JPS58153310A - インダクタンス素子の製造方法 - Google Patents
インダクタンス素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS58153310A JPS58153310A JP3463882A JP3463882A JPS58153310A JP S58153310 A JPS58153310 A JP S58153310A JP 3463882 A JP3463882 A JP 3463882A JP 3463882 A JP3463882 A JP 3463882A JP S58153310 A JPS58153310 A JP S58153310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pair
- layer
- forming
- inductance element
- magnetic core
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本実＠は、電気回路装置を小型化することが可能なイン
ダクタンス素子及び量産化が容易なインダクタンス素子
の製造方法に関する。
ダクタンス素子及び量産化が容易なインダクタンス素子
の製造方法に関する。
一対のリード線が固着され九ドラムコア＃Ｃ１１Ｍを轡
■してなるアキシャルリード型のインダクタンス素子を
回路基板に装着する際には、リード線を折り−げて回路
基板の貫通孔に挿入しなければ □ならなかったので％
回路基板に対する装着が面倒であるばかりでなく、回路
装置の小型化が困難であった。またリード線を折り曲げ
る際に、巻線が切断する恐れもあった。この種の欠点Ｙ
＃決する友めに、コアの両Ｉｌｌ！に電極層又は金属電
極部材を配し、ここ［，１ｌｉｉ４ｉＦ）基床を接続し
九構造のチップ型インダクタンス素子が樵々提案されて
いる。しかし、これ等には、ＩＮ造が複雑になって量産
化が因龜であるという欠点又は端末処理が面倒であると
いう欠点等があった。
■してなるアキシャルリード型のインダクタンス素子を
回路基板に装着する際には、リード線を折り−げて回路
基板の貫通孔に挿入しなければ □ならなかったので％
回路基板に対する装着が面倒であるばかりでなく、回路
装置の小型化が困難であった。またリード線を折り曲げ
る際に、巻線が切断する恐れもあった。この種の欠点Ｙ
＃決する友めに、コアの両Ｉｌｌ！に電極層又は金属電
極部材を配し、ここ［，１ｌｉｉ４ｉＦ）基床を接続し
九構造のチップ型インダクタンス素子が樵々提案されて
いる。しかし、これ等には、ＩＮ造が複雑になって量産
化が因龜であるという欠点又は端末処理が面倒であると
いう欠点等があった。
そこで１本発明の目的は、−路基板に高密度に装着して
回路装置を小型化することが可能であり且つ装着が容易
であり且つ１ｒｌｉが実質的に生じないチップ状インダ
クタンス素子を提供することにある。本発明の更に別の
目的は量産化が容易なインダクタンス素子の製造方法を
提供することにある。
回路装置を小型化することが可能であり且つ装着が容易
であり且つ１ｒｌｉが実質的に生じないチップ状インダ
クタンス素子を提供することにある。本発明の更に別の
目的は量産化が容易なインダクタンス素子の製造方法を
提供することにある。
上記目的を達成する之めの本願の第】番目の発明は、ド
ラム状又は柱状の磁気コアと、前記磁気コアの両ｊｌｌ
ｌＫそれぞれ固着され且つ前記磁気コアの軸方向にそれ
ぞれ導出されている一対のり一ド１と、前記磁気コアに
巻装され且つその一対の電車が前記一対のリード線にそ
れぞれ結合されているＩｌｌと、前記一対のリード線の
端面をそれぞれ露出させた状ＩＩＫ前記磁気コアと前記
＊＊と前記一対のリード線とを被覆する絶縁性樹脂層と
、前記一対のリード線の端面にそれぞれ電気的に結合す
るよ５に前記絶縁性樹脂の外周面に設けられた一対のｌ
ｉ）続用導体層と、から成るインダクタンス素子に係わ
るものである。
ラム状又は柱状の磁気コアと、前記磁気コアの両ｊｌｌ
ｌＫそれぞれ固着され且つ前記磁気コアの軸方向にそれ
ぞれ導出されている一対のり一ド１と、前記磁気コアに
