JPS58153084A - 高純度物質焼成用るつぼ - Google Patents
高純度物質焼成用るつぼInfo
- Publication number
- JPS58153084A JPS58153084A JP3487582A JP3487582A JPS58153084A JP S58153084 A JPS58153084 A JP S58153084A JP 3487582 A JP3487582 A JP 3487582A JP 3487582 A JP3487582 A JP 3487582A JP S58153084 A JPS58153084 A JP S58153084A
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- JP
- Japan
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- crucible
- layer
- fired product
- unglazed
- calcium compound
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- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高純度物質を焼成（焙焼）するのに好適なる
つぼに関するものであり、特に焼成中に発生する揮発性
物質による汚染を効果的に防止するようにしたるつぼに
関する。
つぼに関するものであり、特に焼成中に発生する揮発性
物質による汚染を効果的に防止するようにしたるつぼに
関する。
高純度物質をるつぼを用いて焙焼処理する場合に、るつ
ぼ材料が焼成品に混入する汚染−二、焼成処理中に被処
理物から発生するガスがるつぼＨ別と反応して揮発性物
質となりこれが内び焼成品ＶＣ付着する汚染の問題を回
避する必９がある。前者の汚染け、通常の素焼るつぼ、
Ａｔ２０．ｌるつぼ、Ｍｇｔｌるつぼ、５１０２るつぼ
などに代えて白金るつぼを使用すれば実質」１回Ｍされ
るが、高価であり、′土た被処理物がハロゲンガスを発
生する場合に汀、白金が・・ロゲンガスに侵食され、後
者の汚染の問題が生ずる。１だ、目的焼成物と同一材料
でるつぼを作るかもしくに目的焼成物と同一材料を通常
のるつぼ内面に塗布（〜だものを使用すれば前者の汚染
の問題を回避できるが、やはり後者の汚染は回避するこ
とができない。すなわち、この場合にも、焼成中に発生
したガスがこのよりな［１的焼成物層圀侵入して捕促埒
れ揮発性物質を生成する場合には、焼成物がこの揮発性
物質に汚染される。
ぼ材料が焼成品に混入する汚染−二、焼成処理中に被処
理物から発生するガスがるつぼＨ別と反応して揮発性物
質となりこれが内び焼成品ＶＣ付着する汚染の問題を回
避する必９がある。前者の汚染け、通常の素焼るつぼ、
Ａｔ２０．ｌるつぼ、Ｍｇｔｌるつぼ、５１０２るつぼ
などに代えて白金るつぼを使用すれば実質」１回Ｍされ
るが、高価であり、′土た被処理物がハロゲンガスを発
生する場合に汀、白金が・・ロゲンガスに侵食され、後
者の汚染の問題が生ずる。１だ、目的焼成物と同一材料
でるつぼを作るかもしくに目的焼成物と同一材料を通常
のるつぼ内面に塗布（〜だものを使用すれば前者の汚染
の問題を回避できるが、やはり後者の汚染は回避するこ
とができない。すなわち、この場合にも、焼成中に発生
したガスがこのよりな［１的焼成物層圀侵入して捕促埒
れ揮発性物質を生成する場合には、焼成物がこの揮発性
物質に汚染される。
本発明はこのような問題の解決を目的としたもので、カ
ルシウム化合物の層の表面に目的焼成物の層を塗布して
なる２重構造層を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側に
してるつぼを構成することによって、高純度物質を焼成
する場合の前記の両汚染の問題を回避Ｉ−たものである
。
ルシウム化合物の層の表面に目的焼成物の層を塗布して
なる２重構造層を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側に
してるつぼを構成することによって、高純度物質を焼成
する場合の前記の両汚染の問題を回避Ｉ−たものである
。
第１図は、カルシウム化合物層１と目的焼成物塗布層２
とからなる２重構造層を素焼るっぽ６の内面に形成１−
た例、第２図はこの２重構造層だけでるつぼを構成した
例を示す。いづれの場合も目的焼成物塗布層２が最内層
となるようにしである。
とからなる２重構造層を素焼るっぽ６の内面に形成１−
た例、第２図はこの２重構造層だけでるつぼを構成した
例を示す。いづれの場合も目的焼成物塗布層２が最内層
となるようにしである。
カルシウム化合物＋１ｉｊ１［、酸化カルシウム、水酸
化カルシウムまたはカルシウム弱酸塩あるい（ｒｉこれ
