JPS58148401A - 金属酸化物バリスタ - Google Patents
金属酸化物バリスタInfo
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- JPS58148401A JPS58148401A JP57026920A JP2692082A JPS58148401A JP S58148401 A JPS58148401 A JP S58148401A JP 57026920 A JP57026920 A JP 57026920A JP 2692082 A JP2692082 A JP 2692082A JP S58148401 A JPS58148401 A JP S58148401A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は金属酸化物バリスタに関するもので、更に詳し
く言えば、漏れ電流を低減させると共にバリスタ本体中
の金属酸化物結晶粒の大きさを著しく増大させてバリス
タ電圧を低下させる金属酸化物バリスタ用の添加剤およ
びかかる添加剤を使用した金属酸化物バリスタの製造方
法に関する。
く言えば、漏れ電流を低減させると共にバリスタ本体中
の金属酸化物結晶粒の大きさを著しく増大させてバリス
タ電圧を低下させる金属酸化物バリスタ用の添加剤およ
びかかる添加剤を使用した金属酸化物バリスタの製造方
法に関する。
電圧依存性抵抗体(バリスタ)は、電気的過渡現象の抑
制用および電圧安定化用として電気回路中に益々広く使
われるように々りつつある。
制用および電圧安定化用として電気回路中に益々広く使
われるように々りつつある。
かかるバリスタの電気的特性は、関係式I = (V/
C)”によって表わすことができる。
C)”によって表わすことができる。
式中、■は素子の端子間に印加される電圧、■は素子を
通って流れる電流、Cは所定の電流の時の電圧に対応す
る定数(バリスタ電圧)、そしてαは/より大きい数で
ある。 αの値はバリスタの非直線性の程度を表わすも
ので、かかる素子についての重要な性能指数(figu
re of merit )であることが一般に認めら
れている。 Cの値は、電圧の上昇に対する電流増加の
割合が急に大きくなるような境界の印加電圧レベルを決
定する。 αの値は式α= log、。(I、/I、
)/ log、o(V2/V、 )によって計算するこ
とができる。 式中、■、およびV2 はそれぞれ電
流I、および■2が流れる時の電圧である。 なお、C
およびαの値はバリスタの組成および使用する製造方法
の関数となる。
通って流れる電流、Cは所定の電流の時の電圧に対応す
る定数(バリスタ電圧)、そしてαは/より大きい数で
ある。 αの値はバリスタの非直線性の程度を表わすも
ので、かかる素子についての重要な性能指数(figu
re of merit )であることが一般に認めら
れている。 Cの値は、電圧の上昇に対する電流増加の
割合が急に大きくなるような境界の印加電圧レベルを決
定する。 αの値は式α= log、。(I、/I、
)/ log、o(V2/V、 )によって計算するこ
とができる。 式中、■、およびV2 はそれぞれ電
流I、および■2が流れる時の電圧である。 なお、C
およびαの値はバリスタの組成および使用する製造方法
の関数となる。
比較的低い回路電圧(すなわち数十ボルト程度の回路電
圧)を使用するある種のバリスタ用途。
圧)を使用するある種のバリスタ用途。
たとえば車両、低圧電源装置などの用途においては、C
の値が小さいバリスタを使用することが望せしい。 従
来、かかるバリスタの製造は、Cの値とαの値との間に
見かけ上の相互依存関係が存在することにより困難にな
っていた。 すなわち、一般に小さいα値を有するバリ
スタはそれに対応して小さいα値を有していたのである
。
の値が小さいバリスタを使用することが望せしい。 従
来、かかるバリスタの製造は、Cの値とαの値との間に
見かけ上の相互依存関係が存在することにより困難にな
っていた。 すなわち、一般に小さいα値を有するバリ
スタはそれに対応して小さいα値を有していたのである
。
最近に至り、所望の低いバリスタ電圧特性を示すバリス
タがエダ(Bda )等の米国特許第9739077号
明細書中に開示された。 このバリスタは、/θ0〜!
