JPH0147883B2 - - Google Patents

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JPH0147883B2
JPH0147883B2 JP57034638A JP3463882A JPH0147883B2 JP H0147883 B2 JPH0147883 B2 JP H0147883B2 JP 57034638 A JP57034638 A JP 57034638A JP 3463882 A JP3463882 A JP 3463882A JP H0147883 B2 JPH0147883 B2 JP H0147883B2
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JP
Japan
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lead wires
winding
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layer
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JP57034638A
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JPS58153310A (ja
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Fumio Ikeda
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292Surface mounted devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、量産化が容易なインダクタンス素子
の製造方法に関する。
一対のリード線が固着されたドラムコアに巻線
を巻回してなるアキシヤルリード型のインダクタ
ンス素子を回路基板に装着する際には、リード線
を折り曲げて回路基板の貫通孔に挿入しなければ
ならなかつたので、回路基板に対する装着が面倒
であるばかりでなく、回路装置の小型化が困難で
あつた。またリード線を折り曲げる際に、巻線が
切断する恐れもあつた。この種の欠点を解決する
ために、コアの両端に電極層又は金属電極部材を
配し、ここに巻線の端末を接続した構造のチツプ
型インダクタンス素子が種々提案されている。し
かし、これ等には、構造が複雑になつて量産化が
困難であるという欠点又は端末処理が面倒である
という欠点等があつた。
そこで、本発明の目的は、回路基板に高密度に
装着して回路装置を小型化することが可能であり
且つ装着が容易であり且つ断線が実質的に生じな
いチツプ状インダクタンス素子を容易に量産する
ことができる方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、ドラム状
又は柱状の磁気コアの両端中央部分に前記磁気コ
アの軸方向に導出されるように一対のリード線の
一端部をそれぞれ固着すること、前記磁気コアに
巻線を巻回し且つ前記巻線の一対の端末を前記一
対のリード線にそれぞれからげること、前記巻線
の端末をからげた部分を前記一対のリード線に導
電性結合材でそれぞれ固着すること、前記一対の
リード線の他端部をそれぞれ突出させた状態に前
記磁気コアと前記巻線と前記一対のリード線の残
部と前記結合材とを被覆する絶縁性樹脂層を形成
すること、前記絶縁性樹脂層の両端面から突出し
ている前記一対のリード線をそれぞれ切断するこ
と、前記一対のリード線の端面及び前記絶縁性樹
脂層の全表面上にメツキによつて導体層を形成す
ること、少なくとも前記一対のリード線の端面及
び前記絶縁性樹脂層の両端面上に前記導体層が残
存するように前記導体層を除去して一対の接続用
導体層を形成すること、を含んだインダクタンス
素子の製造方法に係わるものである。
上記発明によれば、コアに対する巻線の巻回し
及びリード線に対する端末の処理を従来のアキシ
ヤルリード型と同様に能率的に達成することが出
来る。また樹脂層を設けた後に、リード線の突出
部を切断するので、樹脂層の両端面にリード線の
端面を確実に露出させることが出来る。また、樹
脂層の全表面にメツキによつて導体層を設け、し
かる後、一対の接続用導体層に分離するので、一
対の導体層を高い量産性を有して形成することが
出来る。
以下、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。
まず、第1図に示す如く、フエライト製のドラ
ム状コア1の一方及び他方のフランジ状端面部
