JPS6039952B2 - 高純度物質焼成用るつぼ - Google Patents
高純度物質焼成用るつぼInfo
- Publication number
- JPS6039952B2 JPS6039952B2 JP3487582A JP3487582A JPS6039952B2 JP S6039952 B2 JPS6039952 B2 JP S6039952B2 JP 3487582 A JP3487582 A JP 3487582A JP 3487582 A JP3487582 A JP 3487582A JP S6039952 B2 JPS6039952 B2 JP S6039952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- layer
- fired product
- calcium compound
- firing
- Prior art date
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- Expired
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- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高純度物質を焼成（焔焼）するのに好適なる
つばに関するものであり、特に焼成中に発生する揮発性
物質による汚染を効果的に防止するようにしたるつぼに
関する。
つばに関するものであり、特に焼成中に発生する揮発性
物質による汚染を効果的に防止するようにしたるつぼに
関する。
高純度物質をるつぼを用いて焔焼処理する場合に、るつ
ぼ材料が焼成品に混入する汚染と、競成処理中に被処理
物から発生するガスがるつぼ材料と反応して揮発性物質
となりこれが再び焼成品に付着する汚染の問題を回避す
る必要がある。
ぼ材料が焼成品に混入する汚染と、競成処理中に被処理
物から発生するガスがるつぼ材料と反応して揮発性物質
となりこれが再び焼成品に付着する汚染の問題を回避す
る必要がある。
前者の汚染は、通常の素焼るつぼ、ＡＩ２０３るつぼ、
Ｍｇ○るつぼ、Ｓｉ０２るつぼなどに代えて白金るつぼ
を使用すれば実質上回避されるが、高価であり、また被
処理物がハロゲンガスを発生する場合には、白金がハロ
ゲンガスに侵食され、後者の汚染の問題が生ずる。また
、目的焼成物と同一材料でるつぼを作るかもしくは目的
焼成物と同一材料を通常のるつぼ内面に塗布したものを
使用すれば前者の汚染の問題を回避できるが、やはり後
者の汚染は回避することができない。すなわち、この場
合にも、焼成中に発生したガスがこのような目的焼成物
層に侵入して補足され揮発性物質を生成する場合には、
焼成物がこの揮発性物質に汚染される。本発明はこのよ
うな問題の解決を目的としたもので、カルシウム化合物
の層の表面に目的焼成物の層を塗布してなる２重機造層
を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側にしてるつぼを構
成することによって、高純度物質を焼成する場合の前記
の両汚染の問題を回避したものである。第１図は、カル
シウム化合物層１と目的焼成物塗布層２とからなる２重
構造層を素焼るつぼ３の内面に形成した例、第２図はこ
の２重機造層だけでるつばを構成した例を示す。いづれ
の場合も目的焼成物塗布層２が最内層となるようにして
ある。カルシウム化合物層１は、酸化カルシウム、水酸
化カルシウムまたはカルシウム弱酸塩あるいはこれらの
混合物などで形成する。最も代表的には酸化カルシム（
Ｃａ○）を使用する。例えば第１図の場合、Ｃａ○を泥
鎌してこれを素焼るつぼ３の内面に塗布したあと約１０
０ぴ○で仮擁してＣａ○層１を形成して冷却し、ついで
、目的焼成物の粉末を濠鎌してこれをＣａ０層１の内面
に塗布したあと適切な温度で仮擁して目的焼成物層２を
形成する。第２図の場合においてはＣａ○層１がるつぼ
強度を得られるに十分な厚さに仮焼処理する。このよう
にして作られた本発明に従うるつぼは、２重構造層があ
る程度ポーラスとなっており、これを高純度物質の煩焼
処理用に供した場合、この悟競処理中にハロゲンなどの
腐食性ガスが発生しても、これはカルシウム化合物層１
において、ＣａＸ２（Ｘ；ハロゲン元素）の形でこの届
内に固定される。
Ｍｇ○るつぼ、Ｓｉ０２るつぼなどに代えて白金るつぼ
を使用すれば実質上回避されるが、高価であり、また被
処理物がハロゲンガスを発生する場合には、白金がハロ
ゲンガスに侵食され、後者の汚染の問題が生ずる。また
、目的焼成物と同一材料でるつぼを作るかもしくは目的
焼成物と同一材料を通常のるつぼ内面に塗布したものを
使用すれば前者の汚染の問題を回避できるが、やはり後
者の汚染は回避することができない。すなわち、この場
合にも、焼成中に発生したガスがこのような目的焼成物