巻装され且つその一対の電車が前記一対のリード線にそ
れぞれ結合されているＩｌｌと、前記一対のリード線の
端面をそれぞれ露出させた状ＩＩＫ前記磁気コアと前記
＊＊と前記一対のリード線とを被覆する絶縁性樹脂層と
、前記一対のリード線の端面にそれぞれ電気的に結合す
るよ５に前記絶縁性樹脂の外周面に設けられた一対のｌ
ｉ）続用導体層と、から成るインダクタンス素子に係わ
るものである。
上記発明によれば１巻線の電床がリード線に固着され、
更に樹脂層にて囲まれているので、インダクタンス素子
の特性を低下させずＫｆｌｌｌ末部分を残部分すること
が可能になり、信軸性な大幅に同上することが可能にな
る。また、樹脂層に外装としての機能を具備させること
が可能になり、機械的に安定性の高い素子を提供するこ
とができる。
更に樹脂層にて囲まれているので、インダクタンス素子
の特性を低下させずＫｆｌｌｌ末部分を残部分すること
が可能になり、信軸性な大幅に同上することが可能にな
る。また、樹脂層に外装としての機能を具備させること
が可能になり、機械的に安定性の高い素子を提供するこ
とができる。
また一対のリード線が素子の両端面から実質的に突出せ
ず、リード巌ＶＣ接続され良導体層即ち電極層を利用し
て外部回路に電気的ＶｃＷｋ続する構造であるので、こ
のインダクタンス素子な使用する回路装置を小型化する
ことが可能になる。また外面の形状が単純であるので、
回路基板等に対する自動供給及び自動装着等が容易にな
る。
ず、リード巌ＶＣ接続され良導体層即ち電極層を利用し
て外部回路に電気的ＶｃＷｋ続する構造であるので、こ
のインダクタンス素子な使用する回路装置を小型化する
ことが可能になる。また外面の形状が単純であるので、
回路基板等に対する自動供給及び自動装着等が容易にな
る。
本願の蘂２番目の発明は、上記インダクタンス素子を製
造する方法に係わり、ドラム状又は柱状の磁気コアの両
端中央部分に前記磁気コアの軸方向に導出されるように
一対のリード線の一趨部をそれぞれ固着すること、前記
磁気コアＫＩＩＩ１１１に轡回し且つ前記１總の一対の
端末を前記一対のリードｉｌＫそれぞれからげること、
前記巻線の電床をからけ九部分を前記一対のリード線に
導電性結合材でそれぞれ固着すること、前記一対のリー
ド線のｆ＃Ａｍ部をそれぞれ突出させた状＠に前記磁気
コアと前記壱■と前記一対のリード線の残部と前記結合
材とを被覆する絶縁性樹脂層を形成すること、前記絶縁
性樹脂層の＃１１１面から突出している前記一対のり一
ドーをそれぞれ切断すること、前記一対のり−Ｖ−のｔ
ａｉｉ及び前記絶縁性樹脂層の全表面上にメッキによっ
て導体層を形成すること、少なくとも前記一対のり一ド
Ｉｔ ｆ） １１１面及び前記絶縁性樹脂層の両湖面上
に前記導体層が残存し且つ前記磁気コアの両端の間隔よ
りも広い間隔が生じるように前記導体層を除去して一対
の接続用導体層を形成すること、を含んだインダクタン
ス素子の製造方法に係わるものである。
造する方法に係わり、ドラム状又は柱状の磁気コアの両
端中央部分に前記磁気コアの軸方向に導出されるように
一対のリード線の一趨部をそれぞれ固着すること、前記
磁気コアＫＩＩＩ１１１に轡回し且つ前記１總の一対の
端末を前記一対のリードｉｌＫそれぞれからげること、
前記巻線の電床をからけ九部分を前記一対のリード線に
導電性結合材でそれぞれ固着すること、前記一対のリー
ド線のｆ＃Ａｍ部をそれぞれ突出させた状＠に前記磁気
コアと前記壱■と前記一対のリード線の残部と前記結合
材とを被覆する絶縁性樹脂層を形成すること、前記絶縁
性樹脂層の＃１１１面から突出している前記一対のり一
ドーをそれぞれ切断すること、前記一対のり−Ｖ−のｔ
ａｉｉ及び前記絶縁性樹脂層の全表面上にメッキによっ
て導体層を形成すること、少なくとも前記一対のり一ド
Ｉｔ ｆ） １１１面及び前記絶縁性樹脂層の両湖面上
に前記導体層が残存し且つ前記磁気コアの両端の間隔よ
りも広い間隔が生じるように前記導体層を除去して一対
の接続用導体層を形成すること、を含んだインダクタン
ス素子の製造方法に係わるものである。
上記発明によれは、コアに対する巻線の巻回し及びリー