2,3の中央の穴4,5に一方及び他方のリード
線6,7の一端部を挿入し、接着剤8にて夫々固
着し、一対のリード線6,7をコアの軸方向に導
出したものを形成する。尚、コア1の端面部2,
3の直径は2.2mm、一方の端面から他方の端面ま
での長さは3.4mm、リード線6,7の直径は0.5mm
である。
次に、自動巻線機にて、コア1に巻線9を巻回
し同時に一方及び他方の端末9a,9bをリード
線6,7にからげる。この巻線9及び端末9a,
9bの巻回しは、一対のリード線6,7を軸とし
て利用して行うので、自動巻線機で容易に達成す
ることが出来る。
次に、一対の端末9a,9bを導電性結合材と
しての半田10にて夫々のリード線6,7に固着
する。
次に、耐熱性のあるポリエステル樹脂にて第2
図に示す如く成型し、一対のリード線6,7の突
出部6a,7aを除いて、コア1、巻線9、リー
ド線6,7の残部6b,7b、半田10を囲むよ
うに絶縁性樹脂層11を形成する。尚この樹脂層
11は、150℃に加熱し且つ50Kg/cm2の圧力を加
えるトランスフアモールド法にて直径2.9mm、長
さ7mmの円柱状に形成した。従つて、コア1の端
面から樹脂層11の端面までの距離は1.8mmとな
る。また両端面11a,11bが半球状に面取り
されたような形状になるように成形した。
次に、ダイヤモンドカツタで、一対のリード線
6,7の突出部6a,7aを根本から切断し、第
3図及び第4図に示すように一対のリード線6,
7の端面が樹脂層11の一対の端面11a,11
bの中心に夫々露出するものを形成した。
次に、第5図に示すように樹脂成形体の全表面
に、無電解ニツケルメツキ法にて約1μのニツケ
ルメツキ層12を形成した。この際、樹脂層11
の表面は勿論のこと、一対のリード線6,7の端
面にも導体層としてのニツケルメツキ層12が形
成される。
次に、ダイヤモンドホイールによるセンタレス
研摩で円柱状外周面の中央部分のニツケルメツキ
層12を第6図に示すように除去して、一対の接
続用導体層12a,12bを形成した。尚、コア
1から発生する磁力線を導体層12a,12bが
妨害しないように、一対の導体層12a,12b
の間隔を6.0mmとし、コア1の左端と導体層12
aの右端及びコア1の右端と導体層12bの左端
との間隔を約1.3mmとし、Q値の高いインダクタ
ンス素子とした。
チツプ型インダクタンス素子の基本的構造は第
6図までの工程で完成するが、本実施例ではイン
ダクタンス素子の回路基板への装着を更に容易に
するために、第6図のニツケルメツキ層12の上
に電解ニツケルメツキによつて、第7図に示す如
く約2μの2次ニツケルメツキ層13を形成し、
更に電解半田メツキによつて約4μの半田メツキ
層14を形成して三層の接続用導体層15a,1
5bを有するインダクタンス素子を完成させた。
完成した第7図のインダクタンス素子を回路基
板に組み込む際には、バイブレータ等で配列さ
せ、パイプ等にて順次に移送し、第8図に示す如
く回路基板16に例えば接着剤17で仮固定し、
次に配線導体18に半田19にて一対の導体層1
5a,15b即ち端子部分を固着する。
上述から明らかなように、この実施例には次の
利点がある。
(a) 巻線9の端末9a,9bが夫々のリード線
6,7に巻回され、更に樹脂層11で囲まれて
いるので、端末9a,9bの処理が容易である
ばかりでなく、端末9a,9bが強固に結合且
つ保護され、信頼性が大幅に向上する。
(b) リード線を使用せずに、導体層15a,15
bにて回路基板に装着する構成であるので、回
路装置の小型化が可能である。
(c) 円柱状の成形体に一対の導体層15a,15
bを有する単純な形状であるので、素子の移送
時等に素子同志が衝突しても、損傷する恐れが
少ない。また、移送を円滑に達成することが出
来る。
(d) 第2図に示すように、一対のリード線6,7
を突出させるように樹脂層11を設け、しかる
後、第3図に示すように突出部6a,7aを切
断するので、端面11a,11bにリード線
6,7の端面を確実に露出させることが可能に
なる。
(e) メツキによつて導体層12a,12bを設け
るので、リード線6,7の端面と導体層12
a,12bとの結合を確実に達成することが出
来る。
(f) 無電解ニツケルメツキによつて全面にニツケ
ルメツキ層12を形成し、しかる後、研摩で一
対の導体層12a,12bに分離するので、一
対の接続用導体層15a,15bを能率良く形
成することが出来る。
(g) 円柱状樹脂層11の両端を半球状に形成した
ので、センタレス研摩で円柱状成形体の外周面
のメツキ層12を量産的に除去しても、回路基
板16の配線導体18に半田19で固着するこ
とが困難にならないような状態に一対の接続用
導体層12a,12bを残存することが出来