00μ(ミクロン)好ましくは700〜300μの範囲
内の粒度な持った70〜100(重量)%の酸化亜鉛結
晶粒から成る酸化亜鉛成分をバリスタ本体中に含むもの
である。 このように比較的大きい酸化亜鉛結晶粒を生
成させるためには、酸化亜鉛バリスタの製造時に一〇〜
、200μの初期粒度な持ったo、/〜乙0(重量)%
の酸化亜鉛バリスタを用いる。 その結果、かかる種結
晶粒は焼結時に上記の/θ0〜!θθμの粒度塘で成長
するのである。 かかる種結晶粒は1通例θ/〜−μの
範囲内の粒度を持った近隣の酸化亜鉛粒子を吸着するこ
とによって成長する。 種結晶粒それ自体は単結晶また
は多結晶質酸化亜鉛のいずれから成っていてもよい。
単結晶酸化亜鉛の種結晶粒を調製するためには、非常に
大きな大きさを持つ酸化亜鉛単結晶を微粉砕すればよい
。
タがエダ(Bda )等の米国特許第9739077号
明細書中に開示された。 このバリスタは、/θ0〜!
00μ(ミクロン)好ましくは700〜300μの範囲
内の粒度な持った70〜100(重量)%の酸化亜鉛結
晶粒から成る酸化亜鉛成分をバリスタ本体中に含むもの
である。 このように比較的大きい酸化亜鉛結晶粒を生
成させるためには、酸化亜鉛バリスタの製造時に一〇〜
、200μの初期粒度な持ったo、/〜乙0(重量)%
の酸化亜鉛バリスタを用いる。 その結果、かかる種結
晶粒は焼結時に上記の/θ0〜!θθμの粒度塘で成長
するのである。 かかる種結晶粒は1通例θ/〜−μの
範囲内の粒度を持った近隣の酸化亜鉛粒子を吸着するこ
とによって成長する。 種結晶粒それ自体は単結晶また
は多結晶質酸化亜鉛のいずれから成っていてもよい。
単結晶酸化亜鉛の種結晶粒を調製するためには、非常に
大きな大きさを持つ酸化亜鉛単結晶を微粉砕すればよい
。
あるいはまた、酸化亜鉛粉末と可溶性の結晶粒成長促進
剤との混合物を約θ!〜!θ時間にわたって加熱焼成し
、てもよい。 こうして焼成された混合物を破砕した後
、浸漬および浸出(leaching )によって可溶
性の結晶粒成長促進剤を結晶粒界から除去すれば、大粒
度の単結晶の結晶粒が得られる。 かかる結晶粒の中か
ら、ふるい分けによって所望の粒度範囲のものを得るこ
とができる。
剤との混合物を約θ!〜!θ時間にわたって加熱焼成し
、てもよい。 こうして焼成された混合物を破砕した後
、浸漬および浸出(leaching )によって可溶
性の結晶粒成長促進剤を結晶粒界から除去すれば、大粒
度の単結晶の結晶粒が得られる。 かかる結晶粒の中か
ら、ふるい分けによって所望の粒度範囲のものを得るこ
とができる。
なお、結晶粒成長促進剤の浸出によって大粒度の結晶粒
を分離するためには、結晶粒界に偏析(segrega
tion )する不溶性物質(たとえば酸化ビスマス)
の存在を回避する必要がある。
を分離するためには、結晶粒界に偏析(segrega
tion )する不溶性物質(たとえば酸化ビスマス)
の存在を回避する必要がある。
上記の種結晶粒に加えて、前掲米国特許にば漏れ電流を
低減させるために化学式Zn ys Sb 21504
を有するスピネル型の多結晶質の酸化アンチモン亜鉛を
使用すべきことも記載されている。
低減させるために化学式Zn ys Sb 21504
を有するスピネル型の多結晶質の酸化アンチモン亜鉛を
使用すべきことも記載されている。
上記の技術によれば確かに所望の低いバリスタ電圧特性
を持ったバリスタを得ることができるが、酸化亜鉛種結
晶粒および酸化アンチモン亜鉛スピネルを調製するため
に多数の追加工程が必要であるから、多くの経費および
時間が消費され、従ってバリスタの原価は著しく高いも
のとなる。
を持ったバリスタを得ることができるが、酸化亜鉛種結
晶粒および酸化アンチモン亜鉛スピネルを調製するため
に多数の追加工程が必要であるから、多くの経費および
時間が消費され、従ってバリスタの原価は著しく高いも
のとなる。
大きい寸法の単結晶酸化亜鉛材料は調製するのに費用が
かかるばかシでなく、一般に入手不可能である。 水溶
性の結晶粒成長促進剤の使用による種結晶粒の調製は、
標準的なバリスタ加工処理を上回る多数の追加工程が必
