを有する等、解決すべきいくつかの問題点が挙げられる。

同様にピッチが短いコレステリック液晶を有する表示モード、「基板に対してらせん軸が垂直且つ均一に配向しているらせん構造」（Uniformed Standing Helix:ＵＳＨ）モードは、広い視野角を提供する他の表示モード（例えばＩＰＳ、ＶＡモード）と比較して優れた黒色レベルを示すことができるので、ＩＰＳ代わる表示方式として提案されている。

ＵＳＨモードやＵＬＨモードにおいてバイメソゲン液晶材料を使用し、フレクソエレクトリック効果によって電気光学的応答をさせることが提案されている。
例えば英国特許第２３５６６２９号（特許文献１）では、バイメソゲン化合物を使用したフレクソエレクトリック効果を利用した表示素子が示されている。これらの表示素子において、バイメソゲン化合物は通常のモノメソゲン化合物よりも幾つかの利点を示し、より高いフレクソエレクトリック係数が挙げられ、単位電界当たりのチルト角は最大であり、従来のメソゲン化合物よりも一桁大きくなる。バイメソゲン化合物を分子設計することで、螺旋が解けることを低減させる誘電カップリングを最小とでき、一方で、より速いスイッチングおよびより低い電界を可能とするフレクソエレクトリック応答を最大とできる。

特開平１０−２３７００４号（特許文献２）には、例えば化合物（Ｉ）のようなアルキレンジオキシ化合物類を含む２，３-ジフルオロフェニレン基を有するバイメソゲン化合物が開示されている。

また非特許文献５には、例えば化合物（ＩＩ）のようなアルキレンジオキシ化合物類を含むシアノビフェニル構造を有するバイメソゲン化合物が開示されている。

英国特許第２３５６６２９号特開平１０−２３７００４号

Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ、「ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ」、第２版、ＣａｍｂｒｉｄｇｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＰｒｅｓｓ（１９９２）Ｐ．Ｇ．ｄｅＧｅｎｎｅｓら、「ＴｈｅＰｈｙｓｉｃｓｏｆＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ」、第２版、ＯｘｆｏｒｄＳｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ（１９９５）Ｒ．Ｂ．ＭｅｙｅｒおよびＪ．Ｓ．Ｐａｔｅｌ、Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．５８（１５）、１５３８（１９８７）Ｐ．Ｒｕｄｑｕｉｓｔら、Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．２３（４）、５０３（１９９７）Ｈ．Ｊ．Ｃｏｌｅｓら、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１１、２７０９（２００１）

これらのバイメソゲン化合物の短所として、他の液晶性化合物への溶解性に劣るといった点があった。例えば前述の化合物（ＩＩ）はバイメソゲン液晶化合物を含め他の液晶化合物や液晶組成物に対する溶解性は非常に低い。現在のところ単一化合物では上記の特性を全て満たす液晶物質はなく、数種〜二十数種の液晶性化合物を混合した液晶組成物を、液晶表示素子に使用しているのが現状であることを考慮すると、所望の物性を維持しながら且つ他のバイメソゲン化合物や従来液晶表示素子へ用いられている液晶性化合物、液晶組成物、キラルドーパント、酸化防止剤や紫外線吸収剤を始めとする添加剤、重合性液晶化合物や対し高い溶解性を有するバイメソゲン化合物が求められている。

本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を解消し、誘電率異方性値や屈折率異方性値等、液晶表示素子へ用いる場合に必要な諸物性値を損なうことなく、他の液晶化合物や添加剤、重合性化合物に対して高い相溶性を有するバイメソゲン液晶化合物を提供すること、前記化合物を含有することにより、優れた物性値を発現する液晶組成物を提供すること、その液晶性組成物を含有する液晶複合材料を提供すること、およびこの液晶組成物、液晶複合材料を用いた液晶表示素子を提供することである。

本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、下記構成を有するバイメソゲン液晶化合物によって本課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明の構成は、以下のとおりである。

［１］式（１）で表される化合物。

式（１）において、ＭＧ^１およびＭＧ^２はそれぞれ独立してメソゲン基であり；
Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このＺ^ａおよびＺ^ｂにおいて、少なくとも一つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓｐは式（ｓｐ−１）で表されるアキラルな構造を有し、

式（ｓｐ−１）において、αはそれぞれ独立して炭素数１〜２０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘは式（Ｉ）、式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で表され

式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲａにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立して、フッ素、塩素または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲｂおよびＲｃにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、硫黄原子または炭素数１〜１０のアルキリデンであり、このＱにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

［２］式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２が式（ＩＶ）で表される、［１］に記載の化合物。

式（ＩＶ）においてＲｄは独立して、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、塩素または炭素数１〜２０の直鎖アルキルであり、このＲｄにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、少なくとも一つの水素は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく；
Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４において少なくとも一つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
ｍ、ｎ、ｑおよびｒは独立して、０または１であり、ｍ、ｎ、ｑ、およびｒの和は、２、３または４である。）

［３］式（ＩＶ）においてＲｄはフッ素、塩素または炭素数１〜１０の直鎖アルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数３〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖ポリフルオロアルキル、炭素数１〜９の直鎖ポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜１０の直鎖ポリフルオロアルケニルであり；
Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、少なくとも一つの水素は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＣＨＦ_２で置き換えられてもよく；
Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^４が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯ（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−（ＣＨ_２）_４−である、［２］に記載の化合物。

［４］式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−または−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−であり；
式（ｓｐ−１）において、αは炭素数１〜１０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、炭素数１〜５のアルキリデンである、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の化合物。

［５］式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
式（ＳＰ−１）において、αは炭素数１〜１０の直鎖のアルキレンであり；
式（Ｉ）においてＲａは炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニルまたは炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、または炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子または炭素数１〜３のアルキリデンである、［４］に記載の化合物。

［６］式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２が式（ＩＶ−１）で表される、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の化合物。

Ｒｄは独立して、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、塩素、炭素数１〜６の直鎖アルキル、炭素数２〜６の直鎖アルケニル、炭素数１〜５の直鎖アルコキシ、炭素数１〜６の直鎖ポリフルオロアルキル、炭素数１〜５の直鎖ポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜６の直鎖ポリフルオロアルケニルでり；
Ａ^１１およびＡ^３１は１，４−シクロへキシレンまたは１，４-フェニレンであり；
Ｙ^２１、Ｙ^２２、Ｙ^２３、Ｙ^４１、Ｙ^４２、およびＹ^４３が独立して水素、フッ素、−ＣＦ_３または−ＣＦ_２Ｈであり；
Ｚ^１１、Ｚ^２１、Ｚ^３１、およびＺ^４１が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
ｓ、ｔ、ｕおよびｖは独立して、０、１または２であり、ｓ、ｔおよびｕの和は２、３または４あるが、ｔは必ず１である。）そして、ｓ，ｔ，ｕおよびｖのいずれかが２であるとき、複数の環構造は同じ基であっても異なる基であってもよく、また複数のＺ^１１、Ｚ^２１，Ｚ^３１、およびＺ^４１は同じ基であっても異なる基であってもよい。

［７］式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２が式（ＩＶ−１−１−１）〜（ＩＶ−１−１−５５）で表される、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の化合物。

式（ＩＶ−１−１−１）〜式（ＩＶ−１−１−５５）において、Ｒｄは独立して−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＯＣＦ_３または、−Ｃ_２Ｆ_５であり；Ｚ^１１，Ｚ^２１およびＺ^３１は独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり、また複数のＺ^１１は，Ｚ^２１，Ｚ^３１は同じ基であっても異なる基であってもよい。

［８］式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２が式（ＩＶ−１−２−１）〜（ＩＶ−１−２−３０）で表される［１］〜［６］のいずれか一項に記載の化合物。

式（ＩＶ−１−２−１）〜（ＩＶ−１−２−３０）においてＲｄは独立して、炭素数１〜６の直鎖アルキル、炭素数２〜６の直鎖アルケニル、または炭素数１〜６の直鎖アルコキシであり；Ｚ^１１，Ｚ^２１およびＺ^３１が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり、また複数のＺ^１１、Ｚ^２１、およびＺ^３１は同じ基であっても異なる基であってもよい。

［９］請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物を含有する液晶組成物。

［１０］［１］〜［８］のいずれか一項に記載の化合物を少なくとも２種類含有する、液晶組成物。

［１１］式（ｃｐ−１）に示す化合物をさらに含有する、［１０］に記載の液晶組成物。

Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立してフッ素、塩素、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５または炭素数１〜２０のアルキルであり、このアルキルにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；ＭＧ^３１およびＭＧ^３２はそれぞれ独立してメソゲン基であり；Ｚ^３ａ、Ｚ^３ｂはそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり；Ｓｐ^３は、４〜４０個の炭素原子を含む直鎖のスペーサー基であり、少なくとも一つの−ＣＨ_２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよい。

［１２］光学活性化合物および重合可能な化合物から選択される少なくとも一つを更に含有する、［９］〜［１１］のいずれか一項に記載の液晶組成物。

［１３］酸化防止剤および紫外線吸収剤から選択される少なくとも一つを更に含有する、［９］〜［１２］のいずれか一項に記載の液晶組成物。

［１４］［９］〜［１３］のいずれか一項に記載の液晶組成物を芯成分とする、鞘芯型の液晶内包複合繊維。

［１５］［１４］に記載の液晶内包複合繊維を一軸配列させて形成している、液晶含有繊維集合体。

［１６］［１４］に記載の液晶内包複合繊維または請求項１５に記載の液晶内包繊維集合体とバインダから構成される、液晶含有繊維複合体。

［１７］［９］〜［１３］のいずれか一項に記載の液晶組成物、［１４］に記載の液晶含有複合繊維、［１５］に記載の液晶含有複合繊維集合体、または［１６］に記載の液晶含有繊維複合体を備える、液晶表示素子。

［１８］フレクソエレクトリック装置である、［１７］に記載の液晶表示素子。

本発明によれば、適切な物性値を発現し、かつ液晶化合物や液晶組成物、その他のバイメソゲン化合物に対して高い溶解性を示すことバイメソゲン液晶性化合物、前記化合物を含有することにより、種々の表示方式において高速応答や低電圧駆動を可能とする液晶組成物、この液晶組成物を含有する複合繊維集合体や複合体およびこの液晶組成物、複合繊維集合体、複合体を用いた液晶表示素子を提供することができる。

図１は、本発明で使用される液晶内包複合繊維１０の斜視図である。図２は、本発明の液晶表示素子１００の斜視図である。図３は、本発明のＵＬＨ型の液晶表示素子における（ａ）液晶内包複合繊維および（ｂ）複合繊維集合体の概念図を示す図である。

以下、本発明のバイメソゲン化合物、前記化合物を含有する液晶組成物、および前記組成物やそれを含む複合繊維集合体、複合体からなる液晶表示素子について説明する。

本明細書における用語の使い方は、次のとおりである。「液晶性化合物」は、ネマチック相またはスメクチック相等の液晶相を有する化合物、および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。「液晶複合繊維」は、液晶組成物を内包した複合繊維であり、液晶組成物を芯成分とする鞘芯型の複合繊維である。「液晶複合繊維集合体」は、液晶組成物を内包した複合繊維を一軸配列させて形成した複合繊維集合体である。「液晶含有繊維複合体」は、液晶複合繊維間にバインダを充填させた複合物である。「液晶表示素子」は、液晶表示パネル、液晶表示フィルムおよび液晶表示モジュールの総称である。「液晶表示素子」を「素子」と略すことがある。

ネマチック相の上限温度は、ネマチック相−等方相の相転移温度であり、単に「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度は、ネマチック相−結晶相の相転移温度であり、単に「下限温度」と略すことがある。

式（１）で表される化合物（１は式番号を示す。）を、化合物（１）と略すことがある。各式の説明において、Ｂ¹およびＥ¹等の記号は、それぞれ環Ｂ¹および環Ｅ¹等に対応する。
「Ａおよび／またはＢ」という表現は、「ＡおよびＢ」という選択と、「ＡまたはＢ」という選択とを任意に行うことができることを意味する。例えば、「Ｒａおよび／またはＲｂがアルケニルであるとき」とは、「Ｒａがアルケニルであるとき」、「Ｒｂがアルケニルであるとき」、「ＲａおよびＲｂがアルケニルであるとき」、を総称している。

各式の説明において、「少なくとも一つの…は…で置き換えられてもよく（い）」の「少なくとも一つの」は、位置だけでなく個数についても任意であることを示す。例えば、「少なくとも一つのＡが、Ｂ、ＣまたはＤで置き換えられてもよい」という表現は、任意のＡがＢで置き換えられる場合、任意のＡがＣで置き換えられる場合、および任意のＡがＤで置き換えられる場合に加えて、複数のＡがＢ〜Ｄの少なくとも２つで置き換えられる場合をも含む。

例えば、「アルキルにおいて、少なくとも一つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい」という場合には、無置換のアルキルのほか、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニル、アルコキシアルケニル、アルケニルオキシアルキルが含まれる。

具体例として、「アルキルにおいて、少なくとも一つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい」という句の意味を、Ｃ₄Ｈ₉−において示すと、例えば、Ｃ₃Ｈ₇Ｏ−、ＣＨ₃−Ｏ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ₂）₂−、ＣＨ₃−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−、ＣＨ₂＝ＣＨ−ＣＨ₂−Ｏ−が挙げられる。

なお、本発明においては、化合物の安定性を考慮して、連続する２つの−ＣＨ₂−が−Ｏ−で置き換えられて、−Ｏ−Ｏ−等の基になることは好ましくない（例えば、酸素と酸素とが隣接したＣＨ₃−Ｏ−Ｏ−ＣＨ₂−よりも、酸素と酸素とが隣接しないＣＨ₃−Ｏ−ＣＨ₂−Ｏ−の方が好ましい。）。また、アルキルにおける末端の−ＣＨ₂−が−Ｏ−で置き換えられていても構わない。

各式の説明において、「フルオロアルキル」とは、アルキルの少なくとも一つの水素がフッ素で置き換えられた基であり、「ポリフルオロアルキル」とは、アルキルの少なくとも二つの水素がフッ素で置き換えられた基である。（ポリ）フルオロアルコキシおよび（ポリ）フルオロアルケニルについても、同様である。

〔バイメソゲン化合物〕
本発明のバイメソゲン化合物は、式（１）で表される。

式（ＳＰ−１）において、αは炭素数１〜２０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘは式（Ｉ）、式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で表され

式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲａにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立して、フッ素、塩素または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲｂおよびＲｃにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、硫黄原子または炭素数１〜１０のアルキリデンであり、このＱにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

好ましいＭＧ^１およびＭＧ^２は環構造を有し、二環、三環、四環、五環または六環から構成される有機残基である。なお、ナフタレン環等の縮合環は、一環と数える。これらの環構造は直接結合していてもよいし連結基を介して結合していてもよい。

Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このＺ^ａおよびＺ^ｂにおいて、少なくとも一つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく

好ましいＺ^ａおよびＺ^ｂは、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯ（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−（ＣＨ_２）_４−である。−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

式（ｓｐ−１）において、αは炭素数１〜２０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく

好ましいαは炭素数１〜１０のアルキレン、および少なくとも一つの−ＣＨ_２−が共にフッ素原子に置き換えられた１〜９のポリフルオロアルキレンである。アルキレンにおいて好ましい炭素数は２〜１０、より好ましくは２〜８である。

式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲａにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく

好ましいＲａは、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０のアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシ、ポリフルオロアルキル、ポリフルオロアルコキシ、またはポリフルオロアルケニルである。これらの基は直鎖であっても環状構造であっても構わない。分岐よりも直鎖の方が好ましい。より好ましいＲａは、ヒドロキシル基、炭素数１〜１０の末端ヒドロキシアルキル、アルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９アルコキシ、アルコキシアルキル、またはアルケニルオキシである。最も好ましいＲａはヒドロキシル基、炭素数１〜３の末端ヒドロキシアルキル、アルキル、または炭素数２〜６アルケニルである。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

具体的なＲａは、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、７−ヒドロキシヘプチル、８−ヒドロキシオクチル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、または−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２である。

より好ましいＲａは、ヒドロキシル、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、７−ヒドロキシヘプチル、８−ヒドロキシオクチル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３および−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。最も好ましいＲａは、ヒドロキシル、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、および４−ペンテニル−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３または−ＣＦ_２ＣＦ_３、である。

式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立して、フッ素、塩素または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲｂおよびＲｃにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；

好ましいＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、塩素、炭素数１〜１０のアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシ、ポリフルオロアルキル、ポリフルオロアルコキシ、またはポリフルオロアルケニルである。これらの基は直鎖であっても分岐であっても縮合した環状構造であってもよいが、分岐よりも直鎖の方が好ましい。またＲｂおよびＲｃ同士が連結していてもよい、より好ましいＲｂおよびＲｃは、炭素数１〜１０の末端ヒドロキシアルキル、アルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数１〜９アルコキシ、アルコキシアルキル、またはアルケニルオキシである。最も好ましいＲｂおよびＲｃは炭素数１〜３の末端ヒドロキシアルキル、アルキル、または炭素数２〜６アルケニルである。

具体的なＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、塩素、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、７−ヒドロキシヘプチル、８−ヒドロキシオクチル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、または−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２である。

より好ましいＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、７−ヒドロキシヘプチル、８−ヒドロキシオクチル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３および−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。最も好ましいＲｂおよびＲｃは、フッ素、ヒドロキシメチル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、４−ヒドロキシブチル、５−ヒドロキシペンチル、６−ヒドロキシヘキシル、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、および４−ペンテニル−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３または−ＣＦ_２ＣＦ_３、である。

式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、硫黄原子または炭素数１〜１０のアルキリデンであり、このＱにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

好ましいＱは酸素原子、炭素数１〜１０のアルキリデン、炭素数２〜１０のアルコキシアルキリデン、炭素数３〜１０のアルケニルアルキリデン、炭素数１〜１０のポリフルオロアルキリデン、および炭素数３〜１０のポリフルオロアルケニルアルキリデンである。これらの基は分岐よりも直鎖の方が好ましい。より好ましいＱは、酸素原子、炭素数１〜１０の末端ヒドロキシアルキリデン、アルキリデン、炭素数２〜１０のアルケニルアルキリデン、炭素数１〜９ポリフルオロアルキリデン、およびポリフルオロアルケニルアルキリデンである。最も好ましいＱは酸素原子、炭素数１〜３の末端ヒドロキシアルキリデン、アルキリデン、または炭素数１〜３のポリフルオロアルキリデンである。

具体的なＱは酸素原子、２−ヒドロキシエチリデン、３−ヒドロキシプロピリデン、４−ヒドロキシブチリデン、５−ヒドロキシペンチリデン、６−ヒドロキシヘキシリデン、７−ヒドロキシヘプチリデン、８−ヒドロキシオクチリデン、メチリデン、エチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ペンチリデン、ヘキシリデン、ヘプチリデン、オクチリデン、２−プロペニリデン、２−ブテニリデン、３−ブテニリデン、２−ペンテニリデン、３−ペンテニリデン、４−ペンテニリデン、＝ＣＨＦ、＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＦ、＝ＣＨＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨＦＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＨＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨＦＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、または＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２である。

より好ましいＱは酸素原子、２−ヒドロキシエチリデン、３−ヒドロキシプロピリデン、４−ヒドロキシブチリデン、５−ヒドロキシペンチリデン、メチリデン、エチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ペンチリデン、２−プロペニリデン、２−ブテニリデン、３−ブテニリデン、２−ペンテニリデン、３−ペンテニリデン、４−ペンテニリデン、＝ＣＨＦ、＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨＦＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨＦＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＦ、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨＦＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、または＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２である。最も好ましいＱは酸素原子、２−ヒドロキシエチリデン、３−ヒドロキシプロピリデン、メチリデン、エチリデン、プロピリデン、３−ブテニリデン、４−ペンテニリデン、＝ＣＨＦ、＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦＣＦ_３、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＨ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＨＦＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、＝ＣＨＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２、または＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ_２である。

式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２は式（ＩＶ）で表される。

式（ＩＶ）においてＲｄは独立して、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、塩素または炭素数１〜２０の直鎖アルキルであり、このＲｄにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく

好ましいＲｄは、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、炭素数２〜１０である直鎖の、アルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオキシ、ポリフルオロアルキル、ポリフルオロアルコキシ、およびポリフルオロアルケニルである。より好ましいＲｄは、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、炭素数１〜６である直鎖の、アルキル、アルコキシ、アルケニル、ポリフルオロアルキル、ポリフルオロアルコキシ、およびポリフルオロアルケニルである。

具体的なＲｄは、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２または−Ｃ≡Ｃ−ＣＦ_３である。

より好ましいＲｄは、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、エトキシメチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、ペントキシメチル、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２、または−Ｃ≡Ｃ−ＣＦ_３である。最も好ましいＲｄは、−ＳＦ_５、フッ素、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、２−プロペニルオキシ、２−ブテニルオキシ、２−ペンテニルオキシ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、または−Ｃ≡Ｃ−ＣＦ_３である。

Ｒｄは直鎖の基（例：直鎖アルキルおよびその上述の置換体）であるので、化合物（１）は液晶相の温度範囲が広く、粘度が小さい。

Ｒｄがアルケニルであるときは、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。化合物（１）は、好ましい立体配置を有するアルケニル化合物であるときは、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニル等のアルケニルでは、トランス配置が好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニル等のアルケニルでは、シス配置が好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において、一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、これの環において、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ−で置き換えられてもよく、そしてこれらの環において、少なくとも一つの水素は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく

「これらの環において、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＨ＝Ｎ−で置き換えられてもよく」の好ましい例は、下記の式（１６−１）〜（１６−５０）で表される二価基である。さらに好ましい例は、式（１６−１）〜（１６−４）、式（１６−１５）、式（１６−２３）、式（１６−２７）〜（２６−２９）、式（１６−３６）、式（１６−３９）、および式（１６−４５）で表される二価基である。

「そしてこれらの環において、少なくとも一つの水素は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、または−ＯＣＨ_２Ｆで置き換えられてもよく」の好ましい例は、下記の式（１７−１）〜（１７−７１）で表される二価基である。さらに好ましい例は、式（１７−１）〜（１７−４）、式（１７−６）、式（１７−１０）〜（１７−１５）、式（１７−５４）〜（１７−５９）で表される二価基である。

好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５−トリフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、３−フルオロピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリダジン−２，５−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、およびナフタレン−２，６−ジイルである。１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルの立体配置はシスよりもトランスが好ましい。より好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンおよび３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、３，４−ジフルオロナフタレン−２，６−ジイル、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、１，３−ジフルオロナフタレン−２，６−ジイルまたは１，３，８−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイルである。最も好ましいＡ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、および１，３，８−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイルである。

Ａ¹〜Ａ^４において、芳香環が多いと、化合物（１）の光学異方性値が大きくなる傾向にある。Ａ¹〜Ａ^４において、脂環が多いと、化合物（１）の光学異方性値が小さくなる傾向にある。Ａ¹〜Ａ⁵が１，４−シクロヘキシレン、シクロヘキセン−１，４−ジイルまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは、化合物（１）の光学異方性値が小さい。Ａ¹〜Ａ⁵が少なくとも一つの水素がハロゲンで置き換えられてもよい１，４−フェニレンであるときは、化合物（１）の光学異方性値が大きい。

Ａ¹〜Ａ^４の少なくとも二つが１，４−シクロヘキシレンであるときは、化合物（１）の上限温度が高く、光学異方性値が小さく、そして粘度が小さい。Ａ¹〜Ａ⁵の少なくとも一つが１，４−フェニレンであるときは、光学異方性値が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。

Ａ¹〜Ａ^４が少なくとも一つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、または１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは、誘電率異方性の絶対値が大きい。Ａ¹〜Ａ^４が３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、１，３，８−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイルまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは、誘電率異方性値がさらに正に大きい。Ａ¹〜Ａ⁵が２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであるときは、誘電率異方性値が負に大きい。Ａ¹〜Ａ⁵が３，４，５−トリフルオロナフタレン−２，６−ジイル、２−（トリフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレン、２−（ジフルオロメチル）−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−３−（ジフルオロメチル）−１，４−フェニレンであるときは、誘電率異方性値がさらに負に大きい。

Ａ¹〜Ａ^４がシクロヘキセン−１，４−ジイルであるときは、化合物（１）の融点が低い。化合物（１）がシクロヘキセン−１，４−ジイルおよび１，４−フェニレンを共に有するときは、その光学異方性値が大きい。

Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４において少なくとも一つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯ（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡ＣＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２Ｃ≡Ｃ−または−（ＣＨ_２）_４−である。−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

さらに好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。最も好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、およびＺ^４は、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。

上記結合基が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２ＣＦ＝ＣＦ−または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、化合物（１）の粘度が小さい。上記結合基が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは、化合物（１）の粘度が更に小さい。上記結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは、化合物（１）の液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。上記結合基が−Ｃ≡Ｃ−であるときは、化合物（１）の光学異方性値が大きい。

例えば、誘電率異方性値が正に大きい液晶性化合物を得るには、より好ましいＺ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４は、それぞれ独立に、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；更に好ましくは単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；特に好ましくは単結合、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−である。

例えば、誘電率異方性値が負に大きい液晶性化合物を得るには、より好ましいＺ¹、Ｚ²、Ｚ⁴およびＺ⁵は、それぞれ独立に、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；更に好ましくは単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。

ｍ、ｎ、ｑおよびｒは独立して、０または１であり、ｍ、ｎ、ｑ、およびｒの和は、２、３または４である。

ｍ、ｎ、ｑまたはｒが２のとき、２つの−Ａⁱ−Ｚⁱ−（ｉは１、２、３または４である。）は、同じであっても、異なっていてもよい。式（１）におけるＭＧ^１またはＭＧ^２が二環または三環を有するときは、粘度が小さい。式（１）におけるＭＧ^１またはＭＧ^２が三環または四環を有するときは、上限温度が高い。

式（ＩＶ）においてＲｄはフッ素、塩素、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０の直鎖アルケニル、炭素数１〜９の直鎖アルコキシ、炭素数２〜９の直鎖アルコキシアルキル、炭素数３〜９の直鎖アルケニルオキシ、炭素数１〜１０の直鎖ポリフルオロアルキル、炭素数１〜９の直鎖ポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜１０の直鎖ポリフルオロアルケニルであり；
Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３およびＡ^４が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、シクロヘキセン−１，４−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり、少なくとも一つの水素は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＣＨＦ_２で置き換えられてもよく；
Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^４が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯ（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−（ＣＨ_２）_４−である。

式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−または−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−であり；
式（２）において、αは炭素数１〜１０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、炭素数１〜５のアルキリデンである。

式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−であり；
式（Ｓｐ−１）において、αは炭素数１〜１０の直鎖のアルキレンであり；
式（Ｉ）においてＲａは炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニルまたは炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子または炭素数１〜３のアルキリデンである。

式（１）において、好ましいＭＧ^１およびＭＧ^２は式（ＩＶ−１）で表される。

Ｒｄは独立して、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ_５、フッ素、塩素、炭素数１〜６の直鎖アルキル、炭素数２〜６の直鎖アルケニル、炭素数１〜５の直鎖アルコキシ、炭素数１〜６の直鎖ポリフルオロアルキル、炭素数１〜５の直鎖ポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜６の直鎖ポリフルオロアルケニルであり；
Ａ^１１およびＡ^１２は１，４−シクロへキシレンまたは１，４-フェニレンであり；
Ｙ^１１、Ｙ^１２、およびＹ^１３が独立して水素、フッ素、−ＣＦ_３または−ＣＦ_２Ｈであり；
Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^４が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
ｓ、ｔおよびｕは独立して、０、１または２であり、ｓ、ｔおよびｕの和は２、３または４あるが、ｔは必ず１である。）

上記各式は、式（ＩＶ）において、Ａ¹〜Ａ^４が、それぞれ１，４−シクロへキシレン、１，４-フェニレンまたは式（Ｐｈ）で表される基である場合に相当する。

ｓ、ｔ、またはｕが２のとき、２つの−Ａ^i１−Ｚ^i１−、−Ｐｈ−Ｚ^ｉ１−（ｉは１、２または３である。）は、同じであっても、異なっていてもよい。

誘電率異方性値が正に大きいバイメソゲン液晶性化合物を得るには、Ｒｄが、フッ素、炭素数１〜７の直鎖アルキル、炭素数２〜７の直鎖アルケニル、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５、−ＣＦ₃、−Ｃ_２Ｆ_５または−ＯＣＦ₃であり；Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ^３およびＺ^４が、それぞれ独立に、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；Ｙ^1２が又はＹ^1３がフッ素であることが好ましい。また誘電率異方性値が正に大きいバイメソゲン液晶性化合物において、誘電率異方性の垂直成分が大きな化合物を得るには、Ｙ^1１が又はＹ^1２がフッ素であることが好ましい。

誘電率異方性値がさらに正に大きい液晶性化合物を得るには、式（Ｐｈ）で表される基において、Ｙ^１２およびＹ^１３が共にフッ素であることが好ましい。

誘電率異方性値が負に大きいバイメソゲン液晶性化合物を得るには、Ｒｄが炭素数１〜７の直鎖アルキル、炭素数２〜７の直鎖アルケニルまたは炭素数１〜６の直鎖アルコキシであり；Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ⁴およびＺ⁵が、それぞれ独立に、単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；式（Ｐｈ）で表される基においてＹ^１１およびＹ^１２が、それぞれ独立に、水素、フッ素、−ＣＦ_３または−ＣＦ_２Ｈであることが好ましい。