る。また、インダクタンス素子の移送を円滑に
行うことが可能になる。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、半田10の上及びコア
1の側面に接着剤を塗布してリード線6,7とコ
ア1及び端末9a,9bとの結合を一層強固にし
てから樹脂層11を設けてもよい。また半田10
の代りに導電接着材を結合剤として使用してもよ
い。また樹脂層11の両端部11a,11bを第
9図に示す如く小径部とし、中央を大径部とし、
全面にメツキ層12を設けた後に、センタレス研
摩にて大径部のメツキ層12を除去し、第10図
に示すような一対の導体層12a,12bを形成
してもよい。これにより、回路基板に接続するこ
とが容易なインダクタンス素子の量産が可能にな
る。また樹脂層11をポリエステル以外の例えば
フエノール、エポキシ等の熱硬化又は熱可塑性樹
脂で形成してもよい。また樹脂層11を、トラン
スフアモールド法以外のインジエクシヨンモール
ド法等で形成してもよい。また、第6図の段階で
一対の導体層12a,12bに分離せずに、第7
図に示す如く1次ニツケルメツキ層12、2次ニ
ツケルメツキ層13、半田メツキ層14を全面に
設けた後に、研摩によつて一対の導体層15a,
15bに分離してもよい。また、導体層15a,
15bを、銅無電解メツキ層+ニツケル電解メツ
キ層+半田電解メツキ層、又は銅無電解メツキ層
+半田電解メツキ層で形成してもよい。また、半
田メツキ層14の代りに銅、銀等の別のメツキ層
を形成してもよい。また、必要に応じて金属キヤ
ツプを導体層15a,15bに嵌着させてもよ
い。またコア1をドラム型とせずに柱状としても
よい。また樹脂層11を円柱状に形成せずに角柱
状に形成してもよい。また、樹脂層11の上又は
下に更に別の塗料を塗布してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第8図は本発明の実施例を示すもので
あり、第1図は成型前のインダクタンス素子の断
面図、第2図は成型後のインダクタンス素子の断
面図、第3図はリード線を切断した状態を示す断
面図、第4図は第3図の左側面図、第5図はニツ
ケルメツキ層を形成した状態を示す断面図、第6
図は一対の導体層に分離した状態の断面図、第7
図は半田メツキ層を設けたインダクタンス素子の
断面図、第8図は回路基板に装着した状態を示す
一部切断正面図、第9図及び第10図は変形例を
示す一部切欠正面図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、1はコ
ア、6,7はリード線、9は巻線、9a,9bは
端末、10は半田、11は樹脂層、12はニツケ
ルメツキ層、15a,15bは導体層である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ドラム状又は柱状の磁気コアの両端中央部分
    に前記磁気コアの軸方向に導出されるように一対
    のリード線の一端部をそれぞれ固着すること、 前記磁気コアに巻線を巻回し且つ前記巻線の一
    対の端末を前記一対のリード線にそれぞれからげ
    ること、 前記巻線の端末をからげた部分を前記一対のリ
    ード線に導電性結合材でそれぞれ固着すること、 前記一対のリード線の他端部をそれぞれ突出さ
    せた状態に前記磁気コアと前記巻線と前記一対の
    リード線の残部と前記結合材とを被覆する絶縁性
    樹脂層を形成すること、 前記絶縁性樹脂層の両端面から突出している前
    記一対のリード線をそれぞれ切断すること、 前記一対のリード線の端面及び前記絶縁性樹脂
    層の全表面上にメツキによつて導体層を形成する
    こと、 少なくとも前記一対のリード線の端面及び前記
    絶縁性樹脂層の両端面上に前記導体層が残存する
    ように前記導体層を除去して一対の接続用導体層
    を形成すること、 を含んだインダクタンス素子の製造方法。
JP3463882A 1982-03-05 1982-03-05 インダクタンス素子の製造方法 Granted JPS58153310A (ja)

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JPS5720115B2 (ja) * 1979-10-29 1982-04-26

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JPS5720115B2 (ja) * 1979-10-29 1982-04-26

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