要となるために望ましくない。 その上、上記の米国特
許明細書中に記載された方法によって得られる種結晶粒
の粒度および種結晶粒材料の量は特に有効と言えないこ
とも判明した。
かかるばかシでなく、一般に入手不可能である。 水溶
性の結晶粒成長促進剤の使用による種結晶粒の調製は、
標準的なバリスタ加工処理を上回る多数の追加工程が必
要となるために望ましくない。 その上、上記の米国特
許明細書中に記載された方法によって得られる種結晶粒
の粒度および種結晶粒材料の量は特に有効と言えないこ
とも判明した。
それ故、本発明の目的は低いバリスタ電圧、大きいα値
、安い原価、および少ない漏れ電流な有し、かつ製造の
容易な電圧依存性抵抗体を提供しようとすることにある
。
、安い原価、および少ない漏れ電流な有し、かつ製造の
容易な電圧依存性抵抗体を提供しようとすることにある
。
また、別個の漏れ電流低減用添加剤を必要とせずに上記
の特性を示すバリスタ電圧の低い金属酸化物バリスタを
製造するために使用し得る酸化亜鉛種結晶粒の新規で改
良された胸裏方法を提供することも本発明の目的の一つ
である。
の特性を示すバリスタ電圧の低い金属酸化物バリスタを
製造するために使用し得る酸化亜鉛種結晶粒の新規で改
良された胸裏方法を提供することも本発明の目的の一つ
である。
本発明の一つの特徴に従って簡単に述べれば、低いバリ
スタ電圧、大きいα値、少ない漏れ電流、およびその他
の望ましい電気的特性を有する金属酸化物バリスタ(好
ましくは酸化亜鉛バリスタ)を製造するためには、主成
分としての酸化亜鉛が好ましくは少量成分としての金属
酸化物である7種以上の添加剤および比較的少量の正方
晶系酸化アンチモン亜鉛(以後はTAZOと略示する)
と混合される。 かかる混合物を加圧成形1.てから高
温で焼結【、た後、電極およびリードを取付ければ、直
ちに使用可能な素子が得られる。 上記のバリスタ混合
物に添加されるTAZOの割合は本発明に従えば広範囲
にわたって変わり得るが、数(重量)係の割合で使用す
ることが好ましい。
スタ電圧、大きいα値、少ない漏れ電流、およびその他
の望ましい電気的特性を有する金属酸化物バリスタ(好
ましくは酸化亜鉛バリスタ)を製造するためには、主成
分としての酸化亜鉛が好ましくは少量成分としての金属
酸化物である7種以上の添加剤および比較的少量の正方
晶系酸化アンチモン亜鉛(以後はTAZOと略示する)
と混合される。 かかる混合物を加圧成形1.てから高
温で焼結【、た後、電極およびリードを取付ければ、直
ちに使用可能な素子が得られる。 上記のバリスタ混合
物に添加されるTAZOの割合は本発明に従えば広範囲
にわたって変わり得るが、数(重量)係の割合で使用す
ることが好ましい。
TAZOを調製するためVC!/i、酸化亜鉛および酸
化アンチモンを混合した後、かかる混合物を加圧成形し
て高温で焼結すればよい。 こうして得られた焼結体は
白色の外層および黄橙色の6部を有するが、所望のTA
ZOd心部に含まれている。
化アンチモンを混合した後、かかる混合物を加圧成形し
て高温で焼結すればよい。 こうして得られた焼結体は
白色の外層および黄橙色の6部を有するが、所望のTA
ZOd心部に含まれている。
白色の外層を除去した後、6部を破砕してふるい分けす
れば所望粒度のTAZO粒子が得られる。
れば所望粒度のTAZO粒子が得られる。
好ましくは、約2θμ以下の粒子が使用される。
バリスタ電圧の所望の低下を達成するために必要なTA
ZOの割合は最少限度を越えてさえいれば特に重要でな
いが、上記のようにして得られたTAZO粒子を数(重
量)チの割合で使用することが好ましい。 かかるTA
ZO粒子を含むバリスタ混合物を加圧成形した後、たと
えば/30θCで約7時間にわたって焼結すれば、バリ
スタ本体が得られる。
ZOの割合は最少限度を越えてさえいれば特に重要でな
いが、上記のようにして得られたTAZO粒子を数(重
量)チの割合で使用することが好ましい。 かかるTA
ZO粒子を含むバリスタ混合物を加圧成形した後、たと
えば/30θCで約7時間にわたって焼結すれば、バリ
スタ本体が得られる。