誘電率異方性値が負に大きい液晶性化合物を得るには、さらに、式（Ｐｈ）で表される基において、Ｙ^１１、Ｙ^１３が独立してフッ素または−ＣＦ_３であることが好ましい。

〔バイメソゲン化合物の合成〕
本発明のバイメソゲン化合物（１）は、有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物質に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）等の成書に記載されている。

式（ＩＶ）における結合基Ｚ¹、Ｚ²、またはＺ^３を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜（ＸＩ）で各スキームを説明する。他の結合基も、有機合成化学の方法に従って、容易に生成することができる。

このスキームにおいて、ＭＳＧ¹またはＭＳＧ²は、少なくとも一つの環を有する１価の有機基である。複数のＭＳＧ¹またはＭＳＧ²が表す有機基は、同一であってもよいし、異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｋ）は、化合物（１）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の触媒の存在下で反応させて、化合物（１Ａ）を合成する。

また、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム等の触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても、化合物（１Ａ）を合成することができる。

（ＩＩ）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。カルボン酸（２４）と、公知の方法で合成されるフェノール（２５）とを、ＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）およびＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて、−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって、−ＯＣＯ−を有する化合物を合成することもできる。

（ＩＩＩ）−ＣＦ₂Ｏ−と−ＯＣＦ₂−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬等の硫黄化剤で処理して化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体およびＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化して、−ＣＦ₂Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は、化合物（２６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成することができる。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ₂−を有する化合物を合成することもできる。Peer. Kirsch et al., Angew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によって、これらの結合基を生成させることも可能である。

（ＩＶ）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のホルムアミドと反応させてアルデヒド（２８）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド等の塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（Ｖ）−（ＣＨ₂）₂−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素等の触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成する。

（ＶＩ）−（ＣＨ₂）₄−の生成
ホスホニウム塩（２７）の代わりにホスホニウム塩（２９）を用い、項（ＩＶ）の方法に従って−（ＣＨ₂）₂−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物を得る。これを接触水素化して化合物（１Ｆ）を合成する。

（ＶＩＩ）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させた後、塩基性条件下で脱保護して化合物（３０）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（３０）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。

（ＶＩＩＩ）−ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（３１）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、化合物（３１）と反応させて化合物（１Ｈ）を合成する。

（ＩＸ）−ＣＨ₂Ｏ−または−ＯＣＨ₂−の生成
化合物（２８）を水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤で還元して化合物（３２）を得る。これを臭化水素酸等でハロゲン化して化合物（３３）を得る。炭酸カリウム等の存在下で、化合物（３３）を化合物（２５）と反応させて化合物（１Ｊ）を合成する。

（Ｘ）−（ＣＨ₂）₃Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ₂）₃−の生成
化合物（２８）の代わりに化合物（３４）を用いて、項（ＩＸ）の方法に従って化合物（１Ｋ）を合成する。

（ＸＩ）−（ＣＦ₂）₂−の生成
J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 5414.に記載された方法に従い、ジケトン（−ＣＯＣＯ−）をフッ化水素触媒の存在下、四フッ化硫黄でフッ素化して−（ＣＦ₂）₂−を有する化合物を得る。

ジフルオロエチレンオキシ基を有する化合物（１）を合成する方法の一例を、下記のスキームに示す。ただし、本発明の化合物（１）の合成方法は、下記のスキームに限定されるわけではない。

次に、環Ａ^１〜Ａ^３に関する合成法を説明する。１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルなどの環に関しては出発物が市販されているか、または合成法がよく知られている。そこで、下に示した化合物（３８）、（４１）および（４５）について説明する。

デカヒドロナフタレン−２，６−ジオン（３８）はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルを有する化合物の出発物である。この化合物（３８）は、特開２０００−２３９５６４号公報に記載された方法に従って、ジオール（３７）を酸化ルテニウム存在下で接触水素還元し、さらに酸化クロムで酸化することによって合成する。

２，３−（ビストリフルオロメチル）フェニレンの構造単位は、Org. Lett., 2000, 2 (21), 3345 に記載された方法で合成する。フラン（３９）と１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブチンとを高温でディールズ・アルダー型の反応をさせることによってアニリン（４０）を合成する。この化合物に、Org. Synth. Coll., Vol. 2, 1943, 355 に記載された方法にしたがい、サンド・マイヤー型反応を行ってヨウ化物（４１）を得る。この化合物は一般的な有機合成化学の手法によって化合物（１）に変換する。

２−ジフルオロメチル−３−フルオロフェニレンの構造単位は、次のような方法で合成する。化合物（４２）のヒドロキシル基を適切な保護基で保護して化合物（４３）を得る。Ｐは保護基を意味する。化合物（４３）にsec−ブチルリチウムを作用させ、続いてＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を反応させてアルデヒド（４４）を得る。この化合物をジエチルアミノサルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化し、続いて脱保護してフェノール（４５）を得る。この化合物は一般的な有機合成化学の手法によって化合物（１）に変換する。

次に、Ｓｐに関する合成法を式（１）においてＺ^１およびＺ^２が−Ｏ−であり、式（Ｓｐ−１）においてＸが式（Ｉ）である化合物である場合を例に説明する。まずαの炭素数に対応する末端オレフィンハロゲン化物である化合物（４６）をマグネシウムへ作用させることでGrignard試薬とし、そこへギ酸メチルを作用させることでアルコール化合物（４７）を得る。更にデスマーチン・ペルヨージナン（ＤＭＰ）等の酸化剤を作用させカルボニル化合物（４８）を得る。ｐ-トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下エチレングリコールを作用させ、アセタール化合物（４９）とした後、ボランジメチルスルフィド錯体等ボラン誘導体を作用させた後、塩基性条件下過酸化水素を作用させることにより、ジオール化合物（５０）を得る。そこへトリフェニルホスフィン並びにアゾジカルボン酸ジエチル（ＤＥＡＤ）を用い、対応するヒドロキシル基を有するＭＧ^１、ＭＧ^２を段階的に作用させ、化合物（５１）が得られる。そこへ対応するGrignard試薬を作用させ、アルコール化合物（５２）とした後、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体等のルイス酸存在下トリエチルシランを作用させ、化合物（１−Ｉ）を得る。
化合物（５０）を出発原料にこれまで公知の有機合成化学の手法を用いれば、式（Ｓｐ−１）に示したＸが式（ｉｉ）や式（ｉｉｉ）に示す構造である化合物（１）を得ることが出来る。

〔液晶組成物〕
本発明の液晶組成物は、上述したバイメソゲン化合物（１）を成分Ａとして含有する。本発明の液晶組成物は、バイメソゲン化合物（１）を一種のみ含有してもよく、バイメソゲン化合物（１）を二種以上含有してもよい。またバイメソゲン化合物（１）に加え、式（ｃｐ−１）で表すバイメソゲンを含有していてもよい。
化合物（ｃｐ−１）の好ましい例として、化合物（ｃｐ−１−１）〜（ｃｐ−１−１２）を挙げることが出来る。Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立してフッ素、塩素、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５または炭素数１〜１０のアルキルであり、このアルキルにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；Ｚ^３１、Ｚ３^２、およびＺ^４が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯ（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ_２）_３−または−（ＣＨ_２）_４−であり；ｒは４〜２０であり；Ｚ^３ａおよびＺ^３ｂは独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；ＬはＦ、Ｃｌ、またはフッ素化されていてもよい炭素数１〜２のアルキルであり、ｒは出現するたびに独立に０、１または２である。

本発明の液晶組成物は、しきい値電圧、液晶相の温度範囲、光学異方性、誘電率異方性および粘度等の特性を優良に発現せしめるために、液晶組成物の全質量に対して、成分Ａを０．１〜９９重量％の割合で含有することが好ましく、より好ましくは１〜９９重量％、更に好ましくは２〜９８重量％である。

本発明の液晶組成物は、成分Ａのみの組成物であってもよいが、種々の特性を発現させるため、以下に説明する成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅおよび成分Ｆから選択される少なくとも一種の成分を更に含有してもよい。

成分Ｂは、後述する式（２）〜（４）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物であり；成分Ｃは、後述する式（５）で表される化合物であり；成分Ｄは、後述する式（６）〜（１１）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物であり；成分Ｅは、後述する式（１２）〜（１４）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物である。

なお、式（２）〜（４）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物とは、式（２）で表される化合物、式（３）で表される化合物、および式（４）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物を意味する。他の例においても同様である。

本発明の液晶組成物は、用途に応じて、光学活性化合物および重合可能な化合物から選択される少なくとも一種を更に含有してもよく、酸化防止剤および紫外線吸収剤から選択される少なくとも一種を更に含有してもよい。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤が挙げられる。紫外線吸収剤としては、例えば、ヒンダートアミン系光安定化剤が挙げられる。

本発明の液晶組成物を構成する各成分は、各元素の同位体元素からなる類縁体であっても、その化学的および物理的特性に大きな差異はない。

〈成分Ｂ〉（化合物（２）〜（４））
本発明の液晶組成物は、式（２）〜（４）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物（成分Ｂ）を含有してもよい。

式（２）から式（４）において、
Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｂ^１、環Ｂ^２、環Ｂ^３、および環Ｂ^４はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、およびＺ^１３はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、または−ＣＯＯ−である。

化合物（２）〜（４）は、２つの末端基がアルキルなどであり、誘電率異方性は小さい。これらの化合物の好ましい例として、化合物（２−１）〜（２−１１）、化合物（３−１）〜（３−１９）、および化合物（４−１）〜（４−７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１１およびＲ^１２は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルまたはアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

化合物（２）は、主として粘度の減少または光学異方性の調整に効果がある。化合物（３）および（４）は、上限温度を高くすることによってネマチック相の温度範囲を広げる効果、または光学異方性を調整する効果がある。

成分Ｂである化合物（２）〜（４）は誘電率異方性が小さい。化合物（２）〜（４）の含有量が増加するにつれて組成物の粘度が小さくなるが、誘電率異方性が小さくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は多いほうが好ましい。したがって、ＩＰＳ、ＶＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、化合物（２）〜（４）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは４０重量％以上である。

〈成分Ｃ〉（化合物（５）〜（７））
本発明の液晶組成物は、式（５）〜（７）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物（成分Ｃ）を含有してもよい。

式（５）から式（７）において、
Ｒ^１３は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｃ^１、環Ｃ^２、および環Ｃ^３はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１４、Ｚ^１５、およびＺ^１６はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−（ＣＨ_２）_４−であり；
Ｌ^１１およびＬ^１２はそれぞれ独立して、水素またはフッ素である。

化合物（５）〜（７）は、右末端にハロゲンまたはフッ素含有基を有する。これらの化合物の好ましい例として、化合物（５−１）〜（５−１６）、化合物（６−１）〜（６−１１３）、化合物（７−１）〜（７−５７）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１１は、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃である。

成分Ｃである化合物（５）〜（７）は、誘電率異方性が正に大きく、熱、光などに対する安定性が非常に優れているので、ＩＰＳ、ＦＦＳ、ＯＣＢなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。化合物（５）〜（７）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％〜９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％〜９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％〜９５重量％の範囲である。これらの化合物を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、これらの化合物の含有量は液晶組成物の重量に基づいて３０重量％以下が好ましい。化合物（５）〜（７）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

〈成分Ｄ〉（化合物（８））
本発明の液晶組成物は、式（８）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物（成分Ｄ）を含有してもよい。

らに含有する、項８から１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（８）において、
Ｒ^１４は炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｄ^１は、それぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；
Ｚ^１７は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＣＨ_２Ｏ−であり；
Ｌ^１３およびＬ^１４はそれぞれ独立して、水素またはフッ素であり；
ｉは、１、２、３、または４である。

化合物（８）は、右末端基が−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである。この化合物の好ましい例として、化合物（８−１）〜（８−６４）を挙げることができる。これらの化合物において、Ｒ^１４は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎである。

化合物（８）は、誘電率異方性が正であり、その値が大きいので、ＴＮ、ＳＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合に主として用いられる。化合物（８）を添加することにより、組成物の誘電率異方性を大きくすることができる。化合物（８）は、液晶相の温度範囲を広げる、粘度を調整する、または光学異方性を調整する、という効果がある。この化合物は、素子の電圧−透過率曲線の調整にも有用である。

ＴＮ、ＳＴＮなどのモード用の組成物を調製する場合には、化合物（８）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて１重量％〜９９重量％の範囲が適しており、好ましくは１０重量％〜９７重量％の範囲、さらに好ましくは４０重量％〜９５重量％の範囲である。化合物（８）を誘電率異方性が負である組成物に添加する場合、この化合物の含有量は液晶組成物の重量に基づいて３０重量％以下が好ましい。化合物（８）を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

〈成分Ｅ〉（化合物（９）〜（１５））
本発明の液晶組成物は、式（９）〜（１５）で表される化合物から選択される少なくとも一種の化合物（成分Ｅ）を含有してもよい。

式（９）から式（１５）において、
Ｒ^１５およびＲ^１６はそれぞれ独立して、炭素数１から１０のアルキルまたは炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｒ^１７は、水素、フッ素、炭素数１から１０のアルキル、または炭素数２から１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２、環Ｅ^３、および環Ｅ^４はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
環Ｅ^５および環Ｅ^６はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン，テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１８、Ｚ^１９、Ｚ^２０、およびＺ^２１はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または−ＯＣＦ_２ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
Ｌ^１５およびＬ^１６はそれぞれ独立して、フッ素または塩素であり；
Ｓ^１１は、水素またはメチルであり；
Ｘは、−ＣＨＦ−または−ＣＦ_２−であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、およびｓはそれぞれ独立して、０または１であり、ｋ、ｍ、ｎ、およびｐの和は、１または２であり、ｑ、ｒ、およびｓの和は、０、１、２、または３であり、ｔは、１、２、または３である。

化合物（９）〜（１５）は、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンのように、ラテラル位が２つのハロゲンで置換されたフェニレンを有する。これらの化合物の好ましい例として、化合物（９−１）〜（９−８）、化合物（１０−１）〜（１０−１７）、化合物（１１−１）、化合物（１２−１）〜（１２−３）、化合物（１３−１）〜（１３−１１）、化合物（１４−１）〜（１４−３）、および化合物（１５−１）〜（１５−３）を挙げることができる。これらの化合物おいて、Ｒ^１５およびＲ^１６は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｒ^１７は、水素、フッ素、炭素数１〜１０のアルキル、または炭素数２〜１０のアルケニルであり、このアルキルおよびアルケニルにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。