層に侵入して補足され揮発性物質を生成する場合には、
焼成物がこの揮発性物質に汚染される。本発明はこのよ
うな問題の解決を目的としたもので、カルシウム化合物
の層の表面に目的焼成物の層を塗布してなる２重機造層
を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側にしてるつぼを構
成することによって、高純度物質を焼成する場合の前記
の両汚染の問題を回避したものである。第１図は、カル
シウム化合物層１と目的焼成物塗布層２とからなる２重
構造層を素焼るつぼ３の内面に形成した例、第２図はこ
の２重機造層だけでるつばを構成した例を示す。いづれ
の場合も目的焼成物塗布層２が最内層となるようにして
ある。カルシウム化合物層１は、酸化カルシウム、水酸
化カルシウムまたはカルシウム弱酸塩あるいはこれらの
混合物などで形成する。最も代表的には酸化カルシム（
Ｃａ○）を使用する。例えば第１図の場合、Ｃａ○を泥
鎌してこれを素焼るつぼ３の内面に塗布したあと約１０
０ぴ○で仮擁してＣａ○層１を形成して冷却し、ついで
、目的焼成物の粉末を濠鎌してこれをＣａ０層１の内面
に塗布したあと適切な温度で仮擁して目的焼成物層２を
形成する。第２図の場合においてはＣａ○層１がるつぼ
強度を得られるに十分な厚さに仮焼処理する。このよう
にして作られた本発明に従うるつぼは、２重構造層があ
る程度ポーラスとなっており、これを高純度物質の煩焼
処理用に供した場合、この悟競処理中にハロゲンなどの
腐食性ガスが発生しても、これはカルシウム化合物層１
において、ＣａＸ２（Ｘ；ハロゲン元素）の形でこの届
内に固定される。
このＣａＸ２は熱的に非常に安定な化合物であり不揮発
性である。したがって、前記のような二次汚染の問題は
効果的に回避される。また、第１図のような素焼るつぼ
３をるつぼ支持体として使用した場合でも、この素焼る
つぼ中のＳｉ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂなどの重金属類がハロ
ゲンガスと反応して揮発性物質を生成したとしても、Ｃ
ａ○が多量に存在して塩基性を保っているＣａ０層にこ
れが固定され、被処理物の汚染を防止する。目的焼成物
の層２はカルシウム化合物層のＣａが被処理物に機械的
に混入するのを防止する保護被膜の役割を果たす。本発
明のるつぼは、このようにしてカルシウム化合物層１に
よるガス吸着および固定作用を積極的に利用するもので
あり、使用にさいしては、数回の再使用に耐え、目的焼
成物層２はほとんど汚染されない。場合によってはこの
目的焼成物層２を簡単に酸洗浄して再使用すればよい。
第１図の例のように素焼るつぼ３を利用した場合には、
この素焼るつぼ３は使用されるごとにその不純物はカル
シウム化合物層に吸収されて精製されることになる。く
り返し使用によってカルシウム化合物層の吸着固定作用
が弱くなるかまたは吸着物質量が多くなった場合は、こ
のカルシウム化合物層２だけを廃棄して取替えればよい
。したがって、全体としてるつぼ費用は安価なカルシウ
ム化合物だけとなるので、安価にして大型るつぼを造る
ことができる。なお、素焼るつぼはこれに代えてアルミ
ナるつぼ、石英るつぼ、石英るつぼ、アグネシアるつぼ
なども使用できる。本発明のるつぼをＴａ２０５の娼焼
に使用した実施例について述べると、外径１６物廠、高
さ９５欄の素焼るつぼの内面にＣａ０を１００００○で
仮擁して１仇舷の厚さに競付けたあと、焔暁品であるか
らＴａ２０５の粉末を１５柵の厚さに塗布して仮擁して
第１図に示すようなるつぼを造り、これに、Ｆｅｌ．８
ｐｐｍ、Ｓｉ５ｐｐｍ、Ｃａｏ．ｌｐｐｍ以下、Ｃｕ
ｏ．ｌｐｐｍ以下、ＡＩｌｐｐｍ以下の品位のＴａ２０
５・ＮＨ２０を袋入し、１２００℃で焔凝処理したとこ
ろ、得られたＴａ２Ｑの品位は、Ｆｅ ｌ．８ｐｐｍ、
Ｓｉ ６ｐｐｍ、Ｃａ ｌ．ｏｐｐｍ以下、Ｃｕｏ．ｌ
ｐｐｍ、ＡＩ １ｐｐｍ以下であった。
性である。したがって、前記のような二次汚染の問題は
効果的に回避される。また、第１図のような素焼るつぼ
３をるつぼ支持体として使用した場合でも、この素焼る
つぼ中のＳｉ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂなどの重金属類がハロ
ゲンガスと反応して揮発性物質を生成したとしても、Ｃ
ａ○が多量に存在して塩基性を保っているＣａ０層にこ
れが固定され、被処理物の汚染を防止する。目的焼成物
の層２はカルシウム化合物層のＣａが被処理物に機械的
に混入するのを防止する保護被膜の役割を果たす。本発
明のるつぼは、このようにしてカルシウム化合物層１に
よるガス吸着および固定作用を積極的に利用するもので
あり、使用にさいしては、数回の再使用に耐え、目的焼
成物層２はほとんど汚染されない。場合によってはこの
目的焼成物層２を簡単に酸洗浄して再使用すればよい。