ド線に対する１宋の処理な従来のアキシャルリード型と
陶様に１ｆＦｉ率的に達成することが出来る６また樹脂
層を設けた債に、リード線の突出部を切断するので、樹
脂層の両端面にリード線の端面な確実に露出させること
が出来る。また、樹脂層の全表面にメッキによって導体
層を設け、しかる後、一対のＷｋ絖用導体層に分離する
ので、一対の導体層を高い量産性１に有して形成するこ
とが出来る。
ド線に対する１宋の処理な従来のアキシャルリード型と
陶様に１ｆＦｉ率的に達成することが出来る６また樹脂
層を設けた債に、リード線の突出部を切断するので、樹
脂層の両端面にリード線の端面な確実に露出させること
が出来る。また、樹脂層の全表面にメッキによって導体
層を設け、しかる後、一対のＷｋ絖用導体層に分離する
ので、一対の導体層を高い量産性１に有して形成するこ
とが出来る。
以下、ＷＩＪ面を参照して本発明の実施例について述べ
る。
る。
！ｆ、＃１３１＋＜示ｊ如（、フェライト製のドラム状
コア（１３の一方及び他方の７ランジ状趨面部（２１（
３１の中央のＫ １４＋ （５１Ｋ一方及び他方のリー
ド線＋６１ ＋７）の−亀郁を挿入し、ｍ着剤（８）に
て夫々固着し、一対のり一ド＠ １６） （７１をコア
の軸方向に導出したものを形成する。尚、コアＩｌｌの
晦面部＋２１ ＋３１の直径は２．２ｍｍ、一方の端面
から他方の端面までの長さは３−４ｍｍ、リード線＋６
１＋７１の直径は０．５ ｍｍである。
コア（１３の一方及び他方の７ランジ状趨面部（２１（
３１の中央のＫ １４＋ （５１Ｋ一方及び他方のリー
ド線＋６１ ＋７）の−亀郁を挿入し、ｍ着剤（８）に
て夫々固着し、一対のり一ド＠ １６） （７１をコア
の軸方向に導出したものを形成する。尚、コアＩｌｌの
晦面部＋２１ ＋３１の直径は２．２ｍｍ、一方の端面
から他方の端面までの長さは３−４ｍｍ、リード線＋６
１＋７１の直径は０．５ ｍｍである。
次に、自動１１ｊＷ１ｍＫて、コア１１１ Ｋ巻線（９
１を巻回し同Ｗ＃に一方及び他方の端末（９ｍ） （９
ｂ）をリード線（６１１７） Ｋからげる。この１！’
ｌ！ ＋９１及び端末（９ｍ）（９ｂ）の巻曲しは、
一対のリードｌｌ１１６１１７１を軸として利用し１行
うので、自動＊＊機で容易に達成すること次に、一対の
端末（９ｍ） （９ｂ）を導電性結合材としての半田Ｑ
（Ｉにて夫々のリード＠ １６１ ＋７１に固着する。
１を巻回し同Ｗ＃に一方及び他方の端末（９ｍ） （９
ｂ）をリード線（６１１７） Ｋからげる。この１！’
ｌ！ ＋９１及び端末（９ｍ）（９ｂ）の巻曲しは、
一対のリードｌｌ１１６１１７１を軸として利用し１行
うので、自動＊＊機で容易に達成すること次に、一対の
端末（９ｍ） （９ｂ）を導電性結合材としての半田Ｑ
（Ｉにて夫々のリード＠ １６１ ＋７１に固着する。
次に、耐熱性のあるポリエステル樹脂にて第２図に示す
如く成型し、一対のリードｉｉ １６＋ １７１の突出
部（６ａ）（７ｍ）を除いて、コア＋１１． ！［１９
＋、リード！！ １６１ ＋７３の残部（６ｂ） （７
ｂ）−半田αｌを曲むように絶縁性樹脂層αυを形成す
る。尚この樹脂層ｔｔｕｔｔ、１５０℃に加熱し且つ５
０ ｋｇ／ｃｍ”の圧力な加えるトランス７アモールド
法にて直径２．９ ｍｍ 、長さ７ ｍｍの円柱状に形
成した。従って、コア１１＋の端面から１１脂層αυの
端面！での距離は１．８Ｍとなる。また両端面（ｌ１ｍ
） （ｌｌｂ）が半球状に面取りされたような形状にな
るように成形した。
如く成型し、一対のリードｉｉ １６＋ １７１の突出
部（６ａ）（７ｍ）を除いて、コア＋１１． ！［１９
＋、リード！！ １６１ ＋７３の残部（６ｂ） （７
ｂ）−半田αｌを曲むように絶縁性樹脂層αυを形成す
る。尚この樹脂層ｔｔｕｔｔ、１５０℃に加熱し且つ５
０ ｋｇ／ｃｍ”の圧力な加えるトランス７アモールド
法にて直径２．９ ｍｍ 、長さ７ ｍｍの円柱状に形
成した。従って、コア１１＋の端面から１１脂層αυの
端面！での距離は１．８Ｍとなる。また両端面（ｌ１ｍ
） （ｌｌｂ）が半球状に面取りされたような形状にな
るように成形した。
９に、ダイヤモンドカッタで、一対ノリ−）”線＋６１
１７１の突出部（６ｍ） （７ａ）を根本から切断し、