新規であると信じられる本発明の特徴は、前記特許請求
の範囲中に明細に述べられている。
の範囲中に明細に述べられている。
とは言え1本発明の構成や実施方法およびそれの追加目
的や利点は、添付の図面を参照しながら以下の説明を読
むことによって最も良く理解されよう。
的や利点は、添付の図面を参照しながら以下の説明を読
むことによって最も良く理解されよう。
本発明によって意図される電圧依存性抵抗体の製造方法
を詳しく説明するのに先立ち、その構造を第1図に関連
して述べておこう。 図中に示された電圧依存性抵抗体
10は能動素子として焼結体16を含み、そしてその両
面には/対の電極1?および13がオーム接触して設置
されている。
を詳しく説明するのに先立ち、その構造を第1図に関連
して述べておこう。 図中に示された電圧依存性抵抗体
10は能動素子として焼結体16を含み、そしてその両
面には/対の電極1?および13がオーム接触して設置
されている。
焼結体16は後述のごとき方法によって製造されるが、
その形状はたとえば円形、正方形または長方形の板のよ
うな任意の形状であり得る。 電極12および13には
、はんだなどの結合手段22により、リード線18およ
び2oがそれぞれ導電的に取付けられている。
その形状はたとえば円形、正方形または長方形の板のよ
うな任意の形状であり得る。 電極12および13には
、はんだなどの結合手段22により、リード線18およ
び2oがそれぞれ導電的に取付けられている。
図示のごとき種類の金属酸化物バリスタは、その焼結体
部分が金属酸化物(%に酸化亜鉛)の比較的大きい結晶
粒を大きな割合で含有する場合に低いバリスタ電圧を示
すことが知られている。
部分が金属酸化物(%に酸化亜鉛)の比較的大きい結晶
粒を大きな割合で含有する場合に低いバリスタ電圧を示
すことが知られている。
たとえば、酸化亜鉛バリスタの場合、結晶粒は700〜
!θθμ好ましくは10θ〜、20θμの範囲内の粒度
にして焼結体中に一様に分散されている。
!θθμ好ましくは10θ〜、20θμの範囲内の粒度
にして焼結体中に一様に分散されている。
[、かるに、これまで常用されてきた酸化亜鉛バリスタ
製造方法によれば、かかる大きい粒度は得られないのが
普通である。 ところで、約2θ〜、200μの粒度な
持った酸化亜鉛の種結晶粒を焼結に先立って酸化亜鉛組
成物中に添加するとかかる大きい粒度の得られることが
前掲米国特許に記載されている。 該特許の方法によれ
ば、このような大粒度の種結晶粒が必要であることに加
えて、特に高温下で満足すべき漏れ電流特性を達成する
ため、スピネル型の多結晶質Zn715Sb21504
をバリスタ組成物に添加[2てから湿式摩砕によって均
質な混合物とすることが必要である。
製造方法によれば、かかる大きい粒度は得られないのが
普通である。 ところで、約2θ〜、200μの粒度な
持った酸化亜鉛の種結晶粒を焼結に先立って酸化亜鉛組
成物中に添加するとかかる大きい粒度の得られることが
前掲米国特許に記載されている。 該特許の方法によれ
ば、このような大粒度の種結晶粒が必要であることに加
えて、特に高温下で満足すべき漏れ電流特性を達成する
ため、スピネル型の多結晶質Zn715Sb21504
をバリスタ組成物に添加[2てから湿式摩砕によって均
質な混合物とすることが必要である。
さて本発明に従えば、従来大きい酸化亜鉛単結晶を破砕
するか、あるいは大粒度の結晶粒を生成させるために結
晶粒成長促進剤を用いて特別に形成された酸化亜鉛焼結
体から水溶性の粒間層を溶解することによって調製され
てきた高価な単結晶酸化亜鉛の種結晶粒が不要であるこ
と、そしてまたそれよりも実質的に調製の容易な核の使
用によって同様に満足できかつ多くの点で一層優れた結
果が得られることが見出された。 その上、本出願人の
正方晶系酸化アンチモン亜鉛(TAZO)核を使用する
ことにより、スピネル型の多結晶質Zn7/、Sb2/
、04 を別個に添加する必要性も排除される。
するか、あるいは大粒度の結晶粒を生成させるために結
晶粒成長促進剤を用いて特別に形成された酸化亜鉛焼結