成分Ｅである化合物（９）〜（１５）は、誘電率異方性が負に大きい。これらの化合物は、ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合に用いられる。これらの化合物の含有量を増加させるにつれて組成物の誘電率異方性が負に大きくなるが、粘度が大きくなる。そこで、素子のしきい値電圧の要求値を満たす限り、含有量は少ないほうが好ましい。したがって、誘電率異方性が−５程度であることを考慮すると、充分な電圧駆動をさせるには、含有量が４０重量％以上であることが好ましい。

これらの化合物のうち、化合物（９）は二環化合物であるので、主として、粘度の減少、光学異方性の調整、または誘電率異方性の増加に効果がある。化合物（１０）および（１１）は三環化合物であるので、上限温度を高くする、光学異方性を大きくする、または誘電率異方性を大きくするという効果がある。化合物（１２）〜（１５）は、誘電率異方性を大きくするという効果がある。

ＩＰＳ、ＶＡ、ＰＳＡなどのモード用の組成物を調製する場合には、化合物（９）〜（１５）の含有量は、液晶組成物の重量に基づいて、好ましくは４０重量％以上であり、さらに好ましくは５０重量％〜９５重量％の範囲である。化合物（９）〜（１５）を誘電率異方性が正である組成物に添加する場合は、これらの化合物の含有量が液晶組成物の重量に基づいて３０重量％以下が好ましい。これらの化合物を添加することにより、組成物の弾性定数を調整し、素子の電圧−透過率曲線を調整することが可能となる。

液晶組成物の調製は、必要な成分を室温よりも高い温度で溶解させるなどの方法により行われる。用途に応じて、この組成物に添加物を添加してよい。添加物の例は、光学活性化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、熱安定剤、消泡剤、重合性化合物、重合開始剤、重合禁止剤などである。このような添加物は当業者によく知られており、文献に記載されている。

〈光学活性化合物〉
光学活性化合物は、液晶分子にらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与えることによって逆ねじれを防ぐ、という効果を有する。光学活性化合物を添加することによって、らせんピッチを調整することができる。らせんピッチの温度依存性を調整する目的で２つ以上の光学活性化合物を添加してもよい。本発明の液晶組成物に用いられるキラル剤としては、ねじり力（Helical Twisting Power，ＨＴＰ）が大きい化合物が好ましい。ねじり力が大きい化合物は所望のピッチを得るために必要な添加量が少なくできるので、駆動電圧の上昇を抑えられ、実用上有利である。具体的には化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１８）で表される化合物が好ましい。化合物（Ｏｐ−１８）において、環Ｊは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、Ｒ^２８は炭素数１〜１０のアルキルである。また、化合物（Ｏｐ−１７）、（Ｏｐ−１８）は、ビナフチル基が光学活性部位であり、キラル剤の掌性は問わない。

〈酸化防止剤〉
酸化防止剤は、大きな電圧保持率を維持するために有効である。酸化防止剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−１）および（ＡＯ−２）；ＩＲＧＡＮＯＸ４１５、ＩＲＧＡＮＯＸ５６５、ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５、ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４、およびＩＲＧＡＮＯＸ１０９８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。紫外線吸収剤は、上限温度の低下を防ぐために有効である。紫外線吸収剤の好ましい例は、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾエート誘導体、トリアゾール誘導体などである。具体例として下記の化合物（ＡＯ−３）および（ＡＯ−４）；ＴＩＮＵＶＩＮ３２９、ＴＩＮＵＶＩＮＰ、ＴＩＮＵＶＩＮ３２６、ＴＩＮＵＶＩＮ２３４、ＴＩＮＵＶＩＮ２１３、ＴＩＮＵＶＩＮ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ３２８、およびＴＩＮＵＶＩＮ９９−２（商品名：ＢＡＳＦ社）；および１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）を挙げることができる。

立体障害のあるアミンのような光安定剤は、大きな電圧保持率を維持するために好ましい。光安定剤の好ましい例として、下記の化合物（ＡＯ−５）および（ＡＯ−６）；ＴＩＮＵＶＩＮ１４４、ＴＩＮＵＶＩＮ７６５、およびＴＩＮＵＶＩＮ７７０ＤＦ（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。熱安定剤も大きな電圧保持率を維持するために有効であり、好ましい例としてＩＲＧＡＦＯＳ１６８（商品名：ＢＡＳＦ社）を挙げることができる。消泡剤は、泡立ちを防ぐために有効である。消泡剤の好ましい例は、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどである。

化合物（ＡＯ−１）において、Ｒ^２９は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜２０のアルコキシ、−ＣＯＯＲ^３２、または−ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＯＯＲ^３２であり、ここでＲ^３２は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−２）および（ＡＯ−５）において、Ｒ^３０は炭素数１〜２０のアルキルである。化合物（ＡＯ−５）において、Ｒ^３１は水素、メチルまたはＯ^・（酸素ラジカル）であり、環Ｋおよび環Ｌは１，４−シクロへキシレンまたは１，４−フェニレンであり、ｘは０、１または２である。

〈重合可能な化合物〉
重合性化合物は、立体的に制御しながら重合させることによって、素子の応答時間を短縮し、画像の焼き付きを改善することができる。重合性化合物の好ましい例は、アクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、およびビニルケトンである。さらに好ましい例は、少なくとも１つのアクリロイルオキシを有する化合物および少なくとも１つのメタクリロイルオキシを有する化合物である。さらに好ましい例には、アクリロイルオキシとメタクリロイルオキシの両方を有する化合物も含まれる。

その他の重合性化合物の追加例は、化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）である。化合物（Ｍ−１）〜（Ｍ−１２）において、Ｒ^２５、Ｒ^２６およびＲ^２７は独立して、水素またはメチルであり；ｕ、ｘおよびｙは独立して、０または１であり；ｖおよびｗは独立して、１〜１０の整数であり；Ｌ^２１、Ｌ^２２、Ｌ^２３、Ｌ^２４、Ｌ^２５、およびＬ^２６は独立して、水素またはフッ素である。

重合性化合物は、重合開始剤を添加することによって、速やかに重合させることができる。反応温度を最適化することによって、残存する重合性化合物の量を減少させることができる。光ラジカル重合開始剤の例は、ＢＡＳＦ社のダロキュアシリーズからＴＰＯ、１１７３および４２６５であり、イルガキュアシリーズから１８４、３６９、５００、６５１、７８４、８１９、９０７、１３００、１７００、１８００、１８５０、および２９５９である。

光ラジカル重合開始剤の追加例は、４−メトキシフェニル−２，４−ビス（トリクロロメチル）トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−５−トリクロロメチル−１，３，４−オキサジアゾール、９−フェニルアクリジン、９，１０−ベンズフェナジン、ベンゾフェノン／ミヒラーズケトン混合物、ヘキサアリールビイミダゾール／メルカプトベンズイミダゾール混合物、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２，４−ジエチルキサントン／ｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチル混合物、ベンゾフェノン／メチルトリエタノールアミン混合物である。

重合性化合物を保管するとき、重合を防止するために重合禁止剤を添加してもよい。重合性化合物は、通常は重合禁止剤を除去しないまま組成物に添加される。重合禁止剤の例は、ヒドロキノン、メチルヒドロキノンのようなヒドロキノン誘導体、４−tert−ブチルカテコール、４−メトキシフェノ−ル、フェノチアジンなどである。

〈その他の成分〉
本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系等の二色性色素などの染料を添加して、ゲスト・ホスト（ＧＨ）型用の液晶組成物として使用することもできる。

〈液晶組成物の調製方法およびその特性〉
本発明の液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合することにより、また各成分を構成する化合物のうち一種または二種以上が固体の場合には、それぞれの化合物を混合し、窒素雰囲気で加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより、調製することができる。また、本発明の液晶組成物は、その他の公知の方法により調製することもできる。

本発明の液晶組成物を調製するときには、例えば、バイメソゲン化合物（１）の誘電率異方性を考慮して各成分を選択することもできる。各成分を選択した液晶組成物は、熱、光等に対する安定性を有し、粘度が低く、適切な誘電率異方性、適切な光学異方性、および適切な弾性定数を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度が高く、ネマチック相の下限温度が低い。ここで「適切な」とは、本発明の液晶組成物を含む液晶表示素子の動作モードに応じて、例えば誘電率異方性、光学異方性および弾性定数の好適範囲が適宜決定されることを意味する。

本発明の液晶組成物では、ネマチック相の上限温度を７０℃以上とすること、ネマチック相の下限温度を−２０℃以下とすることができ、ネマチック相の温度範囲が広い。したがって、本発明の液晶組成物を含む液晶表示素子は、広い温度領域で使用することが可能である。

本発明の液晶組成物では、その組成等を適宜調整することで、光学異方性値（Δｎ）を、例えば０．１０〜０．１３の範囲に調整する、あるいは０．０５〜０．１８の範囲に調整する等、任意の範囲に調整することができる。

本発明の液晶組成物では、その組成等を適宜調整することで、誘電率異方性値（Δε）を、通常−５．０〜−２．０の範囲に、好ましくは−４．５〜−２．５の範囲に調整することができる。

本発明の液晶組成物では、その組成等を適宜調整することで、誘電率異方性値（Δε）を、通常１〜３０の範囲に、好ましくは２〜２５の範囲に調整することができる。なお、上記物性の測定方法は、実施例に記載したとおりである。

〈液晶内包複合繊維〉
本発明の液晶内包複合繊維は、本発明の液晶組成物を内包した複合繊維であり、液晶組成物を芯成分とする鞘芯型の複合繊維である。図１は、本発明で使用される液晶内包複合繊維１０（以下、「複合繊維１０」と言うこともある。）の斜視図である。液晶内包複合繊維１０は液晶組成物を芯成分とする鞘芯型の複合繊維である。詳細には、液晶内包複合繊維１０は、芯成分２を構成する液晶組成物２ａと、芯成分２の外周に存在し、液晶内包複合繊維１０の外殻である鞘成分４を構成する鞘成分形成材料４ａとを含む。なお、２ａは液晶分子配列を模式的に表しているが、図１のように液晶分子２ｂの長軸が繊維と平行であっても、液晶分子２ｂの長軸が繊維方向と直交していてもよい。

液晶内包複合繊維１０は、鞘成分形成材料４ａと液晶組成物２ａが異なる吐出装置、すなわち異なるノズルから吐出されることにより形成される。すなわち、本実施形態の液晶内包複合繊維１０においては、鞘成分形成材料４ａと液晶組成物２ａが一旦混ぜられた後に、鞘成分４と芯成分２に分離するのではない。最初から鞘成分形成材料４ａと液晶組成物２ａの各々が、個別に鞘成分４と芯成分２になるため、鞘成分形成材料４ａと液晶組成物２ａとは実質的に分離している状態が確保される。

本発明における複合繊維１０の鞘成分４の鞘成分形成材料４ａは、特に限定されないが、繊維形成性材料であることが好ましい。繊維形成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフッ化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ポリグリコール酸、ポリカプロラクトン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、セルロース、セルロース誘導体、キチン、キトサン、コラーゲン、ゼラチン及びこれらの共重合体などの高分子材料、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、ハイドロキシアパタイトなどの無機材料などを挙げることができる。これらの繊維形成材料は１種類で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。混合して使用する場合の混合率は、特に限定されるものではなく、得られる繊維の物性を鑑みて、適宜設定することができる。鞘成分４の鞘成分形成材料４ａが透明性を有する非結晶性高分子であれば、光透過量を高くすることができるため、液晶素子として好適に用いることができるため好ましい。このような非結晶性高分子として、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、ポリカーボネート、ポリスチレン、ゼラチンなどを例示できる。

本発明の鞘成分４の鞘成分形成材料４ａは、液晶組成物２ａの屈折率と近い屈折率を有する成分であれば、界面での光散乱を小さくすることができるため好ましい。このような鞘成分４の鞘成分形成材料４ａとして、ポリビニルピロリドンなどを例示できる。

本発明の複合繊維１０の製造方法は、溶融紡糸法、乾式紡糸法、湿式紡糸法、スパンボンド法、メルトブローン法、フラッシュ紡糸法、静電紡糸法、フォーススピニング法などを例示でき、均一かつ極細繊維が得られるという観点から、静電紡糸法が好ましい。以下では静電紡糸法について説明するが、これに限定されるものではない。

静電紡糸法とは、紡糸液を吐出させるとともに、電界を作用させて、吐出された紡糸液を繊維化し、コレクター上に繊維を得る方法である。例えば、紡糸液をノズルから押し出すとともに電界を作用させて紡糸する方法、紡糸液を泡立たせるとともに電界を作用させて紡糸する方法、円筒状電極の表面に紡糸液を導くとともに電界を作用させて紡糸する方法などを挙げることができる。この方法によれば、直径１０ｎｍ〜１０μｍの均一な繊維を得ることができる。

本発明における複合繊維１０の製造方法は、鞘溶液と液晶材料とを別々に２重管ノズルから吐出させて静電紡糸する方法、ポリマー、液晶材料及び溶媒が混合した紡糸液を静電紡糸するとともに相分離させる方法を挙げることができるが、液晶組成物の駆動しやすさから、鞘溶液と液晶組成物とを別々に２重管ノズルから吐出させて静電紡糸する方法が好ましい。ポリマー、液晶組成物及び溶媒が混合した紡糸液を静電紡糸するとともに相分離させる方法で作製された液晶内包複合繊維は、ポリマー成分が液晶材料と混合した状態を含んでしまうことから、液晶の配向が乱れ、液晶表示素子として良好な特性を得ることができない。

鞘溶液としては、曳糸性を有するものであれば特に限定されないが、繊維形成材料（鞘成分形成材料４ａ）を溶媒に溶解させたものや、繊維形成材料を熱やレーザー照射によって溶融させたものなどを用いることができる。本発明で用いる鞘溶液として、繊維形成材料を溶媒に溶解させたものを用いることが、複合繊維１０の直径の細さや均一性、液晶組成物２ａの連続性や配向性を容易に制御できる点で好ましい。

繊維形成材料としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ乳酸、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフッ化ビニリデン、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリル酸メチル、ポリグリコール酸、ポリカプロラクトン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、セルロース、セルロース誘導体、キチン、キトサン、コラーゲン、及びこれらの共重合体などの高分子材料、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア、ハイドロキシアパタイトなどの無機材料などを挙げることができる。これらの繊維形成材料は１種類で使用してもよく、２種類以上を混合して使用してもよい。混合して使用する場合の混合率は、特に限定されるものではなく、得られる繊維の物性を鑑みて、適宜設定することができる。本発明の複合繊維１０では、鞘成分４の鞘成分形成材料４ａが非結晶性高分子であれば、光学デバイスとして好適に使用可能となるため好ましい。このような非結晶性高分子として、ポリメタクリル酸メチル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルピロリドン、ポリカーボネート、ポリスチレンなどを例示できる。