第３図及び累４図に示すように一対のリード線＋６１１
７）の端面が樹脂層ａυの一対の湖面（ｌ１ｍ） （Ｈ
ｂ）の中心に夫々露出するものを形成した。
１７１の突出部（６ｍ） （７ａ）を根本から切断し、
第３図及び累４図に示すように一対のリード線＋６１１
７）の端面が樹脂層ａυの一対の湖面（ｌ１ｍ） （Ｈ
ｂ）の中心に夫々露出するものを形成した。
次に、累５図に示すように樹脂成形体の全表面に、 無
電ｓニッケルメッキ法にて約１μのニッケルメ・ツキ層
Ωを形成した。この際、樹脂層ａυの表面は勿論のこと
、一対のリードｌｌｌ１６１ ＋７１の端面にも導体層
としてのニッケルメッキ層αりが形成される。
電ｓニッケルメッキ法にて約１μのニッケルメ・ツキ層
Ωを形成した。この際、樹脂層ａυの表面は勿論のこと
、一対のリードｌｌｌ１６１ ＋７１の端面にも導体層
としてのニッケルメッキ層αりが形成される。
久に、ダイヤモンドホイールによるセンタレス研摩で円
柱状外周面の中央部分のニッケルメッキ層Ｑりを累６１
！ｌに示すように除去して、一対の接続用導体層（１！
ａ）（１２ｂ）を形成した。尚、コアｔｌ＋から発生す
る磁力線を導体層（１２ａ）（１２ｂ）が妨沓しないよ
うに、一対の導体層（１２Ｍ） （１２ｂ）の間隔を６
・Ｏｍｍとし、コア（１）の圧電と導体層（１２ｍ）の
石基及びコア１１１の石基と導体層（１２ｂ）の圧電と
の間隔をＩＩＪ ］−３ｍｍとし、Ｑ値の高いインダク
タンス素子とした。
柱状外周面の中央部分のニッケルメッキ層Ｑりを累６１
！ｌに示すように除去して、一対の接続用導体層（１！
ａ）（１２ｂ）を形成した。尚、コアｔｌ＋から発生す
る磁力線を導体層（１２ａ）（１２ｂ）が妨沓しないよ
うに、一対の導体層（１２Ｍ） （１２ｂ）の間隔を６
・Ｏｍｍとし、コア（１）の圧電と導体層（１２ｍ）の
石基及びコア１１１の石基と導体層（１２ｂ）の圧電と
の間隔をＩＩＪ ］−３ｍｍとし、Ｑ値の高いインダク
タンス素子とした。
チップ型インダクタンス素子の基本的構造は第６図まで
の工程で完成するが１本実施例ではインダクタンス素子
の回路基板への装着を更に容易にするために、第６図の
ニッケルメッキ層ａｔの上に電解ニッケルメッキによっ
て、４７図に示す如く約２μの２次ニッケルメッキ層（
１３１を形成し、更に電解半田メッキによって約４声の
半田メッキ層ａ４を形成して三層の接続用導体層（１５
ｍ） （１５ｂ）を有するインダクタンス素子を完成さ
せた。
の工程で完成するが１本実施例ではインダクタンス素子
の回路基板への装着を更に容易にするために、第６図の
ニッケルメッキ層ａｔの上に電解ニッケルメッキによっ
て、４７図に示す如く約２μの２次ニッケルメッキ層（
１３１を形成し、更に電解半田メッキによって約４声の
半田メッキ層ａ４を形成して三層の接続用導体層（１５
ｍ） （１５ｂ）を有するインダクタンス素子を完成さ
せた。
完成し九第７図のインダクタンス素子な回路基板に組み
込む際には、バイブレータ勢で配列させ、パイプ勢にて
願次に移送し、Ｊｌ！８図に示す如く回路基板ａｅｖｃ
ｇｉｇえば接着剤ａηで仮固定し、次に配線導体ＱＩＫ
半ＩＢ（１９Ｋ”（一対〕導体層（１５ａ）（１５ｂ）
３２０５端子部分を固着する。
込む際には、バイブレータ勢で配列させ、パイプ勢にて
願次に移送し、Ｊｌ！８図に示す如く回路基板ａｅｖｃ
ｇｉｇえば接着剤ａηで仮固定し、次に配線導体ＱＩＫ
半ＩＢ（１９Ｋ”（一対〕導体層（１５ａ）（１５ｂ）
３２０５端子部分を固着する。
上述から明らかなよ５１Ｃ，この実施例には次の利点が
ある。
ある。
（ａ） １纏（９りの端末（９ａ） （ｓｂ）が夫々
のリード線１６１（７）Ｋ１１ｍｌ＠れ、更に樹脂層ａ
υで囲まれているので、ｍ宋（９ｍ）（９ｂ）の処理が
容易であるばかりでなく％ｊｌ、ｌｉ！ （ｓａｔｔｓ
ｂ）が強固に結合且つ保護され。
のリード線１６１（７）Ｋ１１ｍｌ＠れ、更に樹脂層ａ
υで囲まれているので、ｍ宋（９ｍ）（９ｂ）の処理が
容易であるばかりでなく％ｊｌ、ｌｉ！ （ｓａｔｔｓ
ｂ）が強固に結合且つ保護され。
信顧性が大幅に向上する。
（ｈ） ９−）’ＩＩＩをｆ［ｆずｔｉｃ、 導１１
ｔｔｓａ）（ｔａｂ）にて回路基板に装着する構成であ