らの混合物などで形成する。最も代表的ｖｃげ酸化カル
シウム（ＣａＯ）を使用する。例えば第１図の場合、Ｃ
ａＯを混錬してこれを素焼るっぽ３の内面に塗布したあ
と約１０００１：で仮焼してＣａＯ層１を形成して冷却
し、ついで、目的焼成物の粉末全混錬してこれ’１ｉｏ
ａｏ層１の内面に塗布したあと適切な温度で仮焼して目
的焼成物層２を形成する。
化カルシウムまたはカルシウム弱酸塩あるい（ｒｉこれ
らの混合物などで形成する。最も代表的ｖｃげ酸化カル
シウム（ＣａＯ）を使用する。例えば第１図の場合、Ｃ
ａＯを混錬してこれを素焼るっぽ３の内面に塗布したあ
と約１０００１：で仮焼してＣａＯ層１を形成して冷却
し、ついで、目的焼成物の粉末全混錬してこれ’１ｉｏ
ａｏ層１の内面に塗布したあと適切な温度で仮焼して目
的焼成物層２を形成する。
第２図の場合においてはＣａ０層１がるつぼ強要を得ら
れるに十分な厚さに仮焼処理する。
れるに十分な厚さに仮焼処理する。
このようにして作られた本発明に従うるつぼに、２重構
造層がある程度ポーラスとなっており、これを高純度物
質の焙焼処理用に供した場合、この焙焼処理中に・・ロ
ゲンなどの腐食性ガスが発生しても、これはカルシウム
化合ｖＪ層１ｖＣおいて、ＣａＸ２（Ｘ；ハロゲン元素
）の形でこの層内に固定される。このＣａＸ２１ｄ熱的
に非常に安定な化合物であり不揮発性である。したがっ
て、前記したような二次汚染の問題は効果的に回避され
る。また、第１図のような素焼るつぼ３をるつぼ支持体
として使用した場合でも、この素焼るつぼ中のＳｉ、Ａ
ｓ。
造層がある程度ポーラスとなっており、これを高純度物
質の焙焼処理用に供した場合、この焙焼処理中に・・ロ
ゲンなどの腐食性ガスが発生しても、これはカルシウム
化合ｖＪ層１ｖＣおいて、ＣａＸ２（Ｘ；ハロゲン元素
）の形でこの層内に固定される。このＣａＸ２１ｄ熱的
に非常に安定な化合物であり不揮発性である。したがっ
て、前記したような二次汚染の問題は効果的に回避され
る。また、第１図のような素焼るつぼ３をるつぼ支持体
として使用した場合でも、この素焼るつぼ中のＳｉ、Ａ
ｓ。
Ｇｅ、 Ｓｂなどの重金属類がノ・ログンガスと反応し
て揮発性物質を生成したとしても、ＣａＯが多量に存在
して塩基性を保っているＣａＯ層にこれが固定され、被
処理物の汚染を防止する。目的焼成物の層２はカルシウ
ム化合物層のＣａが被処理物に機械的に混入するのを防
止する保護被膜の役割全果たす。本発明のるつぼに、こ
のようにしてカルシウム化合物層１によるガス吸着およ
び固定作用を積極的に利用するものであり、 使用にざいしては、数回の再使用に耐え、目的焼成物層
２はほとんど汚染されない。場合によってはこの目的焼
成物１２を簡単に酸洗浄して再使用すればよい。第１図
の例のように素焼るつぼ６を利用した場合には、この素
焼るつぼ３は使用されるごとにその不純物はカルシウム
化合物層に吸収されて精製されることになる。くり返し
使用によってカルシウム化合物層の吸着固定作用が弱く
なるかまたに吸着物質量が多くなった場合は、このカル
シウム化合物層２だけ全廃棄して取替えればよい。した
がって、全体としてるつぼ費用は安価なカルシウム化合
物だけとなるので、安価にして大型のるつぼを造ること
ができる。なお、素焼るつぼはこれに代えてアルミする
つぼ、石英るつぼ、マグネジするつぼなども使用できる
。
て揮発性物質を生成したとしても、ＣａＯが多量に存在
して塩基性を保っているＣａＯ層にこれが固定され、被
処理物の汚染を防止する。目的焼成物の層２はカルシウ
ム化合物層のＣａが被処理物に機械的に混入するのを防
止する保護被膜の役割全果たす。本発明のるつぼに、こ
のようにしてカルシウム化合物層１によるガス吸着およ
び固定作用を積極的に利用するものであり、 使用にざいしては、数回の再使用に耐え、目的焼成物層
２はほとんど汚染されない。場合によってはこの目的焼
成物１２を簡単に酸洗浄して再使用すればよい。第１図
の例のように素焼るつぼ６を利用した場合には、この素
焼るつぼ３は使用されるごとにその不純物はカルシウム
化合物層に吸収されて精製されることになる。くり返し
使用によってカルシウム化合物層の吸着固定作用が弱く
なるかまたに吸着物質量が多くなった場合は、このカル
シウム化合物層２だけ全廃棄して取替えればよい。した
がって、全体としてるつぼ費用は安価なカルシウム化合
物だけとなるので、安価にして大型のるつぼを造ること
ができる。なお、素焼るつぼはこれに代えてアルミする
つぼ、石英るつぼ、マグネジするつぼなども使用できる
。
本発明のるつぼ’１Ｔａ２０．の焙焼に使用した実施例
について述べると、外径１６０朋、高ｇ９５ｍｍの素焼
るつぼの内面ｖｃ＋、ｊａＯｆ １０００ Ｃで仮焼し
て１０關の厚さに焼付けたあと、焙焼品であるＴａ２Ｏ
，の粉末を１５１．の厚８に塗布して仮焼して第１図に