繊維形成材料を溶解させる溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、アセトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、トルエン、キシレン、ピリジン、蟻酸、酢酸、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロパノール、及びこれらの混合物などを挙げることができる。これらの混合物を使用することにより、液晶組成物２ａの連続性や配向性、複合繊維１０の直径などを容易に制御することができるため好ましい。混合物の組成としては、特に限定されないが、極性溶媒と非極性溶媒との混合物であることが好ましい。極性溶媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノールなどを例示でき、非極性溶媒として、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロベンゼンなどを例示できる。また、混合比は、特に限定されるものではなく、例えば、２種類の溶媒を混合する場合、重量比で５：９５〜９５：５の範囲を例示できる。

静電紡糸の安定性や繊維形成性を向上させる目的で、鞘溶液中にさらに添加剤を含有させてもよい。添加剤は、例えば、ドデシル硫酸ナトリウムなどの陰イオン性界面活性剤、臭化テトラブチルアンモニウムなどの陽イオン界面活性剤、ポリオキシエチレンソルビタモンモノラウレートなどの非イオン性界面活性剤、塩化ナトリウムなどの無機塩などを挙げることができる。

本発明における複合繊維１０の捕集方法としては、特に限定されないが、ドラム状又はディスク状のコレクターを高速回転させる方法、格子状のコレクターを用いる方法が好ましい。このような捕集方法を用いれば、繊維を任意の方向に配列させることが可能となる。ドラム状又はディスク状のコレクターの回転速度としては、特に限定されないが、その周速度としては、５０〜２，０００ｍ／ｍｉｎの範囲であることが好ましく、１００〜１，０００ｍ／ｍｉｎの範囲であることがより好ましい。周速度が５０ｍ／ｍｉｎ以上であれば、複合繊維１０を回転方向に沿って配列させることが可能であり、１００ｍ／ｍｉｎ以上であれば配列が十分なものとなる。また、２，０００ｍ／ｍｉｎ以下であれば、回転により生じる気流の影響を低減することが可能であり、１，０００ｍ／ｍｉｎ以下であれば十分低減でき、安定に捕集することが可能となる。格子状コレクターを用いる場合、格子の間隔としては、例えば、１０〜２００ｍｍの範囲を例示できる。また格子の形状としては、正方形、長方形、ひし形、正三角形、正六角形、波形などを例示することができる。

〈液晶内包複合繊維複合体〉
本発明における複合繊維集合体２０は、特に限定されないが、液晶を内包した複合繊維１０が一軸配列していることが好ましい。複合繊維１０が一軸配列している場合には、複合繊維１０の有する種々の特性が異方的に発現させることができ、例えば、高コントラストの液晶表示素子として好適に用いることができる。複合繊維１０の配列の程度は、繊維配列角度の標準偏差によって評価することができ、繊維配列角度の標準偏差が小さければ、配列度が高いといえる。繊維配列角度の標準偏差が２０°以下であることが好ましく、１５°以下であることがさらに好ましい。

また、複合繊維１０はランダムに配置されていてもよい。ランダムに配置されている場合には、種々の特性を等方的に発現させることが可能である。

複合繊維集合体２０の厚みは、特に限定されないが、１〜２０μｍの範囲であることが好ましく、２〜１０μｍの範囲であることがさらに好ましい。厚みが１μｍ以上であれば、液晶素子としての機能を十分に満足することができ、厚みが２０μｍ以下であれば、光透過量を十分に高くするが可能となる。

複合繊維集合体２０における複合繊維１０が占める面積率は、８０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがさらに好ましい。

複合繊維１０を基板３０上に複数配置し、バインダ４０を充填することにより複合繊維集合体２０が形成可能である。すなわち、従来の様に配向膜を形成せずに、液晶層を基板３０上に形成することが可能となり、液晶表示素子の製造コストを大幅に抑制することが可能となる。

本発明における複合繊維１０は、液晶が繊維内部で連続に分布しているため、ディスプレイ用液晶素子や波長選択反射用液晶素子として好適に用いることができる。

〔液晶表示素子〕
本発明の液晶表示素子は、上述した液晶組成物を含む。本発明の液晶表示素子は、応答時間が速く、消費電力および駆動電圧が小さく、コントラスト比が大きく、広い温度範囲で使用可能であり、よって液晶プロジェクター、液晶テレビ等に用いることができる。

本発明の液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード、ＰＳＡモード等の動作モードを有し、アクティブマトリクス（ＡＭ）方式で駆動する液晶表示素子だけでなく；ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有し、パッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。これらのＡＭ方式およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型および半透過型等、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用できる。

本発明の液晶組成物は、複屈折制御のＥＣＢ（electrically controlled birefringence）モード素子や、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（dynamic scattering）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成して作成したＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子、相変化または表面安定化または重合体安定化コレステリックテクスチャー（ＳＳＣＴ、ＰＳＣＴ）素子にも使用できる。

また、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID '97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997)に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。

これらの中でも本発明の液晶組成物は、上述した特性を有するので、高速応答を達成し得る素子として、特にコレステリック液晶で見られるフレキソエレクトリック効果を利用したＵＬＨ（Uniform Lying Helix）方式の素子などに好適に用いることができる。本表示素子への使用の形態は、本願発明のバイメソゲン化合物（１）を１種類以上を含むか、少なくとも１種類のバイメソゲン化合物（１）を含有する液晶組成物から構成されるか、本願液晶組成物を内包した複合繊維、複合繊維集合体、もしくは液晶内包繊維複合体から構成されたフレクソエレクトリックディス表示素子である。

次に本発明の実施形態に関して説明する。本発明のバイメソゲン性化合物（１）およびそれらを含有する組成物は、表面処理または電場のような外場を用いた公知の方法により、それらのコレステリック相において種々の配向状態へ配列させることができる。例えば、平面（グランジャン）状態、フォーカルコニック状態またはホメオトロピック状態に配列することができる。さらに、大きな双極子モーメントを有するバイメソゲン性化合物（１）はフレクソエレクトリック応答が可能であり、よって、電気光学的スイッチや液晶表示素子中で使用することができる。

続いて本発明の好ましい異なる相状態間のスイッチングを、本発明のバイメソゲン性化合物（１）について、以下に詳細を示す。

例えばＩＴＯのような電極層を備えた２枚の平面−平行ガラス板からなるセルに試料を注入し、コレステリック相においてホモジニアス配列させ、コレステリックらせん軸をセル壁の法線方向に配向させる。この状態はグランジャン状態と呼ばれ、その光学組織は偏光顕微鏡観察により、グランジャンテクスチャーとして観測することができる。ホモジニアスは、例えばセル界面の表面処理を施したり(例えばラビングなどの手法により)、またはポリイミドのような液晶配向層を設置することにより達成することができる。

さらに、試料を等方相まで加熱し、その後コレステリック−等方相転移に付近の温度でコレステリック相まで冷却すること、およびセルをラビングすることで、高い配向で欠陥の少ないグランジャン状態を達成できる。

平面状態においては、試料は入射光の選択的反射を示し、反射の中央波長は、材料のらせんピッチおよび平均屈折率に依存する。

前述のセルに対して、電場を印加すると、試料はホメオトロピック状態にスイッチし、らせんは解かれ分子は電場と平行、即ち電極面に対して垂直方向に配向する。ホメオトロピック状態においては、セルは光を透過し直交偏光子を置いた場合、黒表示となる。

ホメオトロピック状態で電場を減少もしくは遮断することによって、試料はフォーカルコニックテクスチャーを取り、らせん軸が電場に対して垂直に配向し、電極面に平行にらせんが捩れた分子配向となる。フォーカルコニック状態は平面状態において試料に弱い電場を印加するのみでも達成することができる。フォーカルコニック状態では、光が散乱し直交偏光子間に置いた場合、明表示となる。

バイメソゲン性化合物（１）はマクロ的にに均一な配向に容易に達成出来るため、フレクソエレクトリック液晶表示素子に対して特に有益である。

次に、バイメソゲン性化合物（１）を有する内包した液晶内包複合繊維または液晶内包複合繊維集合体を用いた液晶表示素子関する実施形態について説明する。

図２は、液晶表示素子１００の斜視図である。液晶表示素子１００は、少なくとも一つの基板３０と、基板３０に配置され、液晶内包複合繊維１０を一軸配列させて形成した複合繊維集合体２０とを含む。基板３０はガラス基板によっても作成可能であるが、曲げが可能な樹脂基板などにより作成することにより、液晶表示素子１００を曲げが可能なフレキシブル液晶表示素子として構成することが可能である。さらに液晶表示素子１００は、基板３０に配置され、外部からの信号に基づき複合繊維集合体２０に電界、電圧を印加する図示せぬ電極とを含む。液晶表示素子１００には薄膜トランジスタ素子等、さらに他の部材が設けられ得る。

図３は、ＵＬＨ型の液晶表示素子における液晶内包複合繊維および複合繊維集合体の概念図を示す図であり、（ａ)は液晶内包複合繊維の平面図であり、(ｂ）は複合繊維集合体の平面図である。

図３ (ｂ）に示すように、図示せぬ基板上に複数の液晶内包複合繊維１０を平面状好ましくは高さ方向（紙面の表側と裏側の方向）にも並べることにより、複合繊維集合体２０が形成される。従来の製造方法では、液晶組成物のらせん軸を一定の方向に向かせる為にの配向膜が必要であった。本願液晶内包複合繊維１０を平面状に並べたり、あらかじめ平面状に配向した本願液晶内包複合繊維や液晶内包複合繊維集合体を用いれば、本願の液晶組成物を容易に一方向に並べることが可能となる。よって、ＵＬＨ方式の液晶表示素子の大型化（大画面化）を達成すること可能となる。

実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によっては制限されない。

１．化合物（１）の実施例
化合物（１）は、実施例１などに示した方法により合成した。合成した化合物は、ＮＭＲ分析などの方法により同定した。化合物の特性は、下記に記載した方法により測定した。

ＮＭＲ分析
測定には、ブルカーバイオスピン社製のＤＲＸ−５００を用いた。^１Ｈ−ＮＭＲの測定では、試料をＣＤＣｌ_３などの重水素化溶媒に溶解させ、測定は、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数１６回の条件で行った。テトラメチルシランを内部標準として用いた。^１９Ｆ−ＮＭＲの測定では、ＣＦＣｌ_３を内部標準として用い、積算回数２４回で行った。核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｑｕｉｎはクインテット、ｓｅｘはセクステット、ｍはマルチプレット、ｂｒはブロードであることを意味する。

ＨＰＬＣ分析
測定には、島津製作所製のＰｒｏｍｉｎｅｎｃｅ（ＬＣ−２０ＡＤ；ＳＰＤ−２０Ａ）を用いた。カラムはワイエムシー製のＹＭＣ−ＰａｃｋＯＤＳ−Ａ（長さ１５０ｍｍ、内径４．６ｍｍ、粒子径５μｍ）を用いた。溶出液はアセトニトリルと水を適宜混合して用いた。検出器としてはＵＶ検出器、ＲＩ検出器、ＣＯＲＯＮＡ検出器などを適宜用いた。ＵＶ検出器を用いた場合、検出波長は２５４ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．１重量％の溶液となるように調製し、この溶液１μＬを試料室に導入した。記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ７Ａｐｌｕｓを用いた。

紫外可視分光分析
測定には、島津製作所製のＰｈａｒｍａＳｐｅｃＵＶ−１７００用いた。検出波長は１９０ｎｍ〜７００ｎｍとした。試料はアセトニトリルに溶解して、０．０１ｍｍｏｌ／Ｌの溶液となるように調製し、石英セル（光路長１ｃｍ）に入れて測定した。

測定試料
相構造および転移温度（透明点、融点、重合開始温度など）を測定するときには、化合物そのものを試料として用いた。ネマチック相の上限温度、粘度、光学異方性、誘電率異方性などの特性を測定するときには、化合物と母液晶との混合物を試料として用いた。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる場合には、次の方法で測定を行った。化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を調製した。この試料の測定値から、次の式で表わされる外挿法にしたがって、外挿値を計算し、この値を記載した。〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈化合物の重量％〉

化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出する場合には、化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、結晶（または、スメクチック相）が２５℃で析出しなくなった割合で試料の物性を測定した。なお、特に断りのない限り、化合物と母液晶との割合は、１５重量％：８５重量％である。

化合物の誘電率異方性が正のときは、下記の母液晶（ｉ）を用いた。
母液晶（ｉ）：

化合物の誘電率異方性が負のときは、下記の母液晶（ｉｉ）を用いた。
母液晶（ｉｉ）：

測定方法
特性の測定は下記の方法で行った。これらの多くは、社団法人電子情報技術産業協会（ＪＥＩＴＡ；Japan Electronics and Information Technology Industries Association）で審議制定されるＪＥＩＴＡ規格（ＪＥＩＴＡ・ＥＤ−２５２１Ｂ）に記載された方法、またはこれを修飾した方法であった。測定に用いたＴＮ素子には、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を取り付けなかった。

（１）相構造
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置いた。この試料を３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、相の種類を特定した。

（２）転移温度（℃）
測定にはパーキンエルマー社製の走査熱量計、ＤｉａｍｏｎｄＤＳＣシステムまたはエスエスアイ・ナノテクノロジー社製の高感度示差走査熱量計、Ｘ−ＤＳＣ７０００を用いた。試料は、３℃／分の速度で昇降温した。試料の相変化に伴う吸熱ピークまたは発熱ピークの開始点を外挿により求め、転移温度を決定した。化合物の融点、重合開始温度もこの装置を使って測定した。化合物が固体からスメクチック相、ネマチック相などの液晶相に転移する温度を「液晶相の下限温度」と略すことがある。化合物が液晶相から液体に転移する温度を「透明点」と略すことがある。

結晶はＣと表した。結晶の種類の区別がつく場合は、それぞれをＣ_１、Ｃ_２のように表した。スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＡ相、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相、またはスメクチックＦ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ａ、Ｓ_Ｂ、Ｓ_Ｃ、またはＳ_Ｆと表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。転移温度は、例えば、「Ｃ５０．０Ｎ１００．０Ｉ」のように表記した。これは、結晶からネマチック相への転移温度が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への転移温度が１００．０℃であることを示す。

（３）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩまたはＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。試料が化合物（１）と母液晶との混合物であるときは、Ｔ_ＮＩの記号で示した。試料が化合物（１）と化合物（２）〜（１５）のような化合物との混合物であるときは、ＮＩの記号で示した。