るので１回路装置の小部化が可能である。
ｔｔｓａ）（ｔａｂ）にて回路基板に装着する構成であ
るので１回路装置の小部化が可能である。
（ｃ） 円柱状の成形体に一対の導体層（１５畠）（
１５ｂ）に菓子同志が衝突しても、！ｊ４傷する恐れが
少ない。
１５ｂ）に菓子同志が衝突しても、！ｊ４傷する恐れが
少ない。
！友、移送を内情に達成することが出来る。
（ｄ） 第２図に示すよ５に、一対のリード線１６＋
＋７１を突出させるように樹脂層ａ］Ｊを設け、しか
る後、＃！３図に示すように突出部（６ａ） （７ｍ）
を切断するノテ、増面（ｌ１ｍ） （１ｔｂ） ＶＣリ
ードＩＩ １６１ ＋７１のｍｍを確実に露出させるこ
とが可能になる。
＋７１を突出させるように樹脂層ａ］Ｊを設け、しか
る後、＃！３図に示すように突出部（６ａ） （７ｍ）
を切断するノテ、増面（ｌ１ｍ） （１ｔｂ） ＶＣリ
ードＩＩ １６１ ＋７１のｍｍを確実に露出させるこ
とが可能になる。
（ｅｌ メッキによって導体層（１２ａ） （１２ｂ
） ｋ設けるので、リードＩｉ！ ｆ６＋ ｍの１１面
と導体層（１２ａ）（１２ｂ）との結合を確実に達成す
ることが出来る。
） ｋ設けるので、リードＩｉ！ ｆ６＋ ｍの１１面
と導体層（１２ａ）（１２ｂ）との結合を確実に達成す
ることが出来る。
（ｆ） 無電％ニッケルメッキによって全面にニッケ
ルメッキ層詣を形成し、しかる債、研摩で一対の導体層
（１２ｍ） （１２ｂ） Ｋ：分離するので、一対の接
続用導体層（１５ｍ） （１５ｂ）を能率良（形成する
ことが出来る。
ルメッキ層詣を形成し、しかる債、研摩で一対の導体層
（１２ｍ） （１２ｂ） Ｋ：分離するので、一対の接
続用導体層（１５ｍ） （１５ｂ）を能率良（形成する
ことが出来る。
（ｇ） 円柱状樹脂層ａυの両端を生球状に形成し九
ので、センタレス研摩で円柱状成形体の外局面のメッキ
層Ｑ−を量産的に除去しても１回路基板［１＠の配線導
体ａ・に半田四で固着することが困ｍにならないような
状１ＩＫ一対の接続用導体層（１２ｍ）（１２ｂ）な残
存することが出来る。また、インダクタンス菓子の移送
を内情に行うことが可能になる。
ので、センタレス研摩で円柱状成形体の外局面のメッキ
層Ｑ−を量産的に除去しても１回路基板［１＠の配線導
体ａ・に半田四で固着することが困ｍにならないような
状１ＩＫ一対の接続用導体層（１２ｍ）（１２ｂ）な残
存することが出来る。また、インダクタンス菓子の移送
を内情に行うことが可能になる。
以上１本発明の実ｊｌＩｆｌｌについて述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可能なも
のである。？Ｉえは、半田ａ１の上及びコアＩｌ＋の冑
面に接着剤を塗布しτリードＩＩ １６１１７１とコア
１１１及び電床（９ｍ） （９ｂ）との結合を一層Ｉｉ
！ｉ！ｉ１にしてから４ｍ！脂層Ｑｌｌを設けてもよい
、また半田Ｑ（Ｉの代りに都電接着剤を結合材として使
用し′Ｃ％によい、ま九樹脂層（ｉｌｌの両端部（ｌｌ
ａ） （ｌｌｂ）を第９図に示す如く小径部とし、中央
を大径部とし、全ＷＪＫメッキ層α３を設けた後に、セ
ンタレス研摩にて大径部のメッキ層ａ１１去し、第３０
図に示すような一対ノ導体ｍ （１２ａ）（１２ｂ）
’ａ’形成してもよい、これにより％回路基板に接続す
ることが容易なインダクタンス禁子の量産が可ｌｌ！に
なる。！友樹脂層αυをポリエステル以外の例えばフェ
ノール、エポキシ等の熱硬化又は熱可塑性樹脂で形成し
てもよい。
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可能なも
のである。？Ｉえは、半田ａ１の上及びコアＩｌ＋の冑
面に接着剤を塗布しτリードＩＩ １６１１７１とコア
１１１及び電床（９ｍ） （９ｂ）との結合を一層Ｉｉ
！ｉ！ｉ１にしてから４ｍ！脂層Ｑｌｌを設けてもよい
、また半田Ｑ（Ｉの代りに都電接着剤を結合材として使
用し′Ｃ％によい、ま九樹脂層（ｉｌｌの両端部（ｌｌ
ａ） （ｌｌｂ）を第９図に示す如く小径部とし、中央
を大径部とし、全ＷＪＫメッキ層α３を設けた後に、セ
ンタレス研摩にて大径部のメッキ層ａ１１去し、第３０