体から水溶性の粒間層を溶解することによって調製され
てきた高価な単結晶酸化亜鉛の種結晶粒が不要であるこ
と、そしてまたそれよりも実質的に調製の容易な核の使
用によって同様に満足できかつ多くの点で一層優れた結
果が得られることが見出された。 その上、本出願人の
正方晶系酸化アンチモン亜鉛(TAZO)核を使用する
ことにより、スピネル型の多結晶質Zn7/、Sb2/
、04 を別個に添加する必要性も排除される。
本発明の現時点で好適な実施態様に従って低電圧用のバ
リスタを製造するためには、主成分としての酸化亜鉛粉
末が所望の非線形特性を生じさせるための7種以上の添
加剤およびθ/〜20(重量)チのTAZO核と混合さ
れる。 このTAZO核は、素子中における大きい酸
化亜鉛結晶粒の成長を促進すると共に、低いバリスタ電
圧および少ない高温漏れ電流を生じさせるために役立つ
。
リスタを製造するためには、主成分としての酸化亜鉛粉
末が所望の非線形特性を生じさせるための7種以上の添
加剤およびθ/〜20(重量)チのTAZO核と混合さ
れる。 このTAZO核は、素子中における大きい酸
化亜鉛結晶粒の成長を促進すると共に、低いバリスタ電
圧および少ない高温漏れ電流を生じさせるために役立つ
。
かかるTAZO核の粒度は酸化亜鉛粉末の粒度の数倍で
あることが好ましい。 従って、たとえば。
あることが好ましい。 従って、たとえば。
粒度/μ又はそれより大きいTAZO核が好適である。
上記のようなTAZO核の調製は、下記の化学方程式に
従って三酸化7ンチモンと酸化亜鉛とを化学反応させる
ことによる。
従って三酸化7ンチモンと酸化亜鉛とを化学反応させる
ことによる。
8b205+ ZnO−+ Zn5b204この場合、
反応生成物は正晶方系の形を有する。
反応生成物は正晶方系の形を有する。
かかるTAZO核の調製に当っては、先ず、粒状の酸化
亜鉛と粒状の酸化アンチモンとを十分に混合して均一力
分布状態にする。 次いで、焼結に先立って金属酸化物
バリスタを加圧成形する場合と同様にして、上記の混合
物を大形の円板またはその他適宜の形状に加圧成形する
。こうして得られた円板を約lθ0〜/3θ0C好まし
くは2θ0〜/2θθCの温度下で焼結する。 焼結後
の円板は黄橙色の6部およびそれを取巻く淡色の外層か
ら成っている。 外層は主として酸化亜鉛から成るもの
で、焼結時にアンチモンが蒸発するために生じろと考え
られる。 外層を機械的に除去した後、TAZOに富む
6部を微粉外1.てふるい分けすることにより、約!0
μまでの所望の粒度範囲および粒度分布を得ればよい。
亜鉛と粒状の酸化アンチモンとを十分に混合して均一力
分布状態にする。 次いで、焼結に先立って金属酸化物
バリスタを加圧成形する場合と同様にして、上記の混合
物を大形の円板またはその他適宜の形状に加圧成形する
。こうして得られた円板を約lθ0〜/3θ0C好まし
くは2θ0〜/2θθCの温度下で焼結する。 焼結後
の円板は黄橙色の6部およびそれを取巻く淡色の外層か
ら成っている。 外層は主として酸化亜鉛から成るもの
で、焼結時にアンチモンが蒸発するために生じろと考え
られる。 外層を機械的に除去した後、TAZOに富む
6部を微粉外1.てふるい分けすることにより、約!0
μまでの所望の粒度範囲および粒度分布を得ればよい。
たとえば、3認タメツシユのふるいを用いてふるい分
けを行えば約6μの公称粒度が得られるが、この場合に
は90 %を越える粒子が一〇μより小さい粒度な有す
ることになる。
けを行えば約6μの公称粒度が得られるが、この場合に
は90 %を越える粒子が一〇μより小さい粒度な有す
ることになる。
酸化亜鉛と劇化アンチモンとの反応によって生成される
酸化アンチモン亜鉛の結晶形は、各原料の相対量および
酸素の存在量に依存することが判明している。 酸素ま
たFi空気中において両粉末を混合して焼結する場合の
ように過剰の酸化亜鉛および酸素が存在すると、反応は
下記の方程式に従って進行する。
酸化アンチモン亜鉛の結晶形は、各原料の相対量および
酸素の存在量に依存することが判明している。 酸素ま
たFi空気中において両粉末を混合して焼結する場合の