（４）ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

（５）化合物の相溶性
類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製した。この母液晶に測定する化合物を添加した。混合する割合の一例は、１５重量％の化合物と８５重量％の母液晶である。この組成物を−２０℃、−３０℃のような低い温度で３０日間保管した。この組成物の一部が結晶（またはスメクチック相）に変化したか否かを観察した。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更した。このようにして測定した結果から、結晶（またはスメクチック相）が析出する条件および結晶（またはスメクチック相）が析出しない条件を求めた。これらの条件が相溶性の尺度である。

（６）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
粘度は、東京計器株式会社製のＥ型回転粘度計を用いて測定した。

（７）光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

（８）比抵抗（ρ；２５℃で測定；Ωｃｍ）
電極を備えた容器に試料１．０ｍＬを注入した。この容器に直流電圧（１０Ｖ）を印加し、１０秒後の直流電流を測定した。比抵抗は次の式から算出した。（比抵抗）＝｛（電圧）×（容器の電気容量）｝／｛（直流電流）×（真空の誘電率）｝。

（９）電圧保持率（ＶＨＲ−１；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は５μｍであった。この素子は試料を入れたあと紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積であった。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率で表した。

（１０）電圧保持率（ＶＨＲ−２；８０℃で測定；％）
２５℃の代わりに、８０℃で測定した以外は、上記と同じ手順で電圧保持率を測定した。結果をＶＨＲ−２の記号で示した。

誘電率異方性が正の試料と負の試料とでは、物性の測定法が異なることがある。誘電率異方性が正であるときの測定法は、項（１１ａ）〜（１５ａ）に記載した。誘電率異方性が負の場合は、項（１１ｂ）〜（１５ｂ）に記載した。

（１１ａ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
正の誘電率異方性：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０度であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。この素子に１６Ｖから１９．５Ｖの範囲で０．５Ｖ毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度を測定した素子を用い、下に記載した方法で求めた。

（１１ｂ）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
負の誘電率異方性：測定は、M. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３９ボルト〜５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とＭ．Ｉｍａｉらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性の項で測定した値を用いた。

（１２ａ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
正の誘電率異方性：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

（１２ｂ）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
負の誘電率異方性：誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。誘電率（ε‖およびε⊥）は次のように測定した。
１）誘電率（ε‖）の測定：よく洗浄したガラス基板にオクタデシルトリエトキシシラン（０．１６ｍＬ）のエタノール（２０ｍＬ）溶液を塗布した。ガラス基板をスピンナーで回転させたあと、１５０℃で１時間加熱した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであるＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤で密閉した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。
２）誘電率（ε⊥）の測定：よく洗浄したガラス基板にポリイミド溶液を塗布した。このガラス基板を焼成した後、得られた配向膜にラビング処理をした。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。

（１３ａ）弾性定数（Ｋ；２５℃で測定；ｐＮ）
正の誘電率異方性：測定には横河・ヒューレットパッカード株式会社製のＨＰ４２８４Ａ型ＬＣＲメータを用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである水平配向素子に試料を入れた。この素子に０ボルトから２０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。測定した静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を「液晶デバイスハンドブックク」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．９９）からＫ_１１およびＫ_３３の値を得た。次に１７１頁にある式（３．１８）に、先ほど求めたＫ_１１およびＫ_３３の値を用いてＫ_２２を算出した。弾性定数Ｋは、このようにして求めたＫ_１１、Ｋ_２２およびＫ_３３の平均値で表した。

（１３ｂ）弾性定数（Ｋ_１１およびＫ_３３；２５℃で測定；ｐＮ）
負の誘電率異方性：測定には株式会社東陽テクニカ製のＥＣ−１型弾性定数測定器を用いた。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍである垂直配向素子に試料を入れた。この素子に２０ボルトから０ボルト電荷を印加し、静電容量および印加電圧を測定した。静電容量（Ｃ）と印加電圧（Ｖ）の値を、「液晶デバイスハンドブック」（日刊工業新聞社）、７５頁にある式（２．９８）、式（２．１０１）を用いてフィッティングし、式（２．１００）から弾性定数の値を得た。

（１４ａ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
正の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が０．４５／Δｎ（μｍ）であり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧で表した。

（１４ｂ）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
負の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が４μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＶＡ素子に試料を入れ、この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子に印加する電圧（６０Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから２０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が１０％になったときの電圧で表した。

（１５ａ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）
正の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。立ち上がり時間（τｒ：rise time；ミリ秒）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立ち下がり時間（τｆ：fall time；ミリ秒）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立ち上がり時間と立ち下がり時間との和で表した。

（１５ｂ）応答時間（τ；２５℃で測定；ｍｓ）
負の誘電率異方性：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプであった。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が３．２μｍであり、ラビング方向がアンチパラレルであるノーマリーブラックモード（normally black mode）のＰＶＡ素子に試料を入れた。この素子を紫外線で硬化する接着剤を用いて密閉した。この素子にしきい値電圧を若干超える程度の電圧を１分間印加し、次に５．６Ｖの電圧を印加しながら２３．５ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を８分間照射した。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、１０Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％であるとみなした。応答時間は透過率９０％から１０％に変化するのに要した時間（立ち下がり時間；fall time；ミリ秒）で表した。

〔液晶性化合物の実施例〕
液晶性化合物の実施例等を以下に示す。

［実施例１］
１，９−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノンの合成［化合物（１−１０２）］

〈第１工程〉
２５．０ｇ（１２１．９４ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―１）、２０．５ｇ（１４６．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―２）、１．３ｇの５重量％−パラジウムカーボン（Ｐｄ／Ｃ）、３３．７ｇ（２４４ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムと７．９ｇ（３２２．４ｍｍｏｌ）のテトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）をトルエン／ソルミックス／水（７５ｍＬ／７５ｍＬ／７５ｍＬ）の混合溶媒へ懸濁させ２０時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷した後、反応懸濁液をろ紙で濾過後トルエンにて抽出した。抽出液を水（１５０ｍｌ）および飽和食塩水（１５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝３／１（容積比））によって精製し、２３．９ｇ（１０８．４ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−３）を収率８８．９％で得た。

〈第２工程〉
２３．９ｇ（１０８．４ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−３）のジクロロメタン（４７０ｍｌ）溶液を−２０℃に冷却し、１６２．７ｍＬ（１６２．７ｍｍｏｌ）の三臭化ホウ素ジクロロメタン溶液（１７重量％, 約１ｍｏｌ／ｌ)を滴下後、室温まで昇温させ終夜撹拌した。反応混合物を氷水２００ｍｌへ注ぎ、炭酸水素ナトリウム水溶液１００ｍｌを加え、酢酸エチルにて抽出した。抽出液を水２００ｍｌおよび飽和食塩水２００ｍｌにて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）によって分取後、再結晶（溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝１０／１）にて精製し、１５．９ｇ（７７．１ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−４）を収率７１．１％で得た。

〈第３工程〉
１９．８０ｇ（６１４．８ｍｍｏｌ）のマグネシウムを２３０ｍＬのテトラヒドロフランに懸濁させ、１００．０ｇ（７４０．７ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−５）のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液（１５０ｍｌ）を滴下した。１時間加熱還流した後、室温まで放冷し、２０ｍｌのＴＨＦに溶解させた２０．０２ｇ（３３３．３ｍｍｏｌ）のギ酸メチルを滴下し、室温にて終夜撹拌した。反応混合物を３００ｍＬの塩化アンモニウム水溶液へ注ぎこみ、ジクロロエタンにて抽出した。抽出液を水２００ｍＬおよび飽和食塩水２００ｍＬにて洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧下留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝６／１（容積比））にて精製し、４６．８ｇ（３３３．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−６）を定量的に得た。

〈第４工程〉
４７０ｍＬのジクロロメタンに溶解させた４６．８ｇ（３３３．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−６）を０℃に冷却し、１５５．５ｇ（３６６．７ｍｍｏｌ）のデスマーチン・ペルヨージナンを少しずつ加えた後、室温まで昇温し５時間撹拌した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌへ注ぎ、亜硫酸ナトリウムを加え、ジクロロメタンにて抽出後有機層を合わせ、水２００ｍｌおよび飽和食塩水２００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝８／１（容積比））によって精製し、４０．１ｇ（３３３．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−７）を定量的に得た。

〈第５工程〉
トルエン９００ｍＬへ溶解させた４０．１ｇ（３３３．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−７）と２２．８ｇ（３６６．７ｍｍｏｌ）のエチレングリコール、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．４４４ｇ，２．３３ｍｍｏｌ）をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ装置によって水を除去しながら８時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷したのち、炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍＬへ注ぎこみ、ジクロロメタンにて抽出した。抽出液を水２００ｍＬおよび飽和食塩水２００ｍＬで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２０／１（容積比））によって精製し、５６．７ｇ（３１０．９ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−８）を収率９３．３％で得た。

〈第６工程〉
ＴＨＦ２００ｍＬへ溶解させた８３．７ｇ（１１０２ｍｍｏｌ）のジメチルスルフィドボランを−１０℃に冷却し、ＴＨＦ６００ｍｌに溶解させた１５４．６ｇ（２２０５ｍｍｏｌ）の２−メチル−２−ブテンを滴下した。０℃で２時間撹拌後、ＴＨＦ３１０ｍＬに溶解させた４３．１ｇ（２３６．９ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−８）を滴下した。０℃で２時間撹拌した後、室温まで昇温させ同温にて終夜撹拌し、その後６Ｎの水酸化ナトリウム水溶液２５０．５ｍＬ、３０重量％過酸化水素５０７．２ｍＬ、エタノール７３１．４ｍＬをそれぞれゆっくり滴下した。５０℃で３時間撹拌し、反応混合物を室温まで放冷した。ジエチルエーテルにて抽出後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム／メタノール＝１００／５（容積比））によって精製し、５１．３ｇ（２３４．９ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−９）を収率９３．８％で得た。

〈第７工程〉
７．２１ｇ（３３．０ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−９）、１３．６ｇ（６６．１ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−４）、２６．０ｇ（９９．１ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィンの２４０ｍＬＴＨＦ溶液を０℃に冷却し、そこへ４５．０ｍＬ（９９．１ｍｍｏｌ）のアゾジカルボン酸ジエチル(ＤＥＡＤ；４０重量％トルエン溶液, 約２．２ｍｏｌ／Ｌ)を滴下し、反応混合物を室温まで昇温後終夜で撹拌した。酢酸エチルにて抽出した後、抽出液を水１００ｍＬおよび飽和食塩水１００ｍｌＬで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１（容積比））によって精製し、１２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１０）を収率６１．１％で得た。

〈第８工程〉
１２５ｍＬのジクロロエタンに溶解させた１２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１０）に、２３．０ｇ（２０１．５ｍｍｏｌ）のトリフルオロ酢酸を少しずつ加え、反応混合物を終夜で撹拌した。反応溶液を水に注ぎ酢酸エチルにて抽出し、抽出液を水１００ｍｌおよび飽和食塩水１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１（容積比））によって精製し、１０．９ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０２）を収率９８．６％で得た。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４７−７．４４（４Ｈ，ｍ），７．２９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．１３−７．０８（４Ｈ，ｍ），６．７４（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．５Ｈｚ），６．６９（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．５，１２．４），３．９８（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．９Ｈｚ），２．５３（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），１．８２−１．７６（８Ｈ，ｍ），１．３５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）．

転移温度は化合物（１−１０２）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１０２）を母液晶iと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１０２）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ７５．８Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝３７．７℃，Δε＝５．１，Δｎ＝０．１４７．

［実施例２］
１，９−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−プロピルノナンの合成［化合物（１−１０４）］

〈第１工程〉
１５．０１ｍＬ（１５．５ｍｍｏｌ）の臭化ｎ−プロピルマグネシウムテトラヒドロフラン溶液（１．０２ｍｏｌ／Ｌ）へ９．４５ｍＬ（５．６７ｍｍｏｌ）の塩化ランタンビス塩化リチウム錯体（０．６ｍｏｌ／ｌ）を加えた後０℃に冷却し、そこへＴＨＦ３０ｍＬへ溶解させた２．８４ｇ（５．１６ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０２）を滴下し、室温にて終夜撹拌した。反応混合物を１Ｎ塩酸２０ｍｌへ注ぎ込み、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水３０ｍｌおよび飽和食塩水３０ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１（容積比））によって精製し、３．０７ｇ（５．１６ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１１）を定量的に得た。

〈第２工程〉
ジクロロメタン１６ｍｌへ溶解させた２．７４ｇ（４．６１ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１１）の溶液を−６０℃に冷却し、ジクロロメタン１１ｍｌに溶解させた０．５４ｇ（４．６１ｍｍｏｌ）のトリエチルシランの溶液を滴下し、−６０℃で２０分間撹拌した。その後１．３１ｇ（９．２２ｍｏｌ）の三フッ化ホウ素エーテル錯体を滴下し室温まで昇温し終夜撹拌した。反応混合物を氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水２０ｍｌおよび飽和食塩水２０ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝４０／１（容積比））によって精製し、１．６５ｇ（２．８５ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０４）を収率７２．０％で得た。

転移温度は化合物（１−１０４）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１０４）を母液晶iと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１０４）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｇｒ −３９．４Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝−３４．３℃，Δε＝６．５，Δｎ＝０．０７．

［実施例３］
１，９−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５，５−ジフルオロノナンの合成［化合物（１−１０３）］

第１工程：
ジクロロエタン３０ｍｌへ溶解させた５．０ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０２）を０〜５℃に冷却し、１４．６ｇ（９０．８ｍｍｏｌ）の三フッ化ジエチルアミノ硫黄（ＤＡＳＴ）のジクロロエタン（３０ｍｌ）溶液を滴下した。８０℃で２６時間加熱撹拌した後室温まで冷却した後、反応混合物を飽和重曹水に注ぎ込んだ。トルエンで抽出後、抽出液を水４０ｍｌおよび飽和食塩水４０ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝８／１→４／１（容積比））によって精製し、１．８ｇ（３．２０ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０３）を収率３５．２％で得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４７−７．４４（４Ｈ，ｍ），７．２９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），７．１３−７．０８（４Ｈ，ｍ），６．７５（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．５Ｈｚ），６．７０（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ，１２．４），４．００（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ），１．９８−１．８１（８Ｈ，ｍ），１．７３−１．６７（４Ｈ，ｍ）．

転移温度は化合物（１−１０３）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１０３）を母液晶iと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１０３）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ１６１．７Ｃｒ２９８．０Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝１８．４℃，Δε＝８．５，Δｎ＝０．１０４．

［実施例４］
１，５−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−３−メチルペンタンの合成［化合物（１−１）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、２５ｍＬのＴＨＦへ分散させた２．９６ｇの水素化アルミニウムリチウムへ、氷冷下５０ｍＬのＴＨＦへ溶解させた５．０ｇの３-メチルグルタル酸無水物（ｒ−１２）を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応溶液に１００ｍＬのトルエンを加え、さらに飽和硫酸ナトリウム水溶液をガム状沈殿物が出来るまで滴下した。有機層とガム状物質とをデカンテーションにて分離し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、３．７５ｇの３−メチル−１，５−ペンタンジオール［化合物（ｒ−１３）］を得た。