図に示すような一対ノ導体ｍ （１２ａ）（１２ｂ）
’ａ’形成してもよい、これにより％回路基板に接続す
ることが容易なインダクタンス禁子の量産が可ｌｌ！に
なる。！友樹脂層αυをポリエステル以外の例えばフェ
ノール、エポキシ等の熱硬化又は熱可塑性樹脂で形成し
てもよい。
また樹脂層ａυを、トランス７アモールド法以外のイン
ジェクションモールド法等で形成してもよい。
ジェクションモールド法等で形成してもよい。
ｆ九、第６図の段階で一対の導体層（１２ａ） （ｔ２
ｂ）に分離せずに、５８７図に示す如く】次ニッケルメ
ｙ＊Ｉｍａ”ｉｉｂ ２次ニッケルメッキ層（１３，牛
［Ｂメッキ層Ｉを全（１ｒＫ設けた後に、研摩によって
一対の導体層（ｌｌａ） （１１Ｓｂ） Ｋ分離しても
よめ。また、導体Ｎ （１１Ｓａ） （１５ｂ）を、銅
無電解メッキ層＋ニッケル電解メッキ層十半田電解メッ
キ層、又は鋼無電解メッキ層十半田電解メッキ層で形成
してもよい。
ｂ）に分離せずに、５８７図に示す如く】次ニッケルメ
ｙ＊Ｉｍａ”ｉｉｂ ２次ニッケルメッキ層（１３，牛
［Ｂメッキ層Ｉを全（１ｒＫ設けた後に、研摩によって
一対の導体層（ｌｌａ） （１１Ｓｂ） Ｋ分離しても
よめ。また、導体Ｎ （１１Ｓａ） （１５ｂ）を、銅
無電解メッキ層＋ニッケル電解メッキ層十半田電解メッ
キ層、又は鋼無電解メッキ層十半田電解メッキ層で形成
してもよい。
まえ、中日メッキ層Ｉの代りに鋼、銀等の別のメッキ層
を形成してもよい、ＬＬ導体層（１５ｍ、）（１１Ｓｂ
）を銀ペーストを塗布し焼付けることによって形成して
もよ−ｍ１１え、必１ｉＪｃ応じて金属キャップな導体
層（１５１） （ＩＢｂ） Ｋ嵌着させ又もよい。また
コア＋１７をドラム塵とせずに柱状としてもよい、また
樹脂層ａυを円柱状に形成せずに角柱状に形成してもよ
匹、！九、樹脂層ロυの上又は下に更に別の塗＃＋を塗
布してもよい。
を形成してもよい、ＬＬ導体層（１５ｍ、）（１１Ｓｂ
）を銀ペーストを塗布し焼付けることによって形成して
もよ−ｍ１１え、必１ｉＪｃ応じて金属キャップな導体
層（１５１） （ＩＢｂ） Ｋ嵌着させ又もよい。また
コア＋１７をドラム塵とせずに柱状としてもよい、また
樹脂層ａυを円柱状に形成せずに角柱状に形成してもよ
匹、！九、樹脂層ロυの上又は下に更に別の塗＃＋を塗
布してもよい。
４、 １１ｍ１ノ１１単ｆｉ説ＩＮ
第】図〜篇８図は本発明の実施例を示すものであり、第
１囚はｌ！Ｌ型前のインダクタンス素子の断面−，４４
２図は成型後のインダクタンス素子の断面図、８３図は
リードＩｔを切断した状態を示す断面内、第４図は尾３
図の左側面図、纂５図はニッケルメッキ層を形成した状
態を示す断面図、第６狗は一対の導体層に分離した状態
の断面図、第７図は中日メッキ層を設けたインダクタン
ス菓子の断面図、第８図は回路基板に装着した状態を示
す一部切断正面図、第９図及び第１０図は変形例を示す
一部切久正ＷＩ脂である。
１囚はｌ！Ｌ型前のインダクタンス素子の断面−，４４
２図は成型後のインダクタンス素子の断面図、８３図は
リードＩｔを切断した状態を示す断面内、第４図は尾３
図の左側面図、纂５図はニッケルメッキ層を形成した状
態を示す断面図、第６狗は一対の導体層に分離した状態
の断面図、第７図は中日メッキ層を設けたインダクタン
ス菓子の断面図、第８図は回路基板に装着した状態を示
す一部切断正面図、第９図及び第１０図は変形例を示す
一部切久正ＷＩ脂である。
尚図面に用いらｎている符号に於いて、＋１１はコア、
＋６１ ＋７１はリード線、＋９１ Ｇ２１騨、（９ａ
） （９ｂ）は基床、αｔＩは半田、ａυは樹脂層、ａ
邊はニッケルメッキ層％（１５ｍ） （１５ｂ）は導体
層である。
＋６１ ＋７１はリード線、＋９１ Ｇ２１騨、（９ａ
） （９ｂ）は基床、αｔＩは半田、ａυは樹脂層、ａ
邊はニッケルメッキ層％（１５ｍ） （１５ｂ）は導体
層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 … ドラム状又は柱状の磁気コアと、 前記磁気；アの両１１１にそれぞれ固着され且つ前記磁
気コアの軸方向にそれぞれ導出されている一対のリード
線と。 前記磁気コアに＊＊され且つその一対の端末が前記一対