ように過剰の酸化亜鉛および酸素が存在すると、反応は
下記の方程式に従って進行する。
5b20S+7ZnO+02→Zn、5b20,2この
場合の反応生成物はしばしば”715Sb21504と
も書かれるもので、スピネル型の結晶形を有する。
場合の反応生成物はしばしば”715Sb21504と
も書かれるもので、スピネル型の結晶形を有する。
焼結に先立って酸化亜鉛−酸化アンチモン混合物を加圧
成形すれば、反応に対する酸素の効果および酸化アンチ
モンの蒸発が抑制される。 その結果、正方晶系の酸化
アンチモン亜鉛が生として生成されることになる。 酸
化亜鉛および酸化アンチモンの粉末混合物の加圧成形は
、焼結に先立ってバリスタ円板自体を加圧成形する場合
と同様にして行うのが簡便である。 なお、粉末混合物
は少なくとも3 、/ ccの密度に加圧成形すること
が好ましい。
成形すれば、反応に対する酸素の効果および酸化アンチ
モンの蒸発が抑制される。 その結果、正方晶系の酸化
アンチモン亜鉛が生として生成されることになる。 酸
化亜鉛および酸化アンチモンの粉末混合物の加圧成形は
、焼結に先立ってバリスタ円板自体を加圧成形する場合
と同様にして行うのが簡便である。 なお、粉末混合物
は少なくとも3 、/ ccの密度に加圧成形すること
が好ましい。
本発明の一実施例について述べると、比較的低い電圧用
のバリスタ組成物が円板状に加圧成形され、それから約
/30θCで7時間にわたって焼結された。 このバ
リスタ組成物は、主成分としての酸化亜鉛と、酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化チタン、酸化
クロム、酸化ホウ素およびTAZOを含む。 その結果
、下記のような特性が測定された。
のバリスタ組成物が円板状に加圧成形され、それから約
/30θCで7時間にわたって焼結された。 このバ
リスタ組成物は、主成分としての酸化亜鉛と、酸化ビス
マス、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化チタン、酸化
クロム、酸化ホウ素およびTAZOを含む。 その結果
、下記のような特性が測定された。
第1表
ただし、ILはバリスタの漏れ電流、αは前述の通りの
値、■、は/mAの電流の時のバリスタ電圧。
値、■、は/mAの電流の時のバリスタ電圧。
そしてV/mmは素子の厚さ7mm当りのボルト数であ
る。
る。
第1表に示された結果の意味を理解するため、TAZO
核の代りに前掲米国特許に記載されたような酸化亜鉛種
結晶粒をTAZO核と同じ量だけ使用した点以外は上記
の場合と同様にしてバリスタを製造したところ、第2表
に示すような結果が得られた。
核の代りに前掲米国特許に記載されたような酸化亜鉛種
結晶粒をTAZO核と同じ量だけ使用した点以外は上記
の場合と同様にしてバリスタを製造したところ、第2表
に示すような結果が得られた。
第2表
以上の結果かられかる通り、TAZO核を含む素子およ
び酸化亜鉛種結晶粒を含む素子のα値、■。
び酸化亜鉛種結晶粒を含む素子のα値、■。
値および7mm当りのボルト数はほぼ等しいが、本発明
に従って製造されたバリスタの漏れ電流は本発明の恩恵
なし−に製造されたバリスタの漏れ電流よシも実質的に
小さい。 ところで、第2表に示された特性を示すバリ
スタは化学式 Zn715Sb2/、04 を有するスピネル型の多
結晶質酸化アンチモン亜鉛を含んでいなかったことに注
意されたい。 前掲米国特許では、かかるスピネルの添
加が漏れ電流に対して積極的な効果を及ばずことを主張
している。 従って本発明の利点は。
に従って製造されたバリスタの漏れ電流は本発明の恩恵
なし−に製造されたバリスタの漏れ電流よシも実質的に
小さい。 ところで、第2表に示された特性を示すバリ
スタは化学式 Zn715Sb2/、04 を有するスピネル型の多
結晶質酸化アンチモン亜鉛を含んでいなかったことに注
意されたい。 前掲米国特許では、かかるスピネルの添
加が漏れ電流に対して積極的な効果を及ばずことを主張
している。 従って本発明の利点は。
種結晶粒と共にスピネルを調製してバリスタ組成物に添