５− 示すようなるつぼを造り、これに、Ｆｅ １．８ｐｐｍ
。
について述べると、外径１６０朋、高ｇ９５ｍｍの素焼
るつぼの内面ｖｃ＋、ｊａＯｆ １０００ Ｃで仮焼し
て１０關の厚さに焼付けたあと、焙焼品であるＴａ２Ｏ
，の粉末を１５１．の厚８に塗布して仮焼して第１図に
５− 示すようなるつぼを造り、これに、Ｆｅ １．８ｐｐｍ
。
Ｓｉ ５ ｐｐｍ、 Ｃａ １１．１ ｐｐｍ以下、Ｃ
ｕ Ｏ，１ｐｐｍ以下、Ａｔ１ ｐｐｍ以下の品位のＴ
ａ２ ”５ ” ｎＨ２０ｋ装入し、１２００Ｃで焙焼
処理したところ、得られたＴａ、、 ０５の品位は、Ｆ
ｅ １．８ ｐｐｍ、 Ｓｉ ６ ｐｐｍ、 Ｃａ １
．Ｏｐｐｍ以下、Ｃｕ Ｏ，１ｐｐｍ以下、Ａｌ １
ｐｐｍ以下であった。
ｕ Ｏ，１ｐｐｍ以下、Ａｔ１ ｐｐｍ以下の品位のＴ
ａ２ ”５ ” ｎＨ２０ｋ装入し、１２００Ｃで焙焼
処理したところ、得られたＴａ、、 ０５の品位は、Ｆ
ｅ １．８ ｐｐｍ、 Ｓｉ ６ ｐｐｍ、 Ｃａ １
．Ｏｐｐｍ以下、Ｃｕ Ｏ，１ｐｐｍ以下、Ａｌ １
ｐｐｍ以下であった。
第１図は本発明の実施例を示するつぼ断面構造図、第２
図は他の実施例を示するつぼ断面構造図である。 １・・・カルシウム化合物層 ２・・・目的焼成物塗布層 ５・・・素焼るつは ６−
図は他の実施例を示するつぼ断面構造図である。 １・・・カルシウム化合物層 ２・・・目的焼成物塗布層 ５・・・素焼るつは ６−
Claims (4)
- （１）高純度物質を焼成するためのるつぼであって、カ
ルシウム化合物の層の表面に目的焼成物のＩｎ塗布して
なる２重構造−を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側ニ
（、で構成した高純度物質焼成用るつぼ。 - （２）２重構造１傾が素焼るつぼの内面に形成さ！′１
６ている特許請求の範囲窮１項記載のるつぼ。 - （３） カル／ラム化合物はＣａＯである特許請求の範
囲第１項記載のるつぼ。 - （４） 目的焼成物がＴａ、＋Ｏ，である特許請求の
範囲第１項記載のるつは。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487582A JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487582A JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153084A true JPS58153084A (ja) | 1983-09-10 |
| JPS6039952B2 JPS6039952B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12426316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3487582A Expired JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039952B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189796U (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-11 | ||
| JPS6287784A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-22 | 三井造船株式会社 | 金属の溶解炉 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235260A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | 普生股ふん有限公司 | 分析トレイを洗浄する方法及び装置 |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3487582A patent/JPS6039952B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189796U (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-11 | ||
| JPS6287784A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-22 | 三井造船株式会社 | 金属の溶解炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6039952B2 (ja) | 1985-09-09 |
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