JPS58147050A - 半導体素子用アルミニウム製冷却片 - Google Patents
半導体素子用アルミニウム製冷却片Info
- Publication number
- JPS58147050A JPS58147050A JP2882982A JP2882982A JPS58147050A JP S58147050 A JPS58147050 A JP S58147050A JP 2882982 A JP2882982 A JP 2882982A JP 2882982 A JP2882982 A JP 2882982A JP S58147050 A JPS58147050 A JP S58147050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling piece
- layer
- solder
- copper
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子用アルミニウム製冷却片に関する。
第１図に示すように半導体素子１は内部の熱損失が大き
いのに対し、温度上昇を小さく抑えなければならない丸
め、一般的ＩＣは半導体素子（以下素子と１５）１に冷
却片番を接し、冷却片４の広い面積から放熱している。
いのに対し、温度上昇を小さく抑えなければならない丸
め、一般的ＩＣは半導体素子（以下素子と１５）１に冷
却片番を接し、冷却片４の広い面積から放熱している。
又、大形の冷却片４では重量軽減のためアルミニウム製
が多く用いられている。一方、素子１内の伝熱部は熱伝
導率をより高くとる必要があり、一般には銅ポスト２が
用いられ、更に腐食防止のため、表面にニッケルメッキ
３が施されている。したがって、このまま素子１と冷却
片４を接触させると、アルミニウムとニッケルが接触す
ることになシ、使用中この接触部の隙間に電解質溶液、
例えば水が浸入すると、電解質溶液に対する異種金属の
電位差が発生し、局部電池作用がおこシ、異種金属接触
腐食が発生する。従来までの防止策はアルミニウム製冷
却片４の接触面に銅を拡継後、その上に銅メッキ、更に
銀メッキを実施し異種金属接触腐食防止層５を形成して
ｂる。しかしこの方法は、アルミニウム面への鯛の拡散
は純度の比較的高いアルミニウムのみにしか適用出来な
いため、アルミ合金（主としてＡｔ−８ｉ系）鋳物の冷
却片には適用出来ない。又、上記の銅の拡散、鋼メッキ
、ｆｓメッキの玉揚では工程数が多く、銀が高価なこと
もあシ、コスト高となっている。
が多く用いられている。一方、素子１内の伝熱部は熱伝
導率をより高くとる必要があり、一般には銅ポスト２が
用いられ、更に腐食防止のため、表面にニッケルメッキ
３が施されている。したがって、このまま素子１と冷却
片４を接触させると、アルミニウムとニッケルが接触す
ることになシ、使用中この接触部の隙間に電解質溶液、
例えば水が浸入すると、電解質溶液に対する異種金属の
電位差が発生し、局部電池作用がおこシ、異種金属接触
腐食が発生する。従来までの防止策はアルミニウム製冷
却片４の接触面に銅を拡継後、その上に銅メッキ、更に
銀メッキを実施し異種金属接触腐食防止層５を形成して
ｂる。しかしこの方法は、アルミニウム面への鯛の拡散
は純度の比較的高いアルミニウムのみにしか適用出来な
いため、アルミ合金（主としてＡｔ−８ｉ系）鋳物の冷
却片には適用出来ない。又、上記の銅の拡散、鋼メッキ
、ｆｓメッキの玉揚では工程数が多く、銀が高価なこと
もあシ、コスト高となっている。
本発明の目的は、安価で異種金属接触腐食の防止に有効
な半導体素子用−アルミニウム冷却片を提供することに
ある。
な半導体素子用−アルミニウム冷却片を提供することに
ある。
本発明は鋼、アルミニウム半田から成るクラツド材をア
ルミニウム製冷却片に銅面が表になるように半田付けし
、素子を接した時、素子表面のニッケルと、冷却片表面
の鋼が接触するようにし友ものである。
ルミニウム製冷却片に銅面が表になるように半田付けし
、素子を接した時、素子表面のニッケルと、冷却片表面
の鋼が接触するようにし友ものである。
以下本発明の一実施例を第２図によシ説明する。
先スアルミニウム冷却片１１を熱してアルミニウムの予
備半田１２を行う。その後所定の寸法に切断した鋼１３
とアルミニウム半田１４からなるクラツド材１５を前記
予備半田１２部と重ね、加熱。
備半田１２を行う。その後所定の寸法に切断した鋼１３
とアルミニウム半田１４からなるクラツド材１５を前記
予備半田１２部と重ね、加熱。
加圧して両者を半田付けする。この方法は量産されたク
ラツド材１５を使用しておシ、大気中で半田付けができ
ることから作業が簡単で、安価にできる特徴かめる。し
たがって、表面に鋼１３を半田付けしたアルミニウム製
冷却片１１と素子１との接触面は、！１ｌ１１１３とニ
ッケルメッキ３との接触となシ、接触面に一関が発生し
、電解液（例えば水）が浸入したとしても、電位差は非
常に小さく、夾用土、異種金属接触腐食は発生しない。
ラツド材１５を使用しておシ、大気中で半田付けができ
ることから作業が簡単で、安価にできる特徴かめる。し
たがって、表面に鋼１３を半田付けしたアルミニウム製
冷却片１１と素子１との接触面は、！１ｌ１１１３とニ
ッケルメッキ３との接触となシ、接触面に一関が発生し
、電解液（例えば水）が浸入したとしても、電位差は非
常に小さく、夾用土、異種金属接触腐食は発生しない。
本発明によれば、アルミニウム製冷却片の懺面に異種金
属接触腐食の防止に有効な金属層を安価に得られる効果
がある。
属接触腐食の防止に有効な金属層を安価に得られる効果
がある。
第１図は従来の実施例による半導体素子とアルミニウム
製冷却片を示す側面図、第２図は本発明による半導体素
子とアルミニウム製冷却片の一実施例を示す側面図であ
る。
製冷却片を示す側面図、第２図は本発明による半導体素
子とアルミニウム製冷却片の一実施例を示す側面図であ
る。
Claims (1)
- １、半導体素子に接して使用するアルミニウム製冷却片
において、銅、アルミニウム半田から成るクラット材の
アルミニウム半田側を前記冷却片に半田付けし九ことを
特徴とする半導体素子用アルミニウム製冷却片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2882982A JPS58147050A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体素子用アルミニウム製冷却片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2882982A JPS58147050A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体素子用アルミニウム製冷却片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58147050A true JPS58147050A (ja) | 1983-09-01 |
Family
ID=12259272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2882982A Pending JPS58147050A (ja) | 1982-02-26 | 1982-02-26 | 半導体素子用アルミニウム製冷却片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58147050A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292054A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Usac Electronics Ind Co Ltd | 動的アクセスメモリ装置 |
| US5448107A (en) * | 1989-12-29 | 1995-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Radiating fin having an improved life and thermal conductivity |
| JP2002288113A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Denso Corp | 信号処理装置 |
| JP2006066464A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-02-26 JP JP2882982A patent/JPS58147050A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6292054A (ja) * | 1985-10-18 | 1987-04-27 | Usac Electronics Ind Co Ltd | 動的アクセスメモリ装置 |
| US5448107A (en) * | 1989-12-29 | 1995-09-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Radiating fin having an improved life and thermal conductivity |
| JP2002288113A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Denso Corp | 信号処理装置 |
| JP2006066464A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
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