のり−ドＩＩＫそれぞれ結合さｎている壱−と、 前記一対のり一ド一の一面をそれぞれ露出させた状１に
前記磁気コアと前記巻線と前記一対のリード線とを被覆
する絶縁性樹脂層と、 前記一対のり一ド一の一面にそれぞれ電気的に結合する
Ｌうに前記絶縁性樹脂の外周面にｒ＆けられ九一対の接
続用導体層と、 から成るインダクタンス素子。 ＋２１ 前記一対の導体層は、この一対の導体層の間
隔が前記磁気コアの両趨の間隔よりも広くなるように設
けられたものである特許請求の範ｌａ１纂】項記載のイ
ンダクタンス素子。 １３１ ドラム状又は柱状の磁気コアの両趨中矢部分
に前記磁気コアの軸方向に導出されるように一対のリー
ド線の一趨部をそれぞｒｔ固着すること。 前記磁気コアに巻線を巻回し且つ前記巻線の一対の端末
を前記一対のリード線にそれぞれからげること、 □ 前記巻線の端末をからけた部分を前記一対のリード
線に導電性結合材でそれぞれ固着すること。 前記一対のリード線の他趨部をそれぞれ突出させ丸状１
１１に前記磁気コアと前記巻線と前記一対のリード線の
残部と前記結合材とを被覆する絶縁性樹脂層を形成する
こと、 前記絶縁性樹脂層の両端面から突出している前記一対の
リード線をそ九ぞれ切断すること。 前記一対のリード線の端面及び前記絶縁性樹脂層の全表
面上にメッキｖｃよって導体層を形成すること、 少な（とも前記一対のリード線の端面及び前記絶縁性樹
脂層の両ｓＷｉ上に前記導体層が残存し且つ前記磁気コ
アの両端の間隔よりも広い間隔が生じるように前記導体
層を除去して一対の接続用導体層を形成すること、 を會んだインダクタンス素子の製造方法。 １４１ 前記メッキによって導体層を形成することは
、ニッケルメッキ層を形成することである特許請求の範
囲＃！３項記載のインダクタンス素子の製造方法。 ＋５１ 前記メッキによって導体層を形成することは
、鋼メッキ層を形成することである＊ＦＦ請求の範曲＃
！３項記載のインダクタンス素子の製造方法。 １６＋ 前記導体層を除去することは、前記導体層を
研摩で除去することである％ＩＩ！Ｆ＃＃Ｉ求の範囲＃
！３項又は累４項又は累５項記載のインダクタンス素子
の製造方法。 （７）前記絶縁性樹脂層を形成することは、前記絶縁性
樹脂層の両趨部が面取りされたような形状に形成するこ
とである％ｉＦＦ請求の範囲帛３項又は第４項又は累５
項又は第６項記載のインダクタンス素子の製造方法。 （８） 前記絶縁性樹脂層を形成することは１両端部
が小径部となり中央部が大径部となる１５に成型によっ
て樹脂層を形成することである特ｌＦＦ請求の範８５８
３項又は＃！４項又は第５項又は第６項記載のインダク
タンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3463882A JPS58153310A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | インダクタンス素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3463882A JPS58153310A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | インダクタンス素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153310A true JPS58153310A (ja) | 1983-09-12 |
| JPH0147883B2 JPH0147883B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=12419952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3463882A Granted JPS58153310A (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | インダクタンス素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58153310A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195508A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | O Ii L Kk | チップ形コイルの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720115U (ja) * | 1980-07-07 | 1982-02-02 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5662776A (en) * | 1979-10-29 | 1981-05-28 | Fiz Tekhn I Akademii Nauku Ber | Starting mechanism for striker of hydromechanic unit |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3463882A patent/JPS58153310A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720115U (ja) * | 1980-07-07 | 1982-02-02 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0195508A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-13 | O Ii L Kk | チップ形コイルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0147883B2 (ja) | 1989-10-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6566993B1 (en) | Surface-mount coil and method for manufacturing same | |
| JP7052238B2 (ja) | コイル装置 | |
| JPS5868913A (ja) | インダクタンス素子及びその製造方法 | |
| JPS58153310A (ja) | インダクタンス素子の製造方法 | |
| CN109961920B (zh) | 绕线电感器及其制造方法 | |
| JP3846264B2 (ja) | 極細多心ケーブルの端末接続部及びその端末接続方法 | |
| JPH0632654Y2 (ja) | コイル部品 | |
| JPS5828820A (ja) | チツプ型コイル装置の製法 | |
| US3047935A (en) | Method of making toroidal coils | |
| JPS6023943Y2 (ja) | インダクタンス素子 | |
| JP2558513Y2 (ja) | コイル | |
| JPH07235411A (ja) | コイル部品およびそれを用いた電子回路装置 | |
| JPS6223054Y2 (ja) | ||
| US10804030B2 (en) | Process for making a low-profile choke | |
| JPS6025869Y2 (ja) | インダクタンス素子 | |
| JPS61177704A (ja) | チツプ型インダクタの製造方法 | |
| JPH0510340Y2 (ja) | ||
| JP2948966B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP3469613B2 (ja) | チップコイル | |
| JPH0514493Y2 (ja) | ||
| JPH0644533B2 (ja) | インダクタンス素子 | |
| JPH023606Y2 (ja) | ||
| JPH0359566B2 (ja) | ||
| JPH0342660Y2 (ja) | ||
| JPS6025866Y2 (ja) | インダクタンス素子 |