〈第２工程〉
窒素雰囲気下、２００ｍＬのＴＨＦへ３．７５ｇの化合物（ｒ−１３）、１３．１ｇの化合物（ｒ−３）、２０．０ｇのトリフェニルホスフィンを溶解させ、そこへ氷冷下３４．６ｍLのＤＥＡＤトルエン溶液（２．２ｍｏｌ／Ｌ）をゆっくりと滴下し、室温で終夜撹拌した。反応溶液の溶媒を減圧下留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝１／９（容積比））による分取操作で精製し、さらにヘプタン／ソルミックス（登録商標）Ａ−１１＝１／２（容量比）からの再結晶により精製し、６．５ｇの１，５−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−３−メチルペンタンの合成［化合物（１−１）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．４４（ｄｄ，４Ｈ），７．２７（ｔ，２Ｈ），７．０８（ｄｄ，１Ｈ），６．７４（ｄｄ，２Ｈ），６．６９（ｄｄ，２Ｈ），４．０７−４．００（ｍ，４Ｈ），２．０３−１．９９（ｍ，１Ｈ），１．９５−１．８８（ｍ，２Ｈ），１．７３−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．０５（ｄ，３Ｈ）．

転移温度は化合物（１−１）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１）を母液晶iと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ_１６６．４Ｃｒ_２９３．７Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝−０．３℃，Δε＝９．９０，Δｎ＝０．１１７．

［実施例５］
１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノンの合成［化合物（１−１２２）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、２００ｍＬのＴＨＦへ溶解させた２０．０ｇ（９１．６ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−９）、３５．２ｇ（１８４．０ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１４）、５０．６７ｇ（１９３．２ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィンへ、氷冷下８３．８ｇのＤＥＡＤ４０％トルエン溶液（１９２．５ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で終夜撹拌した。反応溶液の減圧下溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）による分取操作で精製し、２７．８ｇの化合物（ｒ−１５）を得た。

〈第２工程〉
２７０ｍＬのジクロロエタンに溶解させた２６．８ｇ（４７．５ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１５）に、５３．３ｇ（４６７．３ｍｍｏｌ）のトリフルオロ酢酸を少しずつ加え、反応混合物を終夜で撹拌した。反応溶液を水に注ぎ酢酸エチルにて抽出し、抽出液を水３００ｍｌおよび飽和食塩水３００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１（容積比））によって精製し、２２．０ｇ（４２．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１６）を得た。

〈第３工程〉
１４．０ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―１６）、１６．４ｇ（５１．３ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―１７）、１．５５ｇ（１．３４ｍｍｏｌ）のテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム、１６．８ｇ（１２１ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムと４．３５ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）のテトラブチルアンモニウムブロミド（ＴＢＡＢ）をトルエン／１−ブタノール（９０ｍＬ／７５ｍＬ）の混合溶媒へ懸濁させ５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷した後、トルエンにて抽出した。抽出液を水（１５０ｍｌ）および飽和食塩水（１５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１（容積比））による分取操作で精製し、さらに再結晶により精製し、５．７ｇの１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノン［化合物（１−１２２）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．２３（ｔ，２Ｈ），７．００（ｔｄ，２Ｈ），６．７８（ｔｄ，２Ｈ），６．７４（ｄｄ，２Ｈ），６．６９（ｄｄ，２Ｈ），４．１５（ｑ，４Ｈ），３．９８（ｔ，４Ｈ）２．５３（ｔ，４Ｈ），１．８４−１．７６（ｍ，８Ｈ），１．４８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物（１−１２２）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１２２）を母液晶ｉｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１２２）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ１２２Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝７４．３℃，Δε＝−７．７１，Δｎ＝０．１８７．

［実施例６］
１，９−ジ（４−（３，５−ジフルオロ−４−（（３，４，５−トリフルオロフェノキシ）ジフルオロメチル）フェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノンの合成［化合物（１−３６７）］

〈第３工程〉
７．３６ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―１６）、１１．０ｇ（３１．１ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ―１８）、０．０７２ｇ（０．１０ｍｍｏｌ）のビス（ジｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ−１３２）、５．８７ｇ（４２．４ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムをトルエン／ソルミックス／水（３０ｍＬ／５ｍＬ／１０ｍＬ）の混合溶媒へ懸濁させ５時間加熱還流した。反応混合物を室温まで放冷した後、トルエンにて抽出した。抽出液を水（１５０ｍｌ）および飽和食塩水（１５０ｍｌ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１（容積比））による分取操作で精製し、さらにヘプタン／酢酸エチル＝９／１（容量比）からの再結晶により精製し、５．９２ｇの１，９−ジ（４−（３，５−ジフルオロ−４−（（３，４，５−トリフルオロフェノキシ）ジフルオロメチル）フェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノン［化合物（１−３６７）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．３４（ｔ，２Ｈ），７．１７（ｄ，４Ｈ），７．００（ｔｄ，４Ｈ），６．７７（ｄｄ，２Ｈ），６．７０（ｄｄ，２Ｈ），４．００（ｔ，４Ｈ），２．５３（ｔ，４Ｈ），１．８５−１．７５（ｍ，８Ｈ）．

転移温度は化合物（１−３６７）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−３６７）を母液晶ｉｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−３６７）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ１８７．７Ｃｒ２９７．２Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝５７．７℃，Δε＝９．７，Δｎ＝０．１５７．

［実施例７］
１，９−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノールの合成［化合物（１−３６１）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、１０ｍＬのＴＨＦへ分散させた０．２３４ｇ（６．１７ｍｍｏｌ）の水素化アルミニウムリチウムへ、氷冷下１０ｍＬのＴＨＦへ溶解させた２．１９ｇ（３．９８ｍｍｏｌ）の化合物（１−１０２）を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応溶液に２０ｍＬのトルエンを加え、さらに飽和硫酸ナトリウム水溶液をガム状沈殿物が出来るまで滴下した。有機層とガム状物質とをデカンテーションにて分離し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝２／１（容積比））による分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、１．８５ｇの１，９−ジ（４−（４−フルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノール［化合物（１−３６１）］を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３；δｐｐｍ）：７．４７−７．４４（ｍ，４Ｈ），７．２９（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．８Ｈｚ），７．１０（ｔｔ，４Ｈ，ｍ），６．７４（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，８．５Ｈｚ），６．６９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．５Ｈｚ，１２．４Ｈｚ），３．９９（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．４Ｈｚ）、３．６８（１Ｈ，ｓ），１．８３（ｓｅｘ，４Ｈ），１．６７−１．５０（８Ｈ，ｍ），１．３９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ）．

転移温度は化合物（１−３６７）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−３６７）を母液晶ｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−３６７）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ８０．５Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝４６．７℃，Δε＝１１．７，Δｎ＝０．１４７．

［実施例８］
１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−エテニルノナンの合成［化合物（１−１２４）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、２０ｍＬのＴＨＦへ懸濁させた１．９８ｇ（５．７８ｍｍｏｌ）のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドへ−３０℃にて０．６５ｇ（５．７８ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔブトキシカリウムを加え、同温で１時間撹拌した。そこへＴＨＦ２０ｍＬに溶解させた化合物（１−１２２）３．００ｇ（４．４５ｍｍｏｌ）を同温で滴下した後室温まで昇温し２０時間撹拌した。反応溶液を水へあけ、トルエンで抽出後有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）による分取操作で精製し、３．１２ｇの残渣物を得た。
トルエン３０ｍＬへ溶解させた３．１２ｇ（４．４５ｍｍｏｌ）の残渣物へ０．２７ｇ（０．８７ｍｍｏｌ）のＴＢＡＢ、６．１０ｍＬのギ酸を加え、室温で４０時間撹拌した。有機相を分離し、水、飽和重曹水、水、飽和食塩水で洗浄した後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）によって精製し、３．０ｇ（４．３４ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１７）を得た。

〈第２工程〉
窒素雰囲気下、２０ｍＬのＴＨＦへ懸濁させた１．７０ｇ（４．７６ｍｍｏｌ）のメチルトリフェニルホスホニウムブロミドへ−３０℃にて０．５３ｇ（４．７６ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔブトキシカリウムを加え、同温で１時間撹拌した。そこへＴＨＦ３０ｍＬに溶解させた化合物（ｒ−１７）２．７３ｇ（３．９６ｍｍｏｌ）を同温で滴下した後室温まで昇温し１５時間撹拌した。反応溶液を水へあけ、トルエンで抽出後有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝１／２（容積比））による分取操作で精製し、さらにヘプタン／トルエン＝７／１（容量比）からの再結晶により精製し、２．７２ｇの１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−エテニルノナン［化合物（１−１２４）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．２３（ｔ，２Ｈ），７．００（ｔｄ，２Ｈ），６．７６（ｔｄ，２Ｈ），６．７５（ｄｄ，２Ｈ），６．７０（ｄｄ，２Ｈ），５．５４（ｑｄ，１Ｈ），５．０１（ｔｄ，２Ｈ），４．１５（ｑ，４Ｈ），３．９７（ｔ，４Ｈ），２．０３−１２．００（ｍ，１Ｈ），１．８４−１．７３（ｍ，４Ｈ），１．５４−１．２９（ｍ，８Ｈ），１．４８（ｔ，３Ｈ）．

転移温度は化合物（１−１２４）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−１２４）を母液晶ｉｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−１２４）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：ＳｍＣ５．２Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝２３．６℃，Δε＝−６．３０，Δｎ＝０．１４０．

［実施例９］
１，９−ジ（４−（３，５−ジフルオロ−４−（（３，４，５−トリフルオロフェノキシ）ジフルオロメチル）フェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノールの合成［化合物（１−３６３）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、１５ｍＬのＴＨＦへ分散させた０．１７５ｇ（４．６０ｍｍｏｌ）の水素化アルミニウムリチウムへ、氷冷下４５ｍＬのＴＨＦへ溶解させた３．００ｇ（３．０７ｍｍｏｌ）の化合物（１−３６７）を滴下し、室温で２時間撹拌した。反応溶液に２０ｍＬのトルエンを加え、さらに飽和硫酸ナトリウム水溶液をガム状沈殿物が出来るまで滴下した。有機層とガム状物質とをデカンテーションにて分離し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容積比））による分取操作で精製し、さらにヘプタンからの再結晶により精製し、１．８０ｇの１，９−ジ（４−（３，５−ジフルオロ−４−（（３，４，５−トリフルオロフェノキシ）ジフルオロメチル）フェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−ノナノール［化合物（１−３６３）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．３４（ｔ，２Ｈ），７．１７（ｄ，４Ｈ），６．９８（ｔｄ，４Ｈ），６．７９（ｄｄ，２Ｈ），６．７２（ｄｄ，２Ｈ），４．０１（ｔ，４Ｈ），３．６９（ｓ，１Ｈ），１．９２−１．８１（ｍ，４Ｈ），１．７１−１．４８（ｍ，８Ｈ），１．３８（ｓ，１Ｈ）．

転移温度は化合物（１−３６３）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−３６３）を母液晶ｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−３６７）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ７１．２Ｎ７４．３Ｉｓｏ．
Ｔ_NI＝６３．０℃，Δε＝８．５７，Δｎ＝０．１５７．

［実施例１０］
１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−（２−プロペニル）ノナンの合成［化合物（１−３６６）］

〈第１工程〉
窒素雰囲気下、６０ｍＬのＴＨＦへ懸濁させた６．９０ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）のメトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリドへ−３０℃にて２．２６ｇ（２０．１ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔブトキシカリウムを加え、同温で１時間撹拌した。そこへＴＨＦ６０ｍＬに溶解させた化合物（ｒ−１７）９．２４ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）を同温で滴下した後室温まで昇温し２時間撹拌した。反応溶液を水へあけ、トルエンで抽出後有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）による分取操作で精製し、９．６２ｇの残渣物を得た。
トルエン６５ｍＬへ溶解させた６．５４ｇ（９．１２ｍｍｏｌ）の残渣物へ０．８８ｇ（２．７４ｍｍｏｌ）のＴＢＡＢ、１９．６ｍＬのギ酸を加え、室温で１８時間撹拌した。有機相を分離し、水、飽和重曹水、水、飽和食塩水で洗浄した後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン／酢酸エチル＝１９／１（容積比））によって精製し、６．４１ｇ（９．１２ｍｍｏｌ）の化合物（ｒ−１８）を得た。

〈第２工程〉
窒素雰囲気下、６０ｍＬのＴＨＦへ懸濁させた３．９１ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）のメチルトリフェニルホスホニウムブロミドへ−３０℃にて１．２２ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）のｔｅｒｔブトキシカリウムを加え、同温で１時間撹拌した。そこへＴＨＦ３０ｍＬに溶解させた化合物（ｒ−１８）６．４１ｇ（９．１２ｍｍｏｌ）を同温で滴下した後室温まで昇温し１５時間撹拌した。反応溶液を水へあけ、トルエンで抽出後有機相を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝１／２（容積比））による分取操作で精製し、５．６４ｇの１，９−ジ（４−（４−エトキシ−２，３−ジフルオロフェニル）−３−フルオロフェニルオキシ）−５−（２−プロペニル）ノナンの合成［化合物（１−３６６）］を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ δ［ｐｐｍ］）；７．２３（ｔ，２Ｈ），７．００（ｔｄ，２Ｈ），６．７６（ｔｄ，２Ｈ），６．７５（ｄｄ，２Ｈ），６．７０（ｄｄ，２Ｈ），５．８１−５．７４（ｍ，１Ｈ），５．０３−５．００（ｍ，２Ｈ），４．１５（ｑ，４Ｈ），３．９８（ｔ，４Ｈ），２．０７（ｔ，２Ｈ），１．７９（ｑｕｉｎ，４Ｈ），１．５２−１．４３（ｍ，５Ｈ），１．４８（ｔ，６Ｈ），１．３７−１．３３（ｍ，４Ｈ）．

転移温度は化合物（１−３６６）自体の測定値とし、上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性値（Δε）および光学異方性値（Δｎ）は、化合物（１−３６６）を母液晶ｉｉと混合してなる試料の測定値を、上記外挿法に従って換算した外挿値とした。化合物（１−３６６）の物性値は、以下のとおりであった。

転移温度：Ｃｒ＜−５０℃
Ｔ_NI＝７．６℃，Δε＝−６．００，Δｎ＝０．１２７．

〔バイメソゲン化合物の例示〕
実施例１〜１０に記載された合成方法と同様の方法により、以下に示す、化合物（１−１）〜（１−３７０）を合成することができる。なお、実施例１〜１０で合成した液晶性化合物も例示している。