加する必要性を排除し、それによって製造原価の著しい
節減をもたらすことにもあるわけである。
加する必要性を排除し、それによって製造原価の著しい
節減をもたらすことにもあるわけである。
バリスタ組成物に添加されるTAZO核の量は、本発明
の精神および範囲から逸脱することな(広い範囲にわた
って変わり得る。 とは言え、約70(重量)%を越え
るとバリスタ電圧に対するTAZO核の効果は実質的に
低減する。 好ましくは、約5(重量)%未満のTAZ
O核を使用することによってバリスタ電圧の実質的な低
下が達成される。 更にまた、バリスタ組成物中におけ
る分布状態を一様にしさえすれば、/(重量)%より実
質的に少ない量のTAZO核を使用しても所望の漏れ電
流減少およびバリスタ電圧低下を得ることができる。
の精神および範囲から逸脱することな(広い範囲にわた
って変わり得る。 とは言え、約70(重量)%を越え
るとバリスタ電圧に対するTAZO核の効果は実質的に
低減する。 好ましくは、約5(重量)%未満のTAZ
O核を使用することによってバリスタ電圧の実質的な低
下が達成される。 更にまた、バリスタ組成物中におけ
る分布状態を一様にしさえすれば、/(重量)%より実
質的に少ない量のTAZO核を使用しても所望の漏れ電
流減少およびバリスタ電圧低下を得ることができる。
以上、君子の好適な実施態様に関連して本発明を説明し
たが、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに
数多くの変形や変更が可能であること社当業者にとって
自明であろう。
たが、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに
数多くの変形や変更が可能であること社当業者にとって
自明であろう。
第1図は本発明に基づく電圧依存性抵抗体の断面図であ
る。 図中、10u電圧依存性抵抗体(バリスタ)。 12および13は電極、16は焼結体、18および20
IIiリード線、そして22は結合手段を表わす。 図面の序言(内容に変更なし] 手続補正書く方式) 1、事件の表示 昭和57年特許願第026920号 2、発明の名称 正方晶系酸化アンチモン亜鉛添加剤を含むバリスタ3、
補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 アメリカ合衆国、12305、ニューヨーク
州、スケネクタデイ、リバーロード、1番 名 称 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代表
者 サムソン・ヘルツゴツト 4、代理人 住 所 107東京都港区赤坂1丁目14番14号第
35興和ビル 4階 日本ゼネラル・エレクトリック株式会社・極東特許部内
昭和57年5月7日 (発送日:昭和57年5月25日) 6、補正の対象 図面 7、補正の内容
る。 図中、10u電圧依存性抵抗体(バリスタ)。 12および13は電極、16は焼結体、18および20
IIiリード線、そして22は結合手段を表わす。 図面の序言(内容に変更なし] 手続補正書く方式) 1、事件の表示 昭和57年特許願第026920号 2、発明の名称 正方晶系酸化アンチモン亜鉛添加剤を含むバリスタ3、
補正をする者 事件との関係 出願人 住 所 アメリカ合衆国、12305、ニューヨーク
州、スケネクタデイ、リバーロード、1番 名 称 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代表
者 サムソン・ヘルツゴツト 4、代理人 住 所 107東京都港区赤坂1丁目14番14号第
35興和ビル 4階 日本ゼネラル・エレクトリック株式会社・極東特許部内
昭和57年5月7日 (発送日:昭和57年5月25日) 6、補正の対象 図面 7、補正の内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 / 正方晶系の酸化アンチモン亜鉛から成ることを特徴
とする、金属酸化物バリスタのバリスタ電圧および漏れ
