JPS5870561A - 半導体素子用アルミニウム製冷却片 - Google Patents

半導体素子用アルミニウム製冷却片

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Publication number
JPS5870561A
JPS5870561A JP16880481A JP16880481A JPS5870561A JP S5870561 A JPS5870561 A JP S5870561A JP 16880481 A JP16880481 A JP 16880481A JP 16880481 A JP16880481 A JP 16880481A JP S5870561 A JPS5870561 A JP S5870561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling piece
aluminum
contact
aluminium
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16880481A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Itahana
板鼻　博
Yoshinori Usui
薄井　義典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP16880481A priority Critical patent/JPS5870561A/ja
Publication of JPS5870561A publication Critical patent/JPS5870561A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子用アルミニウム製冷却片に係り、特
に異種金属接触腐蝕の防止に好適な半導体素子用アルミ
ニウム冷却片に関する。
第１図に示すように、半導体素子１は内部の熱損失が大
きいのに対し、温度上昇を小さく抑えなければならない
ため、一般には半導体素子（以下素子と言う）に冷却片
４を接し、冷却片４の広い面積から放熱している。また
、大形の冷却片４では重量軽減のためアルミニウム製が
多く用いられている。一方、素子内の伝熱部は熱伝導率
をよシ高くとる必要があシ、一般には銅ボスト２が用い
られ、更に腐蝕防止のため、表面にニッケルメッキ３が
施されている。冷却片４の素子１との接触面も腐蝕防止
のため、銅を拡散させた後、銅メッキや銀メッキ５が施
され、腐蝕の防止と接触抵抗の安定を図っている。
今、前記のメッキが無い場合を考えると、ニッケルとア
ルミニウム又は銅とアルミニウムが接触することになる
が、使用中この間に電解質容液（例えば水）が浸入する
と、電解質溶液に対する異種金属の電位差により、両金
属間に電位傾度を生じて局部電池作用がおこシ、電極電
位の低い方の金属が侵され腐蝕すると云う所謂異種金属
接触腐蝕を生ずる。アルミニウムに銀メッキを施した場
合を考えると、銀、ニッケル又は銀、銅の接触となυ、
両金属間の電位差は小さく接触腐蝕の心配は無くなる。
このようにアルミニウム製冷却片４への領メッキは大き
な意味をもっている。
しかし、アルミニウム面への銅の拡散、銅メッキ、銀メ
ッキは工程数が多く、更に個々の工程でも厳重な品質管
理が要求されるため、高価になる欠点があった。
本発明の目的は、安価で、異種金属接触腐蝕の防止に有
効な半導体素子用アルミニウム冷却片を提供することに
ある。
本発明は、銀、銅、アルミニウムはんだから成るクラツ
ド材を、アルミニウム製冷却片に銀面が表になるように
はんだ付けし、素子を接した時素子表面のニッケルと冷
却片表面の銀が接触するようにしたものである。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。先ず
アルミニウム冷却片１１を熱して予備はんだ１２を行う
。その後、所定の寸法に切断した銀ｌ　３．　銅ｌ　４
．アルミニウムはんだ１５から成るクラツド材１６を前
記予備はんだ１２部に重ね、加熱、加圧して両者をはん
だ付けする。この方法は量産されたクラツド材１６を使
用しており、気中ではんだ付けができることから、作業
が簡単で安価にできる特徴がある。又、銅、銀の層を厚
くしようと、芒えば、従来のメッキ法では長時間を要し
たが１本発明に使用するクラツド材１６は任意の厚さの
ものを簡単に得ることができるので、軽い外傷に対して
は十分な保護ができる。
又、冷却片１１がアルミニウム鋳物である場合には従来
のメッキ法では鋳物の巣にメッキ液が入り、洗浄で除去
できなかったメッキ液が後日アルミニウムを腐蝕するた
め、鋳物にはメッキが適用で門ない欠点があり、鋳物に
よる冷却片の作成は極めて困難であった。本発明によれ
ば、化学処理がないため、鋳物の巣があっても、後日腐
蝕する恐れがなく、アルミニウム鋳物製冷却片への適用
が可能である。
本発明によれば、アルミニウム製冷却片の表面に異種金
属接触腐蝕の防止に有効な金属層を安価に一体的に取付
けることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来による半導体素子とアルミニウム製冷却片
を示す正面図、第２図は本発明になる半導体素子上アル
ミニウム製冷却片の一実施例を示す正面図である。 １・・・半導体素子、２・・・銅ポスト、３・・・ニッ
ケルメッキ部、４・・・アルミニウム製冷却片、５・・
・銅拡散。 銅メッキ、銀メツキ部、１１−・・アルミニウム製冷却
片、１２・・・アルミニウムはんだの予備はんだ部。 １３・・・銀層、１４・・・銅板層、１５・・・アルミ
ニウム系　ｌ　図 ＄２　　図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子に接して使用するアルミニウム製冷却片
    において、銀、銅、アルミニウムはんだから成るクラツ
    ド材を、前記アルミニウムはんだ面が前記アルミニウム
    製前記冷却片に面するようにはんだ付けしたことを特徴
    とする半導体素子用アルミニウム製冷却片。 ２、特許請求の範囲第１項記載において、前記アルミニ
    ウム製冷却片は鋳物製であることを特徴とする半導体素
    子用アルミニウム製冷却片。
JP16880481A 1981-10-23 1981-10-23 半導体素子用アルミニウム製冷却片 Pending JPS5870561A (ja)

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JP16880481A JPS5870561A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 半導体素子用アルミニウム製冷却片

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JP16880481A JPS5870561A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 半導体素子用アルミニウム製冷却片

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JPS5870561A true JPS5870561A (ja) 1983-04-27

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ID=15874789

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JP16880481A Pending JPS5870561A (ja) 1981-10-23 1981-10-23 半導体素子用アルミニウム製冷却片

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JP (1) JPS5870561A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5402004A (en) * 1990-08-14 1995-03-28 Texas Instruments Incorporated Heat transfer module for ultra high density and silicon on silicon packaging applications
US5448107A (en) * 1989-12-29 1995-09-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Radiating fin having an improved life and thermal conductivity

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448107A (en) * 1989-12-29 1995-09-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Radiating fin having an improved life and thermal conductivity
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