〔液晶組成物の実施例〕
液晶組成物の実施例等を以下に示す。

液晶組成物の成分である各化合物の記号による表記方法を表１に示す。表中、１，４−シクロへキシレンの立体配置は、トランス配置である。各化合物の割合（百分率）は、特に断りのない限り、液晶組成物の全質量に基づいた質量百分率（重量％）である。
なお、各実施例で使用する液晶性化合物の部分に記載した番号は、上述した成分Ａ〜Ｅの化合物番号に対応している。化合物番号を記載せずに、単に「−」と記載した場合には、この化合物は、これら成分には対応をしていないその他の化合物であることを意味している。

表１

［使用例１］
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）１０％
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）１３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）７％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ（５−１５）１０％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ（５−１５）１０％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ（６−８０）１０％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ（６−８０）１０％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ（６−８０）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（４−５）７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−５）８％
化合物（１−１）８％
ＮＩ＝８７．６℃；η＝４３．８ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１８４；Δε＝８．３．

［使用例２］
２−ＨＢ−Ｃ（８−１）５％
３−ＨＢ−Ｃ（８−１）１２％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）１５％
２−ＢＴＢ−１（２−１０）３％
３−ＨＨＢ−Ｆ（６−１）４％
３−ＨＨＢ−１（３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（３−１）５％
３−ＨＨＢ−３（３−１）１２％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１１）３％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１１）２％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）６％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）６％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３）５％
化合物（１−１０２）８％
ＮＩ＝９０．５℃；η＝２４．５ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０３；Δε＝４．６．

［使用例３］
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（５−４）３％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）７％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）１０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）１０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）９％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）９％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）１４％
２−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）４％
３−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）４％
５−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）６％
化合物（１−１０４）１０％
ＮＩ＝７４．８℃；η＝３８．５ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１１０；Δε＝５．５．

［使用例４］
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）１６％
３−ＨＨ−４（２−１）１２％
３−ＨＨ−５（２−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｆ（６−１）４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ（６−１）３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ（６−１）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）１０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）８％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（４−１）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−１５）３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−１５）３％
化合物（１−１０３）３％

［使用例５］
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３）８％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）７％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２３）２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２３）２０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２７）１０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ（７−１７）２％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−１５）３％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４（４−１）４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５（４−１）４％
化合物（１−１０５）４％

［使用例６］
５−ＨＢ−Ｆ（５−１）１２％
６−ＨＢ−Ｆ（５−１）９％
７−ＨＢ−Ｆ（５−１）７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（６−１）７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（６−１）７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（６−１）７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（６−１）５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（６−４）４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３（６−４）４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ（６−３）３％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３（６−３）５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ（６−５）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）１０％
５−ＨＢＢＨ−３（４−１）３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３（４−２）３％
化合物（１−１０６）１％

［使用例７］
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）１１％
３−ＨＨ−４（２−１）７％
３−ＨＨＢ−１（３−１）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３）８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）１３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３９）３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３９）４％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３９）３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）５％
化合物（１−１０２）５％

［使用例８］
３−ＨＢ−ＣＬ（５−２）６％
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３（６−１）５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３（６−１３）５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３（６−１９）１５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（６−２１）７％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（６−２１）８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２１）７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２６）５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２６）１０％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３９）５％
化合物（１−１０７）３％

［使用例９］
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）１５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（５−４）３％
３−ＨＨ−４（２−１）７％
３−ＨＨ−５（２−１）５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）１５％
３−ＨＨＢ−１（３−１）８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（３−１）５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−３）６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１５）５％
化合物（１−５１）５％

［使用例１０］
５−ＨＢ−ＣＬ（５−２）３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ（５−３）７％
３−ＨＨ−４（２−１）８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ（２−２）２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１０）６％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１０）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０３）４％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０３）６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０６）４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０６）５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０９）７％
化合物（１−１２１）４％

［使用例１１］
３−ＨＢ−Ｏ１（２−５）１５％
３−ＨＨ−４（２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１２％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１０−１）１１％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１０−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−１）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−１）１３％
３−ＨＨＢ−１（３−１）６％
化合物（１−１１１）４％

［使用例１２］
２−ＨＨ−５（２−１）３％
３−ＨＨ−４（２−１）１５％
３−ＨＨ−５（２−１）４％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−４）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−４）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（１０−１２）５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）３％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）９％
３−ＨＨＢ−１（３−１）３％
３−ＨＨＢ−３（３−１）３％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（３−１）３％
化合物（１−１１４）４％

［使用例１３］
２−ＨＨ−３（２−１）１７％
３−ＨＨ−４（２−１）９％
１−ＢＢ−３（２−８）７％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）２％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−３）９％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−３）５％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）１１％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）２１％
３−ＨＨＢ−１（３−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（３−１）３％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２（３−８）２％
化合物（１−１）４％
化合物（１−１０２）６％
ＮＩ＝７１．９℃；η＝２７．４ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０２；Δε＝−３．０．

［使用例１４］
２−ＨＨ−３（２−１）１３％
７−ＨＢ−１（２−５）１０％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−５）８％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１７％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１３％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（１０−１２）３％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（１０−１２）２％
３−ＨＨ１ＯＣｒｏ（７Ｆ，８Ｆ）−５（１３−６）５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（４−５）９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３（４−５）９％
化合物（１−１０４）８％
化合物（１−１０３）３％

［使用例１５］
１−ＢＢ−３（２−８）９％
３−ＨＨ−Ｖ（２−１）２６％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−３）１３％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）２０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）１３％
３−ＨＨＢ−１（３−１）７％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−２（３−８）６％
化合物（１−１０５）３％
化合物（１−１０６）３％

［使用例１６］
２−ＨＨ−３（２−１）６％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１）８％
１Ｖ２−ＨＨ−１（２−１）８％
１Ｖ２−ＨＨ−３（２−１）７％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−３）７％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−３）４％
３−Ｈ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−５）７％
２−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）８％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−５）１６％
３−ＨＤｈＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）７％
３−ＨＨＢ−１（３−１）３％
３−ＨＨＢ−３（３−１）２％
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３（１１−１）１０％
化合物（１−１０１）３％
化合物（１−１０７）４％

［使用例１７］
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ（８−１５）６％
３−ＨＢ−Ｃ（８−１）１５％
２−ＢＴＢ−１（２−１０）９％
５−ＨＨ−ＶＦＦ（２−１）２７％
３−ＨＨＢ−１（３−１）４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１（３−１）８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１（３−１）１１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２（３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３（３−１７）４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４（３−１７）４％
化合物（１−７１）５％
化合物（１−１２１）３％

［使用例１８］
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
３−ＨＨ−Ｖ（２−１）３９％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１）６％
３−ＨＨＥＨ−５（３−１３）３％
３−ＨＨＢ−１（３−１）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（３−１）５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１（３−６）４％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ（５−１）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−９７）１１％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
化合物（１−１１１）５％

［使用例１９］
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−５７）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）７％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
３−ＨＨ−Ｖ（２−１）４０％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１）６％
３−ＨＨＥＨ−５（３−１３）３％
３−ＨＨＢ−１（３−１）４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（３−１）５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１（３−６）４％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ（５−１）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−９７）６％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１１３）４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
化合物（１−１１４）４％

［使用例２０］
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（５−４）３％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）７％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）８％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２）１０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）１０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）１０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ（６−２３）１４％
２−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）４％
３−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）４％
５−ＨＢＢ−Ｆ（６−２２）３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−２４）６％
化合物（１−３６１）１０％

ＮＩ＝８２．６℃；η＝３９．３ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１１９；Δε＝６．０．

［使用例２１］
３−ＨＢ−Ｏ１（２−５）１５％
３−ＨＨ−４（２−１）５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１１％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−１）１２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１０−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１０−１）１２％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−１）１２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−１）１２％
３−ＨＨＢ−１（３−１）６％
化合物（１−１２２）３％

ＮＩ＝８５．５℃；η＝３８．７ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．０９３；Δε＝−３．５．

［使用例２２］
５−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
４−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）６％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ
（７−４７）３％
３−ＨＨ−Ｖ（２−１）４０％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１）６％
３−ＨＨＥＨ−５（３−１３）３％
３−ＨＨＢ−１（３−１）３％
Ｖ−ＨＨＢ−１（３−１）５％
Ｖ２−ＢＢ（Ｆ）Ｂ−１（３−６）４％
１Ｖ２−ＢＢ―Ｆ（５−１）３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−９７）１１％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（７−６）３％
化合物（１−３６７）５％

ＮＩ＝８１．０℃；η＝１８．５ｍＰａ・ｓ；Δｎ＝０．１０９；Δε＝６．５．

［使用例２３］
２−ＨＨ−５（２−１）３％
３−ＨＨ−４（２−１）１５％
３−ＨＨ−５（２−１）４％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−５）１０％
３−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−４）１５％
５−Ｈ２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（９−４）１４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＬ）−Ｏ２（１０−１２）５％
２−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）４％
３−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）８％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１０−７）９％
３−ＨＨＢ−１（３−１）３％
３−ＨＨＢ−３（３−１）３％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（３−１）４％
化合物（１−１２４）３％

［使用例２４］
５−ＨＢ−ＣＬ（２−５）３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ（５−３）７％
３−ＨＨ−４（２−１）８％
３−ＨＨ−ＥＭｅ（２−２）２３％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１０）５％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ（６−１０）８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１２）５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０３）４％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０３）６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０６）４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０６）５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（６−１０９）７％
化合物（１−３６６）５％

本発明の液晶化合物、液晶組成物、液晶内包複合材料は液晶表示素子に用いることが出来る。

２芯成分
２ａ液晶組成物
２ｂ液晶分子
４鞘成分
４ａ鞘成分形成材料
１０液晶内包複合繊維（複合繊維）
２０複合繊維集合体
３０基板
４０バインダ
１００液晶表示素子

Claims

式（１）において、ＭＧ ^１およびＭＧ ^２が独立して、式（ＩＶ−１−１−１）〜（ＩＶ−１−１−５５）のいずれかの式で表される化合物。

式（１）において、

式（ＩＶ−１−１−１）〜式（ＩＶ−１−１−５５）において、Ｒｄは独立して−ＣＮ、−ＮＣＳ、−Ｃ≡Ｃ−ＣＮ、−ＳＦ _５、フッ素、−ＣＦ _３、−ＣＦ _２Ｈ、−ＯＣＦ _３または、−Ｃ _２Ｆ _５であり；Ｚ ^１１，Ｚ ^２１およびＺ ^３１は独立して、単結合、−（ＣＨ _２） _２ −、−ＣＦ _２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり、また複数のＺ ^１１は，Ｚ ^２１，Ｚ ^３１は同じ基であっても異なる基であってもよく；
Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して、単結合または炭素数１〜４のアルキレンであり、このＺ^ａおよびＺ^ｂにおいて、少なくとも一つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ₂−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ₂）₂−は−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｓｐは式（ｓｐ−１）で表されるアキラルな構造を有し、

式（ｓｐ−１）において、αはそれぞれ独立して炭素数１〜２０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
Ｘは式（Ｉ）、式（ＩＩ）または式（ＩＩＩ）で表され

式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲａにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃは、それぞれ独立して、フッ素、塩素または炭素数１〜１０のアルキルであり、このＲｂおよびＲｃにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、硫黄原子または炭素数１〜１０のアルキリデンであり、このＱにおいて少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよい。
式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−または−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−であり；
式（ｓｐ−１）において、αは炭素数１〜１０の直鎖のアルキレンであり、このαにおいて、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの水素はフッ素で置き換えられてもよく；
式（Ｉ）においてＲａはヒドロキシル基または炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、炭素数１〜４のアルコキシ、炭素数２〜４のアルコキシアルキル、炭素数３〜４のアルケニルオキシ、炭素数１〜５のポリフルオロアルキル、炭素数１〜４のポリフルオロアルコキシ、または炭素数２〜５のポリフルオロアルケニルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子、炭素数１〜５のアルキリデンである、請求項１に記載の化合物。
式（１）において、Ｚ^ａおよびＺ^ｂは独立して単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；
式（ｓｐ−１）において、αは炭素数１〜１０の直鎖アルキレンであり；
式（Ｉ）においてＲａは炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニルまたは炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩ）においてＲｂおよびＲｃはそれぞれ独立して、フッ素、炭素数１〜５のアルキル、炭素数２〜５のアルケニル、または炭素数１〜５のポリフルオロアルキルであり；
式（ＩＩＩ）においてＱは酸素原子または炭素数１〜３のアルキリデンである、請求項２に記載の化合物。
式（１）においてＭＧ^１およびＭＧ^２が独立して、式（ＩＶ−１−２−１）〜（ＩＶ−１−２−３０）のいずれかの式で表される請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。

式（ＩＶ−１−２−１）〜（ＩＶ−１−２−３０）においてＲｄは独立して、炭素数１〜６の直鎖アルキル、炭素数２〜６の直鎖アルケニル、または炭素数１〜６の直鎖アルコキシであり；Ｚ^１１，Ｚ^２１およびＺ^３１が独立して、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−であり、また複数のＺ^１１、Ｚ^２１、およびＺ^３１は同じ基であっても異なる基であってもよい。
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物を含有する液晶組成物。
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物を少なくとも２種類含有する、液晶組成物。
式（ｃｐ−１）に示す化合物をさらに含有する、請求項６に記載の液晶組成物。

Ｒ^３１およびＲ^３２は、それぞれ独立してフッ素、塩素、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５または炭素数１〜２０のアルキルであり、このＲ^３１およびＲ^３２において少なくとも一つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、少なくとも一つの−（ＣＨ_２）_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく；ＭＧ^３１およびＭＧ^３２はそれぞれ独立してメソゲン基であり；Ｚ^３ａ、Ｚ^３ｂはそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＳＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｓ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合であり；Ｓｐ^３は、４〜４０個の炭素原子を含む直鎖のスペーサー基であり、少なくとも一つの−ＣＨ_２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよい。
光学活性化合物および重合可能な化合物から選択される少なくとも一つを更に含有する、請求項５〜７のいずれか一項に記載の液晶組成物。
酸化防止剤および紫外線吸収剤から選択される少なくとも一つを更に含有する、請求項５〜８のいずれか一項に記載の液晶組成物。
請求項５〜９のいずれか一項に記載の液晶組成物を芯成分とする、鞘芯型の液晶内包複合繊維。
請求項１０に記載の液晶内包複合繊維を一軸配列させて形成している、液晶含有繊維集合体。
請求項１０に記載の液晶内包複合繊維または請求項１１に記載の液晶内包繊維集合体とバインダから構成される、液晶含有繊維複合体。
請求項５〜９のいずれか一項に記載の液晶組成物、請求項１０に記載の液晶含有複合繊維、請求項１１に記載の液晶含有複合繊維集合体、または請求項１２記載の液晶含有繊維複合体を備える、液晶表示素子。
フレクソエレクトリック装置である、請求項１３に記載の液晶表示素子。