電流を低減させるだめの添加剤。 λ 添加剤が粒状の正方晶系酸化アンチモン亜鉛から成
る特許請求の範囲/項記載の添加剤。 3 前記粒状の酸化アンチモン亜鉛が約j0μより小さ
い粒度を有する特許請求の範囲第2項記載の添加剤。 グ 前記粒状の酸化アンチモン亜鉛が約j〜約、20μ
の粒度を有する特許請求の範囲第3項記載の添加剤。 よ 前記酸化アンチモン亜鉛が式Zn5b、、04を有
する特許請求の範囲第1項記載の添加剤。 に 粒状の酸化亜鉛および酸化アンチモンを混合し、こ
うして得られた混合物を加圧成形し、次いで加圧成形後
の前記混合物を焼結する諸工程から成ることを特徴とす
るZn S’b204 の製造方法。 2 焼結後の前記混合物から外層部分を除去する工程を
含む特許請求の範囲第6項記載の方法。 と 焼結後の前記混合物を微粉砕する工程を含む特許請
求の範囲第6項記載の方法。 2 前記微粉砕工程が焼結後の前記混合物を約よ0μ
より小さい粒度にまで微粉砕することから成る特許請求
の範囲第と項記載の方法。 /θ 微粉砕によって粒度を7〜コθμにする特許請求
の範囲第9項記載の方法。 // 主成分としての酸化亜鉛、少量成分と1〜ての7
種以上の金属酸化物、およびZn S b20aを混合
し、こうして得られた混合物を加圧成形して加圧成形体
とし1次いで前記加圧成形体を焼結する諸工程から成る
ことを特徴とする、低いバリスタ電圧および少ない漏れ
電流を有する金属酸化物バリスタの製造方法。 /2.前記金属酸化物の7種が酸化ビスマスである特許
請求の範囲第1/項記載の方法。 /3 前記Zn5b204が粒状の正方晶系Zn5b2
04から成る特許請求の範囲第1/項記載の方法。 /タ 主成分としての酸化亜鉛、少量成分としての少な
くとも7種の金属酸化物、およびZn 8 b2 o4
から成ることを特徴とする、低いバリスタ電圧および少
ない漏れ電流を有する金属酸化物バリスタ。 /j 前記Zn5b204が正方晶系のZn5b204
から成る特許請求の範囲第1/、/、2、/3または7
9項記載のバリスタ。 /乙 前記Zn5b204をθO/〜10 (重量)%
の割合で含む特許請求の範囲第1/、/、2、/3 ま
たは79項記載のバリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57026920A JPS58148401A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 金属酸化物バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57026920A JPS58148401A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 金属酸化物バリスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58148401A true JPS58148401A (ja) | 1983-09-03 |
JPS647481B2 JPS647481B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=12206619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57026920A Granted JPS58148401A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 金属酸化物バリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58148401A (ja) |
-
1982
- 1982-02-23 JP JP57026920A patent/JPS58148401A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS647481B2 (ja) | 1989-02-09 |
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