第１図の例のように素焼るつぼ３を利用した場合には、
この素焼るつぼ３は使用されるごとにその不純物はカル
シウム化合物層に吸収されて精製されることになる。く
り返し使用によってカルシウム化合物層の吸着固定作用
が弱くなるかまたは吸着物質量が多くなった場合は、こ
のカルシウム化合物層２だけを廃棄して取替えればよい
。したがって、全体としてるつぼ費用は安価なカルシウ
ム化合物だけとなるので、安価にして大型るつぼを造る
ことができる。なお、素焼るつぼはこれに代えてアルミ
ナるつぼ、石英るつぼ、石英るつぼ、アグネシアるつぼ
なども使用できる。本発明のるつぼをＴａ２０５の娼焼
に使用した実施例について述べると、外径１６物廠、高
さ９５欄の素焼るつぼの内面にＣａ０を１００００○で
仮擁して１仇舷の厚さに競付けたあと、焔暁品であるか
らＴａ２０５の粉末を１５柵の厚さに塗布して仮擁して
第１図に示すようなるつぼを造り、これに、Ｆｅｌ．８
ｐｐｍ、Ｓｉ５ｐｐｍ、Ｃａｏ．ｌｐｐｍ以下、Ｃｕ
ｏ．ｌｐｐｍ以下、ＡＩｌｐｐｍ以下の品位のＴａ２０
５・ＮＨ２０を袋入し、１２００℃で焔凝処理したとこ
ろ、得られたＴａ２Ｑの品位は、Ｆｅ ｌ．８ｐｐｍ、
Ｓｉ ６ｐｐｍ、Ｃａ ｌ．ｏｐｐｍ以下、Ｃｕｏ．ｌ
ｐｐｍ、ＡＩ １ｐｐｍ以下であった。
第１図は本発明の実施例を示するつぼ断面構造図、第２
図は他の実施例を示するつぼ断面構造図である。 １……カルシウム化合物層、２…・・・目的焼成物塗布
層、３・・・・・・素焼るつぼ。 第１図 第２図
図は他の実施例を示するつぼ断面構造図である。 １……カルシウム化合物層、２…・・・目的焼成物塗布
層、３・・・・・・素焼るつぼ。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高純度物質を焼成するためのるつぼであつて、カル
シウム化合物の層の表面に目的焼成物の層を塗布してな
る２重構造層を、目的焼成物塗布層をるつぼ内面側にし
て構成した高純度物質焼成用るつぼ。 ２ ２重構造層が素焼るつぼの内面に形成されている特
許請求の範囲第１項記載のるつぼ。 ３ カルシウム化合物はＣａＯである特許請求の範囲第
１項記載のるつぼ。 ４ 目的焼成物がＴａ＿２Ｏ＿５である特許請求の範囲
第１項記載のるつぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487582A JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487582A JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58153084A JPS58153084A (ja) | 1983-09-10 |
| JPS6039952B2 true JPS6039952B2 (ja) | 1985-09-09 |
Family
ID=12426316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3487582A Expired JPS6039952B2 (ja) | 1982-03-05 | 1982-03-05 | 高純度物質焼成用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039952B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235260A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | 普生股ふん有限公司 | 分析トレイを洗浄する方法及び装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189796U (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-11 | ||
| JPS6287784A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-22 | 三井造船株式会社 | 金属の溶解炉 |
-
1982
- 1982-03-05 JP JP3487582A patent/JPS6039952B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235260A (ja) * | 1985-08-08 | 1987-02-16 | 普生股ふん有限公司 | 分析トレイを洗浄する方法及び装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58153084A (ja) | 1983-09-10 |
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